半導體相變激發裝置製造方法
2023-05-05 07:35:16
半導體相變激發裝置製造方法
【專利摘要】本實用新型提供一種半導體相變激發裝置，包括至少一個半導體製冷片，所述半導體製冷片的製冷側設置有相變介質通道。本實用新型提供的上述方案，採用了相變蓄能技術，通過對相變的主動控制，擺脫了顯熱蓄能的局限，大大提高蓄熱密度的同時達到了長期低熱損儲能的目的。採用上述方案的跨季蓄能系統建造、使用成本低，使用壽命長。
【專利說明】半導體相變激發裝置
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及相變材料儲能供熱【技術領域】，尤其涉及一種半導體相變激發裝置。
【背景技術】
[0002]目前，跨季節蓄熱技術主要有以下幾類:人造水箱水體、礫石蓄熱、土壤蓄熱及地下含水層蓄熱。人造水箱水體及碌石蓄熱具有高熱容，良好的蓄/釋熱性能，性能穩定、無環境汙染等優點。人造水箱水體及礫石蓄熱的方式，是將水或礫石存放與水箱內，但水箱保溫工程困難，造價高昂，10000m3的人工水箱造價便高達千萬元。土壤蓄熱系統通常採用地埋管將熱能存蓄到地下土壤中，該技術的優點是無需人造蓄熱設備，造價相對低，但系統熱損失高，所需蓄熱容積大，對周圍生態環境有影響，且對地質結構具有選擇性，僅適用於巖石和飽和水土壤環境。利用地下天然含水層作為蓄熱水箱，具有造價低的優點，但對地質環境要求苛刻，系統運行易出現塞井、腐蝕及黴菌等現象。以上跨季節蓄熱技術由於技術或經濟上的限制因素，很難推廣。因此亟需開發新型高效經濟的跨季節蓄能技術。
實用新型內容
[0003]在下文中給出關於本實用新型的簡要概述，以便提供關於本實用新型的某些方面的基本理解。應當理解，這個概述並不是關於本實用新型的窮舉性概述。它並不是意圖確定本實用新型的關鍵或重要部分，也不是意圖限定本實用新型的範圍。其目的僅僅是以簡化的形式給出某些概念 ，以此作為稍後論述的更詳細描述的前序。
[0004]本實用新型提供一種半導體相變激發裝置，用以解決現有技術的不足。
[0005]本實用新型提供一種半導體相變激發裝置，包括至少一個半導體製冷片，所述半導體製冷片的製冷側設置有相變介質通道。
[0006]本實用新型提供的上述方案，採用了相變蓄能技術，通過對相變的主動控制，擺脫了顯熱蓄能的局限，大大提高蓄熱密度的同時達到了長期低熱損儲能的目的。採用上述方案的跨季蓄能系統建造、使用成本低，使用壽命長。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0007]參照下面結合附圖對本實用新型實施例的說明，會更加容易地理解本實用新型的以上和其它目的、特點和優點。附圖中的部件只是為了示出本實用新型的原理。在附圖中，相同的或類似的技術特徵或部件將採用相同或類似的附圖標記來表示。
[0008]圖1為本實用新型實施例提供的半導體相變激發裝置的主視圖。
[0009]附圖標記說明:
[0010]保溫部件-1 ； 半導體製冷片-2 ； 密封圈-3 ；
[0011]連接管-4;導熱金屬片_5。【具體實施方式】
[0012]下面參照附圖來說明本實用新型的實施例。在本實用新型的一個附圖或一種實施方式中描述的元素和特徵可以與一個或更多個其它附圖或實施方式中示出的元素和特徵相結合。應當注意，為了清楚的目的，附圖和說明中省略了與本實用新型無關的、本領域普通技術人員已知的部件和處理的表示和描述。
[0013]圖1為本實用新型實施例提供的半導體相變激發裝置的主視圖。如圖1所示，本實用新型實施例提供的半導體相變激發裝置，包括至少一個半導體製冷片2，所述半導體製冷片2的製冷側設置有相變介質通道。
[0014]上述方案，採用了相變蓄能技術，通過對相變的主動控制，擺脫了顯熱蓄能的局限，大大提高蓄熱密度的同時達到了長期低熱損儲能的目的效果。採用上述方案的跨級蓄能系統建造、使用成本低，使用壽命長。
[0015]實際使用中，該半導體相變激發裝置可以包括一個保溫部件I，保溫部件I可以但不限於為一塊保溫板。在保溫部件I上設置有安裝腔，在安裝腔內安裝一片半導體製冷片2，且半導體製冷片2的製冷側朝向安裝腔的底部。當然也可以安裝多片(含兩片)半導體製冷片2，當安裝多片半導體製冷片2時，多片半導體製冷片2層疊設置，且每兩相鄰半導體製冷片2之一的製冷側靠近或緊貼另一的散熱側。
[0016]在安裝腔的底部設置有通孔，通孔內設置有連接管4，連接管4的中空部分為相變介質通道。連接管4用於與相變介質容器相連。相變介質容器中的相變材料處於過冷態。半導體製冷片2的製冷量降低了通道內局部相變介質溫度，局部相變介質結晶並通過相變介質通道傳導到相變介質容器內使處於過冷態的相變介質陸續全部結晶並釋放熱能。
[0017]為了使半導體製冷片2的產生的低溫順利遷移至相變介質通道，則半導體製冷片2與相變介質通道之間設置有導熱金屬片5，導熱金屬片5緊貼於半導體製冷片2的製冷偵牝相變介質通道的一端頂在導熱金屬片5的表面。導熱金屬片5具有良好的導熱性能，提高了製冷片的低溫向相變介質通道遷移的效率。
[0018]為了獲得較好的密封效果，防止相變介質滲漏，在連接管4上套裝有與通孔密封的密封圈3，且該密封圈3與導熱金屬片5密封接觸配合，實現了連接管4、通孔及導熱金屬片5之間的良好密封。
[0019]使用時，通過半導體製冷片2降低局部相變介質的溫度，使所述相變介質結晶以釋放熱能。
[0020]作為一種優選方式，相變介質為醋酸鈉溶液。該醋酸鈉溶液的含水量在40%_60%。醋酸鈉溶液通過半導體製冷片2的Peltier效應，激發處於過冷態的醋酸鈉溶液，使其結晶，釋放回收60°C左右的熱能。當然，相變介質也可以採用處醋酸鈉溶液之外的其他相變材料，只要其可以通過上述半導體相變激發裝置激發即可。
[0021]最後應說明的是:以上實施例僅用以說明本實用新型的技術方案，而非對其限制；儘管參照前述實施例對本實用新型進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特徵進行等同替換；而這些修改或者替換，並不使相應技術方案的本質脫離本實用新型各實施例技術方案的精神和範圍。
【權利要求】
1.一種半導體相變激發裝置，其特徵在於，包括至少一個半導體製冷片，所述半導體製冷片的製冷側設置有相變介質通道。
2.根據權利要求1所述的半導體相變激發裝置，其特徵在於，所述半導體製冷片與所述相變介質通道之間設置有導熱金屬片，所述導熱金屬片緊貼於所述半導體製冷片的製冷側，所述相變介質通道的一端頂在所述導熱金屬片的表面。
3.根據權利要求2所述的半導體相變激發裝置，其特徵在於，還包括保溫部件，所述保溫部件上設置有安裝腔，所述半導體製冷片設置於所述安裝腔內。
4.根據權利要求3所述的半導體相變激發裝置，其特徵在於，所述半導體製冷片的製冷側朝向所述安裝腔的底部，所述安裝腔的底部設置有通孔，所述通孔內設置有連接管，所述連接管的中空部分為所述相變介質通道。
5.根據權利要求4所述的半導體相變激發裝置，其特徵在於，所述連接管上套裝有與所述通孔密封的密封圈。
6.根據權利要求5所述的半導體相變激發裝置，其特徵在於，所述密封圈與所述導熱金屬片密封接觸配合。
7.根據權利要求1或2或3所述的半導體相變激發裝置，其特徵在於，所述半導體製冷片為多個，多個所述半導體製冷片層疊設置，且每兩相鄰所述半導體製冷片之一的製冷側靠近或緊貼另一的散熱側。
【文檔編號】F25B21/02GK203615799SQ201320394919
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2013年7月2日 優先權日:2013年7月2日
【發明者】樊建華, 李富玲 申請人:樊建華