流量傳感器及其製造方法和流量傳感器模塊及其製造方法

2023-11-05 06:54:47

流量傳感器及其製造方法和流量傳感器模塊及其製造方法
【專利摘要】本發明提供能夠抑制每個流量傳感器的性能偏差的技術。在本發明的流量傳感器(FS1)中，形成為在使形成在半導體晶片(CHP1)上的流量檢測部(FDU)露出的狀態下利用樹脂(MR)覆蓋半導體晶片(CHP1)的一部分的結構。在與空氣的流動方向平行的方向，樹脂(MR)密封半導體晶片(CHP1)的上表面(SUR(CHP))的一部分，從而樹脂(MR)的上表面(SUR(MR))的高度比半導體晶片(CHP1)的上表面(SUR(CHP))高，因此能夠在流量檢測部(FDU)使空氣的流動穩定。而且，通過半導體晶片(CHP1)和樹脂(MR)的接觸面積增加，能夠防止半導體晶片(CHP1)和樹脂(MR)的界面剝離。
【專利說明】流量傳感器及其製造方法和流量傳感器模塊及其製造方法
[0001]本申請為2012年2月28日進入國家階段的、申請號為201180003582.3，發明名稱
為「流量傳感器及其製造方法和流量傳感器模塊及其製造方法」的分案申請。
【技術領域】
[0002]本發明涉及流量傳感器及其製造技術和流量傳感器模塊及其製造技術，尤其涉及應用於流量傳感器及流量傳感器模塊的封裝結構的有效技術。
【背景技術】
[0003]在特開2009-31067號公報(專利文獻I)中記載了下述流量傳感器結構，在支撐部件上搭載半導體晶片，利用金屬絲連接該半導體晶片和配置在支撐部件的外側的外部連接端子。公開了此時利用樹脂來密封連接半導體晶片和外部連接端子的金屬絲的結構。
[0004]在特開2008-175780號公報(專利文獻2)中記載了在支撐部件上搭載形成有流量傳感器的流量檢測部的第一半導體晶片、和形成有控制流量檢測部的控制電路部的第二半導體晶片的結構。並且，利用金屬絲連接第一半導體晶片和第二半導體晶片，第二半導體晶片及金屬絲由樹脂覆蓋。另一方面，形成有流量檢測部的第一半導體晶片其表面露出，並且以覆蓋第一半導體晶片的側面的方式形成有樹脂。此時，以覆蓋第一半導體晶片的側面的方式形成的樹脂的高度與露出的第一半導體晶片的表面為同一面。
[0005]特開2008-157742號公報(專利文獻3)也與專利文獻I相同，記載了在支撐部件上搭載半導體晶片，並利用金屬絲連接該半導體晶片和配置在支撐部件的外側的外部連接端子的流量傳感器的結構。公開了此時利用樹脂來密封連接半導體晶片和外部連接端子的金屬絲的結構。
[0006]在特開2009-36639號公報(專利文獻4)中公開了利用模壓來密封半導體晶片且形成空氣的通道結構的內容，在特開2000-31309號公報(專利文獻5)中公開了通過粘接劑將半導體晶片搭載在半導體晶片上的結構。
[0007]另外，在特開2004 ? 74713號公報(專利文獻6)中作為半導體封裝的製造方法，公開了利用設有分型薄膜片的模具夾緊部件，並使樹脂流入的方法。
[0008]現有技術文獻
[0009]專利文獻
[0010]專利文獻1:特開2009-31067號公報
[0011]專利文獻2:特開2008-175780號公報
[0012]專利文獻3:特開2008-157742號公報
[0013]專利文獻4:特開2009-36639號公報
[0014]專利文獻5:特開2000-31309號公報
[0015]專利文獻6:特開2004 ? 74713號公報

【發明內容】
[0016]發明所要解決的課題
[0017]例如，目前，在汽車等的內燃機中設有電子控制燃料噴射裝置。該電子控制燃料噴射裝置具有通過適當地調整流入內燃機的氣體(空氣)與燃料的量，使內燃機有效地工作的作用。因此，在電子控制燃料噴射裝置中，需要準確地把握流入內燃機的氣體(空氣)。因此，在電子控制燃料噴射裝置中設有測定氣體(空氣)的流量的流量傳感器(空氣流量傳感器)。
[0018]即使在流量傳感器中，尤其利用半導體微細加工技術製造的流量傳感器能夠減少成本，並且能夠以低電力驅動，因此備受關注。這種流量傳感器例如具有如下結構，在由矽構成的半導體基板的背面形成利用各向異性蝕刻形成的隔膜(薄壁部)，在與該隔膜相對的半導體基板的表面形成由發熱電阻和測溫電阻構成的流量檢測部。
[0019]在實際的流量傳感器中，除了形成有隔膜及流量檢測部的第一半導體晶片之外，還具有形成有控制流量檢測部的控制電路部的第二半導體晶片。上述第一半導體晶片及第二半導體晶片例如搭載在基板上，並與形成在基板上的配線(端子)電連接。具體地說，例如第一半導體晶片利用由金線構成的金屬絲與形成在基板上的配線連接，第二半導體晶片使用形成在第二半導體晶片上的突起電極，與形成在基板上的配線連接。這樣，搭載在基板上的第一半導體晶片和第二半導體晶片通過形成在基板上的配線電連接。其結果，可利用形成在第二半導體晶片上的控制電路部來控制形成在第一半導體晶片上的流量檢測部，構成流量傳感器。
[0020]此時，連接第一半導體晶片和基板的金線(金屬絲)為了防止由變形產生的接觸等，通常利用灌注樹脂固定。即，金線(金屬絲)被灌注樹脂覆蓋並固定，利用該灌注樹脂，保護金線(金屬絲)。另一方面，構成流量傳感器的第一半導體晶片及第二半導體晶片通常未用灌注樹脂密封。即，在通常的流量傳感器中，構成為只有金線(金屬絲)用灌注樹脂覆蓋的結構。
[0021]在此，金線(金屬絲)的利用灌注樹脂的固定由於未在利用模具等固定第一半導體晶片的狀態下進行，因此存在由於灌注樹脂的收縮而第一半導體晶片偏離搭載位置之類的問題。另外，由於灌注樹脂通過滴下而形成，因此存在灌注樹脂的尺寸精度低的問題。其結果，每個流量傳感器都在形成有流量檢測部的第一半導體晶片的搭載位置上產生偏離，並且灌注樹脂的形成位置也稍微不同，各流量傳感器在檢測性能上產生偏差。因此，為了抑制各流量傳感器的性能偏差，需要對每個流量傳感器進行檢測性能的修正，產生增加流量傳感器的製造工序中的性能修正工序的必要性。尤其當性能修正工序變長時，流量傳感器的製造工序的生產率下降，還存在流量傳感器的成本上升之類的問題點。另外，由於灌注樹脂未進行利用加熱的固化的促進，因此直到灌注樹脂固化的時間變長，流量傳感器的製造工序的生產率下降。
[0022]本發明的目的在於提供能夠抑制每個流量傳感器的性能偏差而實現性能的提高(還包括提高可靠性而實現性能的提高的情況)的技術。
[0023]本發明的上述及其他目的和新的特徵從本說明書的記載及附圖可以明白。
[0024]用於解決課題的方法
[0025]在本申請中公開的發明中，如下簡單地說明有代表性的方案的主要內容。
[0026]有代表性的實施方式的流量傳感器具備:(a)搭載形成有多個焊墊的半導體晶片的晶片搭載部；(b)配置在上述晶片搭載部的外側的多個引線；(C)配置在上述晶片搭載部上的上述半導體晶片；以及(d)連接上述多個引線的各個和形成在上述半導體晶片上的上述多個焊墊的各個的多個金屬絲。並且，上述半導體晶片具有:(Cl)形成在半導體基板的主面上的流量檢測部；(c2)控制上述流量檢測部的控制電路部；以及(c3)形成在上述半導體基板的與上述主面相反的一側的背面之中與上述流量檢測部相對的區域上的隔膜。此時，在使形成在上述半導體晶片上的上述流量檢測部露出的狀態下，上述晶片搭載部的一部分、上述多個引線的各個的一部分、上述半導體晶片的一部分及上述多個金屬絲利用由樹脂構成的密封體密封。在此，上述流量傳感器的特徵在於，隔著露出的上述流量檢測部與上述密封體一體地形成一對氣流控制部，該一對氣流控制部在與在上述流量檢測部上流動的氣體的前進方向平行的方向上具有長條形狀。
[0027]另外，有代表性的實施方式的流量傳感器具備:(a)搭載形成有多個焊墊的半導體晶片的晶片搭載部；(b)配置在上述晶片搭載部的外側的多個引線；(C)配置在上述晶片搭載部上的上述半導體晶片；以及(d)連接上述多個引線的各個和形成在上述半導體晶片上的上述多個焊墊的各個的多個金屬絲。並且，上述半導體晶片具有:(Cl)形成在半導體基板的主面上的流量檢測部；(c2)控制上述流量檢測部的控制電路部；以及(c3)形成在上述半導體基板的與上述主面相反的一側的背面之中與上述流量檢測部相對的區域上的隔膜。此時，在使形成在上述半導體晶片上的上述流量檢測部露出的狀態下，上述晶片搭載部的一部分、上述多個引線的各個的一部分、上述半導體晶片的一部分及上述多個金屬絲利用由樹脂構成的密封體密封。在此，其特徵在於，隔著露出的上述流量檢測部的兩側的上述密封體的高度比包括上述流量檢測部的上述半導體晶片的表面的高度高。
[0028]另外，有代表性的實施方式的流量傳感器具備:(a)搭載形成有多個焊墊的半導體晶片的晶片搭載部；(b)配置在上述晶片搭載部的外側的多個引線；(c)配置在上述晶片搭載部上的上述半導體晶片；以及(d)連接上述多個引線的各個和形成在上述半導體晶片上的上述多個焊墊的各個的多個金屬絲。並且，上述半導體晶片具有:(Cl)形成在半導體基板的主面上的流量檢測部；(c2)控制上述流量檢測部的控制電路部；以及(c3)形成在上述半導體基板的與上述主面相反的一側的背面之中與上述流量檢測部相對的區域上的隔膜。此時，在使形成在上述半導體晶片上的上述流量檢測部露出的狀態下，上述晶片搭載部的一部分、上述多個引線的各個的一部分、上述半導體晶片的一部分及上述多個金屬絲利用由樹脂構成的密封體密封。在此，其特徵在於，在上述晶片搭載部上，在俯視時與上述隔膜重疊的位置形成有第一開口部，並且，在上述密封體的背面，在俯視時與上述隔膜重疊的位置形成有第二開口部，上述第一開口部和上述第二開口部配置成互相連通，上述第一開口部的截面積比上述第二開口部的截面積小。
[0029]有代表性的實施方式的流量傳感器的製造方法包括:(a)準備形成有第一開口部的引線框的工序；以及(b)準備半導體晶片的工序，該半導體晶片具有形成在半導體基板的主面上的流量檢測部和形成在上述半導體基板的與上述主面相反的一側的背面之中與上述流量檢測部相對的區域上的隔膜。接著，包括:(C)以俯視時形成在上述半導體晶片上的上述隔膜和形成在上述引線框上的上述第一開口部重疊的方式，將上述半導體晶片搭載在上述引線框上的工序；以及(d)在上述(C)工序後，利用金屬絲連接上述半導體晶片和上述引線框的工序。接著，包括(e)在上述(d)工序後，使形成在上述半導體晶片上的上述流量檢測部露出且密封上述半導體晶片的一部分的工序。此時，其特徵在於，上述(e)工序包括:(el)準備上模具和下模具的工序，該下模具形成有第一突起部和形成在上述第一突起部上的第二突起部，該第二突起部具有比上述第一突起部的截面積小的截面積。而且，包括(e2)在上述(el)工序後，在將形成在上述下模具上的上述第二突起部插入到形成在上述引線框上的上述第一開口部，且將上述第一突起部壓緊在上述引線框的同時，利用上述下模具和上述上模具隔著第一空間夾入搭載有上述半導體晶片的上述引線框的工序。並且，包括(e3)在上述(e2)工序後，使樹脂流入上述第一空間的工序。
[0030]有代表性的實施方式的流量傳感器模塊具備:(a)以使流量檢測部露出的狀態利用第一樹脂密封半導體晶片的流量傳感器，上述半導體晶片具有形成在半導體基板的主面上的上述流量檢測部和形成在上述半導體基板的與上述主面相反的一側的背面之中與上述流量檢測部相對的區域上的隔膜；以及(b)將氣體導向上述流量傳感器的上述流量檢測部的流道部。此時，其特徵在於，上述流量傳感器模塊具有第二樹脂，該第二樹脂以覆蓋密封上述流量傳感器的上述第一樹脂的更外側的方式形成，並且，以使上述流量檢測部露出的方式形成。並且，上述流道部以與上述流量傳感器的上述流量檢測部連接的方式形成，上述氣體通過上述流道部被導向上述流量傳感器的上述流量檢測部。
[0031]另外，有代表性的實施方式的流量傳感器模塊的製造方法包括:(a)準備以使流量檢測部露出的狀態利用第一樹脂密封半導體晶片的流量傳感器，上述半導體晶片具有形成在半導體基板的主面上的上述流量檢測部和形成在上述半導體基板的與上述主面相反的一側的背面之中與上述流量檢測部相對的區域上的隔膜；以及(b)在上述(a)工序後，使形成在上述流量傳感器上的上述流量檢測部露出且密封上述流量傳感器的一部分。此時，其特徵在於，上述(b)工序包括:(bl)準備上模具和下模具的工序；以及(b2)在上述(bl)工序後，利用上述下模具和上述上模具隔著第一空間夾入上述流量傳感器的工序。另外，包括(b3)在上述(b2)工序後，使第二樹脂流入上述第一空間的工序。在此，通過以利用與上述第一空間隔離的第二空間包圍形成在上述流量傳感器上的上述流量檢測部的方式，利用上述下模具和上述上模具夾入上述流量傳感器，使形成在上述流量傳感器上的上述流量檢測部露出且利用上述第二樹脂密封上述流量傳感器的一部分。
[0032]另外，有代表性的實施方式的流量傳感器的特徵在於，為了提供使流量檢測部的空氣的流動穩定的結構，做成使半導體晶片的包括流量檢測部的區域局部露出而進行模壓密封的樹脂面比半導體晶片的表面(元件形成面)高的結構。
[0033]另外。其特徵在於，為了提供提高了半導體晶片和模壓界面(樹脂界面)的粘接性的流量傳感器，在空氣的流動方向的任意截面中，通過在半導體元件的上表面也局部地進行樹脂模壓，提高粘接性。另外，此時，期望在半導體晶片上形成與樹脂的粘接性優異的聚醯亞胺膜的狀態下進行樹脂模壓(密封)。
[0034]另外，其特徵在於，當在半導體晶片上搭載具有貫通孔的部件(框體)並使流量檢測部局部露出時，為了防止搭載的部件(框體)破裂，搭載的部件(框體)的材質不使用與半導體晶片相同的原材料的矽材料，而使用能夠進行衝壓加工的鋁合金(Al合金)、鐵合金(Fe合金)等的衝壓品或樹脂成型品。
[0035]發明效果
[0036]以下簡單地說明由在本申請公開的發明之中有代表性的實施方式得到的效果。[0037]能夠抑制流量傳感器的性能偏差而提高性能。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0038]圖1是表示本發明的實施方式一的流量傳感器的電路結構的電路方框圖。
[0039]圖2是表示構成實施方式一的流量傳感器的一部分的半導體晶片的版圖結構的俯視圖。
[0040]圖3(a)是表示現有技術的流量傳感器的安裝結構的俯視圖，(b)是以(a)的A —A線切斷的剖視圖。
[0041]圖4(a)是表示實施方式一的流量傳感器的密封前的安裝結構的俯視圖。(b)是以(a)的A — A線切斷的剖視圖，(C)是表示半導體晶片的背面的俯視圖。
[0042]圖5(a)是表示實施方式一的流量傳感器的密封后的安裝結構的俯視圖。(b)是以(a)的A —A線切斷的剖視圖，(C)是以(a)的B —B線切斷的剖視圖。
[0043]圖6是表示實施方式一的流量傳感器的製造工序的剖視圖。
[0044]圖7是表示緊接著圖6的流量傳感器的製造工序的剖視圖。
[0045]圖8是表示緊接著圖7的流量傳感器的製造工序的剖視圖。
[0046]圖9是表示緊接著圖8的流量傳感器的製造工序的剖視圖。
[0047]圖10是表示緊接著圖9的流量傳感器的製造工序的剖視圖。
[0048]圖11(a)是表示實施方式二的流量傳感器的密封后的安裝結構的俯視圖。(b)是以(a)的A —A線切斷的剖視圖，(C)是以(a)的B —B線切斷的剖視圖。
[0049]圖12(a)是表示實施方式三的流量傳感器的密封前的安裝結構的俯視圖。(b)是以(a)的A — A線切斷的剖視圖，(C)是表示半導體晶片的背面的俯視圖。
[0050]圖13(a)是表示實施方式三的流量傳感器的密封后的安裝結構的俯視圖。(b)是以(a)的A —A線切斷的剖視圖，(C)是以(a)的B —B線切斷的剖視圖。
[0051]圖14是表示除去堤壩後的流量傳感器的安裝結構的俯視圖。
[0052]圖15是表示實施方式三的流量傳感器的製造工序的剖視圖。
[0053]圖16是表示緊接著圖15的流量傳感器的製造工序的剖視圖。
[0054]圖17是表示緊接著圖16的流量傳感器的製造工序的剖視圖。
[0055]圖18是表示緊接著圖17的流量傳感器的製造工序的剖視圖。
[0056]圖19是表示緊接著圖18的流量傳感器的製造工序的剖視圖。
[0057]圖20(a)是表示實施方式四的流量傳感器的密封后的安裝結構的俯視圖。(b)是以(a)的A —A線切斷的剖視圖，(C)是以(a)的B —B線切斷的剖視圖。
[0058]圖21是表示除去堤壩後的流量傳感器的安裝結構的俯視圖。
[0059]圖22(a)是表示實施方式五的流量傳感器的密封前的安裝結構的俯視圖。(b)是以(a)的A —A線切斷的剖視圖，(C)是以(a)的B —B線切斷的剖視圖。另外，(d)是表示半導體晶片的背面的俯視圖。
[0060]圖23(a)是表示實施方式五的流量傳感器的密封后的安裝結構的俯視圖。(b)是以(a)的A —A線切斷的剖視圖，(C)是以(a)的B —B線切斷的剖視圖。
[0061]圖24是表示除去堤壩後的流量傳感器的安裝結構的俯視圖。
[0062]圖25是表示實施方式五的流量傳感器的製造工序的剖視圖。[0063]圖26是表示緊接著圖25的流量傳感器的製造工序的剖視圖。
[0064]圖27是表示緊接著圖26的流量傳感器的製造工序的剖視圖。
[0065]圖28是表示緊接著圖27的流量傳感器的製造工序的剖視圖。
[0066]圖29(a)是表示實施方式六的流量傳感器的密封后的安裝結構的俯視圖。(b)是以(a)的A —A線切斷的剖視圖，(C)是以(a)的B —B線切斷的剖視圖。
[0067]圖30是表示除去堤壩後的流量傳感器的安裝結構的俯視圖。
[0068]圖31(a)是表示實施方式七的流量傳感器的密封后的安裝結構的俯視圖，(b)是以(a)的A —A線切斷的剖視圖。
[0069]圖32(a)是表示實施方式八的流量傳感器的密封后的安裝結構的俯視圖，(b)是以(a)的A —A線切斷的剖視圖。
[0070]圖33(a)是表示實施方式九的流量傳感器模塊的安裝結構的俯視圖。(b)是以(a)的A— A線切斷的剖視圖，(c)是以(a)的B— B線切斷的剖視圖。
[0071]圖34是表示實施方式九的流量傳感器模塊的製造工序的剖視圖。
[0072]圖35是表示緊接著圖34的流量傳感器模塊的製造工序的剖視圖。
[0073]圖36是表示緊接著圖35的流量傳感器模塊的製造工序的剖視圖。
[0074]圖37 (a)是表示實施方式十的流量傳感器模塊的安裝結構的俯視圖。(b)是以(a)的A— A線切斷的剖視圖，(c)是以(a)的B— B線切斷的剖視圖。
[0075]圖38(a)是表示實施方式十一的流量傳感器模塊的安裝結構的俯視圖。(b)是以(a)的A —A線切斷的剖視圖，(C)是以(a)的B —B線切斷的剖視圖。
[0076]圖39是表示利用設有彈性體薄膜的模具夾緊搭載了半導體晶片的引線框，並利用樹脂密封的工序的剖視圖。
[0077]圖40是表示利用圖39的密封工序密封了的流量傳感器的氣體的流動方向的截面結構的圖。
[0078]圖41是表示實施方式十二的流量傳感器的氣體的流動方向的截面結構的圖。
[0079]圖42是表示流體解析模型的結構的圖。尤其，(a)是從上部觀察流體解析模型的結構的俯視圖，(b)是以(a)的A —A線切斷的剖視圖，(C)是以(a)的B — B線切斷的剖視圖。
[0080]圖43是表示計算出在預定條件下的Y方向的速度的結果的圖表。
[0081]圖44是表示實施方式十三的流量傳感器的氣體的流動方向的截面結構的圖。
[0082]圖45是說明製造實施方式十三的流量傳感器的密封工序的圖。
[0083]圖46是表示本發明人研究的流量傳感器的結構的剖視圖。
[0084]圖47是表示框體的結構的圖，(a)是表示框體的結構的俯視圖，(b)是以(a)的A-A線切斷的首I]視圖。
[0085]圖48是表示在氣體的流動方向的截面中的實施方式十四的流量傳感器的截面結構的圖。
[0086]圖49是表示製造實施方式十四的流量傳感器的工序的剖視圖。
[0087]圖50是說明緊接著圖49的密封實施方式十四的流量傳感器的密封工序的圖。
[0088]圖51 (a)是表示實施方式十五的流量傳感器的密封后的安裝結構的俯視圖，(b)是以(a)的A —A線切斷的剖視圖，(C)是以(a)的B —B線切斷的剖視圖。[0089]圖52(a)是表示實施方式十五的流量傳感器的密封后的安裝結構的俯視圖，(b)是以(a)的A —A線切斷的剖視圖，(C)是以(a)的B —B線切斷的剖視圖。
[0090]圖53(a)是表示實施方式十五的流量傳感器的密封后的安裝結構的俯視圖，(b)是以(a)的A —A線切斷的剖視圖，(C)是以(a)的B —B線切斷的剖視圖。
[0091]圖54(a)是表示實施方式十五的流量傳感器的密封后的安裝結構的俯視圖，(b)是以(a)的A —A線切斷的剖視圖，(C)是以(a)的B —B線切斷的剖視圖。
[0092]圖55是表示實施方式十五的流量傳感器的密封后的安裝結構的剖視圖。
[0093]圖56是表示實施方式十五的流量傳感器的密封后的安裝結構的剖視圖。
[0094]圖57(a)是表示實施方式十五的流量傳感器的密封后的安裝結構的俯視圖，(b)是以(a)的A —A線切斷的剖視圖，(C)是以(a)的B —B線切斷的剖視圖。
[0095]圖58(a)是表示實施方式十五的流量傳感器的密封后的安裝結構的俯視圖，(b)是以(a)的A —A線切斷的剖視圖，(C)是以(a)的B —B線切斷的剖視圖。
[0096]圖59是表示實施方式十五的流量傳感器的密封后的安裝結構的剖視圖。
[0097]圖60(a)是表示實施方式十五的流量傳感器的密封后的安裝結構的俯視圖，(b)是以(a)的A —A線切斷的剖視圖，(C)是以(a)的B —B線切斷的剖視圖。
【具體實施方式】
[0098]在以下的實施方式中，為了便於說明而根據其需要，分割為多個部分或實施方式進行說明，但除了特別明示的情況，這些實施方式並不是互相無關，而是處於一方是另一方的一部分或全部的變形例、詳細、補充說明等關係。
[0099]另外，在以下的實施方式中，在言及要素的數等(包括個數、數值、量、範圍等)的場合，除了特別明示的場合及原理上明顯限定於特定的數的場合等，並不局限於其特定的數，也可以是特定的數以上或以下。
[0100]另外，在以下的實施方式中，其結構要素(包括要素步驟等)除了特別明示的場合及認為原理上明顯是必須的場合等，未必是必須的結構要素。
[0101]同樣地，在以下的實施方式中，在言及結構要素等的形狀、位置關係等時，除了特別明示的場合及認為原理上明顯不是那樣的場合等，實際上也包括近似或類似於其形狀等的結構要素等。這一點對上述數值及範圍也相同。
[0102]另外，在用於說明實施方式的全圖中，原則上對同一部件標註同一符號，並省略其重複的說明。另外，為了容易理解附圖，有時即使是俯視圖也追加剖面線。
[0103](實施方式一)
[0104]
[0105]首先，說明流量傳感器的電路結構。圖1是表示本實施方式一的流量傳感器的電路結構的電路方框圖。在圖1中，本實施方式一的流量傳感器首先具有用於控制流量傳感器的CPU(Central Processing Unit) I，還具有用於將輸入信號輸入該CPUl的輸入電路2、及用於輸出來自CPUl的輸出信號的輸出電路3。並且，在流量傳感器上設有存儲數據的存儲器4。CPUl訪問存儲器4，從而能夠參照存儲器4所存儲的數據。
[0106]其次，CPUl通過輸出電路3與電晶體Tr的基極連接。並且，該電晶體Tr的集電極與電源PS連接，電晶體Tr的發射極通過發熱電阻HR接地(GND)。因此，電晶體Tr由CPUl控制。S卩，由於電晶體Tr的基極通過輸出電路3與CPUl連接，因此來自CPUl的輸出信號輸入到電晶體Tr的基極。其結果，構成為利用來自CPUl的輸出信號(控制信號)，控制流經電晶體Tr的電流。若流經電晶體Tr的電流根據來自CPUl的輸出信號而變大，則從電源PS供給到發熱電阻HR的電流變大，發熱電阻HR的加熱量變大。另一方面，若流經電晶體Tr的電流根據來自CPUl的輸出信號而變小，則向發熱電阻HR供給的電流變小，發熱電阻HR的加熱量減少。這樣，在本實施方式一的流量傳感器中，利用CPUl控制流經發熱電阻HR的電流量，由此，利用CPUl控制來自發熱電阻HR的發熱量。
[0107]接著，在本實施方式一的流量傳感器中，為了利用CPUl控制流經發熱電阻HR的電流，設有加熱器控制電橋HCB。該加熱器控制電橋HCB檢測從發熱電阻HR散發的發熱量，並將該檢測結果向輸入電路2輸出。其結果，CPUl能夠輸入來自加熱器控制電橋HCB的檢測結果，並根據該檢測結果控制流經電晶體Tr的電流。
[0108]具體地說，如圖1所示，加熱器控制電橋HCB在參考電壓Vrefl和接地(GND)之間具有構成電橋的電阻Rl?電阻R4。在如此構成的加熱器控制電橋HCB中，將電阻Rl?電阻R4的電阻值設定如下:在由發熱電阻HR加熱的氣體比進氣溫度只高某一定溫度(Λ Τ，例如為100°C )的場合，節點A的電位和節點B的電位的電位差為0V。即，構成加熱器控制電橋HCB的電阻Rl?電阻R4以將串聯連接電阻Rl和電阻R3的結構要素和串聯連接電阻R2和電阻R4的結構要素並聯連接在參考電壓Vrefl和接地(GND)之間的方式構成電橋。並且，電阻Rl和電阻R3的連接點成為節點A，電阻R2和電阻R4的連接點成為節點B。此時，由發熱電阻HR加熱的氣體與構成加熱器控制電橋HCB的電阻Rl接觸。因此，由於來自發熱電阻HR的發熱量，主要是構成加熱器控制電橋HCB的電阻Rl的電阻值發生變化。這樣，若電阻Rl的電阻值發生變化，則節點A和節點B之間的電位差發生變化。由於該節點A和節點B的電位差通過輸入電路2輸入到CPUl，因此CPUl根據節點A和節點B的電位差控制流經電晶體Tr的電流。具體地說，CPUl以節點A和節點B的電位差成為OV的方式控制流經電晶體Tr的電流，從而控制來自發熱電阻HR的發熱量。即，在本實施方式一的流量傳感器中，CPUl根據加熱器控制電橋HCB的輸出進行反饋控制，以使由發熱電阻HR加熱的氣體保持比進氣溫度只高某一定溫度(Λ Τ，例如為100°C )的一定值。
[0109]接著，本實施方式一的流量傳感器具有用於檢測氣體的流量的溫度傳感器電橋TSB。該溫度傳感器電橋TSB由在參考電壓Vref 2和接地(GND)之間構成電橋的四個測溫電阻構成。該四個測溫電阻包括兩個上遊測溫電阻URl、UR2和兩個下遊測溫電阻BRl、BR2。即，圖1的箭頭方向表示氣體流動的方向，在該氣體流動的方向的上遊側設有上遊測溫電阻URl、UR2，在下遊側設有下遊測溫電阻BRl、BR2。這些上遊測溫電阻URl、UR2及下遊測溫電阻BR1、BR2配置成到發熱電阻HR的距離相同。
[0110]在溫度傳感器電橋TSB中，在參考電壓Vref2和接地(GND)之間串聯連接有上遊測溫電阻URl和下遊測溫電阻BR1，該上遊測溫電阻URl和下遊測溫電阻BRl的連接點成為節點C。另一方面，在接地(GND)與參考電壓Vref2之間串聯連接有上遊測溫電阻UR2和下遊測溫電阻BR2，該上遊測溫電阻UR2和下遊測溫電阻BR2的連接點成為節點D。並且，節點C的電位和節點D的電位通過輸入電路2輸入到CPUl中。並且，以在向箭頭方向流動的氣體的流量為零的無風狀態時，節點C的電位和節點D的電位的差電位成為OV的方式設定上遊測溫電阻UR1、UR2和下遊測溫電阻BR1、BR2的各電阻值。具體地說，上遊測溫電阻URU UR2和下遊測溫電阻BR1、BR2構成為距發熱電阻HR的距離相等且電阻值也相等。因此，在溫度傳感器電橋TSB中，與發熱電阻HR的發熱量無關，如果為無風狀態，則節點C和節點D的差電位為0V。
[0111]
[0112]本實施方式一的流量傳感器如上所述構成，以下參照圖1對其動作進行說明。首先，CPUl通過輸出電路3向電晶體Tr的基極輸出輸出信號(控制信號)，從而使電流流向電晶體Tr。於是，電流從與電晶體Tr的集電極連接的電源PS流向與電晶體Tr的發射極連接的發熱電阻HR。因此，發熱電阻HR發熱。並且，被由發熱電阻HR發出的熱加熱的氣體加熱構成加熱器控制電橋HCB的電阻Rl。此時，以在被發熱電阻HR加熱的氣體只變高一定溫度(例如100°C )的場合，加熱器控制電橋HCB的節點A和節點B的差電位成為OV的方式設定電阻Rl?R4的各電阻值。因此，例如在被發熱電阻HR加熱的氣體只變高一定溫度(例如100°C )的場合，加熱器控制電橋HCB的節點A和節點B之間的差電位為0V，該差電位(OV)通過輸入電路2輸入到CPUl。並且，識別了來自加熱器控制電橋HCB的差電位為OV的情況的CPUl通過輸出電路3，向電晶體Tr的基極輸出用於維持現狀的電流量的輸出信號(控制信號)。
[0113]另一方面，在被發熱電阻HR加熱的氣體偏離一定溫度(例如100°C )的場合，在加熱器控制電橋HCB的節點A和節點B之間產生不是OV的差電位，該差電位通過輸入電路2輸入到CPUl。並且，識別了產生來自加熱器控制電橋HCB的差電位的情況的CPUl通過輸出電路3，向電晶體Tr的基極輸出使差電位變為OV的輸出信號(控制信號)。例如，在產生被發熱電阻HR加熱的氣體比一定溫度(例如100°C )高的方向的差電位的場合，CPUl向電晶體Tr的基極輸出使流經電晶體Tr的電流減少的控制信號(輸出信號)。與此相對，在產生被發熱電阻HR加熱的氣體比一定溫度(例如100°C )低的方向的差電位的場合，CPUl向電晶體Tr的基極輸出使流經電晶體Tr的電流增加的控制信號(輸出信號)。如上所述，CPUl根據來自加熱器控制電橋HCB的輸出信號進行反饋控制，以使加熱器控制電橋HCB的節點A和節點B之間的差電位成為OV (平衡狀態)。由此可知，在本實施方式一的流量傳感器中，以被發熱電阻HR加熱的氣體成為一定溫度的方式進行控制。
[0114]以下，對測定在本實施方式一的流量傳感器中的氣體的流量的動作進行說明。首先，對無風狀態的場合進行說明。以在向箭頭方向流動的氣體的流量為零的無風狀態時，溫度傳感器電橋TSB的節點C的電位和節點D的電位的差電位成為OV的方式設定上遊測溫電阻UR1、UR2和下遊測溫電阻BR1、BR2的各電阻值。具體地說，上遊測溫電阻UR1、UR2和下遊測溫電阻BR1、BR2構成為距發熱電阻HR的距離相等，且電阻值也相等。因此，在溫度傳感器電橋TSB中，與發熱電阻HR的發熱量無關，如果是無風狀態，則節點C和節點D的差電位為0V，該差電位(OV)通過輸入電路2輸入到CPUl。並且，設別了來自溫度傳感器電橋TSB的差電位是OV的情況的CPUl識別出向箭頭方向流動的氣體的流量是零，並通過輸出電路3從本實施方式一的流量傳感器輸出表不氣體流量Q為零的輸出信號。
[0115]接著，考慮氣體向圖1的箭頭方向流動的場合。在該場合，如圖1所示，配置在氣體流動的方向的上遊側的上遊測溫電阻UR1、UR2被向箭頭方向流動的氣體冷卻。因此，上遊測溫電阻UR1、UR2的溫度下降。相對於此，就配置在氣體流動的方向的下遊側的下遊測溫電阻BR1、BR2而言，由於被發熱電阻HR加熱的氣體流向下遊測溫電阻BR1、BR2,因此溫度上升。其結果，溫度傳感器電橋TSB的平衡被打破，在溫度傳感器電橋TSB的節點C和節點D之間產生不是零的差電位。該差電位通過輸入電路2輸入到CPUl。並且，識別了來自溫度傳感器電橋TSB的差電位不是零的情況的CPUl識別出向箭頭方向流動的氣體的流量不是零。之後，CPUl訪問存儲器4。由於在存儲器4中存儲有使差電位與氣體流量相對應的對比表(目錄)，因此訪問存儲器4的CPUl根據存儲器4所存儲的對比表計算出氣體流量Q。這樣，由CPUl算出的氣體流量Q通過輸出電路3從本實施方式一的流量傳感器輸出。如上所述，根據本實施方式一的流量傳感器，能夠求出氣體的流量。
[0116]
[0117]以下，對本實施方式一的流量傳感器的版圖結構進行說明。例如，圖1所示的本實施方式一的流量傳感器形成於兩個半導體晶片。具體地說，發熱電阻HR、加熱器控制電橋HCB及溫度傳感器電橋TSB形成於一個半導體晶片，CPUl、輸入電路2、輸出電路3及存儲器4等形成於另一個半導體晶片。以下，對形成有發熱電阻HR、加熱器控制電橋HCB及溫度傳感器電橋TSB的半導體晶片的版圖結構進行說明。
[0118]圖2是表示構成本實施方式一的流量傳感器的一部分的半導體晶片CHPl的版圖結構的俯視圖。首先，如圖2所示，半導體晶片CHPl呈矩形形狀，氣體從該半導體晶片CHPl的左側向右側(箭頭方向)流動。並且，如圖2所示，在呈矩形形狀的半導體晶片CHPl的背面側形成有矩形形狀的隔膜DF。所謂隔膜DF，表示使半導體晶片CHPl的厚度變薄的薄板區域。即，形成有隔膜DF的區域的厚度比半導體晶片CHPl的其他的區域的厚度薄。
[0119]如圖2所示，在與這樣形成有隔膜DF的背面區域相對的半導體晶片CHPl的表面區域，形成有流量檢測部FDU。具體地說，在該流量檢測部FDU的中央部形成有發熱電阻HR，在該發熱電阻HR的周圍形成有構成加熱器控制電橋的電阻Rl。並且，在流量檢測部FDU的外側形成有構成加熱器控制電橋的電阻R2?R4。由如此形成的電阻Rl?R4構成加熱器控制電橋。尤其，由於構成加熱器控制電橋的電阻Rl形成於發熱電阻HR的附近，因此能夠將被由發熱電阻HR發出的熱加熱的氣體的溫度高精度地反映在電阻Rl上。另一方面，由於構成加熱器控制電橋的電阻R2?R4遠離發熱電阻HR而配置，因此難以受到來自發熱電阻HR的發熱的影響。因此，電阻Rl能夠構成為敏感地反應被發熱電阻HR加熱的氣體的溫度，並且電阻R2?R4構成為難以受到發熱電阻HR的影響且容易將電阻值維持為一定值。因此，能夠提聞加熱器控制電橋的檢測精度。
[0120]另外，隔著形成在流量檢測部FDU上的發熱電阻HR，配置有上遊測溫電阻UR1、UR2和下遊測溫電阻BR1、BR2。具體地說，在氣體流動的箭頭方向的上遊側形成有上遊測溫電阻UR1、UR2，在氣體流動的箭頭方向的下遊側形成有下遊測溫電阻BR1、BR2。通過如此構成，在氣體向箭頭方向流動的場合，能夠使上遊測溫電阻UR1、UR2的溫度降低，並且能夠使下遊測溫電阻BR1、BR2的溫度上升。利用這樣配置在流量檢測部FDU上的上遊測溫電阻UR1、UR2及下遊測溫電阻BR1、BR2形成溫度傳感器電橋。
[0121]上述的發熱電阻HR、上遊測溫電阻UR1、UR2及下遊測溫電阻BR1、BR2可以如下形成:在利用派射法或CVD(Chemical Vapor Deposition)法等方法形成例如白金(鉬)等金屬膜或多晶矽(多結晶矽)等半導體薄膜後，利用離子蝕刻等方法形成圖案。
[0122]如此構成的發熱電阻HR、構成加熱器控制電橋的電阻Rl?R4及構成溫度傳感器電橋的上遊測溫電阻UR1、UR2和下遊測溫電阻BR1、BR2分別與配線WLl連接，並且被引出到沿半導體晶片CHPi的下邊配置的焊墊roi。
[0123]如上所述，構成本實施方式一的流量傳感器的一部分的半導體晶片CHPl形成版圖結構。實際的流量傳感器形成為如下結構，具有形成有發熱電阻HR、加熱器控制電橋HCB及溫度傳感器電橋TSB的一個半導體晶片和形成有CPUl、輸入電路2、輸出電路3及存儲器4等的另一個半導體晶片，並將這些半導體晶片安裝在基板上。以下，對如此安裝構成的流量傳感器進行說明。首先，對現有技術的流量傳感器的安裝結構進行說明，之後，對現有技術的流量傳感器的安裝結構上的問題點進行說明。然後，對設法解決現有技術的流量傳感器的安裝結構上的問題點的本實施方式一的流量傳感器的安裝結構進行說明。
[0124]
[0125]圖3是表示現有技術的流量傳感器FSP的安裝結構的圖。具體地說，圖3(a)是表示現有技術的流量傳感器FSP的安裝結構的俯視圖，圖3(b)是用圖3(a)的A — A線切斷的剖視圖。
[0126]如圖3(a)所示，現有技術的流量傳感器FSP具有矩形形狀(長方形形狀)的配線基板WB，半導體晶片CHPl和半導體晶片CHP2沿該配線基板WB的X方向排列而配置。
[0127]在半導體晶片CHPl上形成有流量檢測部FDU』氣體在該流量檢測部FDU上流動。具體地說，氣體沿流量檢測部FDU上的箭頭方向(Y方向)流動。形成在該半導體晶片CHPl上的流量檢測部FDU與設在半導體晶片CHPl上的配線WLl連接，該配線WLl與形成在配線基板WB上的配線WL2連接。此時，在圖3(a)中，形成在半導體晶片CHPl上的配線WLl和形成在配線基板WB上的配線WL2的連接區域由灌注樹脂POT覆蓋。並且，形成在配線基板WB上的配線WL2與半導體晶片CHP2連接，半導體晶片CHP2還與形成在配線基板WB上的配線WL3連接。這樣，搭載在配線基板WB上的半導體晶片CHPl和半導體晶片CHP2電連接。
[0128]接著，如圖3(b)所示，在配線基板WB的局部區域形成有槽，在該槽的內部配置有半導體晶片CHPl。在半導體晶片CHPl的背面側形成有隔膜DF，在與該隔膜DF相對的半導體晶片CHPl的表面形成有流量檢測部FDU。並且，在遠離流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的表面形成有焊墊Η)1。該流量檢測部FDU與焊墊PDl用圖3(a)所示的配線WLl連接。
[0129]半導體晶片CHPl利用粘接材料ADH固定在槽的底部。具體地說，在與焊墊PDl相對的半導體晶片CHPl的背面塗敷有粘接材料ADH，利用該粘接材料ADH將半導體晶片CHPl固定在形成於配線基板WB上的槽的底部。另一方面，在半導體晶片CHPl的背面之中形成有隔膜DF的區域側未形成粘接材料ADH，外部空間和隔膜DF的內部連通。由此，能夠使隔膜DF的內部的壓力與外部空間的壓力相等，抑制了由壓力差引起的應力作用於形成在與隔膜DF相對的半導體晶片CHPl的表面上的流量檢測部FDU。
[0130]形成在半導體晶片CHPl上的焊墊PDl通過金屬絲Wl與形成在配線基板WB上的配線WL2連接，該金屬絲Wl利用灌注樹脂POT密封。
[0131 ] 另一方面，半導體晶片CHP2利用突起電極BMP與形成在配線基板WB上的配線WL2連接，並且通過突起電極還與形成在配線基板WB上的配線WL3連接。
[0132]
[0133]如上所述，安裝構成現有技術的流量傳感器FSP，但在現有的流量傳感器FSP中，存在如下問題點。如上所述，連接半導體晶片CHPl和配線基板WB的金線(金屬絲Wl)為了防止由變形產生的接觸等，通常由灌注樹脂POT固定。S卩，金線(金屬絲Wl)被灌注樹脂POT覆蓋而固定，利用該灌注樹脂POT保護金線(金屬絲W1)。另一方面，構成流量傳感器FSP的半導體晶片CHPl及半導體晶片CHP2通常未用灌注樹脂POT密封。S卩，在通常的流量傳感器FSP中，形成為只有金線(金屬絲Wl)利用灌注樹脂POT覆蓋的結構。
[0134]在此，由於金線(金屬絲Wl)利用灌注樹脂POT的固定未在利用模具等固定半導體晶片CHPl的狀態下進行，因此由於灌注樹脂POT的收縮，存在半導體晶片CHPl從搭載位置偏離的問題。另外，由於灌注樹脂POT通過滴下而形成，因此存在灌注樹脂POT的尺寸精度低的問題。其結果，每個流量傳感器FSP都在形成有流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的搭載位置上產生偏離，並且灌注樹脂POT的形成位置也稍微不同，在各流量傳感器FSP的檢測性能上產生偏差。因此，為了抑制各流量傳感器FSP的性能偏差，需要對每個流量傳感器FSP進行檢測性能的修正，產生增加流量傳感器FSP的製造工序中的性能修正工序的必要性。尤其，若性能修正工序變長，則還存在流量傳感器FSP的製造工序的生產率下降，且流量傳感器FSP的成本上升之類的問題點。另外，由於灌注樹脂POT未進行利用加熱的固化的促進，因此灌注樹脂POT直到固化的時間變長，流量傳感器FSP的製造工序的生產率下降。由於以上的原因，在現有的流量傳感器FSP的安裝結構中，由於採用只將金屬絲Wl利用位置精度差的灌注樹脂POT密封的結構，因此主要存在每個流量傳感器FSP都產生性能偏差的問題點。
[0135]
[0136]因此，在本實施方式一中，為了解決上述現有技術的流量傳感器FSP所存在的性能偏差之類的問題點，對流量傳感器的安裝結構下了工夫。以下參照附圖對該下了工夫的本實施方式一的流量傳感器的安裝結構進行說明。
[0137]圖4是表示本實施方式一的流量傳感器FSl的安裝結構的圖，是表示利用樹脂密封前的結構的圖。尤其，圖4(a)是表示本實施方式一的流量傳感器FSl的安裝結構的俯視圖，圖4(b)是以圖4(a)的A — A線切斷的剖視圖，圖4(c)是表示半導體晶片CHPl的背面的俯視圖。
[0138]首先，如圖4(a)所示，本實施方式一的流量傳感器FSl具有例如由玻璃環氧樹脂構成的矩形形狀的配線基板WB，並且以沿該配線基板WB的X方向排列的方式搭載有半導體晶片CHPl和半導體晶片CHP2。半導體晶片CHPl呈矩形形狀，在大致中央部形成有流量檢測部FDU0並且，與流量檢測部FDU連接的配線WLl形成在半導體晶片CHPl上，該配線WLl與沿半導體晶片CHPl的一邊形成的多個焊墊PDl連接。S卩，流量檢測部FDU和多個焊墊PDl利用配線WLl連接。這些焊墊PDl通過例如由金線構成的金屬絲Wl與形成在配線基板WB上的端子TEl連接。形成在配線基板WB上的端子TEl與形成在配線基板WB上的配線WL2連接，配線WL2與端子TE2連接。另外，端子TE2通過例如由金線構成的金屬絲W2與形成在半導體晶片CHP2上的焊墊PD2連接。
[0139]在半導體晶片CHP2 上形成有由 MISFET (Metal Insulator Semiconductor FieldEffect Transistor)等半導體元件和配線構成的集成電路。具體地說，形成有構成圖1所示的CPUl、輸入電路2、輸出電路3或存儲器4等的集成電路。這些集成電路與作為外部連接端子起作用的焊墊PD2或焊墊PD3連接。並且，形成在半導體晶片CHP2上的焊墊PD3通過例如由金線構成的金屬絲W3與形成在配線基板WB上的端子TE3連接，該端子TE3與形成在配線基板WB上的配線WL3連接。這樣，形成有流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl和形成有控制電路的半導體晶片CHP2通過形成在配線基板WB上的配線WL2連接。
[0140]接著，如圖4(b)所示，在配線基板WB的預定區域形成有槽(空腔)，在該槽的內部搭載有半導體晶片CHPl。該半導體晶片CHPl通過粘接材料ADHl與配線基板WB粘接。在半導體晶片CHPl的背面形成有隔膜DF (薄板部)，在與隔膜DF相對的半導體晶片CHPl的表面形成有流量檢測部FDU。另一方面，在位於隔膜DF的下方的槽的底部形成有開口部OPl。
[0141]隔膜DF具有容易使形成在半導體晶片CHPl的表面的流量檢測部FDU儘量絕熱的功能。即，如圖2所示，在流量檢測部FDU上形成有上遊測溫電阻UR1、UR2及下遊測溫電阻BR1、BR2。在這種流量檢測部FDU中，通過氣體流動，上遊測溫電阻UR1、UR2及下遊測溫電阻BRl、BR2的溫度發生變化，通過該溫度變化，上遊測溫電阻URl、UR2及下遊測溫電阻BRl、BR2的電阻值發生變化，利用這種電阻值的變化來檢測氣體的流量。因此，構成流量檢測部FDU的上遊測溫電阻UR1、UR2及下遊測溫電阻BR1、BR2期望儘量只檢測由氣體流動產生的溫度變化，期望除去由通過半導體晶片CHPl的內部的導熱等的影響產生的溫度變化。因此，在與流量檢測部FDU相對的半導體晶片CHPl的背面設置作為減小半導體晶片CHPl的厚度的區域的隔膜DF，減小通過半導體晶片CHPl的內部的導熱對流量檢測部FDU的影響。
[0142]基於以上的原因，在半導體晶片CHPl上設置隔膜DF，但若該隔膜DF的內部空間與半導體晶片CHPl的外部空間隔離，則外部空間的壓力和隔膜DF內的內部壓力不同。在該場合，以外部空間的壓力和隔膜DF內的內部壓力之差為起因，在隔膜DF上產生應力，形成在隔膜DF上的流量檢測部FDU的檢測精度有可能下降。因此，在本實施方式一中，在位於隔膜DF的下方的槽的底部設置開口部0P1。由此，隔膜DF的內部空間和外部空間通過開口部OPl連通，能夠使外部空間的壓力和隔膜DF內的內部壓力相等。其結果，能夠抑制應力施加在隔膜DF上，能夠防止形成在隔膜DF上的流量檢測部FDU的檢測精度下降。
[0143]如圖4(b)所示，在半導體晶片CHPl的表面(上表面)上，除了流量檢測部FDU之外還形成有與流量檢測部FDU連接的焊墊roi，該焊墊PDl通過金屬絲Wl與形成在配線基板WB上的配線WL2連接。並且，在配線基板WB上除了半導體晶片CHPl之外還搭載有半導體晶片CHP2，半導體晶片CHP2通過粘接材料ADH2粘接在配線基板WB上。另外，形成在半導體晶片CHP2上的焊墊PD2和形成在配線基板WB上的配線WL2通過金屬絲W2連接。另夕卜，形成在半導體晶片CHP2上的焊墊PD3和形成在配線基板WB上的配線WL3通過金屬絲W3電連接。
[0144]粘接半導體晶片CHPl和配線基板WB的粘接材料ADHl和粘接半導體晶片CHP2和配線基板WB的粘接材料ADH2能夠使用例如環氧樹脂或聚氨酯樹脂等熱固性樹脂、聚醯亞胺樹脂或丙烯酸類樹脂等熱塑性樹脂。
[0145]例如，如圖4(c)所示，半導體晶片CHPl和配線基板WB的粘接能夠通過塗敷粘接材料ADHl來進行。圖4(c)是表示半導體晶片CHPl的背面的俯視圖。如圖4(c)所示，在半導體晶片CHPl的背面形成有隔膜DF，以包圍該隔膜DF的方式塗敷粘接材料ADHl。另外，在圖4(c)中，表示了以用四邊形形狀包圍隔膜DF的方式塗敷粘接材料ADHl的例子，但未局限於此，例如也可以以用橢圓形狀等任意的形狀包圍隔膜DF的方式塗敷粘接材料ADH1。
[0146]在本實施方式一的流量傳感器FSl中，利用樹脂密封前的流量傳感器FSl的安裝結構如上所述構成，以下對利用樹脂密封后的流量傳感器FSl的安裝結構進行說明。
[0147]圖5是表示本實施方式一的流量傳感器FSl的安裝結構的圖，是表示利用樹脂密封后的結構的圖。尤其，圖5(a)是表示本實施方式一的流量傳感器FSl的安裝結構的俯視圖。圖5(b)是以圖5(a)的A —A線切斷的剖視圖，圖5(c)是以圖5(a)的B — B線切斷的剖視圖。
[0148]首先，參照圖4(a)及圖5(a)可知，在本實施方式一的流量傳感器FSl中形成為如下結構，在使形成在半導體晶片CHPl上的流量檢測部FDU露出的狀態下，利用樹脂MR覆蓋半導體晶片CHPl的一部分及半導體晶片CHP2的全體的結構。這一點是本實施方式一的第一特徵點。
[0149]例如，在圖3所示的現有的流量傳感器FSP中，形成為只有金線(金屬絲Wl)利用灌注樹脂POT覆蓋的結構，半導體晶片CHPl及半導體晶片CHP2未利用樹脂覆蓋。在該場合，金線(金屬絲Wl)的利用灌注樹脂POT的固定未在利用模具等固定半導體晶片CHPl的狀態下進行，因此由於灌注樹脂POT的收縮，半導體晶片CHPl偏離搭載位置。另外，由於灌注樹脂POT通過滴下而形成，因此還存在灌注樹脂POT的尺寸精度低之類的問題。這意味著每個流量傳感器FSP都在半導體晶片CHPl的位置上產生偏差，其結果，在形成在半導體晶片CHPl上的流量檢測部FDU的位置上也產生偏差。其結果，由於檢測氣體流量的流量檢測部FDU的位置因各流量傳感器FSP而不同，因此各流量傳感器FSP在檢測氣體流量的性能上廣生偏差。
[0150]相對於此，在本實施方式一的流量傳感器FSl中，如圖4(a)所示，形成為在使形成在半導體晶片CHPl上的流量檢測部FDU露出的狀態下，利用樹脂MR覆蓋半導體晶片CHPl的一部分及半導體晶片CHP2的全體的結構。即，在本實施方式一中，將流量檢測部FDU以外的半導體晶片CHPl的區域及半導體晶片CHP2的全部區域利用樹脂MR —並地密封。由於利用該樹脂MR的密封能夠在利用模具固定形成有流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的狀態下進行，因此能夠抑制半導體晶片CHPl的位置偏離，並且能夠利用樹脂MR密封半導體晶片CHPl的一部分及半導體晶片CHP2。這意味著根據本實施方式一的流量傳感器FSljg夠抑制各流量傳感器FSl的位置偏離，並且能夠利用樹脂MR密封半導體晶片CHPl的一部分及半導體晶片CHP2的全部區域，意味著能夠抑制形成在半導體晶片CHPl上的流量檢測部FDU的位置的偏差。其結果，根據本實施方式一，由於檢測氣體流量的流量檢測部FDU的位置能夠在各流量傳感器FSl中一致，因此能夠得到在各流量傳感器FSl中能夠抑制檢測氣體流量的性能偏差的顯著的效果。即，在本實施方式一中，根據能夠使用模具固定半導體晶片CHPl且利用樹脂MR密封的觀點，採用了使流量檢測部FDU露出並利用樹脂MR—並地密封半導體晶片CHPl的一部分及半導體晶片CHP2的結構。即，根據本實施方式一，由於能夠在利用模具夾緊包括半導體晶片CHPl的配線基板WB的狀態下進行密封，因此提高了半導體晶片CHPl的定位精度，並且通過向從模具注入的樹脂MR導熱，能夠縮短樹脂MR的固化時間。例如，在圖3所示的現有的流量傳感器FSP中，雖然使用灌注樹脂Ρ0Τ，但是以該灌注樹脂POT無法縮短加熱並使其固化的時間，因此直到灌注樹脂POT固化的時間變長。其結果，生產率下降，成本上升。相對於此，根據本實施方式一的第一特徵點，通過向從模具注入的樹脂MR導熱，也能夠縮短樹脂MR的固化時間，因此能夠提高生產率，其結果，還能夠減少本實施方式一的流量傳感器FSl的製造成本。[0151]另外，上述樹脂MR能夠使用例如環氧樹脂或酚醛樹脂等熱固性樹脂、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯等熱塑性樹脂，並且還能夠在樹脂中混入玻璃或雲母等填充材料。
[0152]接著，本實施方式一的第二特徵點在於，如圖5(a)所示，隔著露出的流量檢測部FDU的兩側上的樹脂MR (密封體)的高度比包括流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的表面的高度高。即，露出的流量檢測部FDU由樹脂MR包圍周圍，並且包圍流量檢測部FDU的樹脂MR的高度比流量檢測部FDU的高度高。換言之，在本實施方式一中，能夠在樹脂MR上形成有凹部，並在形成在該樹脂MR上的凹部的內部形成有流量檢測部FDU。換言之，在與半導體晶片CHPl的露出面(XY面)正交的包括流量檢測部FDU的任意截面中，隔著流量檢測部FDU的兩側的樹脂MR的高度尺寸能夠比半導體晶片CHPl的露出面(XY面)大。根據這種本實施方式二的第二特徵點，由於能夠防止在組裝部件時等部件與露出的流量檢測部FDU碰撞，因此能夠防止形成有流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的破損。即，隔著流量檢測部FDU的樹脂MR的高度比露出的流量檢測部FDU的高度高。因此，在部件接觸時，首先與高度高的樹脂MR接觸，因此能夠防止包括高度低的流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的露出面(XY面)與部件接觸而使半導體晶片CHPl破損。
[0153]尤其，根據本實施方式一，由於利用樹脂MR覆蓋露出的流量檢測部FDU以外的大部分的半導體晶片CHPl的區域，因此根據該觀點，也由樹脂MR保護半導體晶片CHP1，能夠抑制半導體晶片CHPl的破損。例如，如圖3所示，在現有的流量傳感器FSP中，由於流量檢測部FDU以外的大部分的半導體晶片CHPl的區域也露出，因此在安裝組裝部件時等，部件與半導體晶片CHPl接觸而使半導體晶片CHPl破損的可能性變大。相對於此，根據本實施方式一，通過組合利用樹脂MR覆蓋露出的流量檢測部FDU以外的大部分的半導體晶片CHPl的區域這一點和露出的流量檢測部FDU自身比樹脂MR的高度低這一點，能夠有效地防止半導體晶片CHPl的破損。
[0154]接著，本實施方式一的第三特徵點在於，如圖5(a)所示，隔著露出的流量檢測部FDU而與樹脂MR (密封體)一體地形成有一對氣流控制部rcu1、rcU2，該一對氣流控制部FCUl、FCU2在與在流量檢測部FDU上流動的氣體的前進方向(箭頭方向，Y方向)平行的方向上具有長條形狀。例如，在圖3所示的現有的流量傳感器FSP中，氣體在流量檢測部FDU的上部向Y方向流動，但灌注樹脂POT形成了在流量檢測部FDU的上部流動的氣體的一側的通道。因此，氣體的流動根據灌注樹脂POT的尺寸精度而紊亂，有可能無法準確地測定氣體流量。另外，在圖3所示的現有的流量傳感器FSP中，在相對於流量檢測部FDU，在與灌注樹脂POT相對的相反側未配置形成通道的灌注樹脂Ρ0Τ，因此無法在減小氣體的流道尺寸的狀態下使氣體流經流量檢測部FDU的上部。因此，尤其在流動的氣體的流量少的場合，存在氣體流量的檢測靈敏度變低的問題點。
[0155]相對於此，作為本實施方式一的第三特徵點，隔著露出的流量檢測部FDU而與樹脂MR(密封體)一體地形成有一對氣流控制部F⑶1、F⑶2，該一對氣流控制部F⑶1、F⑶2在與在流量檢測部FDU上流動的氣體的前進方向(箭頭方向，Y方向)平行的方向上具有長條形狀。由此，首先，一對氣流控制部FCUl、FCU2形成了在流量檢測部FDU的上部流動的氣體的兩側的通道。並且，一對氣流控制部F⑶1、F⑶2與樹脂MR —體地通過利用尺寸精度高的模具的夾入而高精度地形成。因此，根據本實施方式一的流量傳感器FS1，氣體的流動不會因一對氣流控制部FCU1、FCU2的尺寸精度而紊亂，能夠準確地測定氣體的流量。另外，在本實施方式一中，如上所述，一對氣流控制部FCU1、FCU2形成了在流量檢測部FDU的上部流動的氣體的兩側的通道。因此，能夠在減小氣體的流道尺寸的狀態下使氣體流經流量檢測部FDU的上部。其結果，根據本實施方式一的流量傳感器FS1，尤其在流動的氣體的流量少的場合，也能夠抑制氣體流量的檢測靈敏度下降。
[0156]另外，本實施方式一的第四特徵點在於，如圖5(a)所示，從樹脂MR(密封體)露出的流量檢測部FDU與樹脂MR(密封體)的邊界區域形成為錐形，邊界區域之中與在流量檢測部FDU上流動的氣體的前進方向(箭頭方向，Y方向)正交的邊界區域的錐形比與氣體的前進方向平行的邊界區域的錐形陡。即，流量檢測部FDU的與氣體的流動正交的方向(X方向)的錐形TP2的角度比流量檢測部FDU的氣體流動的方向(Y方向)的錐形TPl的角度陡。這樣，在本實施方式一中，在氣體流動的方向(Y方向)上，通過減小錐形TPl的角度，能夠減小在Y方向上流動的氣體的流道的尺寸變化。由此，能夠由樹脂MR防止氣體的剝離，因此能夠抑制由氣體的逆流或紊流產生的流量測定的偏離。另一方面，在與氣體流動的方向正交的方向(X方向)，通過增大錐形TP2的角度，能夠形成氣體流道的壁，能夠抑制向X方向的氣體流動。
[0157]接著，本實施方式一的流量傳感器FSl具有第五特徵點和第六特徵點，但作為說明這些特徵點的前提，對圖5(b)及圖5(c)的結構進行說明。圖5(b)是圖5(a)的A — A線剖視圖，圖5(c)是圖5(a)的B— B線剖視圖。
[0158]如圖5(b)所示，在配線基板WB上形成有槽，半導體晶片CHPl利用粘接材料ADHl粘接在該槽的內部。並且，在半導體晶片CHPl的背面形成有隔膜DF，在位於該隔膜DF的下方的槽的底部形成有開口部OPl。另一方面，在與隔膜DF相對的半導體晶片CHPl的表面形成有流量檢測部FDU，另外，形成有與該流量檢測部FDU連接的焊墊Η)1。該焊墊PDl通過金屬絲Wl與形成在配線基板WB上的配線WL2連接，配線WL2利用金屬絲W2與形成在半導體晶片CHP2上的焊墊PD2連接，該半導體晶片CHP2通過粘接材料ADH2搭載在配線基板WB上。另外，形成在半導體晶片CHP2上的焊墊PD3通過金屬絲W3與形成在配線基板WB上的配線WL3連接。並且，在本實施方式一的流量傳感器FSl中，在使流量檢測部FDU及其附近露出的狀態下，作為其他區域(包括焊墊HH)的半導體晶片CHPl的一部分、金屬絲W1、配線WL2、金屬絲W2、半導體晶片CHP2、金屬絲W3及配線WL3的一部分利用樹脂MR—並密封。此時，露出的流量檢測部FDU和樹脂MR的邊界區域形成為錐形TP2，並且隔著流量檢測部FDU與樹脂MR —體地形成有一對氣流控制部rcu1、K:U2。
[0159]另外，如圖5(c)所示，在配線基板WB上形成有槽，半導體晶片CHPl利用粘接材料ADHl粘接在該槽的內部。並且，在半導體晶片CHPl的背面形成有隔膜DF，在位於該隔膜DF的下方的槽的底部形成有開口部0P1。另一方面，在與隔膜DF相對的半導體晶片CHPl的表面形成有流量檢測部Π)υ，以包圍半導體晶片CHPl的周圍的方式形成有樹脂MR。此時，流量檢測部FDU和樹脂MR的邊界區域形成為錐形TPl，該錐形TPl的角度比圖5(b)所示的錐形TP2的角度平緩。
[0160]在此，本實施方式一的第五特徵點在於，如圖5(b)及圖5(c)所示，在位於形成在半導體晶片CHPl的背面的隔膜DF的下方的槽的底部形成有開口部0P1。這樣，在本實施方式一中，對在配線基板WB上設置開口部OPl的理由進行說明。
[0161]首先，在圖3所示的現有的流量傳感器FSP中，如圖3(b)所示，只在半導體晶片CHPl的一側的端部塗敷粘接材料ADH，在另一端部未塗敷粘接材料ADH而形成有間隙。由此，在現有的流量傳感器FSP中，形成在半導體晶片CHPl上的隔膜DF的內部空間與流量傳感器FSP的外部空間通過該間隙連通，能夠使隔膜DF的內部空間的壓力和流量傳感器FSP的外部空間的壓力相等。這樣，在現有的流量傳感器FSP中，抑制了應力施加在隔膜DF上。
[0162]另一方面，在圖5(b)及圖5(c)所示的本實施方式一的流量傳感器FSl中，無法採用與圖3所示的現有的流量傳感器FSP相同的結構。究其原因，在本實施方式一的流量傳感器FSl中，除了流量檢測部FDU及其附近之外的半導體晶片CHPl的區域由樹脂MR覆蓋。即，在本實施方式一中，若在半導體晶片CHPl和槽的底部之間形成間隙，則樹脂MR從該間隙侵入到隔膜DF的內部空間。因此，在本實施方式一中，在半導體晶片CHPl的兩方的端部塗敷有粘接材料ADHl，利用該粘接材料ADHl，抑制樹脂MR侵入隔膜DF的內部空間。S卩，在本實施方式一的流量傳感器FSl中，粘接材料ADHl具有粘接半導體晶片CHPl和配線基板WB的原本的功能，並且具有防止樹脂MR侵入隔膜DF的內部空間這種本實施方式一特有的功能。為了實現利用該粘接材料ADHl的特有的功能，在本實施方式一中，例如如圖4(c)所示，以包圍形成在半導體晶片CHPl的背面的隔膜DF的方式塗敷粘接材料ADHl。
[0163]在採用這種結構，並且未在配線基板WB的槽的底部形成開口部OPl的場合，隔膜DF的內部空間和流量傳感器FSl的外部空間隔離，隔膜DF的內部空間的壓力和流量傳感器FSl的外部空間的壓力不同，由此導致由差壓引起的應力施加在隔膜DF上。因此，在本實施方式一中，為了防止樹脂MR侵入隔膜DF的內部空間，例如如圖4 (c)所示，將採用以包圍形成在半導體晶片CHPl的背面的隔膜DF的方式塗敷粘接材料ADHl的結構作為前提，並且為了避免由該結構產生的不良狀況，如圖5(b)及圖5(c)所示，在位於形成在半導體晶片CHPl的背面的隔膜DF的下方的槽的底部形成開口部0P1。由此，根據本實施方式一的流量傳感器FSl，隔膜DF的內部空間通過形成在配線基板WB的槽的底部的開口部OPl與流量傳感器FSl的外部空間連通。其結果，能夠使隔膜DF的內部空間的壓力和流量傳感器FSl的外部空間的壓力相等，能夠抑制應力施加在隔膜DF上。
[0164]接著，本實施方式一的第六特徵點在於，不僅是半導體晶片CHPl和配線基板WB，半導體晶片CHP2和配線基板WB也用金屬絲W2、W3連接。例如，在圖3所示的現有的流量傳感器FSP中，半導體晶片CHP2使用突起電極BMP與配線基板WB連接。這是由於，在半導體晶片CHP2也用金屬絲連接的場合，為了保護該金屬絲，還需要利用灌注樹脂POT密封該金屬絲。即，如圖3所示，由於利用金屬絲Wl連接半導體晶片CHPl和配線基板WB，因此該金屬絲Wl需要用灌注樹脂POT密封，另外，若半導體晶片CHP2與配線基板WB也用金屬絲W2、W3連接，則該金屬絲W2及金屬絲W3也需要用灌注樹脂POT保護。因此，在現有的流量傳感器FSP中，通過利用突起電極BMP將半導體晶片CHP2連接在配線基板WB上，能夠省略還利用灌注樹脂POT的密封。但是，在使用突起電極將半導體晶片CHP2連接在配線基板WB上的場合，需要使用例如焊錫球，存在製造成本變高的問題。
[0165]因此，在本實施方式一中，不僅是半導體晶片CHPl和配線基板WB，半導體晶片CHP2和配線基板WB也用金屬絲W2、W3連接。該結構能夠通過採用利用樹脂MR —並密封除了流量檢測部FDU及其附近之外的半導體晶片CHPl及半導體晶片CHP2的全體這種本實施方式一的特徵結構而實現。即，根據本實施方式一，由於半導體晶片CHP2也利用樹脂MR —並密封，因此即使利用金屬絲W2及金屬絲W3連接半導體晶片CHP2和配線基板WB，金屬絲W2及金屬絲W3也能夠與連接半導體晶片CHPl和配線基板WB的金屬絲Wl —起用樹脂MR保護。即，在本實施方式一中，由於利用樹脂MR —並地密封半導體晶片CHPl和半導體晶片CHP2，因此無論利用突起電極進行半導體晶片CHP2和配線基板WB的連接，還是利用金屬絲進行，樹脂MR的密封都能一次完成。因此，在本實施方式一中，不使用焊錫球，通過利用金屬絲W2、W3將半導體晶片CHP2連接在配線基板WB上，能夠減少製造成本。
[0166]
[0167]本實施方式一的流量傳感器FSl如上所述構成，以下，參照圖6?圖10對其製造方法進行說明。圖6?圖10表示以圖5(a)的A — A線切斷的截面的製造工序。
[0168]首先，如圖6所示，準備例如由玻璃環氧樹脂構成的配線基板WB。在該配線基板WB的主面(表面，上表面)上形成有槽，槽還在底部形成有開口部0P1。另一方面，在配線基板WB的主面上還形成有配線WL2及配線WL3。
[0169]接著，如圖7所示，在配線基板WB上搭載半導體晶片CHPl及半導體晶片CHP2。具體地說，利用粘接材料ADHl將半導體晶片CHPl連接在形成於配線基板WB上的槽的內部。此時，以形成在半導體基板CHPl上的隔膜DF與形成在配線基板WB上的開口部OPl連通的方式，將半導體晶片CHPl搭載在配線基板WB上。另外，在半導體晶片CHPl上，利用通常的半導體製造方法形成有流量檢測部rou、配線(未圖示)及焊墊roi。並且，例如利用各向異性蝕刻，在與形成在半導體晶片CHPl的表面上的流量檢測部FDU相對的背面的位置形成有隔膜DF。另外，在配線基板WB上利用粘接材料ADH2還搭載有半導體晶片CHP2。在該半導體晶片CHP2上，預先通過通常的半導體製造方法形成有MISFET等半導體元件(未圖示)和配線(未圖示)、焊墊ro2、焊墊ro3。
[0170]接著，如圖8所示，利用金屬絲Wl連接形成在半導體晶片CHPl上的焊墊PDl和形成在配線基板WB上的配線WL2(引線接合)。同樣地，利用金屬絲W2連接配線WL2和形成在半導體晶片CHP2上的焊墊TO2，利用金屬絲W3連接配線WL3和形成在半導體晶片CHP2上的焊墊TO3。金屬絲Wl?W3例如由金線形成。
[0171]之後，如圖9所示，利用樹脂MR密封除了流量檢測部FDU及其附近之外的半導體晶片CHPl的表面、金屬絲W1、配線WL2、金屬絲W2、半導體晶片CHP2的整個主面、金屬絲W3及配線WL3 (模壓工序)。具體地說，如圖9所示，利用上模具UM和下模具BM並隔著第一空間夾入搭載有半導體晶片CHPl及半導體晶片CHP2的配線基板WB。之後，在加熱下，通過使樹脂MR流入該第一空間，利用樹脂MR密封除了流量檢測部FDU及其附近之外的半導體晶片CHPl的表面、金屬絲W1、配線WL2、金屬絲W2、半導體晶片CHP2的整個主面、金屬絲W3及配線WL3。此時，如圖9所示，隔膜DF的內部空間由於粘接材料ADHl而與上述第一空間隔離，因此在利用樹脂MR填充第一空間時，也能夠防止樹脂MR侵入隔膜DF的內部空間。
[0172]另外，在本實施方式一中，由於能夠在利用模具固定了形成有流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的狀態下進行，因此能夠在抑制半導體晶片CHPl的位置偏離的狀態下利用樹脂MR密封半導體晶片CHPl的一部分及半導體晶片CHP2。這意味著根據本實施方式一的流量傳感器的製造方法，能夠在抑制各流量傳感器的位置偏離的狀態下利用樹脂MR密封半導體晶片CHPl的一部分及半導體晶片CHP2的全部區域,意味著能夠抑制形成在半導體晶片CHPl上的流量檢測部FDU的位置偏差。其結果，根據本實施方式一，由於檢測氣體流量的流量檢測部FDU的位置能夠在各流量傳感器中一致，因此能夠得到在各流量傳感器中能夠抑制檢測氣體流量的性能偏差的顯著的效果。
[0173]在此，本實施方式一的流量傳感器的製造方法的特徵在於，以利用與第一空間隔離的第二空間SP2包圍形成在半導體晶片CHPl上的流量檢測部FDU的方式，利用下模具BM和上模具UM夾入搭載了半導體晶片CHPl的配線基板WB。由此，根據本實施方式一，能夠使形成在半導體晶片CHPl上的流量檢測部FDU及其附近區域露出，且密封除此之外的半導體晶片CHPl的表面區域。
[0174]另外，本實施方式一的流量傳感器的製造方法的特徵在於，在利用上模具UM和下模具BM夾入搭載了半導體晶片CHPl的配線基板WB時，使彈性體薄膜LAF介於搭載了半導體晶片CHPl的配線基板WB和上模具UM之間。例如，由於在各個半導體晶片CHPl的厚度上存在尺寸偏差，因此在半導體晶片CHPl的厚度比平均厚度薄的場合，在利用上模具UM和下模具BM夾入搭載了半導體晶片CHPl的配線基板WB時，產生間隙，樹脂MR從該間隙漏出到半導體晶片CHPl上。另一方面，在半導體晶片CHPl的厚度比平均厚度厚的場合，在利用上模具UM和下模具BM夾入搭載了半導體晶片CHPl的配線基板WB時，施加在半導體晶片CHPl上的力變大，半導體晶片CHPl有可能斷裂。
[0175]因此，在本實施方式一中，為了防止上述的由半導體晶片CHPl的厚度偏差引起的向半導體晶片CHPl上的樹脂洩漏或半導體晶片CHPl的斷裂，實施了使彈性體薄膜LAF介於搭載了半導體晶片CHPl的配線基板WB和上模具UM之間的辦法。由此，例如在半導體晶片CHPl的厚度比平均厚度薄的場合，在利用上模具UM和下模具BM夾入搭載了半導體晶片CHPl的配線基板WB時，雖然產生間隙，但由於能夠利用彈性體薄膜LAF填充該間隙，因此能夠防止向半導體晶片CHPl上的樹脂洩漏。另一方面，在半導體晶片CHPl的厚度比平均厚度厚的場合，在利用上模具UM和下模具BM夾入搭載了半導體晶片CHPl的配線基板WB時，由於彈性體薄膜LAF柔軟，因此彈性體薄膜LAF的厚度方向的尺寸發生變化，以吸收半導體晶片CHPl的厚度。由此，即使半導體晶片CHPl的厚度比平均厚度厚，也能夠防止過大的力施加在半導體晶片CHPl上，其結果，能夠防止半導體晶片CHPl的斷裂。
[0176]另外，作為上述彈性體薄膜LAF，能夠使用例如特氟綸(註冊商標)或氟樹脂等高分子材料。
[0177]之後，如圖10所示，在樹脂MR已固化的階段，從上模具UM和下模具BM卸下搭載了半導體晶片CHPl及半導體晶片CHP2的配線基板WB。由此，能夠製造本實施方式一的流量傳感器FSl。
[0178](實施方式二)
[0179]在上述實施方式一中，對隔著露出的流量檢測部FDU與樹脂MR (密封體)一體地形成一對氣流控制部rcu1、rcu2，並且該一對氣流控制部rcu1、rcu2在與在流量檢測部fdu上流動的氣體的前進方向平行的方向上具有長條形狀的例子進行了說明。在本實施方式二中，對未設置上述氣流控制部FCU1、FCU2的流量傳感器進行說明。
[0180]圖11是表示本實施方式二的流量傳感器FS2的安裝結構的圖，是表示利用樹脂密封后的結構的圖。尤其，圖11(a)是表示本實施方式二的流量傳感器FS2的安裝結構的俯視圖。圖11(b)是以圖11(a)的A — A線切斷的剖視圖，圖11(c)是以圖11(a)的B— B線切斷的剖視圖。
[0181]本實施方式二的流量傳感器FS2的安裝結構除了未設置氣流控制部F⑶1、F⑶2這點之外，與上述實施方式一的流量傳感器FSl的安裝結構相同。因此，本實施方式二的流量傳感器FS2也具有在上述實施方式一中說明的第一特徵點?第二特徵點、第四特徵點?第六特徵點。
[0182]具體地說，即使在本實施方式二的流量傳感器FS2中，如圖11(a)所示，也形成為在使形成在半導體晶片CHPl上的流量檢測部FDU露出的狀態下，利用樹脂MR覆蓋半導體晶片CHPl的一部分及半導體晶片CHP2的全體的結構(第一特徵點)。即，在本實施方式二中，利用樹脂MR —並地密封流量檢測部FDU以外的半導體晶片CHPl的區域及半導體晶片CHP2的全部區域。由於利用該樹脂MR的密封能夠在利用模具固定形成有流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的狀態下進行，因此能在抑制半導體晶片CHPl的位置偏離的狀態下利用樹脂MR密封半導體晶片CHPl的一部分及半導體晶片CHP2。這意味著根據本實施方式二的流量傳感器FS2，能夠在抑制各流量傳感器FS2的位置偏離的狀態下利用樹脂MR密封半導體晶片CHPl的一部分及半導體晶片CHP2的全部區域，意味著能夠抑制形成在半導體晶片CHPl上的流量檢測部FDU的位置偏差。其結果，根據本實施方式二，由於檢測氣體流量的流量檢測部FDU的位置在各流量傳感器FS2中一致，因此能夠得到在各流量傳感器FS2中能夠抑制檢測氣體流量的性能偏差的顯著的效果。
[0183]接著，在本實施方式二的流量傳感器FS2中，也如圖11(a)所示，隔著露出的流量檢測部FDU的兩側的樹脂MR(密封體)的高度比包括流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的表面的高度高(第二特徵點)。即，露出的流量檢測部FDU用樹脂MR包圍周圍，並且包圍流量檢測部FDU的樹脂MR的高度比流量檢測部FDU的高度高。根據這種本實施方式二的第二特徵點，由於能夠防止在部件組裝時等部件與露出的流量檢測部FDU碰撞，因此能夠防止形成有流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的破損。即，隔著流量檢測部FDU的樹脂MR的高度比露出的流量檢測部FDU的高度高。因此，在部件接觸時，首先與高度高的樹脂MR接觸，因此能夠防止高度低的包括流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的露出面(XY面)與部件接觸而使半導體晶片CHPl破損。
[0184]另外，在本實施方式二的流量傳感器FS2中，也如圖11(a)所示，從樹脂MR(密封體)露出的流量檢測部FDU與樹脂MR(密封體)的邊界區域形成為錐形，邊界區域之中與在流量檢測部FDU上流動的氣體的前進方向(箭頭方向，Y方向)正交的邊界區域的錐形比與氣體的前進方向平行的邊界區域的錐形陡(第四特徵點)。即，流量檢測部FDU的與氣體的流動正交的方向(X方向)的錐形TP2的角度比流量檢測部FDU的氣體流動的方向(Y方向)的錐形TPl的角度陡。這樣，在本實施方式二中，在氣體流動的方向(Y方向)，通過減小錐形TPl的角度，能夠減小在Y方向上流動的氣體的流道的尺寸變化。由此，能夠由樹脂MR防止氣體的剝離，因此能夠抑制由氣體的逆流或紊流產生的流量測定的偏離。另一方面，在與氣體流動的方向正交的方向(X方向)，通過增大錐形TP2的角度，能夠形成氣體流道的壁，能夠抑制向X方向的氣體流動。
[0185]另外，在本實施方式二中，也為了防止樹脂MR侵入隔膜DF的內部空間，將採用例如以包圍形成在半導體晶片CHPl的背面的隔膜DF的方式塗敷粘接材料ADHl的結構作為前提，為了避免由該結構產生的不良狀況，如圖11(b)及圖11(c)所示，在位於形成在半導體晶片CHPl的背面的隔膜DF的下方的槽的底部形成開口部OPl (第五特徵點)。由此，根據本實施方式二的流量傳感器FS2，隔膜DF的內部空間通過形成在配線基板WB的槽的底部的開口部OPl與流量傳感器FS2的外部空間連通。其結果，能夠使隔膜DF的內部空間的壓力和流量傳感器FS2的外部空間的壓力相等，能夠抑制應力施加在隔膜DF上。
[0186]在本實施方式二的流量傳感器FS2中，也不僅是半導體晶片CHPl和配線基板WB，半導體晶片CHP2和配線基板WB也用金屬絲W2、W3連接(第六特徵點)。由此，在本實施方式二中，由於不使用焊錫球，因此能夠減少製造成本。
[0187](實施方式三)
[0188]在本實施方式三中，為了解決由上述現有的流量傳感器FSP所存在的性能偏差導致的流量傳感器FSP的性能劣化之類的問題點，對流量傳感器的安裝結構下了工夫。以下，參照附圖對下了該工夫的本實施方式三的流量傳感器的安裝結構進行說明。
[0189]在上述實施方式一及上述實施方式二中，對在配線基板WB上搭載半導體晶片CHPl和半導體晶片CHP2的例子進行了說明，但在本實施方式三中，對代替配線基板WB而使用引線框的例子進行說明。
[0190]圖12是表示本實施方式三的流量傳感器FS3的安裝結構的圖，是表示利用樹脂密封前的結構的圖。尤其，圖12(a)是表示本實施方式三的流量傳感器FS3的安裝結構的俯視圖。圖12(b)是以圖12(a)的A —A線切斷的剖視圖，圖12(c)是表示半導體晶片CHPl的背面的俯視圖。
[0191]首先,如圖12(a)所示,本實施方式三的流量傳感器FS3具有例如由銅材料構成的引線框LF。該引線框LF在用構成外框體的堤壩DM包圍的內部具有晶片搭載部TABl和晶片搭載部TAB2。並且，在晶片搭載部TABl上搭載有半導體晶片CHPl，在晶片搭載部TAB2上搭載有半導體晶片CHP2。
[0192]半導體晶片CHPl為矩形形狀，在大致中央部形成有流量檢測部FDU。並且，與流量檢測部FDU連接的配線WLl形成在半導體晶片CHPl上，該配線WLl與沿半導體晶片CHPl的一邊形成的多個焊墊PDl連接。S卩，流量檢測部FDU和多個焊墊PDl利用配線WLl連接。這些焊墊PDl通過例如由金線構成的金屬絲Wl與形成在引線框LF上的引線LDl連接。形成在引線框LF上的引線LDl還通過例如由金線構成的金屬絲W2與形成在半導體晶片CHP2上的焊墊PD2連接。另外，在半導體晶片CHPl的最外表面(元件形成面)上以與粘接的樹脂的應力緩衝功能、表面保護功能或絕緣保護功能等為目的，也可以形成有聚醯亞胺膜。
[0193]在半導體晶片CHP2 上形成有由 MISFET (Metal Insulator Semiconductor FieldEffect Transistor)等半導體元件和配線構成的集成電路。具體地說，形成有構成圖1所示的CPUl、輸入電路2、輸出電路3或存儲器4等的集成電路。這些集成電路與作為外部連接端子起作用的焊墊PD2或焊墊PD3連接。並且，形成在半導體晶片CHP2上的焊墊PD3通過例如由金線構成的金屬絲W3與形成在引線框LF上的引線LD2連接。這樣，通過形成在引線框LF上的引線LDl連接形成有流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl和形成有控制電路的半導體晶片CHP2。
[0194]接著，如圖12(b)所示，在引線框LF上形成有晶片搭載部TABl，在該晶片搭載部TABl上搭載有半導體晶片CHPl。該半導體晶片CHPl通過粘接材料ADHl與晶片搭載部TABl粘接。在半導體晶片CHPl的背面形成有隔膜DF (薄板部)，在與隔膜DF相對的半導體晶片CHPl的表面形成有流量檢測部FDU。另一方面，在位於隔膜DF的下方的晶片搭載部TABl的底部形成有開口部OPl。[0195]另外，如圖12(b)所示，在半導體晶片CHPl的表面(上表面)上除了流量檢測部FDU之外，還形成有與流量檢測部FDU連接的焊墊HH，該焊墊PDl通過金屬絲Wl與形成在引線框LF上的引線LDl連接。並且，在引線框LF上除了半導體晶片CHPl之外還搭載有半導體晶片CHP2，半導體晶片CHP2通過粘接材料ADH2粘接在晶片搭載部TAB2上。另外，形成在引線框LF上的引線LDl通過金屬絲W2與形成在半導體晶片CHP2上的焊墊PD2連接。另外，形成在引線框LF上的引線LD2通過金屬絲W3與形成在半導體晶片CHP2上的焊墊PD3電連接。
[0196]粘接半導體晶片CHPl和晶片搭載部TABl的粘接材料ADHl和粘接半導體晶片CHP2和晶片搭載部TAB2的粘接材料ADH2例如能夠使用環氧樹脂或聚氨酯樹脂等熱固性樹月旨、聚醯亞胺樹脂或丙烯酸類樹脂等熱塑性樹脂。
[0197]例如，如圖12(c)所示，半導體晶片CHPl和晶片搭載部TABl的粘接能夠通過塗敷粘接材料ADHl來進行。圖12(c)是表示半導體晶片CHPl的背面的俯視圖。如圖12(c)所示，在半導體晶片CHPl的背面形成有隔膜DF，以包圍該隔膜DF的方式塗敷粘接材料ADHl。另外，在圖12(c)中，表示了以將隔膜DF用四邊形形狀包圍的方式塗敷粘接材料ADHl的例子，但不局限於此，例如也可以以用橢圓形狀等任意的形狀包圍隔膜DF的方式塗敷粘接材料 ADHl。
[0198]在本實施方式三的流量傳感器FS3中，利用樹脂密封前的流量傳感器FS3的安裝結構如上所述構成，以下對利用樹脂密封后的流量傳感器FS3的安裝結構進行說明。
[0199]圖13是表示本實施方式三的流量傳感器FS3的安裝結構的圖，是表示利用樹脂密封后的結構的圖。尤其，圖13(a)是表示本實施方式三的流量傳感器FS3的安裝結構的俯視圖。圖13(b)是以圖13(a)的A —A線切斷的剖視圖，圖13(c)是以圖13(a)的B —B線切斷的剖視圖。
[0200]在本實施方式三的流量傳感器FS3中，也如圖13(a)所示，形成為在使形成在半導體晶片CHPl上的流量檢測部FDU露出的狀態下，利用樹脂MR覆蓋半導體晶片CHPl的一部分及半導體晶片CHP2的全體的結構(第一特徵點)。即，在本實施方式三中，利用樹脂MR —並地密封流量檢測部FDU以外的半導體晶片CHPl的區域及半導體晶片CHP2的全部區域。由於利用該樹脂MR的密封能夠在利用模具固定形成有流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的狀態下進行，因此能在抑制半導體晶片CHPl的位置偏離的狀態下利用樹脂MR密封半導體晶片CHPl的一部分及半導體晶片CHP2。這意味著根據本實施方式三的流量傳感器FS3，能夠在抑制各流量傳感器FS3的位置偏離的狀態下利用樹脂MR密封半導體晶片CHPl的一部分及半導體晶片CHP2的全部區域，意味著能夠抑制形成在半導體晶片CHPl上的流量檢測部FDU的位置偏差。其結果，根據本實施方式三，由於檢測氣體流量的流量檢測部FDU的位置能夠在各流量傳感器FS3中一致，因此能夠得到在各流量傳感器FS3中能夠抑制檢測氣體流量的性能偏差的顯著的效果。
[0201]接著，如圖13(a)所示，在本實施方式三的流量傳感器FS3中，隔著露出的流量檢測部FDU的兩側的樹脂MR (密封體)的高度比包括流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的表面的高度高(第二特徵點)。即，露出的流量檢測部FDU用樹脂MR包圍周圍，並且包圍流量檢測部FDU的樹脂MR的高度比流量檢測部FDU的高度高。根據這種本實施方式三的第二特徵點，由於能夠防止在部件組裝時等部件與露出的流量檢測部FDU碰撞，因此能夠防止形成有流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的破損。即，隔著流量檢測部FDU的樹脂MR的高度比露出的流量檢測部FDU的高度高。因此，在部件接觸時，首先與高度高的樹脂MR接觸，因此能夠防止高度低的包括流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的露出面(XY面)與部件接觸而使半導體晶片CHPl破損。
[0202]尤其，其特徵在於，在與空氣的流動平行的方向的截面(圖13(c))中，樹脂MR(密封體)的高度比包括流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的表面的高度高(第2A特徵點)。由此，能夠使在流量檢測部FDU的上方流動的空氣的流動穩定，由此，能夠提高流量檢測部FDU的流量檢測精度。利用後述的實施方式十二詳細地說明具體的第2A特徵點的詳細情況。
[0203]另外，為了抑制上述的現有結構的流量傳感器的每個傳感器的性能偏差，如特開2009 — 36639號公報(專利文獻4)所公開的那樣，考慮在利用樹脂密封半導體晶片的同時形成空氣的通道結構。
[0204]但是，流量檢測部需要露出，該流量檢測部附近的部分露出結構與將半導體晶片的表面全部利用樹脂密封的通常的封裝結構不同，半導體晶片與樹脂的接觸面積變小，因此在半導體晶片和樹脂的界面產生剝離，有可能產生裂紋或空氣的流動紊亂的問題。
[0205]關於這一點，在特開2009 - 36639號公報(專利文獻4)中未言及在空氣流動的平行方向的截面中，提高在半導體晶片和樹脂的界面上的粘接性的結構。因此，根據半導體晶片和樹脂的界面的結構，有可能產生流量檢測部附近的空氣的流動紊亂的問題，或產生半導體晶片和樹脂的界面剝離的問題。即，在特開2009 — 36639號公報(專利文獻4)中，在空氣的流動方向(Y方向)的任意截面中，若由於由氣溫的變化等產生的熱循環而半導體晶片與樹脂的界面剝離，則有可能產生裂縫從剝離部分擴大而產生大的裂紋的問題，或由於空氣的流動在剝離部分紊亂後，流動紊亂的空氣向流量檢測部流動，因此產生難以進行準確的空氣流量測定的問題。
[0206]因此，在本實施方式三中，例如如圖13(c)所示，在與空氣的流動平行的方向(Y方向)的截面中，成為樹脂MR局部地覆蓋半導體晶片CHPl的上部的形狀(第2B特徵點)。因此，在與空氣的流動平行的方向的截面中，由於半導體晶片CHPl和樹脂MR的接觸面積增力口，因此能夠防止半導體晶片CHPl和樹脂MR的界面的剝離。其結果，根據本實施方式三，能夠避免裂縫從剝離部分擴大而產生大的裂紋的問題，並且能夠抑制在流量檢測部FDU的上方的空氣的紊亂，因此能夠提高在流量檢測部FDU的準確的空氣流量的測定精度。
[0207]在此，如圖13(b)及圖13(c)所示，也可以在半導體晶片CHPl的最外表面(元件形成面)形成有與樹脂MR的粘接強度高的聚醯亞胺膜PIQ。在該場合，通過在半導體晶片CHPl的最外表面形成與樹脂MR的粘接強度高的聚醯亞胺膜PIQ，能夠進一步提高半導體晶片CHPl和樹脂MR的粘接強度。另外，聚醯亞胺膜PIQ例如通過向半導體晶片CHPl塗敷而形成，根據需要能夠通過實施光刻技術及蝕刻技術形成圖案。另外，在本發明中，聚醯亞胺膜PIQ的膜厚設想為大約I?120 μ m，但不局限於該膜厚，只要在半導體晶片CHPl的表面區域之中用樹脂MR覆蓋的區域形成聚醯亞胺膜PIQ即可。另外，在以下的圖中，聚醯亞胺膜PIQ未圖示，但根據需要，也可以形成聚醯亞胺膜PIQ。
[0208]接著，如圖13(a)所示，在本實施方式一的流量傳感器FS3中，隔著露出的流量檢測部FDU與樹脂MR (密封體)一體地形成一對氣流控制部rcu1、rcU2，並且該一對氣流控制部FCUl、FCU2在與在流量檢測部FDU上流動的氣體的前進方向(箭頭方向，Y方向)平行的方向上具有長條形狀(第三特徵點)。由此，首先，一對氣流控制部FCU1、FCU2形成了在流量檢測部FDU的上部流動的氣體的兩側的通道。並且，一對氣流控制部rcu1、rcu2與樹脂MR—體地通過利用尺寸精度高的模具的夾入而高精度地形成。因此，根據本實施方式三的流量傳感器FS3，氣體的流動不會因一對氣流控制部FCU1、FCU2的尺寸精度而紊亂，而能夠準確地測定氣體的流量。另外，在本實施方式三中，如上所述，一對氣流控制部FCU1、FCU2形成了在流量檢測部FDU的上部流動的氣體的兩側的通道。因此，能夠在減小氣體的流道尺寸的狀態下使氣體流經流量檢測部FDU的上部。其結果，根據本實施方式三的流量傳感器FS3，尤其在流動的氣體的流量少的場合，也能夠抑制氣體流量的檢測靈敏度下降。
[0209]另外，在本實施方式三的流量傳感器FS3中，如圖13(a)所示，從樹脂MR(密封體)露出的流量檢測部FDU與樹脂MR(密封體)的邊界區域形成為錐形，邊界區域之中與在流量檢測部FDU上流動的氣體的前進方向(箭頭方向，Y方向)正交的邊界區域的錐形比與氣體的前進方向平行的邊界區域的錐形陡(第四特徵點)。即，流量檢測部FDU的與氣體的流動正交的方向(X方向)的錐形TP2的角度比流量檢測部FDU的氣體流動的方向(Y方向)的錐形TPl的角度陡。這樣，在本實施方式三中，在氣體流動的方向(Y方向)，通過減小錐形TPl的角度，能夠減小在Y方向上流動的氣體的流道的尺寸變化。由此，能夠由樹脂MR防止氣體的剝離，因此能夠抑制由氣體的逆流或紊流產生的流量測定的偏離。另一方面，在與氣體流動的方向正交的方向(X方向)，通過增大錐形TP2的角度，能夠形成氣體流道的壁，能夠抑制向X方向的氣體流動。
[0210]接著，本實施方式三的流量傳感器FS3也具有第五特徵點和第六特徵點，但作為說明這些特徵點的前提，對圖13(b)及圖13(c)的結構進行說明。圖13(b)是圖13(a)的A —A線剖視圖，圖13(c)是圖13(a)的B — B線剖視圖。
[0211]如圖13(b)所示，在引線框LF上形成有晶片搭載部TAB1，半導體晶片CHPl利用粘接材料ADHl粘接在該晶片搭載部TABl上。並且，在半導體晶片CHPl的背面形成有隔膜DF，在位於該隔膜DF的下方的晶片搭載部TABl的底部形成有開口部0P1。另外，引線框LF的背面利用樹脂MR密封，但在引線框LF的背面之中形成於晶片搭載部TABl的背面上的樹脂MR上形成有開口部0P2。形成在該晶片搭載部TABl上的開口部OPl和形成在樹脂MR上的開口部0P2連通，通過該開口部OPl及開口部0P2，隔膜DF的內部空間與流量傳感器FS3的外部空間連通。此時，開口部OPl的截面積構成為比開口部0P2的截面積小。換言之，開口部OPl的截面積構成為比開口部0P2的截面積大。
[0212]另一方面，在與隔膜DF相對的半導體晶片CHPl的表面形成有流量檢測部FDU，另夕卜，形成有與該流量檢測部FDU連接的焊墊roi。該焊墊PDl通過金屬絲Wl與形成在引線框LF上的引線LDl連接，引線LDl利用金屬絲W2與形成在半導體晶片CHP2上的焊墊Η)2連接，該半導體晶片CHP2通過粘接材料ADH2搭載在晶片搭載部ΤΑΒ2上。另外，形成在半導體晶片CHP2上的焊墊PD3通過金屬絲W3與形成在引線框LF上的引線LD2連接。並且，在本實施方式三的流量傳感器FS3中，在使流量檢測部FDU及其附近露出的狀態下，利用樹脂MR—並地密封作為其他區域(包括焊墊HH)的半導體晶片CHPl的一部分、金屬絲W1、引線LD1、金屬絲W2、半導體晶片CHP2、金屬絲W3及引線LD2的一部分。此時，露出的流量檢測部FDU和樹脂MR的邊界區域形成為錐形TP2，以隔著流量檢測部FDU的方式與樹脂MR一體地形成一對氣流控制部F⑶1、F⑶2。
[0213]另外，如圖13(c)所示，在引線框LF上形成有晶片搭載部TAB1，半導體晶片CHPl利用粘接材料ADHl粘接在該晶片搭載部TABl上。並且，在半導體晶片CHPl的背面形成有隔膜DF，在位於該隔膜DF的下方的晶片搭載部TABl的底部形成有開口部OPl，另外，在覆蓋晶片搭載部TABl的背面的樹脂MR上形成有開口部0P2。形成在該晶片搭載部TABl上的開口部OPl與形成在樹脂MR上的開口部0P2連通，通過該開口部OPl及開口部0P2，隔膜DF的內部空間與流量傳感器FS3的外部空間連通。此時，開口部OPl的截面積構成為比開口部0P2的截面積小。換言之，開口部OPl的截面積構成為比開口部0P2的截面積大。
[0214]另一方面，在與隔膜DF相對的半導體晶片CHPl的表面形成有流量檢測部FDU,以包圍半導體晶片CHPl的周圍的方式形成有樹脂MR。此時，流量檢測部FDU與樹脂MR的邊界區域形成為錐形TP1，該錐形TPl的角度比圖13(b)所示的錐形TP2的角度平緩。
[0215]在此，在本實施方式三中，為了防止樹脂MR侵入隔膜DF的內部空間，例如將採用以包圍形成在半導體晶片CHPl的背面的隔膜DF的方式塗敷粘接材料ADHl的結構作為前提。並且，為了避免由該結構產生的不良狀況，如圖13(b)及圖13(c)所示，在位於形成在半導體晶片CHPl的背面的隔膜DF的下方的晶片搭載部TABl的底部形成開口部0P1，並且在覆蓋晶片搭載部TABl的背面的樹脂MR上設置開口部0P2(第五特徵點)。由此，根據本實施方式三的流量傳感器FS3，隔膜DF的內部空間通過形成在晶片搭載部TABl的底部的開口部OPl及形成在樹脂MR上的開口部0P2與流量傳感器FS3的外部空間連通。其結果，能夠使隔膜DF的內部空間的壓力和流量傳感器FS3的外部空間的壓力相等，能夠抑制應力施加在隔膜DF上。
[0216]另外，在本實施方式三的流量傳感器FS3中，不僅是半導體晶片CHPl與引線LD1，半導體晶片CHP2和引線LD1、LD2也用金屬絲W2、W3連接(第六特徵點)。由此，在本實施方式三中，由於不使用焊錫球，因此能夠減少製造成本。
[0217]如上所述，安裝構成本實施方式三的流量傳感器FS3，但在實際的流量傳感器FS3中，在利用樹脂MR密封之後，除去構成引線框LF的外框體的堤壩DM。圖14是表示除去了堤壩DM後的流量傳感器FS3的安裝結構的俯視圖。如圖14所示，通過切割堤壩DM，能夠從多個引線LD2獨立地取出多個電信號。
[0218]
[0219]本實施方式三的流量傳感器FS3如上所述構成，以下，參照圖15?圖19對其製造方法進行說明。圖15?圖19表示以圖13(a)的A — A線切斷的截面的製造工序。
[0220]首先，如圖15所示，準備例如由銅材料構成的引線框LF。在該引線框LF上一體地形成有晶片搭載部TABl、晶片搭載部TAB2、引線LDl及引線LD2，在晶片搭載部TABAl的底部形成有開口部OPl
[0221]接著，如圖16所示，在晶片搭載部TABl上搭載半導體晶片CHP1，在晶片搭載部TAB2上搭載半導體晶片CHP2。具體地說，利用粘接材料ADHl將半導體晶片CHPl連接在形成在引線框LF上的晶片搭載部TABl上。此時，以形成在半導體晶片CHPl上的隔膜DF與形成在晶片搭載部TABl的底部上的開口部OPl連通的方式，將半導體晶片CHPl搭載在晶片搭載部TABl上。另外，在半導體晶片CHPl上，利用通常的半導體製造方法形成流量檢測部HF、配線(未圖示)及焊墊roi。並且，例如利用各向異性蝕刻，在與形成在半導體晶片CHPl的表面上的流量檢測部FDU相對的背面的位置形成有隔膜DF。另外，在形成在引線框LF上的晶片搭載部TAB2上，還利用粘接材料ADH2搭載有半導體晶片CHP2。在該半導體晶片CHP2上預先通過通常的半導體製造方法形成有MISFET等半導體元件(未圖示)和配線(未圖示)、焊墊PD2、焊墊PD3。
[0222]接著，如圖17所示，利用金屬絲Wl連接形成在半導體晶片CHPl上的焊墊PDl和形成在引線框LF上的引線LDl (引線接合)。同樣地，利用金屬絲W2連接引線LDl與形成在半導體晶片CHP2上的焊墊Η)2，利用金屬絲W3連接引線LD2與形成在半導體晶片CHP2上的焊墊TO3。金屬絲Wl?W3例如由金線形成。
[0223]之後，如圖18所示，利用樹脂MR密封除了流量檢測部FDU及其附近之外的半導體晶片CHPl的表面、金屬絲W1、引線LD1、金屬絲W2、半導體晶片CHP2的整個主面、金屬絲W3及引線LD2的一部分(模壓工序)。具體地說，如圖18所示，利用上模具UM和下模具BM並隔著第一空間夾入搭載了半導體晶片CHPl及半導體晶片CHP2的引線框LF。之後，在加熱下，通過使樹脂MR流入該第一空間，利用樹脂MR密封除了流量檢測部FDU及其附近之外的半導體晶片CHPl的表面、金屬絲W1、引線LD1、金屬絲W2、半導體晶片CHP2的整個主面、金屬絲W3及引線LD2的一部分。此時，如圖18所示，由於隔膜DF的內部空間利用粘接材料ADHl與上述第一空間隔離，因此在利用樹脂MR填充第一空間時，也能夠防止樹脂MR侵入隔膜DF的內部空間。
[0224]另外，在本實施方式三中，由於能夠在利用模具固定了形成有流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的狀態下進行，因此能夠在抑制半導體晶片CHPl的位置偏離的狀態下利用樹脂MR密封半導體晶片CHPl的一部分及半導體晶片CHP2。這意味著根據本實施方式三的流量傳感器的製造方法，能夠在抑制各流量傳感器的位置偏離的狀態下利用樹脂MR密封半導體晶片CHPl的一部分及半導體晶片CHP2的全部區域,意味著能夠抑制形成在半導體晶片CHPl上的流量檢測部FDU的位置偏差。其結果，根據本實施方式三，由於檢測氣體流量的流量檢測部FDU的位置能夠在各流量傳感器中一致，因此能夠得到在各流量傳感器中能夠抑制檢測氣體流量的性能偏差的顯著的效果。
[0225]在此，本實施方式三的流量傳感器的製造方法的特徵在於，以利用與第一空間隔離的第二空間SP2包圍形成在半導體晶片CHPl上的流量檢測部FDU的方式，利用下模具BM和上模具UM夾入搭載了半導體晶片CHPl的引線框LF。由此，根據本實施方式三，能夠使形成在半導體晶片CHPl上的流量檢測部FDU及其附近區域露出且密封除此之外的半導體晶片CHPl的表面區域。
[0226]另外，本實施方式三的流量傳感器的製造方法的特徵在於，在利用上模具UM和下模具BM夾入搭載了半導體晶片CHPl的引線框LF時，使彈性體薄膜LAF介於搭載了半導體晶片CHPl的引線框LF和上模具UM之間。例如，由於在各個半導體晶片CHPl的厚度上存在尺寸偏差，因此在半導體晶片CHPl的厚度比平均厚度薄的場合，在利用上模具UM和下模具BM夾入搭載了半導體晶片CHPl的引線框LF時，產生間隙，樹脂MR從該間隙漏出到半導體晶片CHPl上。另一方面，在半導體晶片CHPl的厚度比平均厚度厚的場合，在利用上模具UM和下模具BM夾入搭載了半導體晶片CHPl的引線框LF時，施加在半導體晶片CHPl上的力變大，半導體晶片CHPl有可能斷裂。
[0227]因此，在本實施方式三中，為了防止由上述的半導體晶片CHPl的厚度偏差引起的向半導體晶片CHPl上的樹脂洩漏或半導體晶片CHPl的斷裂，實施了使彈性體薄膜LAF介於搭載了半導體晶片CHPl的引線框LF和上模具UM之間的辦法。由此，例如在半導體晶片CHPl的厚度比平均厚度薄的場合，在利用上模具UM和下模具BM夾入搭載了半導體晶片CHPl的引線框LF時，雖然產生間隙，但由於能夠利用彈性體薄膜LAF填充該間隙，因此能夠防止向半導體晶片CHPl上的樹脂洩漏。另一方面，在半導體晶片CHPl的厚度比平均厚度厚的場合，在利用上模具UM和下模具BM夾入搭載了半導體晶片CHPl的引線框LF時，由於彈性體薄膜LAF柔軟，因此彈性體薄膜LAF的厚度方向的尺寸發生變化，以吸收半導體晶片CHPl的厚度。由此，即使半導體晶片CHPl的厚度比平均厚度厚，也能夠防止過大的力施加在半導體晶片CHPl上，其結果，能夠防止半導體晶片CHPl的斷裂。
[0228]在此，在使用上述的彈性體薄膜LAF的製造方法中，也在通過彈性體薄膜LAF並利用模具夾緊半導體晶片CHPl的場合，有可能夾緊載荷施加在半導體晶片CHPl上的流量檢測部FDU或薄的隔膜DF上而產生破損的問題。
[0229]因此，在本實施方式三中，如圖18所示，為了防止這種流量檢測部FDU或薄的隔膜DF破損，使用如下製造方法，在包括半導體晶片CHPl上的流量檢測部FDU的投影面的上模具UM上設置第二空間SP2，使彈性體薄膜LAF吸附在上模具UM的第二空間SP2上。這樣，根據本實施方式三，根據使用了模具結構和彈性體薄膜LAF的製造方法，不使半導體晶片CHPl上的流量檢測部和彈性體薄膜LAF接觸，而能夠夾緊模具，因此能夠防止流量檢測部FDU及薄的隔膜DF破損。
[0230]另外，作為上述彈性體薄膜LAF，例如能夠使用特氟綸(註冊商標)或氟樹脂等高分子材料。
[0231]接著，對本實施方式三特有的特徵進行說明。如圖18所示，在本實施方式三中，樹脂MR還流入引線框LF的背面側。因此，由於在晶片搭載部TABl的底部形成有開口部0P1，因此存在樹脂MR從該開口部OPl流入隔膜DF的內部空間的危險。因此，在本實施方式三中，對夾入引線框LF的下模具BM的形狀下了工夫。具體地說，如圖18所示，在下模具BM上形成突起狀的鑲塊IP1，在利用上模具UM和下模具BM夾入引線框LF時，使形成在下模具BM上的突起狀的鑲塊IPl插入到形成在晶片搭載部TABl的底部的開口部OPl中。由此，由於鑲塊IPl無間隙地插入開口部OPl，因此能夠防止樹脂MR從開口部OPl侵入隔膜DF的內部空間。即，在本實施方式三中，其特徵在於，在下模具BM上形成突起狀的鑲塊IPl，在進行樹脂密封時，將該鑲塊IPl插入到形成在晶片搭載部TABl的底部的開口部OPl中。
[0232]另外，本實施方式三的特徵在於，對鑲塊IPl的形狀下了工夫。具體地說，在本實施方式三中，鑲塊IPl包括插入開口部OPl中的插入部和支撐該插入部的底座部，底座部的截面積比插入部的截面積大。由此，鑲塊IPI構成為在插入部和底座部之間設有臺階部的結構，該臺階部與晶片搭載部TABl的底面密合。
[0233]通過這樣構成鑲塊IP1，能夠得到以下所示的效果。例如，在只由上述的插入部構成鑲塊IPl的形狀的場合，由於將插入部插入開口部OPl中，因此鑲塊IPl的插入部的直徑比開口部OPl的直徑稍小。因此，在只由插入部構成鑲塊IPl的場合，即使是將鑲塊IPl的插入部插入開口部OPl的場合，也認為在所插入的插入部和開口部OPl之間存在微小的間隙。在該場合，樹脂MR有可能從間隙侵入隔膜DF的內部空間。
[0234]因此，在本實施方式三中，鑲塊IPl採用在截面積比插入部大的底座部上形成插入部的結構。在該場合，如圖18所示，鑲塊IPl的插入部插入到開口部OPl的內部，並且鑲塊IPl的底座部與晶片搭載部TABl的底面密合。其結果，即使在鑲塊IPl的插入部和開口部OPl之間產生微小的間隙，也能夠使底座部緊緊地被晶片搭載部TABl的背面壓緊，因此能夠防止樹脂MR侵入開口部OPl內。即，在本實施方式三中，由於使鑲塊IPl構成為在截面積比插入部大的底座部上設置插入部，因此通過組合樹脂MR由於底座部不會到達開口部OPl這一點與形成在底座部和插入部之間的臺階部被晶片搭載部TABl壓緊這一點，能夠有效地防止樹脂MR通過開口部OPl侵入隔膜DF的內部空間。
[0235]之後，如圖19所示，在樹脂MR已固化的階段，從上模具UM和下模具BM取下搭載了半導體晶片CHPl及半導體晶片CHP2的引線框LF。由此，能夠製造本實施方式三的流量傳感器FS3。在此時製造的流量傳感器FS3中，在樹脂密封工序中使用形成有鑲塊IPl的下模具BM的結果，如圖19所示，在晶片搭載部TABl的底面形成開口部OPl，在樹脂MR上形成與該開口部OPl連通的開口部0P2。該開口部0P2作為在鑲塊IPl上形成底座部的結果而產生,該開口部0P2的截面積比開口部OPl的截面積大。由此,根據本實施方式三的流量傳感器FS3，隔膜DF的內部空間通過形成在晶片搭載部TABl的底部上的開口部OPl及形成在樹脂MR上的開口部0P2與流量傳感器FS3的外部空間連通。其結果，能夠使隔膜DF的內部空間的壓力與流量傳感器FS3的外部空間的壓力相等，能夠抑制應力施加在隔膜DF上。
[0236](實施方式四)
[0237]在上述實施方式三中，對隔著露出的流量檢測部FDU與樹脂MR(密封體)一體地形成一對氣流控制部rcu1、rcu2，並且該一對氣流控制部rcu1、rcu2在與在流量檢測部fdu上流動的氣體的前進方向平行的方向上具有長條形狀的例子進行了說明。在本實施方式四中，對未設置上述的氣流控制部FCUl、FCU2的流量傳感器進行說明。
[0238]圖20是表示本實施方式四的流量傳感器FS4的安裝結構的圖，是表示利用樹脂密封后的結構的圖。尤其，圖20(a)是表示本實施方式四的流量傳感器FS4的安裝結構的俯視圖。圖20(b)是以圖20(a)的A —A線切斷的剖視圖，圖20(c)是以圖20(a)的B —B線切斷的剖視圖。
[0239]本實施方式四的流量傳感器FS4的安裝結構除了未設置氣流控制部F⑶1、F⑶2這點之外，與上述實施方式三的流量傳感器FS3的安裝結構相同。因此，本實施方式四的流量傳感器FS4也具有在上述實施方式三中說明的第一特徵點?第二特徵點、第四特徵點?第六特徵點。
[0240]另外，在半導體晶片CHPl的最外表面(元件形成面)上，以與粘接的樹脂的應力緩衝功能、表面保護功能或絕緣保護功能等為目的，也可以形成有聚醯亞胺膜。
[0241]具體地說，在本實施方式四的流量傳感器FS4中，如圖20(a)所示，形成為在使形成在半導體晶片CHPl上的流量檢測部FDU露出的狀態下，利用樹脂MR覆蓋半導體晶片CHPl的一部分及半導體晶片CHP2的全體的結構(第一特徵點)。即，在本實施方式四中，利用樹脂MR —並地密封流量檢測部FDU以外的半導體晶片CHPl的區域及半導體晶片CHP2的全部區域。由於利用該樹脂MR的密封能夠在利用模具固定形成有流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的狀態下進行，因此能在抑制半導體晶片CHPl的位置偏離的狀態下利用樹脂MR密封半導體晶片CHPl的一部分及半導體晶片CHP2。這意味著根據本實施方式四的流量傳感器FS4，能夠在抑制各流量傳感器FS4的位置偏離的狀態下，利用樹脂MR密封半導體晶片CHPl的一部分及半導體晶片CHP2的全部區域，意味著能夠抑制形成在半導體晶片CHPl上的流量檢測部FDU的位置偏差。其結果，根據本實施方式四，由於檢測氣體流量的流量檢測部FDU的位置能夠在各流量傳感器FS4中一致，因此能夠得到在各流量傳感器FS4中能夠抑制檢測氣體流量的性能偏差的顯著的效果。
[0242]接著，如圖20(a)所示，在本實施方式四的流量傳感器FS4中，隔著露出的流量檢測部FDU的兩側的樹脂MR (密封體)的高度比包括流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的表面的高度高(第二特徵點)。即，露出的流量檢測部FDU用樹脂MR包圍周圍，並且包圍流量檢測部FDU的樹脂MR的高度比流量檢測部FDU的高度高。根據這種本實施方式四的第二特徵點，由於能夠防止在部件組裝時等部件與露出的流量檢測部FDU碰撞，因此能夠防止形成有流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl破損。即，隔著流量檢測部FDU的樹脂MR的高度比露出的流量檢測部FDU的高度高。因此，在部件接觸時，首先與高度高的樹脂MR接觸，因此能夠防止高度低的包括流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的露出面(XY面)與部件接觸而使半導體晶片CHPl破損。
[0243]尤其，其特徵在於，在與空氣的流動平行的方向的截面(圖20(c))中，樹脂MR(密封體)的高度比包括流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的表面的高度高(第2A特徵點)。由此，能夠使在流量檢測部FDU的上方流動的空氣的流動穩定，由此，能夠提高流量檢測部FDU的流量檢測精度。利用後述的實施方式十二詳細地說明具體的第2A特徵點的詳細情況。
[0244]另外，在空氣的流動方向(Y方向)的任意截面中，若由於由氣溫的變化等產生的熱循環而半導體晶片CHPl與樹脂MR的界面剝離，則有可能產生裂縫從剝離部分擴大而產生大的裂紋的問題，或由於空氣的流動在剝離部分紊亂之後，流動紊亂的空氣向流量檢測部FDU流動，因此產生難以進行準確的空氣流量測定的問題。因此，在本實施方式四中，例如如圖20(c)所示，在與空氣的流動平行的方向(Y方向)的截面中，成為樹脂MR局部地覆蓋半導體晶片CHPl的上部的形狀(第2B特徵點)。因此，在與空氣的流動平行的方向的截面中，由於半導體晶片CHPl和樹脂MR的接觸面積增加，因此能夠防止半導體晶片CHPl和樹脂MR的界面剝離。其結果，根據本實施方式四，能夠避免裂縫從剝離部分擴大而產生大的裂紋的問題，並且能夠抑制在流量檢測部FDU的上方的空氣的紊亂，因此能夠提高在流量檢測部FDU的準確的空氣流量的測定精度。
[0245]另外，在本實施方式四的流量傳感器FS4中，如圖20 (a)所示，從樹脂MR(密封體)露出的流量檢測部FDU與樹脂MR(密封體)的邊界區域形成為錐形，邊界區域之中與在流量檢測部FDU上流動的氣體的前進方向(箭頭方向，Y方向)正交的邊界區域的錐形比與氣體的前進方向平行的邊界區域的錐形陡(第四特徵點)。即，流量檢測部FDU的與氣體的流動正交的方向(X方向)的錐形TP2的角度比流量檢測部FDU的氣體流動的方向(Y方向)的錐形TPl的角度陡。這樣，在本實施方式四中，在氣體流動的方向(Y方向)，通過減小錐形TPl的角度，能夠減小在Y方向上流動的氣體的流道的尺寸變化。由此，能夠由樹脂MR防止氣體的剝離，因此能夠抑制由氣體的逆流或紊流產生的流量測定的偏離。另一方面，在與氣體流動的方向正交的方向(X方向)，通過增大錐形TP2的角度，能夠形成氣體流道的壁，能夠抑制向X方向的氣體流動。
[0246]另外，在本實施方式四中，為了防止樹脂MR侵入隔膜DF的內部空間，例如將採用以包圍形成在半導體晶片CHPl的背面的隔膜DF的方式塗敷粘接材料ADHl的結構作為前提。並且，為了避免由該結構產生的不良狀況，如圖20(b)及圖20(c)所示，在位於形成在半導體晶片CHPl的背面的隔膜DF的下方的晶片搭載部TABl的底部形成開口部OP1，並且在覆蓋晶片搭載部TABl的背面的樹脂MR上設置開口部OP2(第五特徵點)。由此，根據本實施方式四的流量傳感器FS4，隔膜DF的內部空間通過形成在晶片搭載部TABl的底部的開口部OPl及形成在樹脂MR上的開口部0P2與流量傳感器FS4的外部空間連通。其結果，能夠使隔膜DF的內部空間的壓力和流量傳感器FS4的外部空間的壓力相等，能夠抑制應力施加在隔膜DF上。
[0247]另外，在本實施方式四的流量傳感器FS4中，不僅是半導體晶片CHPl和引線LD1，半導體晶片CHP2和引線LD1、LD2也用金屬絲W2、W3連接(第六特徵點)。由此，在本實施方式四中，由於不使用焊錫球，因此能夠減少製造成本。
[0248]如上所述，安裝構成本實施方式四的流量傳感器FS4，但在實際的流量傳感器FS4中，在利用樹脂MR密封后，除去構成引線框LF的外框體的堤壩DM。圖21是表示除去了堤壩DM後的流量傳感器FS4的安裝結構的俯視圖。如圖21所示，通過切割堤壩DM，能夠從多個引線LD2獨立地取出多個電信號。
[0249](實施方式五)
[0250]在上述實施方式一?四的流量傳感器FSl?FS4中，包括形成了流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl和形成了控制電路的半導體晶片CHP2，但在本實施方式五中，對在一個半導體晶片上形成流量檢測部和控制電路的流量傳感器進行說明。
[0251 ] 圖22是表示本實施方式五的流量傳感器FS5的安裝結構的圖，是表示利用樹脂密封前的結構的圖。尤其，圖22(a)是表示本實施方式五的流量傳感器FS5的安裝結構的俯視圖。圖22(b)是以圖22(a)的A —A線切斷的剖視圖，圖22(c)是以圖22(a)的B —B線切斷的剖視圖。另外，圖22(d)是表示半導體晶片CHPl的背面的俯視圖。
[0252]首先，如圖22(a)所示，本實施方式五的流量傳感器FS5具有例如由銅材料構成的引線框LF。該引線框LF在用構成外框體的堤壩DM包圍的內部具有晶片搭載部TAB1。並且，在晶片搭載部TABl上搭載有半導體晶片CHPl。
[0253]半導體晶片CHPl為長方形形狀，在大致中央部形成有流量檢測部FDU。並且，與流量檢測部FDU連接的配線WLlA形成在半導體晶片CHPl上，該配線WLlA與形成在半導體晶片CHPl上的控制部⑶連接。在該控制部⑶上形成有由MISFET(Metal InsulatorSemiconductor Field Effect Transistor)等半導體兀件和配線構成的集成電路。具體地說，形成有構成圖1所示的CPU1、輸入電路2、輸出電路3或存儲器4等的集成電路。並且，控制部⑶利用配線WLlB與沿半導體晶片CHPl的長邊形成的多個焊墊PDl或焊墊PD2連接。即，利用配線WLlA連接流量檢測部FDU和控制部⑶，控制部⑶利用配線WLlB與焊墊HH、焊墊PD2連接。焊墊PDl通過例如由金線構成的金屬絲Wl與形成在引線框LF上的引線LDl連接。另一方面，焊墊PD2通過例如由金線構成的金屬絲W2與形成在引線框LF上的引線LD2連接。另外，在半導體晶片CHPl的最外表面(元件形成面)上，以與粘接的樹脂的應力緩衝功能、表面保護功能或絕緣保護功能等為目的，也可以形成有聚醯亞胺膜。
[0254]引線LDl及引線LD2配置成向與氣體流動的Y方向正交的X方向延伸，並且具有進行與外部電路的輸入輸出的功能。另一方面，沿引線框LF的Y方向形成有突出引線PLD。該突出引線PLD與晶片搭載部TABl連接，但未與形成在半導體晶片CHPl上的焊墊ro1、ro2連接。即，突出引線PLD與上述的作為輸入輸出端子起作用的引線LDl和引線LD2不同。
[0255]在此，在本實施方式五中，以長方形形狀的半導體晶片CHPl的長邊與氣體的流動方向(箭頭方向、Y方向)平行的方式，在晶片搭載部TABl上搭載有半導體晶片CHP1。並且，在半導體晶片CHPi的長邊上沿長邊方向配置有多個焊墊ro1、ro2。這些多個焊墊PDi的各個和多個引線LDl的各個利用以橫跨半導體晶片CHPl的長邊的方式配置的多個金屬絲Wl連接。同樣地，多個焊墊PD2的各個和多個引線LD2的各個利用以橫跨半導體晶片CHPl的長邊的方式配置的多個金屬絲W2連接。這樣，由於沿長方形形狀的半導體晶片CHPl的長邊配置多個焊墊ro1、ro2，因此與在半導體晶片CHPi的短邊方向配置多個焊墊ro1、ro2的場合相比，能夠在半導體晶片CHPi上形成多個焊墊ro1、ro2。尤其，在本實施方式五中，由於在半導體晶片CHPl上不僅形成控制部⑶還一起形成流量檢測部FDU，因此通過在長邊方向上排列多個焊墊ro1、TO2，能夠有效利用半導體晶片CHPl上的區域。
[0256]接著，如圖22(b)所示，在引線框LF上形成有晶片搭載部TABl，在該晶片搭載部TABl上搭載有半導體晶片CHPl。該半導體晶片CHPl利用粘接材料ADHl與晶片搭載部TABl粘接。在半導體晶片CHPl的背面形成有隔膜DF (薄板部)，在與隔膜DF相對的半導體晶片CHPl的表面形成有流量檢測部FDU。另一方面，在位於隔膜DF的下方的晶片搭載部TABl的底部形成有開口部OPl。
[0257]另外，如圖22(b)所示，在半導體晶片CHPl的表面(上表面)上，除了流量檢測部FDU之外，還形成有焊墊PDl及焊墊Η)2，該焊墊PDl通過金屬絲Wl與形成在引線框LF上的引線LDl連接。同樣地，焊墊PD2通過金屬絲W2與形成在引線框LF上的引線LD2連接。
[0258]另外，如圖22 (C)所示，在引線框LF上形成有晶片搭載部TABl與突出引線PLD，晶片搭載部TABl與突出引線PLD —體地形成。半導體晶片CHPl利用粘接材料ADHl粘接在該晶片搭載部TABl上。在半導體晶片CHPl的背面形成有隔膜DF(薄板部)，在與隔膜DF相對的半導體晶片CHPl的表面形成有流量檢測部FDU。另一方面，在位於隔膜DF的下方的晶片搭載部TABl的底部形成有開口部0P1。另外，在半導體晶片CHPl的表面上，以與流量檢測部FDU並排的方式形成有控制部CU。
[0259]粘接半導體晶片CHPl和晶片搭載部TABl的粘接材料ADHl例如能夠使用環氧樹脂或聚氨酯樹脂等熱固性樹脂、聚醯亞胺樹脂或丙烯酸類樹脂等熱塑性樹脂。
[0260]例如，如圖22 (d)所示，半導體晶片CHPl和晶片搭載部TABl的粘接能夠通過塗敷粘接材料ADHl來進行。圖22(d)是表示半導體晶片CHPl的背面的俯視圖。如圖22(d)所示，在半導體晶片CHPl的背面形成有隔膜DF，以包圍該隔膜DF的方式塗敷粘接材料ADHl。另外，在圖22(c)中，表示以將隔膜DF用四邊形形狀包圍的方式塗敷粘接材料ADHl的例子，但不局限於此，例如也可以以用橢圓形狀等任意的形狀包圍隔膜DF的方式塗敷粘接材料 ADHl。
[0261]在本實施方式五的流量傳感器FS5中，利用樹脂密封前的流量傳感器FS5的安裝結構如上所述構成，以下對利用樹脂密封后的流量傳感器FS5的安裝結構進行說明。
[0262]圖23是表示本實施方式五的流量傳感器FS5的安裝結構的圖，是表示利用樹脂密封后的結構的圖。尤其，圖23(a)是表示本實施方式五的流量傳感器FS5的安裝結構的俯視圖。圖23(b)是以圖23(a)的A —A線切斷的剖視圖，圖23(c)是以圖23(a)的B —B線切斷的剖視圖。
[0263]在本實施方式五的流量傳感器FS5中，如圖23(a)所示，形成為在使形成在半導體晶片CHPl上的流量檢測部FDU露出的狀態下，利用樹脂MR覆蓋半導體晶片CHPl的一部分及半導體晶片CHP2的全體的結構(第一特徵點)。即，在本實施方式五中，利用樹脂MR —並地密封流量檢測部FDU以外的半導體晶片CHPl的區域及半導體晶片CHP2的全部區域。由於利用該樹脂MR的密封能夠在利用模具固定形成有流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的狀態下進行，因此能在抑制半導體晶片CHPl的位置偏離的狀態下利用樹脂MR密封半導體晶片CHPl的一部分及半導體晶片CHP2。這意味著根據本實施方式五的流量傳感器FS5，能夠在抑制各流量傳感器FS5的位置偏離的狀態下利用樹脂MR密封半導體晶片CHPl的一部分及半導體晶片CHP2的全部區域，意味著能夠抑制形成在半導體晶片CHPl上的流量檢測部FDU的位置偏差。其結果，根據本實施方式五，由於檢測氣體流量的流量檢測部FDU的位置能夠在各流量傳感器FS5中一致，因此能夠得到在各流量傳感器FS5中能夠抑制檢測氣體流量的性能偏差的顯著的效果。
[0264]接著，如圖23(a)所示，在本實施方式五的流量傳感器FS5中，隔著露出的流量檢測部FDU的兩側的樹脂MR (密封體)的高度比包括流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的表面的高度高(第二特徵點)。即，露出的流量檢測部FDU用樹脂MR包圍周圍，並且包圍流量檢測部FDU的樹脂MR的高度比流量檢測部FDU的高度高。根據這種本實施方式五的第二特徵點，由於能夠防止在部件組裝時等部件與露出的流量檢測部FDU碰撞，因此能夠防止形成有流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的破損。即，隔著流量檢測部FDU的樹脂MR的高度比露出的流量檢測部FDU的高度高。因此，在部件接觸時，首先與高度高的樹脂MR接觸，因此能夠防止高度低的包括流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的露出面(XY面)與部件接觸而使半導體晶片CHPl破損。
[0265]尤其，其特徵在於，在與空氣的流動平行的方向的截面(圖23(c))中，樹脂MR(密封體)的高度比包括流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的表面的高度高(第2A特徵點)。由此，能夠使在流量檢測部FDU的上方流動的空氣的流動穩定，由此，能夠提高流量檢測部FDU的流量檢測精度。利用後述的實施方式十二詳細地說明具體的第2A特徵點的詳細情況。
[0266]另外，在空氣的流動方向(Y方向)的任意截面中，若由於由氣溫的變化等產生的熱循環而使半導體晶片CHPl與樹脂MR的界面剝離，則有可能產生裂縫從剝離部分擴大而產生大的裂紋的問題，或由於空氣的流動在剝離部分紊亂後，流動紊亂的空氣向流量檢測部FDU流動，因此產生難以進行準確的空氣流量的測定的問題。因此，在本實施方式五中，例如如圖23(c)所示，在與空氣的流動平行的方向(Y方向)的截面中，成為樹脂MR局部地覆蓋半導體晶片CHPl的上部的形狀(第2B特徵點)。因此，在與空氣的流動平行的方向的截面中，由於半導體晶片CHPl和樹脂MR的接觸面積增加，因此能夠防止半導體晶片CHPl和樹脂MR的界面的剝離。其結果，根據本實施方式五，能夠避免裂縫從剝離部分擴大而產生大的裂紋的問題，並且能夠抑制在流量檢測部FDU的上方的空氣的紊亂，因此能夠提高在流量檢測部FDU的準確的空氣流量的測定精度。
[0267]接著，如圖23(a)所示，在本實施方式一的流量傳感器FS5中，隔著露出的流量檢測部FDU與樹脂MR (密封體)一體地形成一對氣流控制部rcu1、rcU2，並且該一對氣流控制部FCUl、FCU2在與在流量檢測部FDU上流動的氣體的前進方向(箭頭方向，Y方向)平行的方向上具有長條形狀(第三特徵點)。由此，首先，一對氣流控制部FCU1、FCU2形成了在流量檢測部FDU的上部流動的氣體的兩側的通道。並且，一對氣流控制部rcu1、rcu2與樹脂MR—體地通過利用尺寸精度高的模具的夾入而高精度地形成。因此，根據本實施方式五的流量傳感器FS5，氣體的流動不會因一對氣流控制部FCU1、FCU2的尺寸精度而紊亂，而能夠準確地測定氣體的流量。另外，在本實施方式五中，如上所述，一對氣流控制部FCU1、FCU2形成了在流量檢測部FDU的上部流動的氣體的兩側的通道。因此，能夠在減小氣體的流道尺寸的狀態下使氣體流經流量檢測部FDU的上部。其結果，根據本實施方式五的流量傳感器FS5，尤其在流動的氣體的流量少的場合，也能夠抑制氣體流量的檢測靈敏度下降。
[0268]另外，在本實施方式五的流量傳感器FS5中，如圖23(a)所示，從樹脂MR(密封體)露出的流量檢測部FDU與樹脂MR(密封體)的邊界區域形成為錐形，邊界區域之中與在流量檢測部FDU上流動的氣體的前進方向(箭頭方向，Y方向)正交的邊界區域的錐形比與氣體的前進方向平行的邊界區域的錐形陡(第四特徵點)。即，流量檢測部FDU的與氣體的流動正交的方向(X方向)的錐形TP2的角度比流量檢測部FDU的氣體流動的方向(Y方向)的錐形TPl的角度陡。這樣，在本實施方式五中，在氣體流動的方向(Y方向)，通過減小錐形TPl的角度，能夠減小在Y方向上流動的氣體的流道的尺寸變化。由此，能夠由樹脂MR防止氣體的剝離，因此能夠抑制由氣體的逆流或紊流產生的流量測定的偏離。另一方面，在與氣體流動的方向正交的方向(X方向)，通過增大錐形TP2的角度，能夠形成氣體流道的壁，能夠抑制向X方向的氣體流動。
[0269]接著，本實施方式五的流量傳感器FS5也具有第五特徵點和第六特徵點，但作為說明這些特徵點的前提，對圖23(b)及圖23(c)的結構進行說明。圖23(b)是以圖23(a)的A — A線切斷的剖視圖，圖23 (c)是以圖23 (a)的B — B線切斷的剖視圖。
[0270]如圖23(b)所示，在引線框LF上形成有晶片搭載部TABl，半導體晶片CHPl利用粘接材料ADHl粘接在該晶片搭載部TABl上。並且，在半導體晶片CHPl的背面形成有隔膜DF，在位於該隔膜DF的下方的晶片搭載部TABl的底部形成有開口部0P1。另外，引線框LF的背面利用樹脂MR覆蓋，但在引線框LF的背面之中形成在晶片搭載部TABl的背面上的樹脂MR上形成有開口部0P2。形成在該晶片搭載部TABl上的開口部OPl和形成在樹脂MR上的開口部0P2連通，通過該開口部OPl及開口部0P2，隔膜DF的內部空間與流量傳感器FS3的外部空間連通。此時，開口部OPl的截面積構成為比開口部0P2的截面積小。換言之，開口部OPl的截面積構成為比開口部0P2的截面積大。
[0271]另一方面，在與隔膜DF相對的半導體晶片CHPl的表面形成有流量檢測部FDU，另夕卜，形成有焊墊PDl及焊墊Η)2。該焊墊PDl通過金屬絲Wl與形成在引線框LF上的引線LDl連接，焊墊PD2通過金屬絲W2與形成在引線框LF上的引線LD2連接。並且，在本實施方式五的流量傳感器FS5中，在使流量檢測部FDU及其附近露出的狀態下，利用樹脂MR —並地密封作為其他區域(包括焊墊HH、焊墊TO2)的半導體晶片CHPl的一部分、金屬絲W1、引線LD1、金屬絲W2、引線LD2的一部分。此時，露出的流量檢測部FDU和樹脂MR的邊界區域形成為錐形TP2，以隔著流量檢測部FDU的方式與樹脂MR —體地形成一對氣流控制部FCU1、FCU2。
[0272]另外，如圖23(c)所示，在引線框LF上形成有晶片搭載部TAB1，半導體晶片CHPl利用粘接材料ADHl粘接在該晶片搭載部TABl上。並且，在半導體晶片CHPl的背面形成有隔膜DF，在位於該隔膜DF的下方的晶片搭載部TABl的底部形成有開口部0P1，另外，在覆蓋晶片搭載部TABl的背面的樹脂MR上形成有開口部0P2。形成在該晶片搭載部TABl上的開口部OPl與形成在樹脂MR上的開口部0P2連通，通過該開口部OPl及開口部0P2，隔膜DF的內部空間與流量傳感器FS3的外部空間連通。此時，開口部OPl的截面積構成為比開口部0P2的截面積小。換言之，開口部OPl的截面積構成為比開口部0P2的截面積大。
[0273]另一方面，在與隔膜DF相對的半導體晶片CHPl的表面形成有流量檢測部FDU及控制部⑶，以包圍半導體晶片CHPl的周圍的方式形成有樹脂MR。此時，流量檢測部FDU與樹脂MR的邊界區域形成為錐形TPl，該錐形TPl的角度比圖23(b)所示的錐形TP2的角度平緩。
[0274]在此，在本實施方式五中，為了防止樹脂MR侵入隔膜DF的內部空間，例如將採用以包圍形成在半導體晶片CHPl的背面的隔膜DF的方式塗敷粘接材料ADHl的結構作為前提。並且，為了避免由該結構產生的不良狀況，如圖23(b)及圖23(c)所示，在位於形成在半導體晶片CHPl的背面的隔膜DF的下方的晶片搭載部TABl的底部形成開口部0P1，並且在覆蓋晶片搭載部TABl的背面的樹脂MR上設置開口部0P2(第五特徵點)。由此，根據本實施方式五的流量傳感器FS5，隔膜DF的內部空間通過形成在晶片搭載部TABl的底部的開口部OPl及形成在樹脂MR上的開口部0P2與流量傳感器FS3的外部空間連通。其結果，能夠使隔膜DF的內部空間的壓力和流量傳感器FS3的外部空間的壓力相等，能夠抑制應力施加在隔膜DF上。
[0275]另外，在本實施方式五的流量傳感器FS5中，利用金屬絲Wl、W2連接半導體晶片CHPl與引線LDl及半導體晶片CHPl與引線LD2(第六特徵點)。由此，在本實施方式五中，由於不使用焊錫球，因此能夠減少製造成本。
[0276]如上所述，安裝構成本實施方式五的流量傳感器FS5，但在實際的流量傳感器FS5中，在利用樹脂MR密封后，除去構成引線框LF的外框體的堤壩DM。圖24是表示除去了堤壩DM後的流量傳感器FS5的安裝結構的俯視圖。如圖24所示，通過切斷堤壩DM，能夠從多個引線LDl或引線LD2獨立地取出多個電信號。
[0277]
[0278]本實施方式五的流量傳感器FS5如上所述構成，以下，參照圖25?圖28對其製造方法進行說明。圖25?圖28表示以圖23(a)的B — B線切斷的截面的製造工序。
[0279]首先，如圖25所示，準備例如由銅材料構成的引線框LF。在該引線框LF上一體地形成有晶片搭載部TABl和突出引線PLD，在晶片搭載部TABl的底部形成有開口部OPl。
[0280]接著，如圖26所示，在晶片搭載部TABl上搭載半導體晶片CHPl。具體地說，利用粘接材料ADHl將半導體晶片CHPl連接在形成在引線框LF上的晶片搭載部TABl上。此時，以形成在半導體晶片CHPl上的隔膜DF與形成在晶片搭載部TABl的底部的開口部OPl連通的方式，將半導體晶片CHPl搭載在晶片搭載部TABl上。另外，在半導體晶片CHPl上，利用通常的半導體製造方法形成流量檢測部FDU、配線(未圖示)及控制部⑶。尤其，在控制部⑶上通過通常的半導體製造方法形成有MISFET等半導體元件(未圖示)和配線(未圖示)。並且，利用例如各向異性蝕刻在與形成在半導體晶片CHPl的表面上的流量檢測部FDU相對的背面的位置形成有隔膜DF。[0281]接著，雖然未圖示，但利用金屬絲Wl連接形成在半導體晶片CHPl上的焊墊PDl和形成在引線框LF上的引線LDl (引線接合)。同樣地，利用金屬絲W2連接引線LD2與形成在半導體晶片CHPl上的焊墊TO2。金屬絲Wl?W2例如由金線形成。
[0282]之後，如圖27所示，利用樹脂MR密封除了流量檢測部FDU及其附近之外的半導體晶片CHPl的表面(模壓工序)。具體地說，如圖27所示，利用上模具UM和下模具BM並隔著第一空間夾入搭載了半導體晶片CHPl的引線框LF。之後，在加熱下，通過使用柱塞PJ使樹脂MR流入該第一空間，從而利用樹脂MR密封除了流量檢測部FDU及其附近之外的半導體晶片CHPl的表面。此時，如圖27所示，由於隔膜DF的內部空間利用粘接材料ADHl與上述第一空間隔離，因此在利用樹脂MR填充第一空間時也能夠防止樹脂MR侵入隔膜DF的內部空間。
[0283]另外，在本實施方式五中，由於能夠在利用模具固定了形成有流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的狀態下進行，因此能夠在抑制半導體晶片CHPl的位置偏離的狀態下利用樹脂MR密封半導體晶片CHPl的一部分。這意味著根據本實施方式五的流量傳感器的製造方法，能夠在抑制各流量傳感器的位置偏離的狀態下利用樹脂MR密封半導體晶片CHPl的一部分，意味著能夠抑制形成在半導體晶片CHPl上的流量檢測部FDU的位置偏差。其結果，根據本實施方式五，由於檢測氣體流量的流量檢測部FDU的位置能夠在各流量傳感器中一致，因此能夠得到在各流量傳感器中能夠抑制檢測氣體流量的性能偏差的顯著的效果O
[0284]在此，本實施方式五的流量傳感器的製造方法的特徵在於，以利用與第一空間隔離的第二空間SP2包圍形成在半導體晶片CHPl上的流量檢測部FDU的方式，利用下模具BM和上模具UM夾入搭載了半導體晶片CHPl的引線框LF。由此，根據本實施方式五，能夠使形成在半導體晶片CHPl上的流量檢測部FDU及其附近區域露出且密封除此之外的半導體晶片CHPl的表面區域。
[0285]另外，本實施方式五的流量傳感器的製造方法的特徵在於，在利用上模具UM和下模具BM夾入搭載了半導體晶片CHPl的引線框LF時，使彈性體薄膜LAF介於搭載了半導體晶片CHPl的引線框LF和上模具UM之間。由此，例如，在半導體晶片CHPl的厚度比平均厚度薄的場合，在利用上模具UM和下模具BM夾入搭載了半導體晶片CHPl的引線框LF時，雖然產生間隙，但由於能夠利用彈性體薄膜LAF填充該間隙，因此能夠防止向半導體晶片CHPl上的樹脂洩漏。另一方面，在半導體晶片CHPl的厚度比平均厚度厚的場合，在利用上模具UM和下模具BM夾入搭載了半導體晶片CHPl的引線框LF時，由於彈性體薄膜LAF柔軟，因此彈性體薄膜LAF的厚度方向的尺寸發生變化，以吸收半導體晶片CHPl的厚度。由此，即使半導體晶片CHPl的厚度比平均厚度厚，也能夠防止過大的力施加在半導體晶片CHPl上，其結果，能夠防止半導體晶片CHPl的斷裂。
[0286]在此，在使用上述的彈性體薄膜LAF的製造方法中，在通過彈性體薄膜LAF並利用模具夾緊半導體晶片CHPl的場合，有可能產生夾緊載荷施加在半導體晶片CHPl上的流量檢測部FDU或薄的隔膜DF上而破損的問題。
[0287]因此，在本實施方式五中，如圖27所示，為了防止這種流量檢測部FDU和薄的隔膜DF的破損，使用如下製造方法，在包括半導體晶片CHPl上的流量檢測部FDU的投影面的上模具UM上設置第二空間SP2，使彈性體薄膜LAF吸附在上模具UM的第二空間SP2上。這樣，根據本實施方式五，根據使用模具結構和彈性體薄膜LAF的製造方法，不會使半導體晶片CHPl上的流量檢測部FDU和彈性體薄膜LAF接觸而能夠夾緊模具，因此能夠防止流量檢測部FDU及薄的隔膜DF的破損。
[0288]另外，作為上述彈性體薄膜LAF，例如能夠使用特氟綸(註冊商標)或氟樹脂等高分子材料。
[0289]另外，本實施方式五的流量傳感器的製造方法的特徵在於，形成在下模具BM上的鑲塊IPl採用了在截面積比插入部大的底座部上形成插入部的結構。在該場合，如圖27所示，鑲塊IPl的插入部插入到開口部OPl的內部，並且鑲塊IPl的底座部與晶片搭載部TABl的底面密合。其結果，即使在鑲塊IPl的插入部和開口部OPl之間產生微小的間隙，底座部緊緊地被晶片搭載部TABl的背面壓緊，因此能夠防止樹脂MR侵入開口部OPl內。S卩，在本實施方式五中，由於使鑲塊IPl構成為在截面積比插入部大的底座部上設置插入部，因此通過組合樹脂MR由於底座部不會到達開口部OPl這一點與形成在底座部和插入部之間的臺階部被晶片搭載部TABl壓緊這一點，能夠有效地防止樹脂MR通過開口部OPl侵入隔膜DF的內部空間。
[0290]之後，如圖28所示，在樹脂MR已固化的階段，從上模具UM和下模具BM取下搭載了半導體晶片CHPl的引線框LF。由此，能夠製造本實施方式五的流量傳感器FS5。在此時製造的流量傳感器FS5中，在樹脂密封工序中使用形成有鑲塊IPl的下模具BM的結果，如圖28所示，在晶片搭載部TABl的底面形成開口部OPl，在樹脂MR上形成與該開口部OPl連通的開口部0P2。該開口部0P2作為在鑲塊IPl上形成底座部的結果而產生，該開口部0P2的截面積比開口部OPl的截面積大。由此，根據本實施方式五的流量傳感器FS5，隔膜DF的內部空間通過形成在晶片搭載部TABl的底部的開口部OPl及形成在樹脂MR上的開口部0P2與流量傳感器FS5的外部空間連通。其結果，能夠使隔膜DF的內部空間的壓力與流量傳感器FS5的外部空間的壓力相等，能夠抑制應力施加在隔膜DF上。
[0291](實施方式六)
[0292]在上述實施方式五中，對隔著露出的流量檢測部FDU與樹脂MR (密封體)一體地形成一對氣流控制部rcu1、rcu2，並且該一對氣流控制部rcu1、rcu2在與在流量檢測部fdu上流動的氣體的前進方向平行的方向上具有長條形狀的例子進行了說明。在本實施方式六中，對未設置上述氣流控制部FCUl、FCU2的流量傳感器進行說明。
[0293]圖29是表示本實施方式六的流量傳感器FS6的安裝結構的圖，是表示利用樹脂密封后的結構的圖。尤其，圖29(a)是表示本實施方式六的流量傳感器FS6的安裝結構的俯視圖。圖29(b)是以圖29(a)的A —A線切斷的剖視圖，圖29(c)是以圖29(a)的B —B線切斷的剖視圖。
[0294]本實施方式六的流量傳感器FS6的安裝結構除了未設置氣流控制部F⑶1、F⑶2這點之外，與上述實施方式五的流量傳感器FS5的安裝結構相同。因此，本實施方式六的流量傳感器FS6也具有在上述實施方式五中說明的第一特徵點?第二特徵點、第四特徵點?第六特徵點。另外，在半導體晶片CHPl的最外表面(元件形成面)上，以與粘接的樹脂的應力緩衝功能、表面保護功能或絕緣保護功能等為目的，也可以形成有聚醯亞胺膜。
[0295]具體地說，在本實施方式六的流量傳感器FS6中，如圖29(a)所示，形成為在使形成在半導體晶片CHPl上的流量檢測部FDU露出的狀態下，利用樹脂MR覆蓋半導體晶片CHPl的一部分的結構(第一特徵點)。即，在本實施方式六中，利用樹脂MR —並地密封流量檢測部FDU以外的半導體晶片CHPl的區域。由於利用該樹脂MR的密封能夠在利用模具固定形成有流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的狀態下進行，因此能在抑制半導體晶片CHPl的位置偏離的狀態下利用樹脂MR密封半導體晶片CHPl的一部分。這意味著根據本實施方式六的流量傳感器FS6，能夠在抑制各流量傳感器FS6的位置偏離的狀態下利用樹脂MR密封半導體晶片CHPl的一部分，意味著能夠抑制形成在半導體晶片CHPl上的流量檢測部FDU的位置偏差。其結果，根據本實施方式六，由於檢測氣體流量的流量檢測部FDU的位置能夠在各流量傳感器FS6中一致，因此能夠得到在各流量傳感器FS6中能夠抑制檢測氣體流量的性能偏差的顯著的效果。
[0296]接著，如圖29(a)所示，在本實施方式六的流量傳感器FS6中，隔著露出的流量檢測部FDU的兩側的樹脂MR (密封體)的高度比包括流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的表面的高度高(第二特徵點)。即，露出的流量檢測部FDU用樹脂MR包圍周圍，並且包圍流量檢測部FDU的樹脂MR的高度比流量檢測部FDU的高度高。根據這種本實施方式六的第二特徵點，由於能夠防止在部件組裝時等部件與露出的流量檢測部FDU碰撞，因此能夠防止形成有流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的破損。即，隔著流量檢測部FDU的樹脂MR的高度比露出的流量檢測部FDU的高度高。因此，在部件接觸時，首先與高度高的樹脂MR接觸，因此能夠防止高度低的包括流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的露出面(XY面)與部件接觸而使半導體晶片CHPl破損。
[0297]尤其，其特徵在於，在與空氣的流動平行的方向的截面(圖29(c))中，樹脂MR(密封體)的高度比包括流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的表面的高度高(第2A特徵點)。由此，能夠使在流量檢測部FDU的上方流動的空氣的流動穩定，由此，能夠提高流量檢測部FDU的流量檢測精度。利用後述的實施方式十二詳細地說明具體的第2A特徵點的詳細情況。
[0298]另外，在空氣的流動方向(Y方向)的任意截面中，若由於由氣溫的變化等產生的熱循環而使半導體晶片CHPl與樹脂MR的界面剝離，則有可能產生裂縫從剝離部分擴大而產生大的裂紋，或由於空氣的流動在剝離部分紊亂後，流動紊亂的空氣向流量檢測部FDU流動，因此產生難以進行準確的空氣流量測定的問題。因此，在本實施方式六中，例如如圖29(c)所示，在與空氣的流動平行的方向(Y方向)的截面中，成為樹脂MR局部地覆蓋半導體晶片CHPl的上部的形狀(第2B特徵點)。因此，在與空氣的流動平行的方向的截面中，半導體晶片CHPl和樹脂MR的接觸面積增加，因此能夠防止半導體晶片CHPl和樹脂MR的界面的剝離。其結果，根據本實施方式六，能夠避免裂縫從剝離部分擴大而產生大的裂紋的問題，並且能夠抑制在流量檢測部FDU的上方的空氣的紊亂，因此能夠提高在流量檢測部FDU的準確的空氣流量的測定精度。
[0299]另外，在本實施方式六的流量傳感器FS6中，如圖29(a)所示，從樹脂MR(密封體)露出的流量檢測部FDU與樹脂MR(密封體)的邊界區域形成為錐形，邊界區域之中與在流量檢測部FDU上流動的氣體的前進方向(箭頭方向，Y方向)正交的邊界區域的錐形比與氣體的前進方向平行的邊界區域的錐形陡(第四特徵點)。即，流量檢測部FDU的與氣體的流動正交的方向(X方向)的錐形TP2的角度比流量檢測部FDU的氣體流動的方向(Y方向)的錐形TPl的角度陡。這樣，在本實施方式六中，在氣體流動的方向(Y方向)，通過減小錐形TPl的角度，能夠減小在Y方向上流動的氣體的流道的尺寸變化。由此，能夠由樹脂MR防止氣體的剝離，因此能夠抑制由氣體的逆流或紊流產生的流量測定的偏離。另一方面，在與氣體流動的方向正交的方向(X方向)，通過增大錐形TP2的角度，能夠形成氣體流道的壁，能夠抑制向X方向的氣體流動。
[0300]另外，在本實施方式六中，為了防止樹脂MR侵入隔膜DF的內部空間，將採用例如以包圍形成在半導體晶片CHPl的背面的隔膜DF的方式塗敷粘接材料ADHl的結構作為前提。並且，為了避免由該結構產生的不良狀況，如圖29(b)及圖29(c)所示，在位於形成在半導體晶片CHPl的背面的隔膜DF的下方的晶片搭載部TABl的底部形成開口部0P1，並且在覆蓋晶片搭載部TABl的背面的樹脂MR上設置開口部0P2(第五特徵點)。由此，根據本實施方式六的流量傳感器FS6，隔膜DF的內部空間通過形成在晶片搭載部TABl的底部的開口部OPl及形成在樹脂MR上的開口部0P2與流量傳感器FS4的外部空間連通。其結果，能夠使隔膜DF的內部空間的壓力和流量傳感器FS4的外部空間的壓力相等，能夠抑制應力施加在隔膜DF上。
[0301]另外，在本實施方式六的流量傳感器FS6中，利用金屬絲Wl連接半導體晶片CHPl和引線LD1，並且，利用金屬絲W2連接半導體晶片CHPl和引線LD2 (第六特徵點)。由此，在本實施方式六中，由於不使用焊錫球，因此能夠減少製造成本。
[0302]如上所述，安裝構成本實施方式六的流量傳感器FS6，但在實際的流量傳感器FS6中，在利用樹脂MR密封后，除去構成引線框LF的外框體的堤壩DM。圖30是表示除去了堤壩DM後的流量傳感器FS6的安裝結構的俯視圖。如圖30所示，通過切斷堤壩DM，能夠從多個引線LDl和引線LD2獨立地取出多個電信號。
[0303](實施方式七)
[0304]在上述實施方式一?二中，對通過在配線基板WB上設置開口部OPl而使隔膜DF的內部空間和流量傳感器FSl?FS2的外部空間連通的結構進行了說明。另外，在上述實施方式三?六中，對通過形成在晶片搭載部TABl上的開口部OPl和形成在樹脂MR上的開口部0P2而使隔膜DF的內部空間和流量傳感器FS3?FS6的外部空間連通的結構進行了說明。在本實施方式七中，對通過使用與這些方法不同的其他方法使隔膜的內部空間和流量傳感器的外部空間連通的結構進行說明。
[0305]圖31是表示本實施方式七的流量傳感器FS7的安裝結構的圖。尤其，圖31 (a)是表示本實施方式七的流量傳感器FS7的安裝結構的俯視圖，圖31(b)是以圖31(a)的A —A線切斷的剖視圖。圖31(a)及圖31(b)所示的本實施方式七的流量傳感器FS7的安裝結構與圖23(a)?圖23(c)所示的上述實施方式五的流量傳感器FS5大致相同，因此對不同點進行說明。
[0306]如圖31(a)所示，在本實施方式七的流量傳感器FS7中，在從樹脂MR露出的流量檢測部FDU的附近形成有孔HL。即，在本實施方式七的流量傳感器FS7中，其特徵在於，在從樹脂MR露出的半導體晶片的表面形成有孔HL。
[0307]利用圖31(b)說明該孔HL的結構。如圖31(b)所示，本實施方式七的流量傳感器FS7具有與突出弓丨線PLD —體地形成的晶片搭載部TABl。在本實施方式七中，未在該晶片搭載部TABl上形成開口部OPl，並且也未在覆蓋晶片搭載部TABl的底面的樹脂MR上形成開口部0P2。[0308]另一方面，利用粘接材料ADHl將半導體晶片CHPl搭載在晶片搭載部TABl上，在該半導體晶片CHPl的背面形成有隔膜DF。並且，在與隔膜DF相對的半導體晶片CHPl的表面形成有流量檢測部FDU,在該流量檢測部FDU的橫側形成有控制部CU。並且，半導體晶片CHPl的表面在使流量檢測部FDU及其附近區域露出的狀態下，利用樹脂MR覆蓋其他區域。此時，在從樹脂MR露出的半導體晶片CHPl的表面形成有孔HL。該孔HL形成為從半導體晶片CHPl的表面貫通到形成在半導體晶片CHPl的背面上的隔膜DF。因此，根據本實施方式七的流量傳感器FS7，隔膜DF的內部空間和流量傳感器FS7的外部空間利用該孔HL連通。其結果，能夠使隔膜DF的內部空間的壓力與流量傳感器FS7的外部空間的壓力相等，能夠抑制應力施加在隔膜DF上。
[0309]如上所述，在本實施方式七的流量傳感器FS7中，其特徵在於，通過形成從由樹脂MR露出的半導體晶片CHPl的表面貫通到形成有隔膜DF的半導體晶片CHPl的背面的孔HL，使隔膜DF的內部空間和流量傳感器FS7的外部空間連通。
[0310]另外，在本實施方式七中，對在上述實施方式五的流量傳感器FS5上設置孔HL的結構例進行了說明，但本實施方式七的技術思想不局限於此，例如也能夠應用於上述實施方式一?四、六的流量傳感器FSl?FS4、FS6。
[0311](實施方式八)
[0312]在本實施方式八中，對使隔膜的內部空間和流量傳感器的外部空間連通的其他結構例進行說明。
[0313]圖32是表示本實施方式八的流量傳感器FS8的安裝結構的圖。尤其，圖32(a)是表示本實施方式八的流量傳感器FS8的安裝結構的俯視圖，圖32(b)是以圖32(a)的A — A線切斷的剖視圖，圖32(a)及圖32(b)所示的本實施方式八的流量傳感器FS8的安裝結構與圖23(a)?圖23(c)所示的上述實施方式五的流量傳感器FS5大致相同，因此對不同點進行說明。
[0314]如圖32(a)所示，在本實施方式八的流量傳感器FS8中，在突出引線PLD上形成有槽DIT。即，在本實施方式八的流量傳感器FS8中，其特徵在於，在突出弓I線PLD上形成有槽DIT。
[0315]利用圖32(b)說明形成在該突出引線PLD上的槽DIT的結構。如圖32(b)所示，本實施方式八的流量傳感器FS8具有與突出引線PLD—體地形成的晶片搭載部TAB1。在本實施方式八中，未在該晶片搭載部TABl上形成開口部OPl，並且也未在覆蓋晶片搭載部TABl的底面的樹脂MR上形成開口 0P2。
[0316]另一方面，利用粘接材料ADHl將半導體晶片CHPl搭載在晶片搭載部TABl上，在該半導體晶片CHPl的背面形成有隔膜DF。並且，在與隔膜DF相對的半導體晶片CHPl的表面形成有流量檢測部FDU,在該流量檢測部FDU的橫側形成有控制部CU。並且，半導體晶片CHPl的表面在使流量檢測部FDU及其附近區域露出的狀態下，利用樹脂MR覆蓋其他區域。
[0317]此時，在本實施方式八中，形成在突出引線PLD上的槽DIT延伸到晶片搭載部TABl，到達形成有隔膜DF的區域下的晶片搭載部TAB1。因此，根據本實施方式八的流量傳感器FS8，隔膜DF的內部空間和流量傳感器FS8的外部空間利用該槽DIT連通。其結果，能夠使隔膜DF的內部空間的壓力與流量傳感器FS8的外部空間的壓力相等，能夠抑制應力施加在隔膜DF上。[0318]如上所述，在本實施方式八的流量傳感器FS8中，其特徵在於，通過從突出引線PLD到形成有隔膜DF的區域下的晶片搭載部TABl形成槽DIT，使隔膜DF的內部空間和流量傳感器FS8的外部空間連通。
[0319]另外，在本實施方式八中，對在上述實施方式五的流量傳感器FS5上設置槽DIT的結構例進行了說明，但本實施方式八的技術思想不局限於此，例如也能夠應用於上述實施方式一?四、六的流量傳感器FSl?FS4、FS6。
[0320](實施方式九)
[0321]在本實施方式九中，對組裝了流量傳感器的流量傳感器模塊進行說明。圖33是表示本實施方式九的流量傳感器模塊的安裝結構的圖。尤其，圖33(a)是表示本實施方式九的流量傳感器模塊FSMl的安裝結構的俯視圖。另外，圖33(b)是以圖33(a)的A — A線切斷的剖視圖，圖33(c)是以圖33(a)的B— B線切斷的剖視圖。
[0322]首先，如圖33(a)所示，本實施方式九的流量傳感器模塊FSMl具有由呈矩形形狀的樹脂MR2構成的結構體，利用形成在構成該結構體的樹脂MR2上的槽形成氣體流道部PAS0並且，以與氣體流道部PAS連通的方式將流量傳感器FS5埋入樹脂MR2中。此時，構成流量傳感器FS5的一對氣流控制部rcu1、rcu2、流量檢測部fdu及配線wlia的一部分從樹脂MR2露出。樹脂MR2例如能夠由環氧樹脂或酚醛樹脂等熱固性樹脂、聚碳酸酯或聚對苯二甲酸乙二醇酯構成。並且，也可以構成為在這些樹脂中加入玻璃或雲母等填充材料。
[0323]在本實施方式九的流量傳感器模塊FSMl中，氣體在氣體流道部PAS中沿箭頭方向流動，氣體通過以與氣體流道部PAS連通的方式設置的流量傳感器FS5上，之後，從未圖示的出口排出氣體。
[0324]此時，如圖33 (a)所示，流量傳感器FS5隔著露出的流量檢測部FDU與樹脂MR(密封體)一體地形成一對氣流控制部F⑶1、F⑶2，並且該一對氣流控制部F⑶1、F⑶2在與在流量檢測部FDU上流動的氣體的前進方向平行的方向上具有長條形狀。由此，首先，一對氣流控制部rcu1、rcu2形成了在流量檢測部FDU的上部流動的氣體的兩側的通道。並且，一對氣流控制部F⑶1、F⑶2與樹脂MR —體地通過利用尺寸精度高的模具的夾入而高精度地形成。因此，根據流量傳感器FS5，氣體的流動不會由於一對氣流控制部FCU1、FCU2的尺寸精度紊亂，而能準確地測定氣體的流量。另外，一對氣流控制部FCU1、FCU2形成了在流量檢測部FDU的上部流動的氣體的兩側的通道。因此，能夠在減小氣體的流道尺寸的狀態下使氣體流經流量檢測部FDU的上部。其結果，根據流量傳感器FS5，尤其在流動的氣體的流量少的場合，也能夠抑制氣體流量的檢測靈敏度下降。
[0325]另外，如圖33 (a)所示，流量傳感器FS5從樹脂MR (密封體)露出的流量檢測部FDU與樹脂MR(密封體)的邊界區域形成為錐形，邊界區域之中與在流量檢測部FDU上流動的氣體的前進方向(箭頭方向，Y方向)正交的邊界區域的錐形比與氣體的前進方向平行的邊界區域的錐形陡。即，流量檢測部FDU的與氣體的流動正交的方向(X方向)的錐形TP2的角度比流量檢測部FDU的氣體流動的方向(Y方向)的錐形TPl的角度陡。這樣，在流量傳感器FS5中，在氣體流動的方向(Y方向)，通過減小錐形TPl的角度，能夠減小在Y方向上流動的氣體的流道的尺寸變化。由此，能夠由樹脂MR防止氣體的剝離，因此能夠抑制由氣體的逆流或紊流產生的流量測定的偏離。另一方面，在與氣體流動的方向正交的方向(X方向)上，通過增大錐形TP2的角度，能夠形成氣體流道的壁，能夠抑制向X方向的氣體流動。
[0326]接著，如圖33 (b)所示，以埋入形成有氣體流道部PAS的樹脂MR2的方式形成流量傳感器FS5，形成在流量傳感器FS5上的引線LDl及引線LD2折彎，並從樹脂MR2的下方突出。並且，在形成有氣體流道部PAS的樹脂MR2的上部形成有罩CAP。該罩CAP例如能夠由鋁合金等金屬材料、環氧樹脂或酚醛樹脂等熱固性樹脂、聚碳酸酯或聚對苯二甲酸乙二醇酯等熱塑性樹脂構成。並且，可以構成為在這些樹脂中加入玻璃或雲母等填充材料。
[0327]在構成流量傳感器FS5的半導體晶片CHPl的背面形成有隔膜DF，在俯視時與該隔膜DF重疊的晶片搭載部TABl上形成有開口部OPl。並且，在覆蓋晶片搭載部TABl的背面的樹脂MR上形成有開口部0P2，開口部OPl與開口部0P2連通。另外，以覆蓋形成有開口部0P2的樹脂MR的背面的方式形成樹脂MR2，在該樹脂MR2上形成有開口部0P3。該開口部0P3與開口部0P2連通。因此，形成在晶片搭載部TABl上的開口部OP1、形成在樹脂MR上的開口部0P2、形成在樹脂MR2上的開口部0P3互相連通。由此，隔膜DF的內部空間通過開口部OPl、開口部0P2及開口部0P3與流量傳感器模塊FSMl的外部空間連通。此時，開口部OPl的截面積比開口部0P2的截面積小，並且，開口部0P2的截面積比開口部0P3的截面積小。
[0328]接著，如圖33 (C)所示，突出引線PLD從被埋入形成有氣體流道部PAS的樹脂MR2的流量傳感器FS5突出，該突出的突出引線PLD折彎，並加工成鷗翼形狀。
[0329]如上所述構成的本實施方式九的流量傳感器模塊FSMl的安裝結構如下。S卩，本實施方式九的流量傳感器模塊FSMl具備:以使流量檢測部FDU露出的狀態利用樹脂MR密封半導體晶片CHPl的流量傳感器5 ；以及將氣體導向流量傳感器FS5的流量檢測部FDU的氣體流道部PAS，該半導體晶片CHPl具有形成在半導體基板的主面上的流量檢測部FDU和形成在與半導體基板的主面相反側的背面之中與流量檢測部FDU相對的區域上的隔膜DF15M時，流量傳感器模塊FSMl具有形成為覆蓋密封流量傳感器FS5的樹脂MR的更外側，並且形成為使流量檢測部FDU露出的樹脂MR2。並且，氣體流道部PAS由形成在樹脂MR2的表面上的槽構成，由形成在樹脂MR2的表面上的槽構成的氣體流道部PAS形成為與流量傳感器FS5的流量檢測部FDU連接，氣體通過氣體流道部PAS被導向流量傳感器FS5的流量檢測部FDU。
[0330]本實施方式九的流量傳感器模塊FSMl例如由包括氣體流道部PAS和流量傳感器FS5的部件構成，如圖33(b)所示，也能夠設置與形成在樹脂MR2上的槽組合而構成氣體流道部PAS的罩CAP，或設置用於利用螺釘將流量傳感器模塊FSMl連接在外部設備上的螺釘安裝孔等。
[0331]另外，在本實施方式九中，表示例如由形成在樹脂MR2上的槽形成氣體流道部PAS的例子，但不局限於此，也可以構成為在罩CAP上實施槽加工而形成氣體流道部PAS。
[0332]本實施方式九的流量傳感器模塊FSMl如上所述構成，以下參照圖34?圖36對其製造方法進行說明。圖34?圖36表示以圖33(a)的B — B線切斷的截面的製造工序。
[0333]首先，如圖34所示，製造流量傳感器FS5。流量傳感器FS5例如能夠利用在上述實施方式五中說明的方法製造。接著，如圖35所示，對從樹脂MR突出的突出引線PLD實施折彎加工。即，如圖35所示，從樹脂MR突出的突出引線PLD被折彎加工成鷗翼形狀。
[0334]之後，如圖36所示，利用上模具UM和下模具BM並隔著空間夾入對突出引線PLD進行了折彎加工的流量傳感器FS5。之後，在加熱下，通過使樹脂MR2流入該空間，進一步利用樹脂MR2密封流量傳感器FS5。此時，如圖36所示，形成在半導體晶片CHPl的表面上的流量檢測部FDU的高度比隔著流量檢測部FDU的樹脂MR的高度低，因此在利用上模具UM和下模具BM夾入流量傳感器FS5的場合，上模具UM的下表面與流量傳感器FS5的樹脂MR的上表面接觸，不與形成在比該樹脂MR的上表面低的位置的流量檢測部FDU接觸。S卩，在露出的流量檢測部FDU和上模具UM之間形成有間隙。因此，在進一步利用樹脂MR2密封流量傳感器FS5時，形成在半導體晶片CHPl上的流量檢測部FDU也能維持露出的狀態。
[0335]在此，本實施方式九的特徵在於，對從流量傳感器FS5突出的突出引線PLD實施折彎加工。由此，在利用上模具UM和下模具BM夾入流量傳感器FS5的場合，被折彎加工的突出引線PLD被下模具BM壓緊，利用被該下模具BM壓緊的突出引線PLD，將流量傳感器FS5固定在上模具UM和下模具BM之間。即，被折彎加工的突出引線PLD具有用於將流量傳感器FS5可靠地固定在預定位置的功能(定位功能)。由此，能夠在將流量傳感器FS5固定在預定位置的狀態下利用樹脂MR2進行密封。
[0336]另外，本實施方式九的流量傳感器模塊的製造方法的特徵在於，形成在下模具BM上的鑲塊IP2採用在截面積大的底座部上形成插入部的結構。在該場合，如圖36所示，鑲塊IP2的第一插入部插入開口部OPl的內部，並且鑲塊IP2的第二插入部插入開口部0P2的內部。並且，在該鑲塊IP2上，在第二插入部之下形成有底座部，該底座部與樹脂MR的底面密合。其結果，即使在鑲塊IP2的第一插入部和開口部OPl之間及第二插入部與開口部0P2之間產生微小的間隙，也由於底座部被樹脂MR的背面緊緊地壓緊，因此能夠防止樹脂MR2侵入開口部OPl或開口部0P2內。即，在本實施方式九中，由於將鑲塊IP2構成為在截面積比第二插入部大的底座部上設置第二插入部，因此通過組合樹脂MR2由於底座部無法到達開口部OPl和開口部0P2這一點與形成在底座部和第二插入部之間的臺階部被樹脂MR壓緊這一點，能夠有效地防止樹脂MR2通過開口部OPl和開口部0P2侵入隔膜DF的內部空間。
[0337]之後，在樹脂MR2已固化的階段，從上模具UM和下模具BM卸下利用樹脂MR2密封了流量傳感器FS5的流量傳感器模塊。由此，能夠製造本實施方式九的流量傳感器模塊。在此時製造的流量傳感器模塊中，在樹脂密封工序中使用形成有鑲塊IP2的下模具BM的結果，如圖36所示，在晶片搭載部TABl的底面形成開口部OPl，在樹脂MR上形成與該開口部OPI連通的開口部0P2，另外，在樹脂MR3上形成與開口部0P2連通的開口部0P3。該開口部0P3作為在鑲塊IP2上形成有底座部的結果而產生，該開口部0P3的截面積比開口部0P2的截面積大。由此，根據本實施方式九的流量傳感器模塊，隔膜DF的內部空間通過形成在晶片搭載部TABl的底部的開口部0P1、形成在樹脂MR上的開口部0P2和形成在樹脂MR2上的開口部0P3與流量傳感器模塊的外部空間連通。其結果，能夠使隔膜DF的內部空間的壓力和流量傳感器模塊的外部空間的壓力相等，能夠抑制應力施加在隔膜DF上。
[0338]另外，在本實施方式九的流量傳感器模塊FSMl中，對使用在上述實施方式五中說明的流量傳感器FS5的例子進行說明，但本發明的技術思想不局限於此，也能夠廣泛地應用於利用樹脂MR2 —體地密封在上述實施方式一?四中說明的流量傳感器FSl?FS4或在上述實施方式六?八中說明的流量傳感器FS6?FS8的流量傳感器模塊。例如，即使在使用了這些流量傳感器FSl?FS4、FS6?FS8的流量傳感器模塊中，由形成在樹脂MR2的表面的槽形成氣體流道部PAS，以與流量傳感器FSl~FS4、FS6~FS8的流量檢測部FDU連接的方式形成該氣體流道部PAS，氣體通過氣體流道部PAS被導向流量傳感器FSl~FS4、FS6~FS8的流量檢測部FDU。
[0339]在此，流量傳感器FSl及流量傳感器FS2形成為使用配線基板WB的結構，但在該場合，如圖5(b)及圖11(b)所示，並未在配線基板WB的背面形成樹脂MR。因此，在使用如此構成的流量傳感器FSl或流量傳感器FS2的流量傳感器模塊中，直接在配線基板WB的背面形成有樹脂MR2，在該樹脂MR2上形成有開口部0P3。因此，在構成流量傳感器FSl~FS2的半導體晶片CHPl的背面形成有隔膜DF，在俯視時與該隔膜DF重疊的配線基板WB上形成有開口部OPl。並且，在覆蓋配線基板WB的背面的樹脂MR2上形成有開口部0P3，開口部OPl與開口部0P3連通。由此，隔膜DF的內部空間通過開口部OPl及開口部0P3與流量傳感器模塊的外部空間連通。此時，開口部OPl的截面積比開口部0P3的截面積小。
[0340](實施方式十)
[0341]在本實施方式十中，對在上述實施方式九中說明的流量傳感器模塊FSMl的變形例進行說明。
[0342]圖37是表示本實施方式十的流量傳感器模塊FSM2的安裝結構的圖。尤其，圖37(a)是表示本實施方式十的流量傳感器模塊FSM2的安裝結構的俯視圖。另外，圖37(b)是以圖37(a)的A —A線切斷的剖視圖，圖37(c)是以圖37(a)的B —B線切斷的剖視圖。圖37 (a)~圖37 (c)所示的本實施方式十的流量傳感器模塊FSM2的安裝結構與圖33 (a)~
(c)所示的上述實施方式九的流量傳感器模塊FSMl大致相同，因此對不同點進行說明。
[0343]在上述實施方式九中，如圖33 (b)所示，以埋入形成有氣體流道部PAS的樹脂MR2的方式形成流量傳感器FS5，形成在流量傳感器FS5上的引線LDl及引線LD2折彎，並從樹脂MR2的下方突出。
[0344]相對於此，在本實施方式十中，如圖37(b)所示，以埋入形成有氣體流道部PAS的樹脂MR2的方式形成有流量傳感器FS5，形成在流量傳感器FS5上的引線LDl及引線LD2折彎，並從樹脂MR2的上方突出。即使如此構成的本實施方式十的流量傳感器模塊FSM2也能夠應用本發明的技術思想。
[0345](實施方式十一)
[0346]在本實施方式十一中，對在上述實施方式九中說明的流量傳感器模塊FSMl的變形例進行說明。
[0347]圖38是表示本實施方式十一的流量傳感器模塊FSM3的安裝結構的圖。尤其，圖38 (a)是表示本實施方式十一的流量傳感器模塊FSM3的安裝結構的俯視圖。另外，圖38 (b)是以圖38(a)的A —A線切斷的剖視圖，圖38(c)是以圖38(a)的B —B線切斷的剖視圖。圖38(a)~(c)所示的本實施方式十一的流量傳感器模塊FSM3的安裝結構與圖33(a)~
(c)所示的上述實施方式九的流量傳感器模塊FSMl大致相同，因此對不同點進行說明。
[0348]在上述實施方式九中，如圖33 (b)所示，以覆蓋構成流量傳感器FS5的樹脂MR的底面的方式還形成有樹脂MR2。相對於此，在本實施方式十一的流量傳感器模塊FSM3中，構成流量傳感器FS5的樹脂MR的底面未利用樹脂MR2覆蓋，樹脂MR的底面與樹脂MR2的底面成為同一面。即使在如此構成的本實施方式十一的流量傳感器模塊FSM3中，也能夠應用本發明的技術思想。尤其在本實施方式十一的流量傳感器模塊FSM3中，由於未以覆蓋樹脂MR的底面的方式形成樹脂MR2，因此能夠減少樹脂MR2的使用量。其結果，根據本實施方式十一的流量傳感器模塊FSM3，通過減少樹脂MR2的使用量而能夠實現成本減少及流量傳感器模塊FSM3的輕量化。
[0349](實施方式十二)
[0350]本申請發明的流量傳感器的特徵之一在於，例如如圖13 (C)、圖20 (C)、圖23 (C)或圖29(c)等所示，在與空氣的流動平行的方向的截面中，樹脂MR(密封體)的高度比包括流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的表面的高度高(第2A特徵點)。由此，能夠使在流量檢測部FDU的上方流動的空氣的流動穩定，由此，能夠提高流量檢測部FDU的流量檢測精度。另外，在本申請發明的流量傳感器中，在與空氣的流動平行的方向(Y方向)的截面中，成為樹脂MR局部地覆蓋半導體晶片CHPl的上部的形狀(第2B特徵點)。因此，在與空氣的流動平行的方向的截面中，由於半導體晶片CHPl與樹脂MR的接觸面積增加，因此能夠防止半導體晶片CHPl與樹脂MR的界面的剝離。如上所述，本申請發明的流量傳感器如上所述具備第2A特徵點與第2B特徵點，因此能夠避免裂縫從剝離部分擴大而產生大的裂紋的問題，並且能夠抑制在流量檢測部FDU的上方的空氣的紊亂，其結果，能夠提高在流量檢測部FDU的準確的空氣流量的測定精度。
[0351]例如，作為利用樹脂密封構成流量傳感器的半導體晶片的技術，如圖39所示，考慮利用設有彈性體薄膜(分型薄膜片)的模具夾緊半導體晶片等部件，並利用樹脂密封的方法。根據該方法，具有能利用分型薄膜片的壁厚方向的尺寸變化吸收半導體晶片或引線框等部件的安裝尺寸偏差的優點。
[0352]具體地說，圖39是作為上述製造方法，表示在利用下模具BM和設有彈性體薄膜LAF的上模具UM夾緊被搭載在引線框的晶片搭載部TABl上的半導體晶片CHPl等部件的狀態下，將樹脂MR注入到形成在上模具UM和下模具BM之間的空間中的工序的剖視圖。尤其，圖39表示流量傳感器的空氣(氣體)的流動方向的剖視圖。如圖39所示，半導體晶片CHPl的端部通過彈性體薄膜LAF被上模具UM壓緊，由此，半導體晶片CHPl被上模具UM固定。此時，利用從上模具UM壓緊的壓力，由半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)和上模具UM夾住的彈性體薄膜LAF在膜厚方向上被壓縮，彈性體薄膜LAF的膜厚尺寸變小。另一方面，在與半導體晶片CHPl鄰接的區域中，上模具UM不壓緊半導體晶片CHPl而形成空間，因此位於該空間的彈性體薄膜LAF未在膜厚方向上被壓縮。其結果，如圖39所示，由半導體晶片CHPl和上模具UM夾住的彈性體薄膜LAF的膜厚比配置在空間中的彈性體薄膜LAF的膜厚小。並且，由於將樹脂MR注入上述的空間，因此作為結果，樹脂MR的上表面SUR(MR)的位置比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)的位置低。這樣，在利用圖39所示的製造方法並利用樹脂MR密封半導體晶片CHPl的場合，製造樹脂MR的上表面SUR (MR)的位置比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)的位置低的流量傳感器。在該場合，由於在流量檢測部FDU的上方的空氣產生紊亂，因此產生在流量檢測部FDU的空氣流量的測定變得不穩定的問題點。以下對該機理置進行說明。
[0353]圖40是表示利用圖39的製造方法製造的流量傳感器的空氣(氣體)的流動方向的截面結構的圖。如圖40所示，利用粘接材料ADHl將半導體晶片CHPl搭載在晶片搭載部TABl上，該半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)從樹脂MR露出。即，形成在半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)上的流量檢測部FDU及控制部⑶從樹脂MR露出，並且半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)的位置比樹脂MR的上表面SUR(MR)的位置高。在如此構成的流量傳感器中，考慮氣體(空氣)在流量檢測部FDU的上方流動的場合。在圖40中，表示氣體(空氣)從紙面的左側向右側流動的狀態。
[0354]如圖40所示，從紙面的左側流過來的氣體(空氣)首先通過流量傳感器的樹脂MR的上方。並且，在氣體(空氣)從樹脂MR的上方向半導體晶片CHPl的上方流動時，由於樹脂MR的上表面SUR(MR)位於比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)低的位置，因此氣體(空氣)從高度低的樹脂MR的上表面SUR(MR)與半導體晶片CHPl的突出的側面碰撞。由此，氣體(空氣)的流動紊亂，氣體(空氣)向半導體晶片CHPl的上方較大變化而流動。之後，向半導體晶片CHPl的上方流動的氣體(空氣)再次向與半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)平行的方向流動。這樣，在樹脂MR的上表面SUR(MR)比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)低的場合，由於從樹脂MR突出的半導體晶片CHPl的側面的影響，氣體(空氣)的流動較大地紊亂。於是，在流量檢測部FDU的上遊，氣體(空氣)的流動的方向較大地變化而使流量不穩定，其結果，在流量檢測部FDU的流量檢測精度變得不穩定。
[0355]相對於此，根據在上述實施方式一?六中說明的本申請發明，在與空氣的流動平行的方向的截面中，樹脂MR(密封體)的高度比包括流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的表面的高度高(第2A特徵點)，並且，在與空氣的流動平行的方向(Y方向)的截面中，成為樹脂MR局部地覆蓋半導體晶片CHPl的上部的形狀(第2B特徵點)。由此，能夠使在流量檢測部FDU的上方流動的空氣的流動穩定，由此，能夠提高流量檢測部FDU的流量檢測精度。以下具體地進行說明。
[0356]圖41是表示例如利用上述實施方式一?六中說明的本申請發明的製造方法製造的流量傳感器的空氣(氣體)的流動方向的截面結構的圖。如圖41所示，利用粘接材料ADHl將半導體晶片CHPl搭載在晶片搭載部TABl上，該半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)的端部(半導體晶片CHPl的一部分)被樹脂MR覆蓋。即，形成在半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)上的流量檢測部FDU從樹脂MR露出，而除了流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的端部利用樹脂MR覆蓋。因此，半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)的位置比樹脂MR的上表面SUR(MR)的位置低。在如此構成的流量傳感器中，考慮氣體(空氣)在流量檢測部FDU的上方流動的場合。在圖41中，表示氣體(空氣)從紙面的左側向右側流動的狀態。
[0357]如圖41所示，從紙面的左側流過來的氣體(空氣)首先通過流量傳感器的樹脂MR的上方。並且，在氣體(空氣)從樹脂MR的上方向半導體晶片CHPl的上方流動時，在本申請發明中，由於樹脂MR的上表面SUR(MR)位於比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)高的位置，因此氣體(空氣)不會被半導體晶片CHPl的側面妨礙，不使流動發生變化而順暢地向半導體晶片CHPl的上方流動。即，在本申請發明中，由於樹脂MR的上表面SUR(MR)位於比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)高的位置，因此半導體晶片CHPl的側面不會突出。因此，不會使在流量檢測部FDU的上方流動的氣體(空氣)的流動紊亂，氣體(空氣)穩定地在流量檢測部FDU的上方順暢地流動。這樣，在樹脂MR的上表面SUR(MR)比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)高的場合，由於氣體(空氣)的流動不紊亂而順暢地流動，因此流量檢測部FDU的上方的氣體(空氣)的流動穩定，其結果，能夠提高在流量檢測部FDU的流量檢測精度。如上所述，在採用具備第2A特徵點和第2B特徵點這雙方的結構的場合，能夠使在流量檢測部FDU的上方流動的空氣的流動穩定，由此，得到提高流量檢測部FDU的流量檢測精度的優點，並且由於半導體晶片CHPl和樹脂MR的接觸面積增加，因此也能夠得到能夠防止半導體晶片CHPl和樹脂MR的界面的剝離的優點。
[0358]在此，尤其為了提高流量檢測部FDU的流量檢測精度，本發明人研究了優先考慮使在流量檢測部FDU的上方流動的空氣的流動穩定的方案，其結果，想到了以下所示的技術思想，因此進一步對該技術思想進行說明。
[0359]具體地說，本發明人在上述實施方式三?六所示的氣體(空氣)的流動方向的流量傳感器的截面中，通過流體解析來研究改變了從半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)到樹脂MR的上表面SUR(MR)的高度尺寸Hl和露出的半導體晶片CHPl的尺寸LI的比率的場合的流量檢測部FDU的氣體的流動。在該流體解析中使用FL0W-3D (FLOW SCIENCE公司制)，作為解析模型使用了圖42所示的形狀。圖42是表示流體解析模型的結構的圖。圖42(a)是從上部觀察流體解析模型的結構的俯視圖，圖42(b)是以圖42(a)的A — A線切斷的剖視圖。另外，圖42(c)是以圖42(a)的B— B線切斷的剖視圖。在圖42 (a)?(c)中，在中央部配置有半導體晶片CHPl。並且，以覆蓋半導體晶片CHPl的端部的方式形成有樹脂MR，構成為樹脂MR的上表面SUR(MR)的位置比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)的位置高。此時，將從半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)到樹脂MR的上表面SUR(MR)的高度定義為高度尺寸Hl，將露出的半導體晶片CHPl的尺寸定義為尺寸LI。另外，將樹脂MR的兩側面作為側面WSl及側面WS2。在此，氣體(空氣)從圖42(a)的左側向右側流動，氣體(空氣)的通道TR如圖42(b)及圖42(c)所示。另外，流體解析模型中的氣體的通道TR的高度(Z方向)為0.5mm,寬度(X方向)為2mm,長度(Y方向)為8mm,要素分割數為40000。另外，作為氣體(空氣)的物理參數，密度為1.225kg/m3，粘度為1.781X10_5Pa *s，氣體(空氣)流量為0.01kg/h。並且，Z正方向為對稱邊界，設定為氣體(空氣)從Y負方向流入，氣體(空氣)向Y正方向流出，進行了不伴隨非壓縮性流體的傳熱的解析研究。另外，流量檢測部FDU與從半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)到樹脂MR的上表面SUR(MR)的高度尺寸Hl相比尺寸小，因此在本次的流體解析模型中並未進行模型化，而是作為例如設置在半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)的中央部的部件。
[0360]在這種條件下，計算在氣體(空氣)的流動方向的截面(YZ平面)的半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)的中央部(流量檢測部FDU的配置位置)，沿Z方向從半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)分離25 μ m的位置的Y方向的速度。圖43表示該結果。
[0361]圖43是表示計算在上述條件下的Y方向的速度的結果的圖表。在圖43中，橫軸表示從半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)到樹脂MR的上表面SUR(MR)的高度尺寸Hl和露出的半導體晶片CHPl的尺寸LI的比率(H1/L1)的值，縱軸表示Y方向的速度。如圖43所示，在H1/L1小的場合，Y方向的速度表示正值，相對於此，若H1/L1變大，則Y方向的速度表示負值。這可以認為是，由於在氣體(空氣)的流動方向的下遊與局部地密封(模壓)半導體晶片CHPl的樹脂MR的側面WS2碰撞的空氣逆流而流動，因此在半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)的附近氣體也逆流而流動的結果。由此可知，在優先使流量檢測部FDU(半導體晶片CHP1)的上方的氣體(空氣)的流動充分地穩定的觀點的場合，期望H1/L1的值不要過大。換言之，在H1/L1小的場合，在氣體(空氣)的流動方向的上遊側，氣體(空氣)從局部地密封(模壓密封)半導體晶片(CHPl)的樹脂MR的側面WSl向半導體晶片CHPl順暢地流動，並且難以在下遊側的樹脂MR的側面WS2產生逆流，因此半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)附近的氣體(空氣)的流動變得均勻，而且，通過抑制逆流，能夠進行準確的流量測定。即，如圖43所示，例如，根據處於O < H1/L1 ( 1.5的範圍的流量傳感器的結構，Y方向的速度不會成為負，即，不會在下遊側的樹脂MR的側面WS2產生逆流，而能夠穩定地提高流量測定精度。另外，如果能夠使半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)附近的氣體(空氣)的流動均勻，則即使氣體(空氣)的流量小，也能夠修正流量值，從而進行準確的流量測定。根據以上結果，在本申請發明(本實施方式十二)中，在氣體(空氣)的流動方向的截面中，從半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)到樹脂MR的上表面SUR(MR)的高度尺寸Hl與露出的半導體晶片CHPl的尺寸LI的比率即H1/L1滿足O < H1/L1 ( 1.5的條件，這從優先使在流量檢測部FDU的上方流動的空氣的流動穩定的觀點來看是優選的。
[0362]另外，本發明人進行研究的結果明白，為了使在流量檢測部FDU的上方流動的空氣的流動穩定，從半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)到樹脂MR的上表面SUR(MR)的高度尺寸Hl和露出的半導體晶片CHPl的尺寸LI的比率是很重要的，不依賴於半導體晶片CHPl與樹脂MR的邊界區域的錐形。
[0363](實施方式十三)
[0364]在上述實施方式十二中，在與空氣的流動平行的方向的截面中，樹脂MR(密封體)的高度比包括流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的表面的高度高(第2A特徵點)，並且，在與空氣的流動平行的方向(Y方向)的截面中，成為樹脂MR局部地覆蓋半導體晶片CHPl的上部的形狀(第2B特徵點)的例子進行了說明。但是，對應於流量傳感器的小型、輕量化，在半導體晶片CHPl的尺寸變小的場合，在與氣體(空氣)的流動方向平行的方向，若利用樹脂MR局部地覆蓋半導體晶片CHPl的上部，則有可能流量檢測部FDU也被樹脂MR覆蓋。
[0365]此時，考慮採用未利用樹脂MR的上表面SUR(MR)局部地覆蓋半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)的結構。該結構例如能夠利用圖39所示的製造方法(例如特開2004 ?74713號公報(專利文獻7))製造。在該場合，如圖40所示，製造出形成在半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)上的流量檢測部FDU及控制部⑶從樹脂MR露出，但半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)的位置比樹脂MR的上表面SUR(MR)的位置高的流量傳感器。在圖40所示的流量傳感器中，氣體(空氣)以從高度低的樹脂MR的上表面SUR(MR)與半導體晶片CHPl的側面碰撞的方式流動，該氣體(空氣)向半導體晶片CHPl的上部較大變化而流動。之後，向半導體晶片CHPl的上部流動的氣體(空氣)再次向半導體晶片CHPl的方向(下部方向)流動。這樣，在流量檢測部FDU的上遊，若空氣流動的方向較大地變化，則在流量檢測部FDU的流量檢測精度變得不穩定。
[0366]因此，在本實施方式十三中，為了得到下述流量傳感器而下了工夫，在與空氣的流動平行的方向的截面中，樹脂MR(密封體)的高度比包括流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的表面的高度高，另一方面，在與空氣的流動平行的方向(Y方向)的截面中，未利用樹脂MR局部地覆蓋半導體晶片CHPl的上部。
[0367]圖44是表示本實施方式十三的流量傳感器的空氣(氣體)的流動方向的截面結構的圖。如圖44所示，利用粘接材料ADHl將半導體晶片CHPl搭載在晶片搭載部TABl上，該半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)未利用樹脂MR覆蓋。即，包括流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)從樹脂MR露出。因此，對應於流量傳感器的小型、輕量化，即使是半導體晶片CHPl的尺寸變小的場合，也能夠防止由樹脂MR覆蓋到流量檢測部FDU。
[0368]並且，如圖44所示，在與在露出的流量檢測部FDU上流動的氣體(空氣)的前進方向平行的任意截面中，在與半導體晶片CHPl接觸的第一區域，樹脂MR的上表面SUR(MRl)比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)低，並且在比第一區域遠離半導體晶片CHPl的第二區域的至少一部分，樹脂MR的上表面SUR(MR2)的高度比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)高。由此，根據本實施方式十三的流量傳感器，能夠使流量檢測部FDU的上方的氣體(空氣)的流動穩定，由此，能夠提高在流量檢測部FDU的流量檢測精度。
[0369]具體地說，在本實施方式十三的流量傳感器中，考慮氣體(空氣)在流量檢測部FDU的上方流動的場合。在圖44中，表示氣體(空氣)從紙面的左側向右側流動的狀態。
[0370]如圖44所示，從紙面的左側流過來的氣體(空氣)首先通過流量傳感器的樹脂MR的上方。並且，在氣體(空氣)從樹脂MR的上方向半導體晶片CHPl的上方流動時，在本申請發明中，由於樹脂MR的上表面SUR(MR2)位於比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)高的位置，因此氣體(空氣)不會被半導體晶片CHPl的側面妨礙，不使流動變化而順暢地向半導體晶片CHPl的上方流動。即，在本申請發明中，由於樹脂MR的上表面SUR(MR2)位於比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)高的位置，因此與半導體晶片CHPl接觸的第一區域的樹脂MR的上表面SUR(MRl)比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)低的影響變小。因此，不會使在流量檢測部FDU的上方流動的氣體(空氣)的流動紊亂，氣體(空氣)穩定且順暢地在流量檢測部FDU的上方流動。這樣，在樹脂MR的上表面SUR(MR2)比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)高的場合，由於氣體(空氣)的流動不紊亂而順暢地流動，因此流量檢測部FDU的上方的氣體(空氣)的流動穩定，其結果，能夠提高在流量檢測部FDU的流量檢測精度。因為以上原因，根據本實施方式十三的流量傳感器，由於樹脂MR未覆蓋半導體晶片CHPl，因此即使是推進半導體晶片CHPl的小型化的場合，也能夠防止流量檢測部FDU被樹脂MR覆蓋。另外，根據本實施方式十三的流量傳感器，在與半導體晶片CHPl接觸的第一區域，樹脂MR的上表面(MRl)比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)低，但在比第一區域遠離半導體晶片CHPl的第二區域，樹脂MR的上表面SUR(MR2)比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)高。其結果，流量檢測部FDU的上方的氣體(空氣)的流動穩定，其結果，能夠提高在流量檢測部FDU的流量檢測精度。
[0371]以下，對製造本實施方式十三的流量傳感器的密封工序進行說明。圖45是說明製造本實施方式十三的流量傳感器的密封工序的圖。如圖45所示，通過使設置在上模具UM上的鑲塊IPU的前端的尺寸LRl比半導體晶片CHPl的尺寸LCl大，形成為在氣體(空氣)的流動方向的截面中，未利用樹脂MR局部地覆蓋半導體晶片CHPl的上部的結構。另外，鑲塊IPU的從上模具UM突出的尺寸LP能夠由設置在鑲塊IPU的根部的隔板SPC調整。
[0372]在此，在由半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)和設置在上模具UM上的鑲塊IPU夾住的區域，彈性體薄膜LAF在膜厚方向上被壓縮而使膜厚變小。另一方面，在與半導體晶片CHPl接觸的第一區域附近，由於彈性體薄膜LAF未被壓縮，因此彈性體薄膜LAF的膜厚比由半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)和上模具UM夾住的區域大。
[0373]在該場合，在氣體(空氣)的流動方向的截面中，樹脂MR的上表面SUR (MR)比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)低，在半導體晶片CHPl的上遊側，有可能產生氣體(空氣)的流動紊亂的問題。[0374]因此，在本實施方式十三中，對在半導體晶片CHPl的上遊側防止氣體(空氣)的流動紊亂的情況下了工夫。具體地說，在以下方面下了功夫，在與半導體晶片CHPl接觸的第一區域附近，樹脂MR的上表面SUR(MRl)比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)低，但在比第一區域遠離半導體晶片CHPl的第二區域，在樹脂MR的上表面SUR(MR2)比半導體晶片CHPl的上表面SUR(MR2)高。即，通過使鑲塊IPU從上模具UM只突出尺寸LP而設置，利用鑲塊IPU的前端和半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)壓縮彈性體薄膜LAF而夾緊半導體晶片CHPl。此時，由於鑲塊IPU的前端的尺寸LRl比半導體晶片CHPl的尺寸LCl大，因此在與半導體晶片CHPl接觸的第一區域附近，由於彈性體薄膜LAF的膜厚尺寸，樹脂MR的上表面SUR(MRl)比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)低，但在比第一區域遠離半導體晶片CHPl的第二區域，通過設定鑲塊IPU的突出的尺寸LP，樹脂MR的上表面SUR(MR2)能夠比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)高。
[0375]圖44表示利用圖42所示的流體解析研究這樣製造的流量傳感器附近的氣體(空氣)的流動的空氣的流動方向的模式圖。如圖44所示，根據本實施方式十三的流量傳感器，能夠防止從Y負方向流過來的氣體(空氣)的主流與半導體晶片CHPl的側面直接碰撞，因此即使未利用樹脂MR局部地覆蓋半導體晶片CHPl的上部，也能防止空氣的流動紊亂。
[0376]另外，根據圖43的結果，期望在氣體(空氣)的流動方向的截面中，從半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)到樹脂MR的上表面SUR (MR2)的高度尺寸Hl和露出的半導體晶片CHPl的尺寸LI的比率滿足O < H1/L1≤1.5。
[0377]在此認為，如果使鑲塊IPU的前端的尺寸LRl與半導體晶片CHPl的尺寸LCl相等，則能夠從半導體晶片CHPl的端部使樹脂MR的上表面成為比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)高的形狀。即認為，即使在與半導體晶片CHPl接觸的第一區域，也能夠防止樹脂MR的上表面SUR(MRl)比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)低。
[0378]但是，在實際的製造工序中，在半導體晶片CHPl向引線框的搭載精度上產生偏差，而且，在引線框的尺寸或半導體晶片CHPl的尺寸自身上也產生偏差。因此，即使使鑲塊IPU的前端的尺寸LRl與半導體晶片CHPl的尺寸LCl相等，在夾緊時，也難以使鑲塊IPU的前端的尺寸LRl與半導體晶片CHPl的尺寸LCl無偏差地進行對位。
[0379]因此，在本實施方式十三中，考慮到產生上述的偏差的情況，做成在與半導體晶片CHPl接觸的第一區域，樹脂MR的上表面SUR(MRl)比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)低，但在比第一區域遠離半導體晶片CHPl的第二區域，樹脂MR的上表面SUR(MR2)比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)高。
[0380]另外，在本實施方式十三中，對一晶片結構的流量傳感器進行了說明，但本發明的技術思想不局限於此，也能夠應用於具備搭載了流量檢測部FDU的第一半導體晶片和搭載了控制電路部的第二半導體晶片的兩晶片結構的流量傳感器。另外，在與高度比半導體晶片CHPl的上表面低的樹脂MR的上表面SUR(MRl)不同的其他樹脂MR的上表面中，只要至少一部分的上表面的高度比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)高即可。
[0381]另外，為了提高半導體晶片CHPl和樹脂MR的粘接性，例如，可以構成為在半導體晶片CHPl的側面形成聚醯亞胺膜，該聚醯亞胺膜和樹脂MR在半導體晶片CHPl的側面接觸。此時，聚醯亞胺膜也可以形成在半導體晶片CHPl的整個側面上。
[0382](實施方式十四)[0383]在本實施方式十四中，對在與空氣的流動平行的方向的截面中，樹脂MR (密封體)的高度比包括流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的表面的高度高(第2A特徵點)，並且，在半導體晶片CHPl上搭載具有開口部的框體的例子進行說明。
[0384]例如，作為在半導體晶片CHPl的上部通過粘接材料ADH還層疊其他的半導體晶片，並且利用樹脂密封的封裝結構，有特開2000 — 31309號公報(專利文獻5)所示的技術。該技術可以考慮如下結構的流量傳感器，形成為在半導體晶片上通過粘接劑搭載其他半導體晶片的結構，應用該結構，如圖46所示，在氣體(空氣)的流動方向的截面中，利用粘接材料ADH3將在由與半導體晶片CHPl相同材料的矽材質構成的板ST上開設有貫通孔TH的結構體粘接在形成有流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl上，並利用樹脂密封。根據該流量傳感器，由於在矽材質的板ST上開設貫通孔TH而使用，因此存在下述問題點，難以在脆性材料的矽材料上開設貫通孔TH，並且若矽材料的板ST的壁厚薄，則容易在板ST上產生裂紋而難以處理。
[0385]因此，在本實施方式十四中，其特徵在於，代替矽材質的板ST而使用框體FR。圖47是表示框體FR的結構的圖。具體地說，圖47 (a)是表示框體FR的結構的俯視圖，圖47(b)是以圖47(a)的A —A線切斷的剖視圖。如圖47(a)及圖47(b)所示，框體FR形成為具有臺階的框架形狀，並且在中央形成有開口部0P4。該框體FR例如使用PBT、ABS、PC、尼龍等熱塑性樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂等熱固性樹脂，利用注塑成型或傳遞模塑法，通過將樹脂填充在模具內並模壓成型而形成，通過使用鐵合金、鋁合金或銅合金等金屬材料並利用衝壓加工成型而成。
[0386]圖48是表不在氣體(空氣)的流動方向的截面中，本實施方式十四的流量傳感器的截面結構的圖。具體地說，本實施方式十四的流量傳感器具有利用粘接材料ADHl粘接在晶片搭載部TABl上的半導體晶片CHP1。並且具有如下結構，在該半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)上形成有流量檢測部FDU，在形成有該流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl上搭載具有開口部0P4的框體FR，並利用樹脂MR密封半導體晶片CHPl的側面及框體FR的側面。此時，樹脂MR的上表面SUR(MR)配置在比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)高的位置。並且，流量檢測部FDU從形成在框體FR上的開口部0P4露出。另外，利用形成在框體FR上的臺階部將框體FR固定在半導體晶片CHPl上。即，在框體FR上具有與半導體晶片CHPl的側面平行的壁部，通過使該壁部與半導體晶片CHPl密合，能夠在與半導體晶片CHPl對位的狀態下配置框體FR。此時，框體FR也可以與半導體晶片CHPl粘接，或者，也可以不粘接。尤其，在將框體FR粘接在半導體晶片CHPl上的場合，能得到能夠防止框體FR的位置偏離的效果。
[0387]根據如此構成的本實施方式十四的流量傳感器，由於樹脂MR的上表面SUR(MR)比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)高，因此氣體(空氣)的流動不會紊亂而順暢地流動。因此，流量檢測部FDU的上方的氣體(空氣)的流動穩定，其結果，能夠提高在流量檢測部FDU的流量檢測精度。
[0388]接著，對製造本實施方式十四的流量傳感器的密封工序進行說明。首先，如圖49所示，在通過粘接材料ADHl搭載在晶片搭載部TABl上的半導體晶片CHPl上配置框體FR。此時，框體FR形成為具有開口部0P4的框架形狀，以流量檢測部FDU從形成在框體FR上的開口部0P4露出的方式將框體FR配置在半導體晶片CHPl上。在此，框體FR可以與半導體晶片CHPl粘接或者不粘接。
[0389]接著，如圖50所示，利用模具夾緊搭載在晶片搭載部TABl上的半導體晶片CHPl，在模具內的空間填充樹脂。具體地說，如圖50所示，利用上模具UM和下模具BM夾緊搭載在晶片搭載部TABl上的半導體晶片CHPl。此時，在上模具UM上粘貼有彈性體薄膜LAF，上模具UM通過彈性體薄膜LAF被設在半導體晶片CHPl上的框體FR壓緊。因此，由於半導體晶片CHPl通過彈性體薄膜LAF被壓緊，因此能夠通過彈性體薄膜LAF的膜厚變化吸收半導體晶片CHP的安裝偏差。另外，由於上模具UM通過彈性體薄膜LAF被設在半導體晶片CHPl上的框體FR壓緊，因此能夠由上模具UM保護從框體FR的開口部0P4露出的流量檢測部FDU0之後，通過將樹脂MR注入到形成在模具內的空間，實施密封工序。由此，能夠製造樹脂MR的上表面SUR(MR)比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)高的狀態的流量傳感器。
[0390]在此，由於利用上模具UM和下模具BM夾緊在中央形成了開口部0P4的框體FR和半導體晶片CHPl，並且在使框體FR和半導體晶片CHPl密合的狀態下將樹脂MR注入模具內的空間，因此即使是未將在中央形成了開口部0P4的框體FR和半導體晶片CHPl粘接的結構，也能夠防止樹脂從在中央形成有開口部0P4的框體FR和半導體晶片CHPl的間隙流入流量檢測部FDU。但是，為了使密封工序之前的工序的處理變得容易，也能夠做成粘接在中央形成有開口部0P4的框體FR和半導體晶片CHPl的結構。
[0391]這樣，即使在本實施方式十四的流量傳感器中，在與空氣的流動平行的方向的截面中，樹脂MR (密封體)的高度比包括流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的表面的高度高(第2A特徵點)。因此，根據本實施方式十四的流量傳感器，流量檢測部FDU的上方的氣體(空氣)的流動穩定，其結果，能夠提高在流量檢測部FDU的流量檢測精度。另外，根據使氣體(空氣)的流動穩定，並提高在流量檢測部FDU的流量檢測精度的觀點，期望在氣體(空氣)的流動方向的截面中，從半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)到樹脂MR的上表面SUR(MR)的高度尺寸Hl和露出的半導體晶片CHPl的尺寸LI的比率滿足O < H1/L1≤1.5。另外，在本實施方式十四中，舉例說明了一晶片結構的流量傳感器，但本發明的技術思想不局限於此，例如也能夠應用於具備搭載了流量檢測部FDU的第一半導體晶片和搭載了控制部的第二半導體晶片的兩晶片結構的流量傳感器。
[0392](實施方式十五)
[0393]在上述實施方式三~六中，例如如圖13、圖20、圖23、圖29所示，對相對於半導體晶片CHPl的氣體(空氣)的流動方向的上遊側(Y正方向)的樹脂MR的上表面SUR(MR)的高度和氣體(空氣)的流動方向的下遊側(Y負方向)的樹脂MR的上表面SUR(MR)的高度大致相等的形狀進行了說明。
[0394]在這種場合，例如，有可能水或塵埃等積存在高度比樹脂MR的上表面SUR(MR)低的半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)而無法排出。因此，在本實施方式十五中，形成為如下形狀，在氣體(空氣)的流動方向的截面中，在相對於半導體晶片CHPl的氣體(空氣)的流動方向的下遊側的樹脂MR的上表面SUR(LR)的至少一部分高度比氣體(空氣)流動方向的上遊側的樹脂MR的上表面SUR (UR)的高度低。由此，能夠抑制水或塵埃等積存在半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)上。
[0395]圖51是表示本實施方式十五的流量傳感器的結構的圖。具體地說，圖51 (a)是從上面觀察本實施方式十五的流量傳感器的俯視圖。圖51(b)表示以圖51(a)的A — A線切斷的剖視圖，表示以圖51(a)的B — B線切斷的剖視圖。
[0396]在表示氣體(空氣)的流動方向的截面的圖51 (C)中，相對於半導體晶片CHPl，下遊側的樹脂MR的上表面SUR(LR)的至少一部分高度比上遊側的樹脂MR的上表面SUR(UR)的高度低。尤其，在圖51(c)中，下遊側的樹脂MR的上表面SUR(LR)的高度比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)的高度低。若使用這種形狀，則從氣體(空氣)的流動方向的上遊流過來的水或塵埃不會積存在半導體晶片CHPl上，能夠通過比上遊側的樹脂MR的上表面SUR(UR)的高度低的下遊側的樹脂MR的上表面SUR(LR)向下遊側排出。
[0397]在此，比上遊側的樹脂MR的上表面SUR (UR)的高度低的下遊側的樹脂MR的上表面SUR(LR)，例如如圖52所示，可以在與露出的半導體晶片CHPl的X方向的寬度相等的整個尺寸上都低，如圖53所示，也可以在靠近半導體晶片CHPl的區域，高度低的下遊側的樹脂MR的上表面SUR(LR)的X方向的寬度寬，隨著向氣體(空氣)的流動方向的下遊前進，高度低的下遊側的樹脂MR的上表面SUR (LR)的X方向的寬度變窄。
[0398]另外，如圖54所示，在金屬絲(金線)Wl的環高度高的場合，為了密封該金屬絲Wl的環部，也可以使樹脂面局部地變高。
[0399]接著，圖55是表示在本實施方式十五的流量傳感器中，氣體(空氣)的流動方向的截面的圖。如圖55所示，為了排出從上遊側流過來的水或塵埃，相對於半導體晶片CHPl的下遊側的樹脂MR的上表面SUR(LR)的至少一部分高度只要比上遊側的樹脂MR的上表面SUR(UR)的高度低即可。具體地說，例如如圖55所示，能夠做成下遊側的樹脂MR的上表面SUR(LR)的高度比上遊側的樹脂MR的上表面SUR(UR)的高度低，並且比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)高的結構，例如如圖56所示，能夠做成下遊側的樹脂MR的上表面SUR(LR)的高度比上遊側的樹脂MR的上表面SUR(LR)的高度低，並且與半導體晶片CHPl為相同高度的結構。
[0400]另外，如圖57所示，在隔著露出的流量檢測部FDU形成有氣流控制部FCUl及氣流控制部FCU2的結構中，也能夠做成在氣體(空氣)的流動方向的截面中，相對於半導體晶片CHPl的下遊側的樹脂MR的上表面SUR(LR)的至少一部分高度比上遊側的樹脂MR的上表面SUR(UR)的高度低。
[0401]另外，如圖58所示，即使在一晶片結構的流量傳感器中，也能夠做成在氣體(空氣)的流動方向的截面(圖58(c))中，相對於半導體晶片CHPl的下遊側的樹脂MR的上表面SUR(LR)的至少一部分高度比上遊側的樹脂MR的上表面SUR(UR)的高度低的結構。
[0402]另外，即使在圖58中，能夠做成下遊側的樹脂MR的上表面SUR(LR)的高度比上遊側的樹脂MR的上表面SUR(LR)的高度低，並且比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)高的結構，能夠做成下遊側的樹脂MR的上表面SUR(LR)的高度比上遊側的樹脂MR的上表面SUR(LR)的高度低，並且與半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)為相同高度的結構。
[0403]另外，即使在一晶片結構的流量傳感器中，比上遊側的樹脂MR的上表面SUR(UR)的高度低的下遊側的樹脂MR的上表面SUR(LR)例如可以為在與露出的半導體晶片CHPl的X方向的寬度相等的整個尺寸都低，也可以在靠近半導體晶片CHPl的區域，高度低的下遊側的樹脂MR的上表面SUR(LR)的X方向的寬度寬，隨著向氣體(空氣)的流動方向的下遊前進，高度變低的下遊側的樹脂MR的上表面SUR(LR)的X方向的寬度變窄。另外，即使在一晶片結構的流量傳感器中，在金屬絲Wl的環高度高的場合，為了密封該金屬絲Wl的環部，能夠使樹脂面局部地變高。
[0404]在此，在圖51~圖58所示的半導體晶片CHPl的上表面或側面中，期望在由樹脂MR覆蓋的部分的至少一部分上形成有聚醯亞胺膜。
[0405]另外，如圖59所示，在與半導體晶片CHPl接觸的第一區域附近，上遊側的樹脂MR的上表面SUR(UR2)比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)低，但在比第一區域遠離半導體晶片CHPl的第二區域，即使在上遊側的樹脂MR的上表面SUR(URl)比半導體晶片CHPl的上表面SUR(MR2)高的結構中，也能夠採用下遊側的樹脂MR的上表面SUR(LR)的至少一部分高度比上遊側的樹脂MR的上表面SUR(URl)的高度低的結構。此時，例如在半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)及側面形成有聚醯亞胺膜，該聚醯亞胺膜與樹脂MR在半導體晶片CHPl的側面接觸，這從防止樹脂MR從半導體晶片CHPl剝離的觀點來看是優選的。另外，聚醯亞胺膜可以形成在半導體晶片CHPl側面的一部分，也可以形成在整個側面。
[0406]另外，即使在本實施方式十五的流量傳感器中，根據使氣體(空氣)的流動穩定而提高在流量檢測部FDU的流量檢測精度的觀點，期望在氣體(空氣)的流動方向的截面中，從半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)到樹脂MR的上表面SUR(UR) (SUR(URl))的高度尺寸Hl和露出的半導體晶片CHPl的尺寸LI的比率滿足O < H1/L1≤1.5。
[0407]另外，在使用本實施方式十五的流量傳感器，檢測由發動機的脈動產生的空氣的逆流的場合，由於將從下遊向上遊逆流的水或塵埃從上遊側排出，能夠使空氣流動的上遊側(Y方向的負側)的樹脂MR的上表面SUR(UR)與設置在空氣流動的下遊側的樹脂MR的上表面SUR(LR)同樣地比其他區域的樹脂面低。
[0408]圖60是表示與設置在空氣流動的下遊側的樹脂MR的上表面SUR(LR)同樣地使空氣流動的上遊側(Y方向的負側)的樹脂MR的上表面SUR(UR)比其他區域的樹脂面低的結構例的圖。這樣，在使上遊側的樹脂MR的上表面SUR(UR)的高度及下遊側的樹脂MR的上表面SUR(LR)的高度低的場合，在與氣體(空氣)的流動方向正交的方向，能夠做成比其他樹脂MR的上表面的高度低的形狀。此時，即使上遊側的樹脂MR的上表面SUR(UR)的高度及下遊側的樹脂MR的上表面SUR(LR)的高度比半導體晶片CHPl的上表面SUR(CHP)高度高、低或高度相同，在與氣體(空氣)的流動方向正交的方向，都可以做成比其他樹脂面的高度低的形狀。
[0409]以上，根據其實施方式具體地說明了由本發明人做出的發明，但本發明不局限於上述實施方式，當然可在不脫離其主旨的範圍內進行種種變更。
[0410]另外，上述的用上述實施方式說明的流量傳感器表示了在形成有流量檢測部FDU的半導體晶片CHPl的表面(上表面)上形成聚醯亞胺膜PIQ的例子，但本發明的技術思想不局限於此，也可以在半導體晶片CHPl的表面形成氮化矽膜(Si3N4)、多晶矽膜、以TEOS(Si(OC2H5)4)為原料的氧化矽膜(Si02)等膜。由此，能夠提高樹脂MR和半導體晶片CHPl的粘接性而能夠防止剝離。
[0411] 另外，氮化矽膜、多晶矽膜、氧化矽膜能夠通過等離子CVD法、減壓CVD法、常壓CVD法等化學氣相沉積法、化學氣相蒸鍍法、化學蒸鍍法、物理氣相沉積法或物理蒸鍍法形成。這些形成在半導體晶片CHPl上的膜能夠防止形成在構成半導體晶片CHPl的矽(Si)上的氧化矽膜的增加，能夠提高樹脂MR和半導體晶片CHPl的粘接性。另外，這些膜只要在由樹脂MR覆蓋的半導體晶片CHPl的至少一部分成膜即可。[0412]另外，在上述實施方式中，表示了通過粘接材料ADH將半導體晶片CHP搭載在弓I線框LF上的例子，但本發明不局限於此，也能夠通過銀漿等漿料將半導體晶片CHP搭載在引線框LF上。另外，能夠在半導體晶片CHP和引線框LF之間插入結構體，並使用粘接材料ADH或漿料接合半導體晶片CHP、引線框LF及結構體，也能夠在引線框LF上搭載電容器等部件。
[0413]另外，上述結構體可以使用例如PBT、ABS、PC、尼龍等熱塑性樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂等熱固性樹脂，利用注塑成型或傳遞模塑法將樹脂填充到模具內而模壓成型而形成。另外，上述結構體也能夠使用鐵合金、鋁合金或銅合金等金屬材料並進行衝壓加工，或利用玻璃材料形成。
[0414]在上述的實施方式中說明的流量傳感器是測定氣體流量的裝置，但具體的氣體的種類不限定，能夠廣泛地應用於測定空氣、LP氣體、二氧化碳(C02氣體)、哈龍氣體等任意的氣體的流量的裝置。
[0415]另外，在上述的上述實施方式中，對測定氣體流量的流量傳感器進行了說明，但本發明的技術思想不局限於此，也能夠廣泛地應用於在使溼度傳感器等的半導體元件的一部分露出的狀態下進行樹脂密封的半導體裝置。
[0416]產業上的可利用性
[0417]本發明能夠廣泛地應用於製造例如流量傳感器等的半導體裝置的製造業。
[0418]符號說明
[0419]I一CPU，2—輸入電路，3—輸出電路，4一存儲器，ADH—粘接材料，ADHl—粘接材料，ADH2—粘接材料，ADH3—粘接材料，BM—下模具，BMP—突起電極，BR1—下遊測溫電阻，BR2—下遊測溫電阻，CAP —罩，CHPl—半導體晶片，CHP2—半導體晶片，CU—控制部，DF-隔膜，DIT—槽，DM—堤壩，FCUl—氣流控制部，FCU2—氣流控制部，FDU—流量檢測部，FR—框體，FSl—流量傳感器，FS2—流量傳感器，FS3—流量傳感器，FS4—流量傳感器，FS5—流量傳感器，FS6—流量傳感器，FS7—流量傳感器，FS8—流量傳感器，FSMl—流量傳感器模塊，FSM2—流量傳感器模塊，FSM3—流量傳感器模塊，FSP—流量傳感器，HCB—加熱器控制電橋，HL—孔，HR一發熱電阻，Hl一尺寸，IPl—鍵塊，IP2—鍵塊，IPU—鍵塊，LAF—彈性體薄膜，LCl一尺寸，LDl—弓丨線，LD2—弓丨線，LF一弓丨線框，LP一尺寸，LRl一尺寸，LI一尺寸，MR—樹脂，MR2—樹脂，OPI—開口部，0P2—開口部，0P3—開口部，0P4—開口部，PAS—氣體流道部，PDl—焊墊，PD2—焊墊，PD3—焊墊，PJ—柱塞，PLD—突出引線，POT—灌注樹脂，PS一電源，Q—氣體流量，Rl一電阻，R2 —電阻，R3 —電阻，R4 —電阻，SP2—空間，SPC —隔板，SUR (CHP)—上表面，SUR (LR)—上表面，SUR (MR)—上表面，SUR (MRl)—上表面，SUR (MR2) —上表面，SUR(UR)—上表面，SUR(URl)—上表面，SUR(UR2)—上表面，TABl—晶片搭載部，TAB2—晶片搭載部，TEl—端子，TE2—端子，TE3—端子，TH—貫通孔，TPl—錐形，TP2—錐形，TR—通道，Tr一電晶體，TSB—溫度傳感器電橋，UM—上模具，URl—上遊測溫電阻，UR2—上遊測溫電阻，Vrefl—參考電壓，Vref2—參考電壓，Wl—金屬絲，W2—金屬絲，W3—金屬絲，WB—配線基板，WLl—配線，WLlA—配線，WLlB—配線，WL2—配線，WL3—配線，WSl—側面，WS2—側面。
【權利要求】
1.一種流量傳感器模塊，其特徵在於，具備: 以使流量檢測部露出的狀態利用第一樹脂密封半導體晶片的流量傳感器，上述半導體晶片具有形成在半導體基板的主面上的上述流量檢測部、和形成在上述半導體基板的與上述主面相反的一側的背面之中與上述流量檢測部相對的區域上的隔膜； 將氣體導向上述流量傳感器的上述流量檢測部的流道部； 以覆蓋密封上述流量傳感器的上述第一樹脂的更外側的方式形成，並且以使上述流量檢測部露出的方式形成的第二樹脂， 上述流道部由在上述第二樹脂的表面形成的槽和在與該槽相對的區域上配置的罩構成。
2.一種流量傳感器模塊，其特徵在於，具備: 以使流量檢測部露出的狀態利用第一樹脂密封半導體晶片的流量傳感器，上述半導體晶片具有形成在半導體基板的主面上的上述流量檢測部、和形成在上述半導體基板的與上述主面相反的一側的背面之中與上述流量檢測部相對的區域上的隔膜； 將氣體導向上述流量傳感器的上述流量檢測部的流道部； 以覆蓋密封上述流量傳感器的上述第一樹脂的更外側的方式形成，並且以使上述流量檢測部露出的方式形成的第二樹脂， 上述流道部由上述第二樹脂和在與上述第二樹脂相對的區域形成了槽的罩構成。
3.根據權利要求1或2所述的流量傳感器模塊，其特徵在於， 構成上述流量傳感器的上述半導體晶片搭載在晶片搭載部上， 在上述晶片搭載部上，在俯視時與形成在上述半導體晶片上的上述隔膜重疊的區域形成有第一開口部， 上述晶片搭載部的背面還利用形成有與上述第一開口部連通的第二開口部的上述第一樹脂覆蓋， 形成在上述晶片搭載部上的上述第一開口部的截面積比形成在上述第一樹脂上的上述第二開口部的截面積小。
4.根據權利要求3所述的流量傳感器模塊，其特徵在於， 形成有上述第二開口部的上述第一樹脂的背面還利用形成有與上述第二開口部連通的第三開口部的上述第二樹脂密封， 形成在上述第一樹脂上的上述第二開口部的截面積比形成在上述第二樹脂上的上述第三開口部的截面積小。
5.根據權利要求1或2所述的流量傳感器模塊，其特徵在於， 構成上述流量傳感器的上述半導體晶片搭載在基板上， 在上基板上，在俯視時與形成在上述半導體晶片上的上述隔膜重疊的區域形成有開口部。
6.根據權利要求5所述的流量傳感器模塊，其特徵在於， 上述基板的背面還利用形成有與上述開口部連通的第三開口部的上述第二樹脂覆蓋，形成在上基板上的上述開口部的截面積比形成在上述第二樹脂上的上述第三開口部的截面積小。
7.根據權利要求1或2所述的流量傳感器模塊，其特徵在於，在與在露出的上述流量檢測部上流動的氣體的前進方向平行的任意截面中，上述第一樹脂局部地覆蓋上述半導體晶片的上部。
8.根據權利要求1或2所述的流量傳感器模塊，其特徵在於， 在與在露出的上述流量檢測部上流動的氣體的前進方向平行的任意截面中，在與上述半導體晶片接觸的第一區域，上述第一樹脂的上表面比上述半導體晶片的上表面低，並且在比上述第一區域遠離上述半導體晶片 的第二區域的至少一部分中，上述第一樹脂的上表面的高度比上述半導體晶片的上表面高。
【文檔編號】G01F1/692GK103994794SQ201410244748
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2011年9月13日 優先權日:2010年10月13日
【發明者】河野務, 半澤惠二, 森野毅, 岡本裕樹, 德安升, 田代忍 申請人:日立汽車系統株式會社