晶片切割裝置以及半導體元件的製造方法

2023-05-28 04:45:06 3

晶片切割裝置以及半導體元件的製造方法
【專利摘要】本發明提供一種晶片切割裝置以及半導體元件的製造方法，不僅能抑制切削液的消耗，而且在使切割休止狀態的旋轉刀成為切割狀態時，能夠抑制切割位置的偏移。當第一切割單元處於切割狀態且第二切割單元處於切割休止狀態時，在由計數部件（34）計算出的剩餘切割次數達到預定次數以前，控制部（84）使切削液停止從構成第二噴出單元（64）的各噴出管噴出，在剩餘切割次數達到預定次數之後，控制部（84）使切削液從第二噴出單元（64）噴出。在使用第二切割單元切割半導體晶片時，由於刀片（56）的溫度在預先確定的範圍內，因此不僅能夠抑制切削液的消耗，而且在使處於切割休止狀態的第二切割單元成為切割狀態時，能夠抑制切割位置的偏移。
【專利說明】晶片切割裝置以及半導體元件的製造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及晶片切割裝置以及半導體元件的製造方法。
【背景技術】
[0002]在專利文獻I中記載有這樣的技術:為了消除由主軸的旋轉導致的熱應變的影響，在進行切割之前，使主軸旋轉預定時間進行空轉運轉。
[0003]現有技術文獻
[0004]專利文獻1:日本特開平11-114949號公報
【發明內容】

[0005]本發明的課題在於，抑制切削液的消耗，而且在使處於切割休止狀態的旋轉刀成為切割狀態時，抑制切割位置的偏移。
[0006]本發明的發明I的晶片切割裝置的特徵在於，其具備:第一旋轉刀，其以預先確定的總切割次數一邊旋轉一邊對固定於固定臺的半導體晶片進行切割；第二旋轉刀，在所述第一旋轉刀以所述總切割次數切割了所述半導體晶片之後，所述第二旋轉刀一邊旋轉一邊對固定於所述固定臺的所述半導體晶片進行切割；第一噴出部件，在所述第一旋轉刀切割所述半導體晶片時，所述第一噴出部件朝向所述第一旋轉刀噴出切削液；第二噴出部件，其用於朝向所述第二旋轉刀噴出切削液；計數部件，在所述第一旋轉刀切割所述半導體晶片時，所述計數部件計算相對於所述總切割次數剩餘的剩餘切割次數或者計算所述第一旋轉刀已經切割了所述半導體晶片的已切割次數；以及控制部件，其控制切削液從所述第二噴出部件的噴出，在由所述計數部件計算出的所述剩餘切割次數或者所述已切割次數達到預定次數以前，所述控制部件使切削液停止從所述第二噴出部件噴出，在所述剩餘切割次數或者所述已切割次數達到了預定次數之後，所述控制部件使切削液從所述第二噴出部件噴出。
[0007]本發明的發明2的晶片切割裝置的特徵在於，其具備:第一旋轉刀，其以預先確定的總切割次數一邊旋轉一邊對固定於固定臺的半導體晶片進行切割；第二旋轉刀，在所述第一旋轉刀以所述總切割次數切割了所述半導體晶片之後，所述第二旋轉刀一邊旋轉一邊對固定於所述固定臺的所述半導體晶片進行切割；第一噴出部件，在所述第一旋轉刀切割所述半導體晶片時，所述第一噴出部件朝向所述第一旋轉刀噴出切削液；第二噴出部件，其用於朝向所述第二旋轉刀噴出切削液；計數部件，在所述第一旋轉刀切割所述半導體晶片時，所述計數部件計算相對於所述總切割次數剩餘的剩餘切割次數或者計算所述第一旋轉刀已經切割了所述半導體晶片的已切割次數；以及控制部件，其控制切削液從第二噴出部件的噴出以及所述第二旋轉刀的旋轉，在由所述計數部件計算出的所述剩餘切割次數或者已切割次數達到預定次數以前，所述控制部件使切削液停止從所述第二噴出部件噴出並且使所述第二旋轉刀停止旋轉，在所述剩餘切割次數或者所述已切割次數達到了預定次數之後，所述控制部件使切削液從所述第二噴出部件噴出，並且使所述第二旋轉刀旋轉。[0008]本發明的發明3的半導體元件的製造方法的特徵在於，其具備:準備工序，將形成有多個半導體元件的半導體晶片固定於權利要求1或權利要求2所述的晶片切割裝置所具備的固定臺；以及切割工序，使用所述晶片切割裝置所具備的第一旋轉刀和第二旋轉刀切割所述半導體晶片，從而從所述半導體晶片切割出半導體元件。
[0009]發明效果
[0010]根據本發明的發明I的晶片切割裝置，與一直使切削液從第二噴出部件噴出的情況相比，不僅能夠抑制切削液的消耗，而且在使處於切割休止狀態的旋轉刀成為切割狀態時，能夠抑制切割位置的偏移。
[0011]根據本發明的發明2的晶片切割裝置，與一直使切削液從第二噴出部件噴出的情況相比，不僅能夠抑制切削液的消耗，而且在使處於切割休止狀態的旋轉刀成為切割狀態時，能夠抑制切割位置的偏移。
[0012]根據本發明的發明3的半導體元件的製造方法，與在第二旋轉刀處於切割休止狀態時一直使切削液從第二噴出部件噴出的情況相比，能夠抑制製造出的半導體元件的外形的尺寸波動。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為示出本實施方式的晶片切割裝置所使用的第一噴出單元和第二噴出單元的立體圖。
[0014]圖2為示出本實施方式的晶片切割裝置所使用的第一噴出單元和第二噴出單元的俯視圖。
[0015]圖3為示出本實施方式的晶片切割裝置所使用的第一噴出單元和第二噴出單元的主視圖。
[0016]圖4為示出利用本實施方式的晶片切割裝置所使用的第一切割單元切割半導體晶片的切割工序的工序圖。
[0017]圖5為示出本實施方式的晶片切割裝置所使用的控制部的控制系統的框圖。
[0018]圖6的(A)和(B)為示出本實施方式的晶片切割裝置所使用的第一切割單元和第二切割單元等的剖視圖。
[0019]圖7的(A)和(B)為示出本實施方式的晶片切割裝置所使用的第一切割單元和第二切割單元等的剖視圖。
[0020]圖8的(A)和(B)為示出本實施方式的晶片切割裝置所使用的第一切割單元和第二切割單元等的俯視圖。
[0021]圖9的(A)和(B)為示出本實施方式的晶片切割裝置所使用的第一切割單元和第二切割單元等的俯視圖。
[0022]圖10為示出本實施方式的晶片切割裝置所使用的第二切割單元等的剖視圖。
[0023]圖11為示出通過本實施方式的半導體元件的製造方法製造出的發光元件(半導體元件)的俯視圖。
[0024]圖12為示出利用本實施方式的晶片切割裝置切割的半導體晶片的俯視圖。
[0025]圖13為示出本實施方式的晶片切割裝置所使用的第一切割單元和第二切割單元等的立體圖。[0026]圖14為示出本實施方式的晶片切割裝置的立體圖。
[0027]圖15為針對利用本實施方式的晶片切割裝置所使用的第一切割單元來切割半導體晶片的切割工序而不出了變形例的工序圖。
[0028]標號說明
[0029]10:晶片切割裝置
[0030]12:卡盤工作檯(固定臺的一例)
[0031]22:半導體晶片
[0032]30:發光元件(半導體元件的一例)
[0033]30A:發光點
[0034]30B: 一個邊緣
[0035]30C:另一邊緣
[0036]34:計數部件
[0037]36:第一切割單元(第一旋轉刀的一例)
[0038]38:第二切割單元(第二旋轉刀的一例)
[0039]62:第一噴出單元(第一噴出部件的一例)
[0040]64:第二噴出單元(第二噴出部件的一例)
[0041]84:控制部(控制部件的一例)。
【具體實施方式】
[0042]根據圖1?圖15對本發明的實施方式的晶片切割裝置以及半導體元件的製造方法的一例進行說明，另外，圖中所示的箭頭Z表示豎直方向上方。
[0043](整體結構)
[0044]如圖14所示，晶片切割裝置10(切割裝置)構成為包括:收納盒18，在該收納盒18裝載有半導體晶片22 ;卡盤工作檯12，其為用於固定被切割的半導體晶片22的固定臺的一例；搬送單元14，其將收納在收納盒18中的半導體晶片22搬送到卡盤工作檯12 ;移動單元32，其用於使卡盤工作檯12移動；切割單元35，其用於對在通過移動單元32而移動的卡盤工作檯12上固定的半導體晶片22進行切割；以及噴出單元60，其進行朝向切割單元35噴出切削液。
[0045](收納盒)
[0046]晶片切割裝置10的殼體20具有主體部位20A和突出部位20B，該主體部位20A呈長方體狀，該突出部位20B從主體部位20A的一端側向豎直方向上方突出。
[0047]裝載有半導體晶片22的收納盒18配置在主體部位20A的另一端側的角部，收納盒18的上部是敞開的。
[0048]並且，在收納盒18具有未圖示的升降部件，該升降部件使所裝載的半導體晶片22升降，並且最上層的半導體晶片22被配置在固定的位置。
[0049](半導體晶片)
[0050]收納在收納盒18中的半導體晶片22為圓形的一部分被切掉了的形狀，如圖12所示，半導體晶片22被貼在切割帶26上。而且，該切割帶26的外周側被貼在環狀的基本環28上。這樣，半導體晶片22以經切割帶26支撐於基本環28的狀態裝載在上述的收納盒18中。
[0051]並且，圖中的半導體晶片22中繪出的雙點劃線為被切割單元16切割的切割位置。由該雙點劃線可知，通過利用切割單元16切割半導體晶片22，作為被製造出的半導體元件的一例的發光元件30呈長方形形狀。
[0052]如圖11所示，在該發光元件30，沿長邊方向的一個邊緣30B，以比離另一邊緣30C近的方式形成有排成一列的多個發光點30A。為了製造這樣的發光元件30，如圖4所示，在半導體晶片22以預先規定的規定間隔(圖中所示間隔H)形成有多列發光點30A的列。
[0053](搬送單元)
[0054]如圖14所示，將半導體晶片22搬送到卡盤工作檯12的搬送單元14具有:臂部位14A，其基端部支撐於突出部位20B的內部，並且該臂部位14A能夠沿水平方向移動；伸縮部位14B，其基端部安裝在臂部位14A的末端部，並且能夠沿豎直方向伸縮；以及吸附部位14C，其安裝在伸縮部位14B的末端部，並且用於吸附基本環28。
[0055]根據該結構，搬送單元14通過基本環28而將收納在收納盒18的最上層的半導體晶片22拿起，向卡盤工作檯12搬送。
[0056](卡盤工作檯)
[0057]如圖10所示，卡盤工作檯12具有從下方支撐半導體晶片22的支撐部位12A。支撐部位12A俯視觀察呈圓形形狀，在支撐部位12A形成有多個未圖示的吸引孔，所述吸引孔用於隔著切割帶26吸附半導體晶片22。
[0058]而且，卡盤工作檯12在支撐部位12A的下側具有旋轉移動裝置24，該旋轉移動裝置24使支承部位12A沿支撐部位12A的周向旋轉移動。
[0059](移動單元)
[0060]並且，如圖14所示，具有上述的移動單元32，該移動單元32使卡盤工作檯12在可承接位置(參照圖14)和可切割位置之間移動，所述可承接位置是能夠承接由搬送單元14搬送的半導體晶片22的位置，所述可切割位置是能夠利用切割單元16切割半導體晶片22的位置。
[0061]移動單元32使卡盤工作檯12在與豎直方向正交的第一方向(圖中箭頭X方向)移動。而且，移動單元32通過使被配置在可切割位置的卡盤工作檯12沿第一方向往復移動，而利用切割單元16來切割半導體晶片22。
[0062]另外，關於切割半導體晶片22的工序在後面詳述。
[0063](切割單元)
[0064]切割單元35配置於在可切割位置配置的卡盤工作檯12的豎直方向的上方，如圖
13、圖14所示,切割單元35具有作為第一旋轉刀的一例的第一切割單元36、和配置在第一切割單元36的旁邊的作為第二旋轉刀的一例的第二切割單元38。第一切割單元36和第二切割單元38是相同的結構，因此這裡對於第一切割單元36進行具體說明，省略第二切割單元38的說明。
[0065]第一切割單元36具有:主軸42，其被圓筒狀的機殼40支撐為能夠旋轉；圓形的刀片46，其藉助於在主軸42的末端安裝的凸緣44而被固定；以及罩部件70，其從上方覆蓋刀片46。
[0066]機殼40形成為沿與豎直方向和第一方向正交的第二方向(圖中箭頭Y方向)延伸的圓筒狀。並且，機殼40的基端側具有支撐機殼40的基端部的驅動單元48。
[0067]該驅動單兀48使機殼40在豎直方向(Z方向)和第二方向(Y方向)移動，並且經主軸42使用於切割半導體晶片22的刀片46旋轉。
[0068]具體而言，在豎直方向(Z方向)，驅動單元48使機殼40移動到工作位置(參照圖6的(A))和退避位置(參照圖6的(B))，所述工作位置是能夠利用刀片46切割半導體晶片22的位置，所述退避位置是使刀片46從半導體晶片22退避的位置。
[0069]具體而言，在第二方向(Y方向)，驅動單元48使第一切割單元36沿第二方向移動，從而改變第二方向上的半導體晶片22的切割位置(參照圖4的(A))。
[0070]與該第一切割單元36所具有的各部件同樣地，第二切割單元38具有:機殼50、主軸52、凸緣54、刀片56、驅動單元58以及罩部件72。
[0071](噴出單元)
[0072]用於噴出切削液的噴出單元60具有作為第一噴出部件的一例的第一噴出單元62、和作為第二噴出部件的一例的第二噴出單元64，該第一噴出單元62朝向第一切割單元36噴出切削液，該第二噴出單元64朝向第二切割單元38噴出切削液。
[0073]第一噴出單元62和第二噴出單元64是相同的結構，因此這裡對於第一噴出單元62進行具體說明。
[0074]如圖2、圖3所示，第一噴出單元62具有:噴出管72A和噴出管72B，它們朝向刀片46的表面和背面噴出切削液；噴出管74，其朝向刀片46的外周端面噴出切削液；以及一對噴出管76，它們朝向半導體晶片22的被刀片46切割的切割部位噴出切削液。而且，噴出管72A、72B、噴出管74、以及噴出管76固定於罩部件70，並隨著第一切割單元36的移動而一起移動。
[0075]如圖3所示，從第二方向觀察，噴出管72A、72B被配置成沿第一方向延伸，噴出管72A被配置成與刀片46的表面(配置有凸緣44的一側的面)對置，噴出管72B被配置成與刀片46的背面對置。
[0076]如圖2所不,在噴出管72A、72B以與刀片46的表面或者背面對置的方式形成有多個開孔73。而且，在噴出管72A、72B中流動的切削液從噴出管72A、72B的末端部和開孔73朝向刀片46的表面和背面噴出。
[0077]如圖2、圖3所示，噴出管74的末端部與刀片46的外周端面對置。由此，在噴出管74中流動的切削液從噴出管74的末端部朝向刀片46的外周端面噴出。
[0078]如圖2所示，一對噴出管76在第二方向上以隔著噴出管74的方式配置。而且，如圖3所示，噴出管76的末端部與半導體晶片22的被刀片46切割的切割部位對置。由此，在噴出管76中流動的切削液從噴出管76的末端部朝向半導體晶片22的切割部位噴出。
[0079]而且，如圖1所示，在噴出管72A、72B、噴出管74和噴出管76連接有閥78A、78B、閥80和閥82，經閥78A、78B、閥80和閥82而向噴出管72A、72B、噴出管74和噴出管76供給切削液。而且，各閥的開閉由後述的作為控制部件的一例的控制部84控制。
[0080]與該第一噴出單元62同樣地，第二噴出單元64具有；噴出管86A、86B、噴出管88和噴出管90、以及閥92A、92B、閥94和閥96。
[0081](計數部件)
[0082]上述第一切割單元36以預先確定的總切割次數(在一張半導體晶片22中沿第一方向切割的總計次數)一邊旋轉一邊切割在支持部件12A固定的半導體晶片22。而且，在晶片切割裝置10具有計數部件34 (參照圖5)，在第一切割單元36切割半導體晶片22時，該計數部件34計算相對於上述總切割次數剩餘的剩餘切割次數。
[0083](控制部)
[0084]晶片切割裝置10具有:旋轉移動裝置24 (參照圖10)，其使卡盤工作檯12的支撐部位12A旋轉移動；移動單元32(參照圖14)，其使卡盤工作檯12沿第一方向移動；驅動單元48，其設置於第一切割單元36;驅動單元58 (參照圖13)，其設置於第二切割單元38 ;以及控制部84，其控制各閥的開閉(參照圖5 )。
[0085]並且，如圖5所示，該控制部84基於由計數部件34計算出的剩餘切割次數，控制閥92A、92B、閥94和閥96，使切削液從第二噴出單元64噴出。
[0086]另外，對於控制部84對各部件的控制，在後述的發光元件30的製造工序(製造方法)中說明。
[0087](作用)
[0088]接下來，對於晶片切割裝置10的作用，根據利用晶片切割裝置10製造發光元件30的製造工序(製造方法)進行說明。在下面的說明中使用的附圖中，適當省略部件地進行記載以易於理解各工序。
[0089]以預先規定的規定間隔(圖4所示的間隔H)形成有多列發光點30A的列的板狀的半導體晶片22經切割帶26被支撐於基本環28 (參照圖12)，並且如圖14所示，該半導體晶片22裝載在收納盒18中。
[0090](準備工序)
[0091]卡盤工作檯12預先配置在可承接位置。搬送單元14通過基本環28而將裝載在收納盒18的最上層的半導體晶片22拿起，並向配置在可承接位置的卡盤工作檯12搬送。
[0092]搬送至卡盤工作檯12的半導體晶片22被吸附固定在卡盤工作檯12的支撐部位12A。另外，在該狀態下，半導體晶片22在支撐部位12A被固定成:由半導體晶片22製造出(切割出)的發光兀件30的長邊方向沿著第一方向。
[0093](第一切割工序)
[0094]在準備工序中，在半導體晶片22被固定在卡盤工作檯12之後，利用第一切割單元36切割半導體晶片22，從而形成發光元件30的長邊方向的邊緣。另外，第一切割單元36和第二切割單元38預先配置在退避位置。
[0095]具體而言，控制部84控制驅動單元48，如圖6的(A)所示，使第一切割單元36移動到工作位置。
[0096]而且，控制部84控制驅動單元48和移動單元32，如圖6的(A)所示，使刀片46向箭頭方向旋轉，並使卡盤工作檯12向第一方向中的一側(圖中左側)移動。由此，從第一方向中的一側(圖中左側)朝向另一側(圖中右側)形成排列在第一方向上的發光元件30的長邊方向的邊緣(切割次數為I)。
[0097]發光元件30的長邊方向的一邊形成後，控制部84控制驅動單元48和移動單元32，使第一切割單元36移動到退避位置，並且使卡盤工作檯12向第一方向中的另一側移動。
[0098]第一切割單元36移動到退避位置之後，控制部84控制驅動單元48，使退避位置的第一切割單元36向第二方向中的一側(圖8的(A)所示的右側)移動以改變半導體晶片22的切割位置。
[0099]然後，如上所述，控制部84如圖6的(A)所示地使第一切割單元36向工作位置移動，並且使卡盤工作檯12向第一方向中的一側(圖中左側)移動。由此，從第一方向中的一偵儀圖中左側)朝向另一側(圖中右側)形成發光元件30的長邊方向的邊緣(切割次數為2)。
[0100]反覆進行該步驟，從而如圖8的(A)所示，從第二方向中的另一側(圖中左側)依次形成發光元件30的長邊方向的邊緣。也就是說，在形成發光元件30的長邊方向的邊緣的第一切割工序中，第一切割單元36的刀片46旋轉，第一切割單元36成為切割狀態，第二切割單元38的刀片56的旋轉停止，第二切割單元38成為切割休止狀態。由此，發光元件30的長邊方向的邊緣30B、30C全部形成。
[0101]這裡，當利用第一切割單元36切割半導體晶片22時,在切割半導體晶片22而形成發光兀件30的沿發光點30A的列的一個邊緣30B(參照圖11)之後,相對於一個邊緣30B隔開上述的規定間隔(圖11所示的間隔H)地切割半導體晶片22，從而形成發光元件30的比一個邊緣30B離發光點30A遠的另一邊緣30C (參照圖11)(參照圖4)。
[0102]另一方面，在第一切割單元36處於切割狀態且第二切割單元38處於切割休止狀態時，如圖1所示，控制部84控制閥78A、78B、閥80和閥82的開閉，使得從構成第一噴出單元62的各噴出管74、76、78噴出切削液。
[0103]而且，控制部84控制閥92A、92B、閥94和閥96的開閉，在由計數部件34計算出的剩餘切割次數達到所確定的(預定)次數以前，使切削液停止從構成第二噴出單元64的各噴出管噴出。此外，控制部84控制閥92A、92B、閥94和閥96的開閉，在由計數部件34計算出的剩餘切割次數達到所確定的次數之後，使切削液從構成第二噴出單元64的各噴出管朝向切割休止狀態的第二切割單元38噴出。也即是說，在剩餘切割次數達到了所確定的次數之後，使切削液從構成第二噴出單元64的各噴出管朝向切割休止狀態的第二切割單元38嗔出。
[0104](第二切割工序)
[0105]在第一切割工序中，在第一切割單元36對半導體晶片22切割了總切割次數而形成了發光元件30的長邊方向的邊緣之後，利用第二切割單元38形成發光元件30的短邊方向的邊緣。
[0106]具體而言，控制部84控制驅動單元48，使第一切割單元36移動到退避位置，並且控制移動單元32，使卡盤工作檯12向第一方向中的另一側(圖14所示的右側)移動，使半導體晶片22離開切割單元35。而且，控制部84控制旋轉移動裝置24，使卡盤工作檯12旋轉90度。
[0107]然後，控制部84控制驅動單元58，如圖6的(B)所示，使第二切割單元38移動到
工作位置。
[0108]而且，控制部84控制驅動單元58和移動單元32，如圖6的(B)所示，使刀片56向箭頭方向旋轉，並使卡盤工作檯12向第一方向中的一側(圖中左側)移動。由此，從第一方向中的一側(圖中左側)朝向另一側(圖中右側)形成發光元件30的短邊方向的邊緣30D (參照圖11)。
[0109]發光元件30的短邊方向的一邊形成後，控制部84控制驅動單元58和移動單元32，使第二切割單元38移動到退避位置，並且使卡盤工作檯12向第一方向中的另一側移動。
[0110]並且，控制部84控制驅動單元48，使退避位置的第二切割單元38向第二方向中的一側(圖8的(B)所示的右側)移動以改變半導體晶片22的切割位置。
[0111]另外，如上所述，控制部84如圖6的(B)所示地使第二切割單元38向工作位置移動，並且使卡盤工作檯12向第一方向中的一側(圖中左側)移動。由此，從第一方向中的一側(圖中左側)朝向另一側(圖中右側)形成發光元件30的短邊方向的邊緣30D。
[0112]這裡，如圖8的(B)所示，從半導體晶片22的第二方向的中央側朝向第二方向中的一側(圖中右側)依次形成發光元件30的短邊方向的邊緣30D。因此，在圖8的(B)所示的半導體晶片22的右側，形成發光元件30的短邊方向的邊緣30D。
[0113]當在如圖8的(B)所示的半導體晶片22的右側形成發光元件30的短邊方向的邊緣30D (參照圖11)後，控制部84控制驅動單元58和移動單元32，使第二切割單元38移動到退避位置，並且使卡盤工作檯12向第一方向中的另一側移動。
[0114]然後，控制部84控制旋轉移動裝置24，使卡盤工作檯12旋轉180度。由此，在半導體晶片22中，形成了發光元件30的短邊方向的邊緣30D的範圍在第二方向被調換。
[0115]而且，控制部84控制驅動單元58，如圖7的(A)所示，使第二切割單元38移動到工作位置。
[0116]並且，反覆進行與上述相同的工序，從而如圖9的(A)所示，從半導體晶片22的第二方向的中央側向第二方向中的一側(圖中右側)依次形成發光元件30的短邊方向的邊緣30D。由此，發光元件30的短邊方向的邊緣30D全部形成。
[0117]發光元件30的邊緣30B、30C、30D (參照圖11)全部形成後，控制部84控制驅動單元48和驅動單元58，如圖7的(B)、圖9的(B)所示，使第一切割單元36和第二切割單元38移動到退避位置。像這樣，通過利用晶片切割裝置10切割半導體晶片22，製造出多個發光元件30。
[0118]這裡，當第一切割單元36處於切割休止狀態且第二切割單元38處於切割狀態時，控制部84控制閥92A、92B、閥94和閥96的開閉，使得切削液從構成第二噴出單元64的各
噴出管噴出。
[0119]也就是說，在第一切割工序中，當剩餘切割次數達到了所確定的切割次數之後，從構成第二噴出單元64的各噴出管繼續噴出切削液。
[0120]如上述說明那樣，當第一切割單元36處於切割狀態且第二切割單元38處於切割休止狀態時，在由計數部件34計算出的剩餘切割次數達到所確定的次數以前，控制部84使切削液停止從構成第二噴出單元64的各噴出管噴出，而在剩餘切割次數達到了所確定的次數之後，控制部84使切削液從第二噴出單元64噴出。
[0121]由此，當利用第二切割單元38切割半導體晶片22時，由於刀片56的溫度在預先確定的範圍內，因此與使切削液一直噴出的情況相比抑制了切削液的消耗，而且，當使處於切割休止狀態的第二切割單元38成為切割狀態時，抑制了切割位置的偏移。
[0122]並且，通過抑制切割位置的偏移，發光元件30的外形的尺寸波動被抑制，從而發光元件30的外形的尺寸在允許範圍內。
[0123]並且，在第一切割工序中，在形成發光元件30的沿發光點30A的列的一個邊緣30B(參照圖11)之後，相對於一個邊緣30B隔開規定間隔(如圖4、圖11所示的間隔H)地切割半導體晶片22,從而形成發光兀件30的比一個邊緣30B離發光點30A遠的另一邊緣30C (參照圖11)。
[0124]這樣,形成比一個邊緣30B離發光點30A的列遠的另一邊緣30C地將發光兀件30從半導體晶片22切離，由此，在形成另一邊緣30C時，即使從半導體晶片22切離的一側的發光元件30抖動，由於刀片46和發光點30A相距很遠，因而抑制了發光點30A的損傷。
[0125]並且，如圖8的(B)所示，發光元件30的短邊方向的邊緣30D從半導體晶片22的第二方向的中央側向第二方向中的一側(圖中右側)依次形成。
[0126]因此，如圖10所示，通過切割半導體晶片22而產生的不需要的比發光元件30小的碎片102 (參照圖9的(B))不會向第二切割單元38的凸緣54側飛散，而是向機殼50側飛散。由於不會發生向凸緣54側飛散並碰撞到凸緣54的傾斜面54A而彈回到半導體晶片22的情況，因此抑制了發光點30A的損傷。
[0127]另外，對於特定的實施方式詳細地說明了本發明，但本發明不限於所述實施方式，對於本領域技術人員來說能夠在本發明的範圍內採用其他各種實施方式是顯而易見的。例如，在上述實施方式中，在由計數部件34計算出的剩餘切割次數達到了所確定的次數之後，控制部84使切削液從構成第二噴出單元64的各噴出管朝向切割休止狀態的第二切割單元38噴出，但也可以是在剩餘切割次數達到了所確定的次數之後，在使切削液從構成第二噴出單元64的各噴出管噴出時，控制部84控制驅動單元58而使刀片56旋轉。這樣，通過使切割休止狀態下的第二切割單元38的刀片56旋轉，從而刀片56整體的溫度均一地處於預先確定的範圍內。
[0128]此外，在上述實施方式中，計數部件34計算剩餘切割次數，但也可以是計算已經切割半導體晶片的已切割次數。
[0129]此外，在上述實施方式中，每個噴出管分別具備閥，但也可以是第一噴出單元62和第二噴出單元64各具備一個閥。
[0130]此外，在上述實施方式中，通過使第一切割單元36向第二方向中的一側移動，而在第一切割工序中，在形成發光元件30的沿發光點30A的列的一個邊緣30B之後，形成發光元件30的比一個邊緣30B離發光點30A遠的另一邊緣30C (參照圖4)，但如圖15所示，在發光點IlOA與本實施方式的情況對稱地配置的情況下，也可以是在使第一切割單元36從第二方向中的一側向另一側移動而形成發光元件110的沿發光點IlOA的列的一個邊緣IlOB之後，形成發光元件110的比一個邊緣IlOB離發光點IlOA遠的另一邊緣110C。
【權利要求】
1.一種晶片切割裝置，其具備: 第一旋轉刀，其以預先確定的總切割次數一邊旋轉一邊對固定於固定臺的半導體晶片進行切割； 第二旋轉刀，在所述第一旋轉刀以所述總切割次數切割了所述半導體晶片之後，所述第二旋轉刀一邊旋轉一邊對固定於所述固定臺的所述半導體晶片進行切割； 第一噴出部件，在所述第一旋轉刀切割所述半導體晶片時，所述第一噴出部件朝向所述第一旋轉刀噴出切削液； 第二噴出部件，其用於朝向所述第二旋轉刀噴出切削液； 計數部件，在所述第一旋轉刀切割所述半導體晶片時，所述計數部件計算相對於所述總切割次數剩餘的剩餘切割次數或者計算所述第一旋轉刀已經切割了所述半導體晶片的已切割次數；以及 控制部件，其控制切削液從所述第二噴出部件的噴出，在由所述計數部件計算出的所述剩餘切割次數或者所述已切割次數達到預定次數以前，所述控制部件使切削液停止從所述第二噴出部件噴出，在所述剩餘切割次數或者所述已切割次數達到了預定次數之後，所述控制部件使切削液從所述第二噴出部件噴出。
2.一種晶片切割裝置，其具備: 第一旋轉刀，其以預先確定的總切割次數一邊旋轉一邊對固定於固定臺的半導體晶片進行切割； 第二旋轉刀，在所述第一旋轉刀以所述總切割次數切割了所述半導體晶片之後，所述第二旋轉刀一邊旋轉一邊對固定於所述固定臺的所述半導體晶片進行切割； 第一噴出部件，在所述第一旋轉刀切割所述半導體晶片時，所述第一噴出部件朝向所述第一旋轉刀噴出切削液； 第二噴出部件，其用於朝向所述第二旋轉刀噴出切削液； 計數部件，在所述第一旋轉刀切割所述半導體晶片時，所述計數部件計算相對於所述總切割次數剩餘的剩餘切割次數或者計算所述第一旋轉刀已經切割了所述半導體晶片的已切割次數；以及 控制部件，其控制切削液從第二噴出部件的噴出以及所述第二旋轉刀的旋轉，在由所述計數部件計算出的所述剩餘切割次數或者已切割次數達到預定次數以前，所述控制部件使切削液停止從所述第二噴出部件噴出並且使所述第二旋轉刀停止旋轉，在所述剩餘切割次數或者所述已切割次數達到了預定次數之後，所述控制部件使切削液從所述第二噴出部件噴出，並且使所述第二旋轉刀旋轉。
3.一種半導體元件的製造方法，其具備: 準備工序，將形成有多個半導體元件的半導體晶片固定於權利要求1或權利要求2所述的晶片切割裝置所具備的固定臺；以及 切割工序，使用所述晶片切割裝置所具備的第一旋轉刀和第二旋轉刀切割所述半導體晶片，從而從所述半導體晶片切割出半導體元件。
【文檔編號】B28D5/02GK103448151SQ201310166053
【公開日】2013年12月18日 申請日期:2013年5月8日 優先權日:2012年5月30日
【發明者】堀恭彰, 其他發明人請求不公開姓名 申請人:富士施樂株式會社