不使用放射性化學同位素的可控井下產生離子輻射的設備和方法
2023-12-01 00:12:21 2
專利名稱：不使用放射性化學同位素的可控井下產生離子輻射的設備和方法
不使用放射性化學同位素的可控井下產生離子輻射的設備
和方法描述了一種用於可控井下產生離子輻射的設備，更具體地，其特徵在於該設備包括至少一個熱離子發射器，該至少一個熱離子發射器被布置在電絕緣真空容器的第一端部；以及輕子靶(target)，該輕子靶被布置在電絕緣真空容器的第二端部；熱離子發射器連接到一系列串聯連接的負電勢增加元件，所述電勢增加元件中的每一個被布置為通過轉換施加的驅動電壓來增加施加的直流電勢，並且將增加的負直流電勢以及所述驅動電壓傳輸到所述一系列串聯連接的元件中的下一個單元，並且離子輻射超過200keV，該離子輻射的能譜分布的主要部分位於康普頓範圍內。在對於井下材料組成的井眼測井和數據獲取中，現在廣泛使用放射性同位素。利用現有技術，不能夠使用能夠產生代替在井眼的測井操作等中使用的傳統放射性同位素的發射的能量所需的光子能量的非放射性系統，也就是說，不能使用具有大於200keV的X射線/伽馬輻射並且被布置為在具有小於4" (IOlmm)的直徑的外殼內的設備。如今，容納測井設備的外殼的典型的最大直徑處於35/8" (92mm)或者更小的量級。同位素的發射速率以及強度與其放射性半衰期相關。為了減少記錄在統計上可靠的檢測到的次級光子的量所需要的時間，同位素必須具有相應短的半衰期，儘可能地使用更大量的材料來增加輸出。這導致成本和安全性上難以平衡；測井操作的時間越長，與設施相關的成本(諸如鑽井機時間)和/或生產的損耗越高；並且測井操作的時間越短，與所使用的同位素相關的風險越大，並且當處理同位素時，必須採用更加更廣泛的安全預防措施。本發明的目的在於補償或者減少現有技術中的至少一個缺陷，並且至少提供對於現有技術的有用的替代。通過在以下的描述和其後的權利要求書中描述的技術特徵實現該目的。在密集測井、鑽井時的測井、鑽井時的測量期間以及井操作的測井期間，在不使用高放射性化學同位素的情況下在井眼等中「根據需要」產生X射線/伽馬輻射形式的高能量輻射的能力在石油和天然氣工業中將是非常有利的。在下文中，將使用術語「輕子」。輕子來源於希臘語λ ε π τ ν其意指「小」或者 「薄」。在物理學中，如果粒子具有1/2自旋，並且不經歷色能(colour power)，則該粒子是輕子。輕子形成基本粒子的族。已知12種類型的輕子，其中3種是物質粒子(電子、μ子和tau輕子)，三種中微子，以及它們相應的6種反粒子。所有已知的帶電輕子具有單個負電荷或者單個正電荷(取決於其是粒子還是反粒子)並且所有中微子和反中微子是電中性的。通常，同一類型的輕子的數量(電子和電子中微子；μ子和μ中微子；tau子和tau中微子)在粒子相互作用時仍保持相同。這已知為輕子數守恆。在石油和天然氣工業中與放射性同位素相關聯的當前控制、後勤、處理和安全措施需要高成本，並且不需要使用放射性化學同位素而是可以「根據需要」產生等效輻射的系統將消除與處理同位素相關的很多控制和後勤成本。作為由於引入了反恐預防使得對高放射性化學同位素的儲存、使用和移動施加更加全面的控制的結果，與工業中日常使用的數千種同位素材料相關的安全和後勤的成本極大地增加。本發明提供一種設備和方法，其使得能夠通過在相反極化的高電勢的兩個電極之間加速輕子，利用輻射輸出產生具有康普頓範圍內的能譜分量的X射線/伽馬輻射，其中每個電極通過電勢增加級系統而被維持在可控電勢處，所述級被布置為允許在具有小於 4" (IOlmm)的截面大小的電接地的並且優選地為筒狀的外殼中產生和控制非常高的電壓 (高於100000V)。因此，系統的輸出比發射伽馬的同位素的輸出大很多倍，這導致了在測井操作期間測量滿意量的數據所需的時間的顯著減小，使得整體時間消耗和成本都得到減小。系統沒有使用高放射性同位素，從而消除了與放射性同位素相關的控制、處理和安全例程的需要。所述設備設置有被布置為在不使用諸如鈷60或者銫137的高放射性化學同位素的情況下在鑽井環境中在需要時產生離子輻射的組件。所述設備包括以下主要組件·模塊化系統，用於在具有相對小的直徑的接地的優選為筒狀的外殼中產生和控制高電勢，所述高電勢包括正電勢和負電勢。 用於保持高電勢和地之間電分離的系統，該系統包括場控制幾何結構、加壓氣體電絕緣材料和爬電抑制支撐幾何結構。·使用由偶極子電勢形成的電場來朝向輕子靶加速輕子的系統。·靶和輕子流幾何結構，該結構使得以圍繞設備的縱向軸旋轉對稱的徑向發射方式產生離子輻射。本發明更具體地涉及一種用於可控井下產生離子輻射的設備，其特徵在於，該設備包括至少一熱離子發射器，該至少一熱離子發射器被布置在電絕緣真空容器的第一端部中，以及輕子靶，該輕子靶被布置在電絕緣真空容器的第二端部中；該熱離子發射器連接到一系列串聯連接的負電勢增加元件，所述電勢增加元件中的每一個被布置為通過轉換施加的驅動電壓增加施加的直流電勢，並且將增加的負直流電勢以及驅動電壓傳輸到所述一系列串聯連接的元件中的下一個單元，並且離子輻射超過200keV，並且該離子輻射的能譜分布的主要部分位於康普頓範圍內。真空容器可以是真空管。這極大地減小了真空容器的發射阻力。輕子靶可以形成為旋轉對稱形狀。這改善了從所述設備向外的所有方向上的輻射分布。輕子靶可以形成為錐形。其優點在於熱離子發射的隨機散射將導致所述設備的整個周圍均勻分布的輻射。輕子靶可以基本上由從鎢、鉭、鉿、鈦、鉬、銅以及呈現出大於55的原子數的元素的非放射性同位素組成的組中選取的材料、合金或者合成物來提供。這實現了輻射能譜的有利部分中更高程度的輸出。輕子靶可以連接到一系列串聯連接的正電勢增加元件，所述電勢增加元件中的每
4一個被布置為通過轉換施加的高頻驅動電壓增加施加的直流電勢，並且將增加的正直流電勢以及所述交流電壓傳輸到所述一系列串聯連接的元件中的下一個單元。這改善了對電壓場幾何結構的控制。驅動電壓可以是具有高於60Hz的頻率的交流電壓。由此，能夠在對於電流承載組件的較低容量要求的情況下生成給定的能量。可以布置能譜硬化濾波器以從產生的離子輻射中消除部分低能量輻射。由此，濾波從輻射輸出中移除噪聲。能譜硬化濾波器可以由從銅、銠、鋯、銀和鋁構成的組中選取的材料、合金或者合成物來形成。可以由此生成想要的能譜區域內的輻射。在輕子靶處，可以布置束屏蔽部，該束屏蔽部具有被布置為生成定向控制輻射的一個或者多個孔。由此，可以根據需要對輻射進行定向控制。所述設備可以包括外殼，該外殼被布置為被利用氣體形式的電絕緣物質來加壓。 這減小了發火花和電閃絡的風險。電絕緣物質可以是六氟化硫。六氟化硫具有良好的絕緣性質。外殼可以呈現出不超過101mnK4〃)的截面大小。設備由此良好地適用於所有井下測井環境。每個電勢增加元件可以包括被布置為將與其自身的輸入電勢相等的輸入電勢施加到下一個電勢增加元件的裝置。在下文中，將描述在附圖中示出的優選實施方式的示例，在附圖中
圖1示出了穿過根據本發明的設備的第一雙極性示例性實施方式的縱向截面，熱離子發射器和輕子靶被連接到各系列電勢增加元件，並且圖1示出了顯示在增加元件系列中的每個級的電勢的曲線圖；圖2中的a)示出了銫137化學同位素的典型發射能譜；圖2中的b)示出了當-350000V的電流電勢施加到熱離子發射器並且+350000V 的電流電勢施加到輕子靶時，根據本發明的設備的典型輸出；圖2中的C)示出了與圖2中的b)中相同的結果，但是使用了純銅的能譜濾波器；圖2中的d)示出了由銅、銠和鋯組成的合成物製成的能譜濾波器的效果；圖3以比圖1更大的比例尺示出了根據本發明的各種設備的一種變型例的縱向截面的截面圖，具有生成定向控制的輻射的孔的束屏蔽部被布置在輕子靶周圍；圖4示出了穿過根據本發明的設備的第二單極性示例性實施方式的縱向截面，其中，熱離子發射器連接到一系列電勢增加元件，並且在接地的真空容器中，在從接地的錐形輕子靶的徑向方向上生成離子輻射；圖5示出了穿過根據本發明的設備的第三單極性示例性實施方式的縱向截面，其中，熱離子發射器連接到一系列電勢增加元件，並且在接地的真空容器中，在遠離輕子靶的軸向方向上生成離子輻射。在附圖中，附圖標記1指示流體密封的筒狀外殼，其具有不超過4" (IOlmm)的外直徑。外殼1圍繞縱向軸旋轉對稱，並且被布置為電接地。外殼1優選地被布置為利用氣體形式的電絕緣物質15來加壓，該電絕緣物質15在一個實施方式中為六氟化硫。熱離子發射器6、輕子靶被布置在通過形成管7c的封閉端部的兩個電絕緣帽7a、7b提供的筒狀真空容器9中，所述管7c電連接到包封外殼1，所述容器9由此形成電接地支撐結構以及電場
聚焦菅。在優選實施方式中，在用於在測井操作期間輔助數據獲取的設備中不包括檢測器系統，但是如果需要，則諸如基於碘化鈉或者碘化銫的檢測器系統的屏蔽光子檢測器或者其他類型的檢測器可以放置在筒狀真空容器9的外周圍，所述筒狀真空容器9被放置在接地的筒狀外殼1的外部直徑內，而沒有對檢測器的電子系統產生高電勢場影響。在優選實施方式中，利用離子發射器11來產生輕子8，但是也可以使用射頻和冷陰極方法。通過在此示出的兩個或者更多負電勢增加元件IU即四個負電勢增加元件 H1-Hn)的串聯連接系統，熱離子發射器11保溫，並且保持在相對於接地外殼1的高負電勢。提供串聯連接系統內的第一電勢增加的初始增加元件H1通過電控制部2來供電，該電控制部2被饋送有從遠程電源(未示出)提供的通常在300到400V之間的直流電流或者交流電流。控制部2輸出高於60Hz (優選高達65kHz或者更高)的頻率的驅動交流電壓Vac， 並且負電勢增加元件H1-H4被配置為每個級內的變壓器線圈的系統用於相對於包圍外殼 1的接地電勢增加交流電流的負電勢SV1, δν1+2, δν1+2+3, δν1+2+3+4，使得所述一系列負電勢增加元件H1-H4逐步將電勢增加到超過-100000V的整體電平。通過由具有高介電電阻和良好熱導性的材料或者材料的複合物製成的旋轉對稱支撐結構3，將每個負電勢增加元件^廠丨^居中布置並支撐在電接地外殼1內。在優選實施方式中，使用聚醚醚酮(polyacryletheretherketone)和氮化硼的混合物，但是也可以使用具有高介電電阻的任何材料。旋轉對稱支撐結構3被配置為，使得電能需要沿著支撐結構3的表面或者通過支撐結構3的材料從負電勢增加元件H1-H4覆蓋到接地的包圍外殼1的距離比在負電勢增加元件H1-H4和外殼1之間的物理徑向距離大很多，從而抑制了具有較大的電壓差的導體之間的閃絡或者火花。為了確保負電勢增加元件H1-H4的表面上的電勢的分布保持連續，以便於防止可能導致火花或者閃絡的可能的幹擾，筒狀場控制器4被布置在每個負電勢增加元件H1-H4的外部，以確保在負電勢增加元件H1-H4的整個軸向範圍上，每個負電勢增加元件H1-H4與包封外殼1之間的徑向電勢保持恆定，由此形成朝向地的均勻場，而不管特定的負電勢增加元件H1-H4的電勢δ V1, δνι+2, δ V1+2+3, δ V1+2+3+4如何。替代使用僅一個單級負電勢增加元件，使用多級負電勢增加元件H1-H4確保了在級的各端之間的總電勢能夠減少到每級最小可控電勢(參見圖1中的電勢差曲線)， 以便於確保各級內的組件之間或者組件上的電勢差不會因在電路中通常使用的短距離而導致火花或者閃絡。來自電控制部2的輸出功率可以增加或者減小，由此控制負電勢增加元件H1-H4 的輸出的大小。但是使得在系統中的各級可以包括用於增加提供的總電勢的裝置的任何結構都可以在本發明的範圍內。例如，可以在這樣的系統中使用基於二極體/基於電容器的電壓乘法器或者半波串行乘法器或者格萊納赫/維拉德系統。 熱離子發射器驅動器5對高電勢交流電流進行整流，以向熱離子發射器11遞送整流後的高電壓電流。由此提供了用於驅動熱離子發射器11並且將熱離子發射器11保持在超過-100000V的電勢差的電流。因為在串聯連接的負電勢增加元件H1-H4的系統的每個級中，交流電壓的差保持不變，所以僅直流電流分量變化。
在優選實施方式中，每個變壓器線圈將被布置為相對於主繞組的1 1比率的第三繞組被電感地耦合，使得任何級的組件故障都不會導致串聯連接的系統上的高電勢的輸出故障，因為通過下一個負電勢增加元件14承載交流電流分量，而與直流電壓電平是否提
筒無關。熱離子發射器驅動器5能夠由來自負電勢增加元件H1-H4的輸出的整流後的交流電流分量來供電。熱離子發射器驅動器5和負電控制驅動器加以無線的方式來進行通信，以確保負電勢增加元件H1-H4的輸出能夠被整流，同時不需要在兩個驅動器加、5之間的儀器布線。在優選實施方式中，使用無線電通信，其中天線被布置在熱離子發射器驅動器 5上和負電控制驅動器加上，但是也可以藉助於直線視線通過在所述一系列負電勢增加元件H1-H4中的光學窗口和孔的對準來使用雷射。類似地，布置其功能與負電勢增加元件H1-H4類似的正電勢增加元件H1-H4的串聯連接的系統。這些正電勢增加元件口^口『被布置為使得輸出經由輕子靶驅動器16連接到輕子靶6，從而每個級逐步增加電勢，以從正電勢增加元件H1-H4的串聯連接的系統的輸出提供高正電勢SV1+2+3+4。輕子靶驅動器16對來自正電勢增加元件輸出的正交流電流進行整流，以將輕子靶6保持在超過+100000V的電勢差。輕子靶驅動器16和正電控制驅動器2b以無線的方式來進行通信，以確保正電勢增加元件17廠174的輸出能夠被整流，而不需要在兩個驅動器2b、16之間的儀器布線。在優選實施方式中，使用無線電通信，其中天線被布置在輕子靶驅動器16上和正電控制驅動器 2b上，但是也可以藉助於直線視線通過在所述一系列正電勢增加元件H1-H4中的光學窗口和孔的對準來使用雷射。在由熱離子發射器11的高負電勢和輕子靶6的高正電勢生成的強偶極子電場內加速的輕子8不衰減地以流的形式通過容器9的真空10，並且以高速度與輕子靶6碰撞。 在與輕子靶6碰撞時，因為動能的突然損失，使得通過在熱離子發射器11和輕子靶6之間生成的電場中的加速而增大的輕子8的動能被釋放為離子輻射12。由於輕子靶6保持其高正電勢，因此通過正電勢增加元件17，輕子8被朝向正控制驅動器2b電輸送遠離輕子靶6。在優選實施方式中，輕子靶6是由鎢形成的錐結構，但是可以使用鎢、鉭、鉿、鈦、 鉬和銅的合金和合成物，以及呈現出高原子數(高於5 的元素的任何非放射性同位素。輕子靶6也可以形成為任何旋轉對稱的形狀，諸如筒狀或者圓形雙曲面，或者呈現旋轉對稱的任何變化。輕子8在熱離子發射器11和輕子靶6之間傳輸時發散的本性趨勢導致在輕子靶 6上的輕子8的碰撞區域中形成圍繞錐體的頂點的環形場。一部分由輕子靶6遮擋的產生的初級離子輻射12通常以類似扁球面的分布散射。效果是離子輻射12在圍繞設備的縱向軸旋轉對稱的所有方向上行進，由此同時照射所有的周圍基板或者井眼結構。離子輻射12 的最大輸出能量與熱離子發射器11和輕子靶6之間的電勢差成正比。如果熱離子發射器 11呈現出-331000V的電勢，並且與具有-331000V的電勢的輕子靶6耦合，這將導致在熱離子發射器11和輕子靶6之間的662000V的電勢差，這將導致處於662000eV的量級的輸出離子輻射12的峰值能量，該能量對應於在地質密度測井操作中通常使用的銫137的初級輸出能量。通過在幾何結構和功能上類似於旋轉對稱支撐結構4的不導電的熱導體結構13， 通過輕子8和輕子靶6的相互作用產生的熱能被傳導到電接地的包封外殼1，但是在優選實施方式中，以更高體積百分比的方式來使用氮化硼以提供更高效率的熱傳導。可以有意地或者因為級故障而使得熱離子發射器11和輕子靶6的電勢獨立地變化。在熱離子發射器11和輕子靶6之間的整體電勢差繼續為兩個電勢的和。在最優選的實施方式中，利用如在此描述的雙極性來配置設備，但是所述設備也可以在單極性模式中工作，其中，通過連接到包封筒狀外殼1，輕子靶6具有電接地電勢，並且輕子靶6具有如下配置其可以輸出基本上定向在設備的軸向方向或者徑向方向上的輻射，如圖4和5中所示。為了更好地模擬通常與化學同位素相關的輸出能譜，可以使用包封輕子靶6的徑向輸出的筒狀能譜硬化濾波器18(參見圖幻。在優選實施方式中，使用銅和銠的能譜硬化濾波器18，但是也可以使用對離子輻射進行濾波的諸如銅、銠、鋯、銀和鋁的任何材料或者其合成物。能譜硬化濾波器18具有移除低能量輻射和與輕子靶6的輻射輸出相關的特徵能譜的效果，這朝向更高的光子能量增加整個發射能譜的平均能量，參見圖的曲線圖。 也可以使用若干濾波器18的組合。在優選實施方式中，能譜硬化濾波器18被布置為其能夠進入或者離開輻射，由此實現可變的能譜濾波。也可以使用固定的濾波器或者若干濾波器固定組合。在需要獲得來自輕子靶6的定向受控發射的情況下，可以在輕子靶6的輸出周圍布置具有一個或者多個孔的可旋轉或者固定筒狀束屏蔽部20，這導致定向受控輻射19 (參見圖3)。該設備和方法提供與施加到系統的電勢相關的離子輻射。因此，系統的輸出比使用同位素實現的輸出大很多倍，導致顯著地減小了在測井操作期間對適量數據進行測井所需要的時間，這減少了時間消耗和成本。因為系統的輸入電勢可以變化，這導致可以相應地增加或者減小初級輻射的能量，因此同一系統能夠僅通過將施加的能量調整到輻射的特定需求來替代每個均具有特定輸出光子能量的多種的化學同位素。由於在設備中提供並控制產生離子輻射所需的高電壓，因此模塊化電勢能量增加系統實現了將低電壓電流提供到井眼中的設備。例如，系統沒有使用諸如鈷60和銫137的放射性化學同位素，並且這消除了當處理放射性同位素時與控制、後勤、環境措施和安全措施相關的所有缺點。此外，井眼技術需要將放射性化學同位素放置在底孔(bottom-hole)組件的部分中，使得在在鑽孔操作期間底孔組件丟失的情況下能夠儘可能容易地從鑽柱取回同位素。 為此，同位素可能需要被放置在鑽柱連接到底孔組件的地方並且距離鑽頭最多50米。不包含放射性物質的並且因此可以被拋棄的設備不需要在考慮取回的情況下進行放置。因此， 輻射發射裝置，並且因此檢測系統可以被放置為更加靠近鑽頭，以便於來自井眼的更實時的反饋。輻射源的變型例還可以呈現如下的優點，其能夠在不必從井眼移除來進行調整的情況下以不同的能量級別進行多個測井操作，這使得操作員能夠在較短的時間中獲取更大量的數據。
權利要求
1.一種用於可控井下產生超過200keV的離子輻射(1 的設備，所述離子輻射的能譜分布的主要部分處於康普頓範圍內，其特徵在於，所述設備包括至少一熱離子發射器(11)，該至少一熱離子發射器(11)被布置在電絕緣真空容器(9) 的第一端部(7a)中，以及輕子靶(6)，該輕子靶(6)被布置在所述電絕緣真空容器(9)的第二端部(7b)中；所述熱離子發射器(11)連接到一系列串聯連接的負電勢增加元件(HpH2U^Ul),並且所述電勢增加元件(HpH2UlH4)中的每一個被布置為通過轉換施加的驅動電壓 (Vac)來增加施加的直流電勢(δ V0, δ V1, δ V1+2, . . .，δ V1+2+3)，並且將增加的負直流電勢 (δ V1, δ V1+2, . . .，δ V1+2+3+4)以及所述驅動電壓(Vac)傳輸到在所述一系列串聯連接的元件中的下一個單元。
2.根據權利要求1所述的設備，其特徵在於，所述真空容器(9)是真空管。
3.根據權利要求1所述的設備，其特徵在於，所述輕子靶(6)形成為旋轉對稱的形狀。
4.根據權利要求3所述的設備，其特徵在於，所述輕子靶(6)形成為錐形狀。
5.根據權利要求1所述的設備，其特徵在於，所述輕子靶(6)基本上由從鎢、鉭、鉿、鈦、 鉬、銅以及呈現出大於55的原子數的元素的任何非放射性同位素組成的組中選取的材料、 合金或者合成物來提供。
6.根據權利要求1所述的設備，其特徵在於，所述輕子靶(6)連接到一系列串聯連接的正電勢增加元件(17^17^17^17^，並且所述電勢增加元件(17^17^17^17^中的每一個被布置為通過轉換高頻驅動電壓 (Vac)來增加施加的直流電勢(δ V0, δ V1, δ V1+2, . . .，δ V1+2+3)，並且將增加的正直流電勢 (δ V1, δνι+2，...，δ V1+2+3+4)以及所述驅動電壓(Vac)傳輸到所述一系列串聯連接的元件 (17^17^17^17^16)中的下一個單元。
7.根據權利要求1或者6所述的設備，其特徵在於，所述驅動電壓(VA。)是具有高於 60Hz的頻率的高頻交流電流。
8.根據權利要求1所述的設備，其特徵在於，布置有能譜硬化濾波器(18)以從產生的離子輻射(12)中消除部分低能量輻射。
9.根據權利要求8所述的設備，其特徵在於，能譜硬化濾波器(18)由從銅、銠、鋯、銀和鋁構成的組中選取的材料、合金或者合成物來形成。
10.根據權利要求1所述的設備，其特徵在於，在所述輕子靶(6)處布置有束屏蔽部 (20)，該束屏蔽部00)具有被布置為生成定向控制輻射(10)的一個或者多個孔。
11.根據權利要求1所述的設備，其特徵在於，所述設備包括外殼(1)，該外殼(1)被布置為利用氣體形式的電絕緣物質(1 來對該外殼(1)進行加壓。
12.根據權利要求11所述的設備，其特徵在於，所述電絕緣物質(1 是六氟化硫。
13.根據權利要求11所述的設備，其特徵在於，所述外殼(1)呈現出不超過 10 W4")的截面大小。
14.根據權利要求1或者6所述的設備，其特徵在於，各電勢增加元件(HpHyHy 144 ； 172、173、174)包括被布置為將與其自身的輸入電勢相等的輸入電勢施加到下一個電勢增加元件(14^14^14^144 :17^17^17^174)的裝置。
全文摘要
一種用於可控井下產生離子輻射(12)的設備，該設備包括被布置在電絕緣真空容器(9)的第一端部(7a)中的至少一熱離子發射器(11)，以及被布置在電絕緣真空容器(9)的第二端部(7b)中的輕子靶(6)；熱離子發射器(11)被連接到一系列串聯連接的負電勢增加元件(141、142、143、144)，所述電勢增加元件(141、142、143、144)中的每一個被布置為通過轉換施加的驅動電壓(VAC)來增加施加的直流電勢(δV0，δV1，δV1+2，...，δV1+2+3)，並且將增加的負直流電勢(δV1，δV1+2，...，δV1+2+3+4)以及驅動電壓(VAC)傳輸到一系列串聯連接的元件(141、142、143、144、5)中的下一個單元，並且離子輻射(12)超過200keV且其能譜分布的主要部分處於康普頓範圍內。
文檔編號G01V5/12GK102597812SQ201080047569
公開日2012年7月18日 申請日期2010年10月20日 優先權日2009年10月23日
發明者菲爾·蒂格 申請人:拉滕特公司