覆蓋有金屬材料的選擇性導電的陶瓷的製作方法
2023-05-07 05:30:01 2
覆蓋有金屬材料的選擇性導電的陶瓷的製作方法
【專利摘要】本發明涉及一種製造元件（10，10′，10′′）的方法（21），該方法（21）包括以下步驟：a）形成由基於氧化物的陶瓷製成的體部（11，11′，11′′）；b）使所述體部（11，11′，11′′）的外表面（F）的至少一部分（15，15′，15′′）暴露於還原反應，以便去除氧原子至預定深度，從而使所述至少一部分（15，15′，15′′）導電；c）從導電的所述至少一部分（15，15′，15′′）開始沉積金屬材料（16，16′，16′′）；d）加工所述體部（11，11′，11′′）和/或所述金屬材料（16，16′，16′′）以便為所述元件（10，10′，10′′）提供美學外觀。本發明涉及鐘錶領域。
【專利說明】覆蓋有金屬材料的選擇性導電的陶瓷
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種選擇性導電的陶瓷，且具體涉及包括金屬材料覆蓋層的該類型陶瓷。
【背景技術】
[0002]將附著層沉積到陶瓷部件上以附著到陶瓷上以及沉積用於隨後的電沉積物附著於其上的潤溼層是已知的。
[0003]然而，這兩層不僅在沉積期間而且在電鍍期間或最終部件使用時可能發生層離。
【發明內容】
[0004]本發明的目的是，通過提出一種基於氧化物的陶瓷來克服全部或部分上述缺陷，所述陶瓷選擇性地製造成導電，而不依靠附著層的沉積並且可以不使用潤溼層。
[0005]因此，本發明涉及一種製造用於鐘錶的元件的方法，該方法包括以下步驟:
[0006]a)形成基於氧化物的陶瓷體部；
[0007]b)將體部的外表面的至少一部分暴露於還原反應，以便去除氧原子至預定深度，從而使所述至少一部分導電；
[0008]c)從導電的所述至少一部分開始沉積金屬材料；
[0009]d)加工體部和/或金屬材料以便為元件提供美學外觀。
`[0010]有利地，根據本發明，不再通過在體部的頂部上沉積一層而是通過將形成體部的材料內在破壞至預定深度(即，不存在層離的可能性)來獲得導電錶面。
[0011]此外，氧原子去除可以是選擇性的，即，還原反應的方向性使得氧原子去除能夠限於外表面的全部或一部分。
[0012]根據本發明其它有利特徵:
[0013]-步驟a)通過燒結實現；
[0014]-步驟b)通過等離子體蝕刻實現；
[0015]-在步驟b)中使用的等離子體包括氫氣和中性氣體的電離混合物；
[0016]-氧原子去除(還原反應)的預定深度在25nm與10μ m之間；
[0017]-在步驟b)期間，體部的整個外表面暴露於還原反應；
[0018]-根據第二實施例，在步驟a)和步驟b)之間，該方法包括在體部的一個表面中蝕刻出至少一個凹部的步驟e)，以便步驟c)完全充填所述至少一個凹部，其中，至少一個凹部中的每個都形成裝飾物的圖案腔；
[0019]-步驟e)通過雷射執行；
[0020]-步驟e)執行到在80μ m與200 μ m之間的深度，以便提高附著力；
[0021]-至少一個凹部中的每個都包括連續的、至少部分地彎曲的表面(不具有邊緣)，以有利於步驟c )的實施；
[0022]-根據第三實施例，在步驟e)之後，該方法包括蝕刻出與所述至少一個凹部連通的至少一個孔以形成錨固裝置的步驟f)，以便步驟C)完全充填所述至少一個凹部並至少部分地充填所述至少一個孔；
[0023]-所述至少一個孔貫穿所述元件，使得它可在步驟c)中由金屬材料至少部分地充填，以便增加與所述元件的接觸表面；
[0024]-所述至少一個孔的直徑隨著所述孔進一步遠離所述至少一個凹部而逐漸增大，以便相對於所述元件保持所述金屬材料；
[0025]-步驟f)通過從與用於接納所述至少一個凹部的表面相對的表面定向雷射束而通過雷射實現；
[0026]-根據這些實施例的一個變型，在步驟c)之前，該方法包括形成一構件的步驟g)和將該構件組裝到體部上的步驟h)，以便步驟c)通過經由所述金屬材料相對於所述體部鎖定所述構件而確保所述構件組裝到所述體部上；
[0027]-該構件由與體部相同類型的材料或由金屬材料形成；
[0028]-步驟c)通過電鍍、燒結或鑄造實現；
[0029]-體部由金屬氧化物形成。
[0030]本發明還涉及一種用於鐘錶的陶瓷元件，其特徵在於，該陶瓷元件包括基於氧化物的體部，其外表面的至少一部分具有低氧原子含量並覆蓋有金屬材料以形成功能部分。
[0031]根據本發明其它的有利特徵:
[0032]-所述兀件的體部形成表殼和/或表鏈和/或表圈和/或錶盤和/或表鏡和/或按鈕和/或錶冠和/或橋夾板和/或機板和/或振蕩擺錘的全部或一部分；
[0033]-功能部分形成裝飾物和/或接觸表面。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0034]從下面參照附圖通過非限制性說明給出的描述中，可以清楚地發現其它特徵和優點，在附圖中:
[0035]-圖1是根據本發明的鐘表的圖；
[0036]-圖2至4是根據本發明的第一實施例的製造方法的連續步驟；
[0037]-圖5至7是根據本發明的第二實施例的製造方法的連續步驟；
[0038]-圖8至10是根據本發明的第三實施例的製造方法的連續步驟；
[0039]-圖11是根據本發明的方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0040]圖1所示的示例示出了總體上由I指示的鐘表,該鐘表包括至少一個元件10。每個元件10旨在形成非常耐磨的部分，包括至少一個至少部分為金屬的裝飾物13，該裝飾物I的視覺質量提高，特別是在對比度方面。
[0041]根據本發明的元件10可形成鐘錶1的外部部件的全部或一部分。因此，元件10可以形成表殼2、表鏈3、表圈4、錶盤5、表鏡6、按鈕7和/或錶冠8的全部或一部分。在以下說明的示例中，將參考包括裝飾物13的環對本發明進行說明，裝飾物13可以是鑲嵌的或不是鑲嵌的，裝飾物13形成表圈4的刻度。也可以形成用於鐘錶機芯的元件10，該元件可以是鑲嵌的或不是鑲嵌的，例如橋夾板和/或機板和/或振蕩擺錘。[0042]如圖1至10所示，陶瓷元件10、10'、10''包括基於氧化物的體部11、11'、
11』 '，其外表面F的至少一部分15、15'、15''具有低氧原子含量並覆蓋有金屬材料
16、16'、16',以形成諸如裝飾物和/或接觸表面的功能部分。
[0043]圖示出本發明的第二和第三實施例的圖7和10顯示出，體部11'、1廣'還可包括形成裝飾物13的圖案腔的至少一個凹部12，以用於接納金屬材料16'、16''。這些構型保護了金屬材料16'、16''在體部11'、11''中的每次沉積。
[0044]因此，顯然，有利地，根據本發明，金屬材料16、16'、16''可沉積成任何形狀，例如幾何圖形或字母數字字符。
[0045]優選地，根據本發明，體部11、11』、11』，由不導電的基於金屬氧化物的材料形成。體部11因此可例如由基於氧化鋯和/或氧化鋁和/或矽石的材料形成。
[0046]在圖4所示的第一實施例中，通過從體部11的外表面F的一部分15去除氧原子而使體部11選擇性導電。在體部11中以預定深度執行該去除，所述預定深度根據金屬材料16的期望類型可在25nm與10 μ m之間變化。
[0047]因此，顯然，不再通過在體部11的頂部上沉積一層(即，這可能引起層離)，而是通過將體部11的材料內在破壞至預定深度(即，不存在層離的可能性)，來獲得導電錶面。
[0048]此外，有利地，根據本發明，氧原子去除可以是選擇性的，即，還原反應的方向性允許氧原子去除限於外表面F的全部或一部分。
[0049]如圖4所示，根據第一實施例的元件10因此包括基於氧化物的陶瓷體部11，該體部11選擇性地覆蓋有金屬材料沉積物16以形成功能部分，例如裝飾物13和/或接觸表面。材料16可以是電鍍、燒結或鑄造型材料。
[0050]在圖7所示的第二實施例中，鑲嵌陶瓷元件1(V包括具有至少一個凹部12的體部11'，凹部12形成用於裝飾物13的圖案腔。與第一實施例一樣，通過從外表面F的一部分15'去除氧原子而使體部11'選擇性導電。在體部11'中以預定深度執行該去除，所述預定深度根據金屬材料16'的期望類型可在25nm與10 μ m之間變化。
[0051]因此，顯然，不再通過在體部11』的頂部上沉積一層(即，這可能引起層離)，而是通過將體部Ir的材料內在破壞至預定深度(即，不存在層離的可能性)，來獲得導電錶面。
[0052]此外，有利地，根據本發明，氧原子去除可以是選擇性的，即，還原反應的方向性允許氧原子去除限於外表面F的全部或一部分。在圖6和7的示例中，可以看到，已在凹部12處選擇性地執行了該去除。
[0053]如圖7所示，根據第二實施例的元件10'因此包括基於氧化物的陶瓷體部11』，陶瓷體部IP包括凹部12，凹部12已至少部分地充填有金屬材料沉積物16'以形成功能部分，例如裝飾物13和/或接觸表面。材料16'可以是電鍍、燒結或鑄造型材料。
[0054]為了改善裝飾物13在體部11』中的附著，凹部12優選具有在80 μ m與200 μ m之間的深度。
[0055]此外，出於金屬沉積物附著的目的，優選地，每個凹部12具有連續的、至少部分地彎曲的表面，即，其內表面不包括任何邊緣。
[0056]在圖10所示的第三實施例中，陶瓷元件1(V丨包括具有至少一個凹部12的體部11''，凹部12形成用於裝飾物13的圖案腔。元件10''還包括用於所述至少一個金屬裝飾物13的錨固裝置，錨固裝置與所述至少一個凹部12連通以便改善所述至少一個裝飾物13相對於所述元件10''的錨固。錨固裝置優選包括貫穿所述元件10''並至少部分地由所述金屬材料沉積物16'，充填的至少一個孔14。
[0057]與第一和第二實施例中一樣，通過從外表面F的一部分15''去除氧原子而使體部11' 』選擇性導電。在體部11' 』中以預定深度執行該去除，所述預定深度根據金屬材料16' 』的期望類型可在25nm與10 μ m之間變化。
[0058]因此，顯然，不再通過在體部11 '的頂部上沉積一層(即，這可能引起層離)，而是通過將體部11' 』的材料內在破壞至預定深度(即，不存在層離的可能性)，來獲得導電錶面。
[0059]此外，有利地，根據本發明，氧原子去除可以是選擇性的，即，還原反應的方向性允許氧原子去除限於外表面F的全部或一部分。在圖9和10的示例中，可以看到，已在整個表面F (B卩，包括凹部12和孔14)上選擇性地執行了去除。
[0060]如圖10所示，根據第三實施例的元件10''因此包括基於氧化物的陶瓷體部Ili '，陶瓷體部11''包括凹部12，凹部12已完全充滿金屬材料沉積物16''以形成功能部分，例如裝飾物13和/或接觸表面，其中，金屬材料沉積物16''通過孔14可靠地錨固。材料16''可以是電鍍、燒結或鑄造型材料。
[0061]在圖10所示的示例中，還可看到，孔14的直徑可隨著孔14進一步遠離所述至少一個凹部12而逐漸增大，以便相對於元件10''保持金屬材料16''。實際上，在孔14基本上呈圓錐形的情況下，由於在凹部12中開口的孔14的直徑比孔14的其餘部分的直徑小，因此不再能去除裝飾物13。
[0062]為了改善裝飾物13在體部11''中的附著，凹部12優選具有在80μπι與200μπι之間的深度。
[0063]此外，出於金屬沉積物附著的目的，優選地，每個凹部12具有連續的、至少部分地彎曲的表面，即，其內表面不包括任何邊緣。
[0064]最後，如上所述，在每個孔14基本呈圓錐形的情況下，由於在凹部12中開口的孔14的直徑比孔14的其餘部分的直徑小，因此不再能去除裝飾物13。優選地，每個孔14可因此在凹部12的底 部具有基本等於1OOym的直徑並最終在與體部11''相對的表面P上具有基本等於120 μ m或更大的直徑。
[0065]不論使用本發明的哪一個實施例，每個裝飾物13的視覺呈現主要經由沉積物16、16'、16''的顏色獲得。因此，所使用的金屬材料16、16'、16''將優選由其顏色或更一般地其美學外觀決定。因此，金屬材料16、16'、16''可包括金和/或銅和/或銀和/或銦和/或鉬和/或鈀和/或鎳。
[0066]舉例而言，因此可以通過給體部11、11'、11 '以閃亮外觀並給每種金屬材料
16、16'、16''以光滑外觀來獲得複雜的視覺呈現。此外，每種金屬材料16、16'、16''可由同一種金屬形成以提供均一的外觀。然而，還可以設想每種金屬材料16、16'、16''使用多種不同金屬，例如以便給兩個裝飾物以不同顏色，例如在圖1的情況下一種顏色用於標記且另一種顏色用於字母數字字符。
[0067]為了使顏色一致，還可以設想由與體部11、11'、11' ,周圍的材料相同的材料形成裝飾物13。因此，在圖1的示例性實施例中，可以使表圈4的裝飾物13的材料與表殼2、表鏈3、表圈4的其餘部分、錶盤5、按鈕7和/或錶冠8的材料相同。[0068]有利地，根據本發明，可以使用材料16、16'、16' 1來將一構件固定在體部11、11`、11 '上。實際上，根據上述實施例，在金屬材料16、16'、16''的沉積期間，例如由與體部11、1Ρ、1」 '相同類型的材料或金屬材料形成的構件可相對於體部11、1Ρ、11,'鎖定。該變型將提供裝飾物13的形狀和材料的多樣性。
[0069]最後，可選地，根據本發明，鑲嵌元件10、10'、10''還可提供可選的基本上透明的層，以便保護每種金屬材料16、16'、16''和可能地每個構件以免老化。該層可例如包括特別是氮化矽以保護每種金屬材料16、16'、16''以及在適合的情況下保護每個構件以免失去光澤，尤其是在所述材料或部件含銀時。
[0070]現在將參照圖2至11說明製造陶瓷元件10、10'、10''的方法21。 [0071]在圖11中用單線條示出的第一實施例中，在第一步驟20中，方法21在於形成例如氧化鋯的體部11。如從圖2到圖3的變化部分地示出的，步驟20的最終體部11優選通過燒結(即，經由注射工藝從生坯17)獲得。在步驟20結束時，圖3中可見的體部11具有其最終尺寸。
[0072]如圖11所示，方法21包括第二步驟22，該第二步驟用於使體部11的外表面F的至少一部分15暴露於還原反應，以便去除氧原子至預定深度，從而使所述至少一部分15導電。
[0073]根據本發明，步驟22優選通過等離子體蝕刻執行。然而，可使用去除氧原子的任何替代手段。
[0074]優選地，在步驟22中使用的等離子體包括蝕刻全部或一部分體部11的氫氣和中性氣體的電離混合物(ionised mixture)。
[0075]有利地，根據本發明，根據所使用的金屬材料16，氧原子去除的預定深度在25nm與10 μ m之間。因此，顯然，在步驟22中，可以選擇使體部11的整個外表面F暴露於還原反應。
[0076]如圖11所示，根據第一實施例的方法21包括第三步驟24，該第三步驟用於從體部11的面F的導電部分15開始沉積金屬材料16，以如圖4所示覆蓋面F的全部或一部分。步驟24可例如通過電鍍、燒結或鑄造實現。
[0077]如上所述，根據顏色或更一般地期望的視覺呈現，在步驟24中沉積的金屬材料16包括金和/或銅和/或銀和/或銦和/或鉬和/或鈀和/或鎳。
[0078]最後，在第四步驟26中，方法21以加工體部11和/或金屬材料16以在美學上完成元件10結束。帶覆蓋層的元件10因此加工完成且僅需組裝在最終部件中。該步驟26可通過常規的表面加工方法、例如磨削或研磨以去除任何多餘材料並接著進行拋光來獲得。
[0079]如上所述，該方法還可在步驟24前包括形成一構件並然後將該構件組裝到體部11上的步驟。因此，顯然，步驟24通過經由所述金屬材料相對於所述體部鎖定該構件而確保該構件組裝到體部11上。因此，體部和/或構件可包括將由金屬材料16覆蓋的至少一個平的或不平的幾何形狀以便確保組裝。
[0080]舉例而言，該構件可由與體部11相同類型的材料形成，即，由在步驟20中獲得的陶瓷或由在步驟20和22中變得導電的陶瓷或甚至由金屬材料形成。
[0081 ] 最後，根據本發明的方法21還可包括可選的最終步驟28，該步驟28用於沉積基本上透明的層，以便保護每種金屬材料16以及在適合的情況下每個構件以免老化。該層可例如包括氮化矽以防止金屬材料16以及在適合的情況下每個構件以免失去光澤，尤其是在它們主要由基於銀的材料形成時。
[0082]根據圖11中用雙線條示出的第二實施例，第一步驟20與第一實施例的相同。如圖11所示，根據第二實施例的方法21包括第二步驟23，該第二步驟用於在陶瓷體部11'的表面F中蝕刻出至少一個盲凹部12，該凹部12形成用於後續的裝飾物13的圖案腔，如圖5所示。
[0083]優選地，每個凹部12具有在80μπι與200μπι之間的深度。此外，優選地，每個凹部12具有連續的、至少部分地彎曲的表面，以有利於實施下述沉積步驟24。優選通過利用雷射的破壞性輻射實施步驟23，以便獲得非常精確的蝕刻。
[0084]如圖11所示，根據第二實施例的方法包括第三步驟22，該第三步驟用於使體部11'的外表面F的至少一部分15'暴露於還原反應，以便去除氧原子至預定深度，從而使所述至少一部分15'導電，這與第一實施例具有相同的特徵、相同的技術效果和相同的優點。
[0085]因此，顯然，在步驟22中，可以選擇使體部11'的外表面F的全部或一部分暴露於還原反應。在圖6和7所示的示例中，可以看到，已在凹部12中選擇性地執行了氧原子去除。
[0086]如圖11所示，根據第二實施例的方法21包括第四步驟24，該第四步驟用於從體部
11,的表面F的導電部分15'開始沉積金屬材料16'，以如圖6所示覆蓋面F的全部或一部分，這與第一實施例具有相同的特徵、相同的技術效果和相同的優點。步驟24可例如通過電鍍、燒結或鑄造實現。
[0087]應該指出的是，有利地，根據本發明，材料16，可因此不完全充填每個凹部12，即，某些凹部12可以不充填，或者某些凹部與相關的凹部12相比可以僅充填較小的深度和/或截面。因此，顯然，可以節省金屬材料16並節省步驟26的時間(要加工的材料更少)。
[0088]最後，在圖11所示的第五步驟26中，方法21以加工體部11'和/或金屬材料16'以便為元件10'提供美學外觀而結束。帶覆蓋層的和/或鑲嵌的元件10'因此加工完成且僅需組裝到最終部件中。該步驟26可以以與第一實施例中相同的特徵、相同的技術效果和相同的優點獲得。
[0089]如上所述，根據第二實施例的方法還可在步驟24前包括形成一構件並然後將該構件組裝到體部IP上的步驟。因此，顯然，步驟24通過經由所述金屬材料相對於所述體部鎖定該構件而確保該構件組裝到體部IP上。因此，體部和/或構件可包括將由金屬材料16'覆蓋的至少一個平的或不平的幾何形狀以便確保組裝。
[0090]舉例而言，該構件可由與體部11'相同類型的材料形成，即，由在步驟20中獲得的陶瓷或由在步驟20和22中變得導電的陶瓷或甚至由金屬材料形成。
[0091]最後，根據第二實施例的方法21還可提供最終的可選步驟28，該步驟用於沉積基本上透明的層，以便保護每種金屬材料16'以免老化，這與第一實施例具有相同的特徵、相同的技術效果和相同的優點。
[0092]根據圖11中用三線條示出的第三實施例，第一步驟20與第一實施例的相同。如圖11所示，根據第三實施例的方法21包括第二步驟23，該第二步驟用於在陶瓷體部11'的一個表面F中蝕刻出至少一個盲凹部12，該凹部12形成用於未來裝飾物13的圖案腔，如圖8所示，這與第二實施例具有相同的特徵、相同的技術效果和相同的優點。
[0093]如圖11所示，根據第三實施例的方法21繼續第三步驟25，該第三步驟用於蝕刻出與每個凹部12連通的至少一個孔14，以便形成固定裝置。如圖8所示，根據每個凹部12的形狀和跨度，為每個凹部12形成一個或多個孔14。步驟25優選通過利用雷射的破壞性輻射實施，以便獲得非常精確的蝕刻。
[0094]根據本發明，每個孔14貫穿元件10''的體部11' '，以便它在步驟24中可至少部分地由金屬材料16''充填以增加與所述元件的表面接觸。實際上，特別顯然的是，材料可因此在凹部12的「前方」和「後方」流動，即，它可在步驟24中隨時沉積在每個凹部12和每個孔14中。
[0095]最後，如圖8所示，每個孔14的直徑隨著孔14進一步遠離所述至少一個凹部12而逐漸增大，以便相對於元件10''保持將來的金屬材料16''。實際上，如上所述，在每個孔14基本上呈圓錐形的情況下，由於在凹部12中開口的孔14的直徑比孔14的其餘部分的直徑小，因此不再能去除每種金屬材料16''。優選地，每個孔14可因此在凹部12的底部具有基本等於100 μ m的直徑並最終在與體部IP '相對的表面P上具有基本等於120 μ m或更大的直徑。
[0096]優選地，有利地，根據本發明，通過從相對表面P定向雷射束以便立即以圓錐形方式(即，最大直徑位於與相對表面P的接合處)形成所述至少一個孔14來實現步驟25。
[0097]如圖11所示，根據第三實施例的方法包括第四步驟22，該第四步驟用於使體部
11,/的外表面F的至少一部分15'，暴露於還原反應，以便去除氧原子至預定深度，從而使所述至少一部分15'，導電，這與第一和第二實施例具有相同的特徵、相同的技術效果和相同的優點。
[0098]因此，顯然，在步驟22中，可以選擇使體部11'丨的外表面F的全部或一部分暴露於還原反應。在圖9和10所示的示例中，可以看到，已在整個表面F(即，包括凹部12和孔14)上選擇性地執行了氧原子去除。
[0099]如圖11所示，根據第三實施例的方法21包括第五步驟24，該第五步驟用於從體部
11,'的表面F的導電部分15''開始沉積金屬材料16''，以如圖9所示覆蓋表面F的全部或一部分，這與第二實施例具有相同的特徵、相同的技術效果和相同的優點。步驟24可例如通過電鍍、燒結或鑄造實現。
[0100]為了有利於這些充填操作，優選經由攪拌或振動強制地更新凹部12和孔14中的材料，以防止在充填凹部12和孔14時產生任何問題。
[0101]應該指出的是，有利地，根據本發明，材料16''因此可以不完全充填每個凹部12和/或每個孔14，即，不具有孔14的某些凹部12可以不充填，或者某些凹部和/或孔14與相關的凹部12和/或孔14相比可以僅充填較小的深度和/或截面。因此，顯然，可以節省金屬材料16'，並節省步驟26的時間(要加工的材料更少)。
[0102]最後，在圖11所示的第六步驟26中，方法21以加工體部11''和/或金屬材料16'，以給元件10'，提供美學外觀而結束。帶覆蓋層的和/或鑲嵌的元件10'，因此加工完成且僅需組裝到最終部件上。該步驟26可以以與第一和第二實施例中相同的特徵、相同的技術效果和相同的優點來獲得。
[0103]如上所述，根據第三實施例的方法還可在步驟24前包括形成一構件並然後將該構件組裝到體部Ir '上的步驟。因此，顯然，步驟24通過經由所述金屬材料相對於所述體部鎖定該構件而確保該構件組裝到體部IP '上。因此，體部和/或構件可包括將由金屬材料16' /覆蓋的至少一個平的或不平的幾何形狀以便確保組裝。
[0104]舉例而言，該構件可由與體部11' /相同類型的材料形成，即，由在步驟20中獲得的陶瓷或由在步驟20和22中變得導電的陶瓷或甚至由金屬材料形成。
[0105]最後，根據第三實施例的方法21還可提供最後的可選步驟28，該步驟用於沉積基本上透明的層，以便保護每種金屬材料16'，以免老化，這與第一和第二實施例具有相同的特徵、相同的技術效果和相同的優點。
[0106]當然，本發明並不限於所說明的示例，而是包括對本領域技術人員而言顯而易見的各種變型和改動。特別是，根據電沉積物的附著能力，可在如圖11所示的步驟22與步驟24之間提供沉積用於電沉積物的可選潤溼層的步驟27。
[0107]因此，可在每種金屬材料16、W'與體部11、11'、11' '之間沉積例如基本上50nm的層。根據沉積潤溼層的方法，可設想多種類型的材料，例如，金和/或銅和/或銀和/或銦和/或鉬和/或鈀和/或鎳。
[0108]此外，在步驟23中形成凹部12也可與在步驟25中形成孔14調換，而不喪失本發明的優點。也可設想，如果精度和廢品率可以接受，則可以用另一類型的蝕刻代替在步驟23和/或步驟25中的雷射蝕刻。
[0109]最後， 根據本發明的元件10、10'、10''的應用並不限於鐘錶1。因此，元件10、10'、10''例如可應用於珠寶首飾或甚至應用於餐具。
【權利要求】
1.一種製造用於鐘錶的元件(10，10'，10'')的方法(21)，包括以下步驟: a)形成由基於氧化物的陶瓷製成的體部(11，11',Ili ')； b)使所述體部(11，11'，1 ')的外表面(F)的至少一部分(15，15'，15'')暴露於還原反應，以便去除氧原子至預定深度，從而使所述至少一部分(15，15'，15'')導電； c)從導電的所述至少一部分(15，15'，15'')開始沉積金屬材料(16，16'，16' 1 )； d)加工所述體部(11，11'，11'')和/或所述金屬材料(16，16'，16'')，以便為所述元件(10，10'，10'')提供美學外觀。
2.根據權利要求1所述的方法(21)，其特徵在於，步驟a)通過燒結實現。
3.根據權利要求1所述的方法(21)，其特徵在於，步驟b)通過等離子體蝕刻實現。
4.根據權利要求3所述的方法(21)，其特徵在於，在步驟b)中使用的等離子體包括氫氣和中性氣體的電離混合物。
5.根據權利要求1所述的方法(21)，其特徵在於，氧原子去除的預定深度在25nm與10 μ m之間。
6.根據權利要求1所述 的方法(21)，其特徵在於，在步驟b)中，使所述體部(11，11'，11'')的整個外表面(F) 暴露於還原反應。
7.根據權利要求1所述的方法(21)，其特徵在於，在步驟a)和步驟b)之間，所述方法包括以下步驟: e)在所述體部(1，1')的一個表面(F)中蝕刻出至少一個凹部(12)，所述至少一個凹部中的每個都形成用於裝飾物(13)的圖案腔； 並且，步驟c)完全充填所述至少一個凹部。
8.根據權利要求7所述的方法(21)，其特徵在於，步驟d)通過雷射實現。
9.根據權利要求7所述的方法(21)，其特徵在於，步驟e)執行到在80μ m與200 μ m之間的深度，以便提高附著力。
10.根據權利要求7所述的方法(21)，其特徵在於，所述至少一個凹部(12)中的每個都包括連續的或至少部分地彎曲的表面(R)，以便有利於步驟c)的實施。
11.根據權利要求7所述的方法(21)，其特徵在於，在步驟e)之後，所述方法包括以下步驟: f)蝕刻出與所述至少一個凹部(12)連通的至少一個孔(14)，以便形成錨固裝置； 並且，步驟c)完全充填所述至少一個凹部(12)且至少部分地充填所述至少一個孔(14)。
12.根據權利要求11所述的方法(21)，其特徵在於，所述至少一個孔(14)貫穿所述元件且在步驟c)中由所述金屬材料(16'，)至少部分地充填，以便增加與所述元件的接觸表面。
13.根據權利要求12所述的方法(21)，其特徵在於，所述至少一個孔(14)的直徑隨著所述孔進一步遠離所述至少一個凹部(12)而逐漸增大，以便相對於所述元件保持所述金屬材料(16' 』 )。
14.根據權利要求11所述的方法(21)，其特徵在於，步驟f)通過從與用於接納所述至少一個凹部(12)的表面(F)相對的表面(P)定向雷射束而通過雷射實現。
15.根據權利要求1所述的方法(21)，其特徵在於，在步驟c)之前，所述方法包括以下步驟: g)形成一構件； h)將所述構件組裝到所述體部(11，11'，11'')上； 並且，步驟c)通過經由所述金屬材料相對於所述體部鎖定所述構件而確保所述構件組裝到所述體部(11，11'，11'')上。
16.根據權利要求15所述的方法(21)，其特徵在於，所述構件由與所述體部(11，11'，Ili ,)相同類型的材料形成。
17.根據權利要求15所述的方法(21)，其特徵在於，所述構件由金屬材料形成。
18.根據權利要求1所述的方法(21)，其特徵在於，步驟c)通過電鍍、燒結或鑄造實現。
19.根據權利要求1所述的方法(21)，其特徵在於，所述體部(11，11'，11'，)由金屬氧化物形成。
20.—種用於鐘錶(I)的陶瓷元件(10，10'，10'')，其特徵在於，所述元件包括基於氧化物的體部，11'')，其外表面(F)的至少一部分(15，15'，15'')具有低氧原子含量並覆蓋有金屬材料(16，16' ,16'')以便形成功能部分。
21.根據權利要求20所述的元件(10，10'，10'，)，其特徵在於，所述元件的所述體部(11，11',Ili ')形成表殼(2)和/或表鏈(3)和/或表圈(4)和/或錶盤(5)和/或表鏡(6)和/或按鈕(7)和/錶冠(8)和/或橋夾板和/或機板和/或振蕩擺錘的全部或一部分。
22.根據權利要求20或21所述的元件(10，10'，10'')，其特徵在於，所述功能部分形成裝飾物(13)和/或接觸表面。
【文檔編號】C04B41/88GK103771907SQ201310506924
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2013年10月24日 優先權日:2012年10月24日
【發明者】G·普蘭克爾特, P·維利 申請人:斯沃奇集團研究和開發有限公司