雙端轉單端電路的製作方法

2023-06-07 16:56:16 2

雙端轉單端電路的製作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種雙端單轉電路，由第一NMOS管和第二NMOS管構成，所述第一NMOS管的源極連接閥值電壓VAA，漏極通過輸出電壓Vout連接第二NMOS管的源極，第二NMOS管的漏極連接輸出接口，且所述第一NMOS管和第二NMOS管的柵極分別連接差分信號VIP、VIN；所述第一NMOS管和第二NMOS管的柵極上均串聯有電容，第一NMOS管和第二NMOS管的電容與柵極之間均並聯有電阻，電阻連接參考電壓Vbias。這種雙端轉單端電路沒有電流鏡，適合高速電路，第一NMOS管和第二NMOS管的直流偏置可單獨調節，實現對輸出的佔空比，輸出的上升、下降沿時間等能夠靈活調整。
【專利說明】雙端轉單端電路【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種電路，尤其涉及一種雙端轉單端電路。
【背景技術】
[0002]已有的雙端轉單端電路一般只用差分信號VIP，差分信號VIN的輸入沒有被實用，因此一方面浪費輸入信號已有的功耗，另外，輸出信號的佔空比不是很好，輸出的佔空比在一定程度上和NMOS管的閥值電壓有關。另外也有兩種雙端轉單端電路，但是其不適合高度電路，且差分信號VIP和VIN的延遲和延遲倒相的延遲時間很難做到一致，輸出的上升、下降沿速度受到影響。

【發明內容】

[0003]本實用新型所要解決的技術問題是，提供一種適合高速電路，輸出的上升、下降沿時間能夠靈活調整的雙端轉單端電路。
[0004]為了解決上述技術問題，本實用新型是通過以下技術方案實現的:一種雙端單轉電路，由第一 NMOS管和第二 NMOS管構成，所述第一 NMOS管的源極連接閥值電壓VAA，漏極通過輸出電壓Vout連接第二 NMOS管的源極，第二 NMOS管的漏極連接輸出接口，且所述第
一NMOS管和第二 NMOS管的柵極分別連接差分信號VIP、VIN0
[0005]優選的，所述第 一 NMOS管和第二 NMOS管的柵極上均串聯有電容，第一 NMOS管和第二 NMOS管的電容與柵極之間均並聯有電阻，電阻連接參考電壓Vbias。
[0006]與現有技術相比，本實用新型的有益之處是:這種雙端轉單端電路沒有電流鏡，適合高速電路，第一 NMOS管和第二 NMOS管的直流偏置可單獨調節，實現對輸出的佔空比，輸出的上升、下降沿時間等能夠靈活調整。
[0007]【專利附圖】

【附圖說明】:
[0008]下面結合附圖對本實用新型進一步說明。
[0009]圖1是本實用新型雙端轉單轉電路實施例一結構示意圖；
[0010]圖2是本實用新型雙端轉單轉電路實施例一結構示意圖。
[0011]圖中:1、第一 NMOS管；2、第二 NMOS管；3、電容；4、電阻。
[0012]【具體實施方式】:
[0013]下面結合附圖及【具體實施方式】對本實用新型進行詳細描述:
[0014]實施了一:
[0015]圖1所示一種雙端單轉電路，由第一 NMOS管I和第二 NMOS管2構成，所述第一NMOS管I的源極連接閥值電壓VAA，漏極通過輸出電壓Vout連接第二 NMOS管2的源極，第
二NMOS管2的漏極連接輸出接口，且所述第一 NMOS管I和第二 NMOS管2的柵極分別連接差分信號VIP、VIN。
[0016]實施例二:
[0017]圖2所示一種雙端單轉電路，由第一 NMOS管I和第二 NMOS管2構成，所述第一NMOS管I的源極連接閥值電壓VAA，漏極通過輸出電壓Vout連接第二 NMOS管2的源極，第
二NMOS管2的漏極連接輸出接口，且所述第一 NMOS管I和第二 NMOS管2的柵極分別連接差分信號VIP、VIN ;所述第一 NMOS管I和第二 NMOS管2的柵極上均串聯有電容3，第一 NMOS管I和第二 NMOS管2的電容3與柵極之間均並聯有電阻4，電阻4連接參考電壓Vbias。
[0018]具體地，當差分信號VIP變大時，差分信號VIN變小，第二 NMOS管2的柵極電壓變小，導致第二 NMOS管2的電流變小，甚至沒有。這一方面減小了輸出漏電流，便於輸出電壓升高，另一方面第一 NMOS管I的電流也因此變小，導致第一 NMOS管I的柵極和源極之間的壓降減少，因此第一 NMOS管I的源級將跟隨柵極上升，而且上升的比柵極還多。第一NMOS管I的源級是輸出電壓Vout，柵極是差分信號VIP，因此輸出電壓Vout將跟隨差分信號VIP上升。如果輸出的負載是比較大的電容，輸出上升需要大的充電電流，這種情況下，第二 NMOS管2的漏電流截止，輸出充電電流由第一 NMOS管I提供。類似的是當差分信號VIP變小時，差分信號VIN變大時，第一 NMOS管I截止，第二 NMOS管2導通，對輸出的電容放電，導致輸出電壓Vout變小。
[0019]這種雙端轉單端電路沒有電流鏡，適合高速電路，第一 NMOS管I和第二 NMOS管2的直流偏置可單獨調節，實現對輸出的佔空比，輸出的上升、下降沿時間等能夠靈活調整。
[0020]需要強調的是:以上僅是本實用新型的較佳實施例而已，並非對本實用新型作任何形式上的限制，凡是依據本實用新型的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬於本實用新型技術方案的範圍內。
【權利要求】
1.一種雙端單轉電路，由第一 NMOS管(I)和第二 NMOS管(2)構成，其特徵在於:所述第一 NMOS管(I)的源極連接閥值電壓(VAA)，漏極通過輸出電壓(Vout)連接第二 NMOS管(2)的源極，第二 NMOS管(2)的漏極連接輸出接口，且所述第一 NMOS管(I)和第二 NMOS管(2)的柵極分別連接差分信號(VIP、VIN)。
2.根據權利要求1所述的雙端單轉電路，其特徵在於:所述第一NMOS管(I)和第二NMOS管(2)的柵極上均串聯有電容(3)，第一 NMOS管(I)和第二 NMOS管(2)的電容(3)與柵極之間均並聯有電阻(4)，電阻(4)連接參考電壓(Vbias)。
【文檔編號】H03K19/0175GK203406847SQ201320545538
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2013年9月4日 優先權日:2013年9月4日
【發明者】劉雄 申請人:蘇州蘇爾達信息科技有限公司