一種磁敏igbt器件的製作方法

2023-04-22 16:33:46

專利名稱：一種磁敏igbt器件的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種磁敏IGBT器件。
背景技術：
在現有技術中，針對IGBT導通電流(功率)控制的方法一般是加取樣電阻等方 式，在大電流時消耗大量熱量，因而造成發熱及電能浪費。同時現有的IGBT無智能傳感功 能。
發明內容本實用新型的目的是提供一種磁敏IGBT器件。本實用新型採用的技術方案是一種磁敏IGBT器件，包括IGBT晶片和磁敏電阻，所述IGBT晶片上設有絕緣介質， 所述絕緣介質上設有磁敏電阻。所述絕緣介質厚度在100-10000微米。所述磁敏電阻為GMR或TMR。所述磁敏電阻電阻率為1-10000歐姆釐米，厚度為10-10000微米，阻值 為1-100000歐姆，在IGBT電流產生磁場或外界磁場作用下，其阻值的相對變化量為 1% -99%。本實用新型的優點是既可用外加磁場來控制IGBT的通斷，也可以利用IGBT導通 時產生的磁場來控制IGBT的導通功率(電流)，去除了外界幹擾信號的影響及可高速驅動， 不產生任何額外的電能消耗，節約了能源。當溫度變化時，此磁敏電阻的阻值也發生變化， 因而也可以作為功率IGBT的溫度採樣。
以下結合附圖和具體實施方式
對本實用新型作進一步詳細描述。

圖1為本實用新型的結構示意圖。圖2為本實用新型的應用圖。其中1、IGBT晶片，2、絕緣介質，3、磁敏電阻。
具體實施方式
實施例1如圖1至圖2所示，本實用新型的一種磁敏IGBT器件，包括IGBT晶片1和磁敏電 阻3，IGBT晶片1上設有絕緣介質，絕緣介質2上設有磁敏電阻3，絕緣介質3為SiO、SiN 或SiON中的一種，絕緣介質2厚度為100微米，磁敏電阻3為GMR或TMR或其他電阻率對 磁場敏感的物質，磁敏電阻3電阻率為1歐姆釐米，厚度為10微米，阻值為1歐姆，在IGBT 電流產生磁場或外界磁場作用下，其阻值的相對變化量為1 %。[0016]下面對本實用新型的工作原理作進一步說明如圖3所示，當IGBT晶片1中電流增大時，因為磁敏電阻2緊貼在IGBT晶片表面， 因而對其由於電流變化而引起的磁場變化非常敏感；磁敏電阻2在IGBT晶片1電流增大時 阻值減少，而Rext阻值基本不變，因此運放正輸入端的電壓降低，當低於Vref時，運放輸出 低電平，關斷IGBT，從而起到了電流(功率)限制的目的。實施例2如圖1至圖2所示，本實用新型的一種磁敏IGBT器件，包括IGBT晶片1和磁敏電 阻3，IGBT晶片1上設有絕緣介質，絕緣介質2上設有磁敏電阻3，絕緣介質3為SiO、SiN或 SiON中的一種，絕緣介質2厚度為10000微米，磁敏電阻3為GMR或TMR或其他電阻率對磁 場敏感的物質，磁敏電阻3電阻率為10000歐姆釐米，厚度為10000微米，阻值為100000歐 姆，在IGBT電流產生磁場或外界磁場作用下，其阻值的相對變化量為99%。下面對本實用新型的工作原理作進一步說明如圖3所示，當IGBT晶片1中電流增大時，因為磁敏電阻2緊貼在IGBT晶片表面， 因而對其由於電流變化而引起的磁場變化非常敏感；磁敏電阻2在IGBT晶片1電流增大時 阻值減少，而Rext阻值基本不變，因此運放正輸入端的電壓降低，當低於Vref時，運放輸出 低電平，關斷IGBT，從而起到了電流(功率)限制的目的。
權利要求一種磁敏IGBT器件，包括IGBT晶片和磁敏電阻，其特徵在於，所述IGBT晶片上設有絕緣介質，所述絕緣介質上設有磁敏電阻。
2.根據權利要求1所述的一種磁敏IGBT器件，其特徵在於，所述絕緣介質厚度在 100-10000 微米。
3.根據權利要求1所述的一種磁敏IGBT器件，其特徵在於，所述磁敏電阻為GMR或TMR。
4.根據權利要求1或3所述的一種磁敏IGBT器件，其特徵在於，所述磁敏電阻電阻率 為1-10000歐姆釐米，厚度為10-10000微米，阻值為1-100000歐姆，在IGBT電流產生磁場 或外界磁場作用下，其阻值的相對變化量為_99%。
專利摘要本實用新型涉及一種磁敏IGBT器件，包括IGBT晶片和磁敏電阻，所述IGBT晶片上設有的絕緣介質，所述絕緣介質上設有磁敏電阻。本實用新型既可用外加磁場來控制IGBT的通斷，也可以利用IGBT導通時產生的磁場來控制IGBT的導通功率(電流)，去除了外界幹擾信號的影響及可高速驅動，不產生任何額外的電能消耗，節約了能源。當溫度變化時，此磁敏電阻的阻值也發生變化，因而也可以作為功率IGBT的溫度採樣。
文檔編號H01L27/22GK201732790SQ20102024605
公開日2011年2月2日 申請日期2010年7月1日 優先權日2010年7月1日
發明者王開 申請人:王開