一種bt基板的懸梁式ic晶片堆疊封裝件的製作方法
2023-05-01 03:19:06
專利名稱：一種bt基板的懸梁式ic晶片堆疊封裝件的製作方法
技術領域：
本實用新型屬於電子信息自動化元器件製造技術領域，涉及一種IC晶片堆疊封裝件，尤其涉及一種BT基板的懸梁式IC晶片堆疊封裝件。
背景技術：
隨著微型化以及性能提升趨勢的不斷發展，設計人員不斷尋求在儘可能小的空間內獲得儘可能高的電氣功能和性能。在這一過程中存在的兩個關鍵限制因素通常是集成度和I/o引腳限制。晶片空間和連接限制可從兩個不同的層次來解決第一種方法是通過片芯(或稱裸片)層次的工藝尺度縮小來實現更高的集成度；第二種方法是通過堆疊多個片芯，即堆疊式封裝或堆疊式電路板來實現更高的集成度。在現有晶片製造技術的基礎上，晶片堆疊方式是利用現有技術獲得下一代存儲器密度的首選方法，並且可以實現不同類型(如數字、模擬、邏輯等)晶片間堆疊封裝，實現系統性功能。隨著晶片、晶圓和封裝水平的提高，在疊層封裝中，低外形絲焊技術(或懸梁式絲焊技術)高度限制及疊層技術構形增加的複雜性對在疊層晶片應用中的絲悍技術提出了一些特殊的挑戰。當晶片厚度減小時，不同線環形層之間的間隙相應減少。需要降低較低層的引線鍵合環形高度，以避免不同環形層之間的線短路。環形頂層也需要保持低位，以消除在模塑化合物外部暴露出焊線的現象。器件最大的環形高度，不應高於保持環形層之間最佳縫隙的晶片厚度。另外，模塑技術疊層晶片封裝中線密度和線長度的增加，使模塑疊層封裝比傳統的單晶片封裝更加困難。不同層的引線鍵合的環形，受到變化的各種牽引力的影響，可形成焊線偏差的各種改變，從而增加了焊線短路的可能性。
實用新型內容為了克服上述現有技術中存在的問題，本實用新型的目的是提供一種BT基板的懸梁式IC晶片堆疊封裝件，無翹曲無交絲短路現象，用以解決晶片尺寸大小相同的堆疊封裝及單邊焊線問題。為實現上述目的，本實用新型所採用的技術方案是一種BT基板的懸梁式IC晶片堆疊封裝件，包括基板載體，基板載體上粘貼有基板，基板上堆疊粘貼有IC晶片，基板載體背面設有基板背面焊盤，基板背面焊盤與位於基板載體正面的基板正面焊盤相連接，基板背面焊盤表面依次設有凸點和錫球，其特徵在於，基板為BT基板，IC晶片至少為三層，相鄰的兩層IC晶片沿水平方向錯位設置，且錯位距離相同，所有IC晶片的外形尺寸相同，相鄰兩層IC晶片通過鍵合線相連接，粘貼於基板上的一層IC晶片通過第三鍵合線與基板正面焊盤相連接。所述相鄰兩層IC晶片之間的錯位距離為O. 35mm 2. 5mm。本實用新型封裝件中的IC晶片錯位堆疊，形成懸梁結構，且只有粘貼於基板上的IC晶片通過鍵合線與基板焊盤相連，使得各層鍵合線的高度最大限度降低，避免了不同環形層鍵合線之間的線短路。同時使得頂層鍵合線也保持低位，消除了模塑化合物外部暴露出焊線的現象。另外，還避免了不同層的引線鍵合的環形受變化的各種牽引力的影響，減少了焊線短路的可能性。解決了晶片尺寸大小相同時的堆疊封裝及單邊焊線問題。
圖I是本實用新型堆疊封裝件中3層IC晶片堆疊封裝的結構示意圖。圖2是本實用新型堆疊封裝件中4層IC晶片堆疊封裝的結構示意圖。圖3是本實用新型堆疊封裝件中5層IC晶片堆疊封裝的結構示意圖。圖4是本實用新型堆疊封裝件中6層IC晶片堆疊封裝的結構示意圖。圖中，I.基板載體，2.第一粘片，3.第一 IC晶片，4.第二粘片，5.基板，6.第二 IC晶片，7.第三粘片，8.第三IC晶片，9.第一鍵合線，10.第二鍵合線，11.第三鍵合線，12.塑 封體，13.基板正面焊盤，14.基板背面焊盤，15.凸點，16.錫球，17.焊料，18.第四IC晶片，19.第四粘片，20.第四鍵合線，21.第五粘片，22.第五IC晶片，23.第五鍵合線，24.第六鍵合線，25.第六IC晶片，26.第六粘片。
具體實施方式
以下結合附圖和具體實施方式
對本實用新型進行詳細說明。本實用新型懸梁式IC晶片堆疊封裝件有3層懸梁式IC晶片堆疊、4層懸梁式IC晶片堆疊、5層懸梁式IC晶片堆疊、5層以上懸梁式IC晶片堆疊等幾種封裝形式。如圖I所示，本實用新型堆疊封裝件中3層IC晶片堆疊封裝的結構，包括基板載體I，基板載體I上粘貼有基板5，基板5採用BT基板；基板5上粘貼有第一 IC晶片3，第一IC晶片3通過第一粘片2與基板I粘接，第一 IC晶片3上粘貼有第二 IC晶片6，第二 IC晶片6通過第二粘片4與第一 IC晶片3粘接，第二 IC晶片6上粘貼有第三IC晶片8，第三IC晶片8通過第三粘片7與第二 IC晶片6粘接；第一 IC晶片3的外形尺寸、第二 IC晶片6的外形尺寸和第三IC晶片8的外形尺寸相同；第一 IC晶片3、第二 IC晶片6和第三IC晶片8沿水平方向錯位設置，形成臺階，該臺階的水平距離a為O. 35mm 2. 5mm ;使得堆疊IC晶片的一側為臺階結構，另一側為懸梁結構；基板5上設有基板正面焊盤13，第一 IC晶片3通過第三鍵合線11與基板正面焊盤13相連接，第二 IC晶片6通過第二鍵合線10與第一 IC晶片3相連接，第三IC晶片8通過第一鍵合線9與第二 IC晶片6相連接，所有鍵合線位於IC晶片形成的臺階結構的一側；基板載體I背面設有基板背面焊盤14，基板背面焊盤14與基板正面焊盤13相連接，基板背面焊盤14的表面設有凸點(UBM) 15，凸點15通過焊料17焊接有錫球16 ;基板I的上面封裝有塑封體12 ;基板I的上面、所有的鍵合線、所有的IC晶片、所有的粘片膠和基板正面焊盤13均封裝於塑封體12內。3層IC晶片堆疊封裝件中的第一粘片2、第一 IC晶片3、第二 IC晶片6、第二粘片4、第二鍵合線10、第三粘片7、第三IC晶片8、第一鍵合線9、第三鍵合線11、基板背面焊盤14、凸點15、錫球16、焊料17和基板5構成了電路整體。塑封體12對第一 IC晶片3、基板正面焊盤13、第二 IC晶片6、第三IC晶片8、第一鍵合線9、第二鍵合線10和第三鍵合線11起到保護和支撐作用。由基板載體I、基板正面焊盤13、第一 IC晶片3、第二 IC晶片6、第三IC晶片8、第一鍵合線9、第二鍵合線10、第三鍵合線11、基板背面焊盤14、凸點15、錫球16和焊料17構成了 3層IC晶片堆疊封裝件電路和電源的信號通道。本實用新型堆疊封裝件中的4層IC晶片堆疊封裝件，如圖2所示，其結構與圖I所示的3層IC晶片堆疊封裝的結構基本相同，兩者的區別在於第三IC晶片8上粘貼有第四IC晶片18，第四IC晶片18通過第四粘片19與第三IC晶片8粘接，第四IC晶片18通過第四鍵合線20與第三IC晶片8相連接；第四IC晶片18與第三IC晶片8錯位設置，且錯位方向和錯位距離均與其它IC晶片的錯位方向和錯位距離相同；第四IC晶片18的外形尺寸與其它IC晶片的外形尺寸相同。4層IC晶片堆疊封裝件中的第一粘片2、基板正面焊盤13、第一 IC晶片3、第二粘片4、第二 IC晶片6、第一鍵合線9、第二鍵合線10、第三粘片7、第三IC晶片8、第三鍵合線11、第四粘片19、第四IC晶片18、第四鍵合線20、基板背面焊盤14、凸點15、錫球16、焊料17和基板5構成了電路整體。4層IC晶片堆疊封裝件中的塑封體12對第一 IC晶片3、第二 IC晶片6、第三IC晶片8、第四IC晶片18、第一鍵合線9、基板正面焊盤14、第二鍵合線10、第三鍵合線11和第四鍵合線20起到了保護和支撐作用。由基板載體I、基板正面焊盤13、第一 IC晶片3、第二 IC晶片6、第三IC晶片8、第四IC晶片18、第一鍵合線9、第二鍵合線10、第三鍵合線11、第四鍵合線20基板背面焊盤14、凸點15、錫球16和焊料17構成了 4層IC晶片堆疊封裝件電路和電源的信號通道。本實用新型堆疊封裝件中的5層IC晶片堆疊封裝件，如圖3所示，其結構與圖2所示的4層IC晶片堆疊封裝的結構基本相同，兩者的區別在於第四IC晶片18上粘貼有第五IC晶片22，第五IC晶片22通過第五粘片21與第四IC晶片18粘接，第五IC晶片22通過第五鍵合線23與第四IC晶片18相連接；第五IC晶片22與第四IC晶片18錯位設置，且錯位方向和錯位距離均與其它IC晶片的錯位方向和錯位距離相同；第五IC晶片22的外形尺寸與其它IC晶片的外形尺寸相同。5層IC晶片堆疊封裝件中的第一粘片2、第一 IC晶片3、基板正面焊盤13、第二粘片4、第二 IC晶片6、第二鍵合線10、第三粘片7、第三IC晶片8、第三鍵合線11、第四粘片19、第四IC晶片18、第四鍵合線20、第五粘片21、第五IC晶片22、第五鍵合線23、第一鍵合線9、基板背面焊盤14、凸點15、錫球16、焊料17和基板5構成了電路整體。5層IC晶片堆疊封裝件中的塑封體12對第一 IC晶片3、第二 IC晶片6、第三IC晶片8、第四IC晶片18、第五IC晶片22、第一鍵合線9、第二鍵合線10、第三鍵合線11、第四鍵合線20、第五鍵合線23和基板正面焊盤13，起到了保護和支撐作用。由基板載體I、基板正面焊盤13、第一 IC晶片3、第二 IC晶片6、第三IC晶片8、第四IC晶片18、第五IC晶片22、第一鍵合線9、第二鍵合線10、第三鍵合線11、第四鍵合線20、第五鍵合線23、基板背面焊盤14、凸點15、焊料17和錫球16構成了 5層IC晶片堆疊封裝件電路和電源的信號通道。如圖4所示，本實用新型堆疊封裝件中的6層IC晶片堆疊封裝件，其結構與圖3所示的5層IC晶片堆疊封裝的結構基本相同，兩者的區別在於第五IC晶片22上粘貼有第六IC晶片25，第六IC晶片25通過第六粘片26與第五IC晶片22相粘接，第六IC晶片25通過第六鍵合線24與第五IC晶片22相連接，第六IC晶片25與第五IC晶片22錯位設置，且錯位方向和錯位距離均與其它IC晶片的錯位方向和錯位距離相同；第六IC晶片25的外形尺寸與其它IC晶片的外形尺寸相同。6層IC晶片堆疊封裝件中的第一粘片2、第一 IC晶片3、基板正面焊盤13、第二粘片4、第二 IC晶片6、第二鍵合線10、第三粘片7、第三IC晶片8、第三鍵合線11、第四粘片19、第四IC晶片18、第四鍵合線20、第五粘片21、第五IC晶片22、第五鍵合線23、第六粘片26、第六IC晶片25、第六鍵合線24、第一鍵合線9、基板背面焊盤14、凸點15、焊料17、錫球16和基板5構成了電路整體。6層IC晶片堆疊封裝件中的塑封體12對第一 IC晶片3、第二 IC晶片6、第三IC晶片8、第四IC晶片18、第五IC晶片22、第六IC晶片25、第一鍵合線9、第二鍵合線10、第三鍵合線11、第四鍵合線20、第五鍵合線23、第六鍵合線25、基板正面焊盤13等起到了保護和支撐作用。由基板載體I、基板正面焊盤13、第一 IC晶片3、第二 IC晶片6、第三IC晶片8、第四IC晶片18、第五IC晶片22、第六IC晶片25、第一鍵合線9、第二鍵合線10、第三鍵合線11、第四鍵合線20、第五鍵合線23、第六鍵合線25、基板背面焊盤14、凸點15、焊料17和錫球16構成了 6層IC晶片堆疊封裝電路和電源的信號通道。第一粘片2採用絕緣膠。第二粘片4、第三粘片7、第四粘片19、第五粘片21和第六粘片26採用絕緣膠或膠膜片。使用時，第二粘片4、第三粘片7、第四粘片19、第五粘片21和第六粘片26同時採用絕緣膠；或者第二粘片4、第三粘片7、第四粘片19、第五粘片21和第六粘片26同時採用膠膜片。本實用新型懸梁式IC晶片堆疊封裝件的工藝流程如下I) 3層懸梁式IC晶片堆疊封裝減薄一划片一第一次上芯一第二次上芯一第二次上芯及烘烤一等尚子清洗一壓焊一塑封及後固化一植球及回流焊一清洗一列印一切割分離一測試一檢驗一包裝一入庫。2) 4層懸梁式IC晶片堆疊封裝減薄一划片一第一次上芯一第二次上芯一第二次上芯一第四次上芯及烘烤一等離子清洗一壓焊一塑封及後固化一植球及回流焊一清洗一列印一切割分離一測試一檢驗一包裝一入庫。3) 5層懸梁式IC晶片堆疊封裝減薄一划片一第一次上芯一第二次上芯一第二次上芯一四次上芯一第五次上芯及烘烤一等離子清洗一壓焊一塑封及後固化一植球及回流焊一清洗一列印一切割分離一測試一檢驗一包裝一入庫。4) 6層懸梁式IC晶片堆疊封裝減薄一划片一第一次上芯一第二次上芯一第二次上芯一第四次上芯一第五次上芯一第六次上芯及烘烤一等離子清洗一壓焊一塑封及後固化一植球及回流焊一清洗一列印一切割分尚一測試一檢驗一包裝一A庫。六層以上懸梁式IC晶片堆疊封裝時，每增加一層IC晶片就增加一次上芯工序，並在最後一次上芯後進行烘烤，其餘工序按6層懸梁式IC晶片堆疊封裝流程進行。本實用新型懸梁式IC晶片堆疊封裝件的生產方法步驟I :晶圓減薄採用具備精磨、拋光功能的8吋及其以上的超薄晶片減薄機進行晶圓減薄，得到最終厚度為90 IlOMm的用於3層堆疊封裝的晶圓和最終厚度為50 75Mm的用於4層、5層堆疊封裝的晶圓；採用具有腐蝕拋光功能的減薄機減薄晶圓，得到背面為鏡面拋光效果的最終厚度為35 50Mm的用於5層以上封裝的晶圓；晶圓減薄過程中，晶圓的粗磨範圍從原始晶圓厚度+膠膜厚度到晶圓最終厚度+65Mm+膠膜厚度，粗磨速度3層堆疊封裝為50 120Mm/min, 3層以上堆疊封裝為40 100Mm/min ;細磨範圍從晶圓最終厚度+65Mm+膠膜厚度到晶圓最終厚度+膠膜厚度+5Mm，細磨速度為11 14Mm/min ;拋光範圍從晶圓最終厚度+膠膜厚度+5Mm到晶圓最終厚度+膠膜厚度，拋光速度為O. 025 O. 035Mm/s。晶圓減薄技術在疊層式晶片封裝技術方面至關重要，因為它降低了封裝貼裝高度，晶片疊加而不增加疊層式晶片系統的總高 度。由於本封裝件是多層懸梁式晶片堆疊封裝，晶片厚度要求在35ΜΠ1 llOMffl，屬於超薄晶片減薄，而且晶圓尺寸為8英寸及其以上，以12英寸為主。因此，減薄工藝的挑戰性很強，工藝難度較大，特別是12英寸晶圓，75Mm薄如紙，對設備和工藝要求較高。一般選擇具備精磨、拋光功能的8吋及其以上的超薄晶片減薄機如PRG300R，全自動貼膜揭膜機如DR3000 III等，細磨、拋光厚度比平常增加了 15Mm，目的是為了減少研磨損傷層；步驟2 :劃片對步驟I減薄的晶圓進行劃片，得到IC晶片；劃片過程中採用防碎片軟體控制進刀速度< 5 8mm/mi η ；超薄型晶圓劃片主要是要能夠預防裂紋和碎片，採用A-WD-300TXB或DAD3350劃片機。步驟3:上芯在基板5上通過絕緣膠粘貼一個IC晶片，然後根據需要堆疊的層數，在該IC晶片上採用絕緣膠或膠膜片依次堆疊粘貼相應數量的IC晶片，所有IC晶片的外形尺寸相同，在第一個IC晶片上堆疊的所有IC晶片均向同一方向錯位設置，相鄰兩個IC晶片之間的錯位距離相同，該錯位距離為O. 35 2. 5mm ;全部上芯後烘烤3小時，其烘烤設備和工藝同普通BGA上芯後烘烤，但工藝根據粘片材料和堆疊層數進行調整，即採用絕緣膠作為粘貼材料時，烘烤溫度是175°C ;採用膠膜片作為粘貼材料時，烤溫度是150°C ；由於是堆疊封裝，採用絕緣膠和膠膜片兩種材料，因此需要粘片膠和膠膜片兩種材料的粘片機。懸梁式晶片堆疊封裝上芯的特點是多層晶片分別上芯，一次烘烤，並且下層晶片表面留出O. 35mm 2. 5mm (即a尺寸),上層晶片右端懸空O. 35mm 2. 5mm (即a尺寸)。一般第一層使用絕緣膠粘片，第二層及其以上使用絕緣膠或膠膜片粘片，採用絕緣件粘貼時，相鄰兩層IC晶片之間所用絕緣膠的量保證覆蓋兩層IC晶片之間接觸的部位膠層厚度均勻，不向外溢出(一旦溢出既影響焊線，又造成晶片背面和基板汙染，致使塑封料與粘片膠結合不好容易產生離層)。烘烤時所用的烘烤設備和工藝同普通BGA上芯後烘烤，但工藝根據粘片材料和堆疊層數進行調整。步驟4:等離子清洗採用BT基板單晶片封裝清洗設備及工藝進行等離子清洗；步驟5 :壓焊用具備IOOMffl以下的低弧度鍵合機，用金絲或銅絲，從最高層IC晶片開始打線，先壓最上層IC晶片焊盤到次上層IC晶片焊盤間焊線，接著在次上層IC晶片的焊點上疊球拱絲拉弧在該晶片相鄰的下層晶片焊盤上打線，依次類推，最後從最下層IC晶片焊線上疊球拱絲拉弧到基板焊盤上的焊線，焊線基本上採用BGA弧(高低弧)；形成多層鍵合線，最上層鍵合線的弧高為80Mm lOOMm，其餘每層鍵合線的弧高為70Mm 90Mm，避免線與線之間交線短路或焊點脫落；或者，用具備IOOMffl以下的低弧度鍵合機，用金絲或銅絲，從最下層IC晶片開始打線，先壓最低層IC晶片焊盤到BT基板焊盤上的焊線，接著在最下層IC晶片焊點上疊球，拱絲拉弧在與最下層IC晶片相鄰的第二層IC晶片焊盤上打一球，然後在其上疊球拱絲拉弧下壓在與第二層IC晶片相鄰的第三層IC晶片焊盤上打一球，依次類推，最後的焊點落在最上層IC晶片的焊盤上；焊線基本上採用BGA弧(高低弧);形成多層鍵合線，最上層鍵合線的弧高為80Mm lOOMm，其餘每層鍵合線的弧高為70Mm 90Mm，避免線與線之間交線短路或焊點脫落；步驟6 塑封及後固化使用全自動包封系統，採用低應力(膨脹係數al < 1)、低吸水率(吸水率<0. 25%)的環保型材料，應用本申請的申請人開發的多段注塑模型軟體(軟體登記號0276826)控制，調整優化工藝進行塑封及後固化；塑封工藝參數模溫165°C 185°C，合模壓力85kgf/cm2 125kgf/cm2,注塑壓力38kgf/cm2 46kgf/cm2,塑封需滿足衝線率< 5%、無離層、翅曲度< O. I的要求，後固化設備和工藝普通BT基板單晶片封裝；步驟7:植球及回流焊在基板載體I的背面植球，植球流程為回流焊爐爐溫檢測一植球一植球及檢查一回流焊一水清洗一錫球推力檢測一離子及深度測試一轉序。具體是採用AuSOO植球機、WF-6400助焊劑和直徑Φ35πιπι的Μ705錫球，先在基板背面焊盤14上印刷助焊劑，在基板背面焊盤14上形成焊料17，將Μ705錫球對準放置在焊料17上，成為錫球16 ;在整條基板背面焊盤14上植完錫球16後，先自動檢測記錄，然後送到收料夾；採用上述同樣方法，植完本批全部錫球16後，送至回流焊的上料機，該上料機依次將植完球的半成品基板放置於回流焊的傳遞帶，送入PrRMAXlOON回流焊爐，按設定的溫度曲線預先調好溫度(8溫區，120°C 255°C，每20°C —個溫區，4、5區為180°C)，設定進行時間(回流焊爐長4. 5 4. 6m，傳送帶速度O. 71 O. 84 m/min),持續通入一定流量和壓力的氮氣(氮氣壓力O. 14Mpa O. 16 Mpa,氮氣流量260 280L/min)，進行回流焊，利用錫球16在高溫下的自動復位效應，使錫球16、焊料17和基板背面焊盤14緊密結合在一起，滿足錫球的剪切力要求；持續通入氮氣保護防止氧化，保證良好的可靠性。植球及回流焊是基板封裝區別於框架(LF)封裝的主要特徵及其主要工序。其質量的好壞不僅決定了產品的最終成品率，而且對產品的可靠性和整機裝配的可靠性起到主要作用。因而在植球時需進行來料檢驗及控制，植球夾具清洗檢查，回流焊爐溫度曲線固定及檢測，錫球推力檢測，水清洗溫度、電阻率檢測，離子汙染度檢測等。植球工藝參數如下撿助焊劑動作Z 軸下降速度145 155mm/s ；Z軸下降後與助焊劑保持接觸時間70 90ms ；助焊劑放置動作[0066]Z軸下降後與基板保持接觸時間145 155ms ；啟程O. 35 O. 45mm;Z軸與基板分離時間380 420ms植球Z軸下降速度145 155mm/s撿球動作Z軸下降時間 90 IlOms ； Z軸下降後檢球時間280 320ms ；真空開啟延時時間45 55 ms ; 真空持續時間 380 420ms ；真空破壞延時開啟時間90 IlOms ;真空破壞持續時間180 220ms ；鋪球振蕩開啟延時90 IlOms ; 鋪球振蕩持續時間280 320ms ;錫球放置動作Z軸下降時間90 IlOms ； Z軸與基板接觸時間480 520ms ；Z軸放置錫球振蕩開啟延時時間90 IlOms O ；Z軸放置錫球振蕩持續時間 90 IlOms真空破壞延時開啟時間90 IlOms ;真空破壞持續時間80 120ms ；Z軸與基板分離距離(mm) :0. O ;軸與基板分離所用時間(ms) 0 ；振蕩延時開啟時間145 155ms ;振蕩延時持續時間80 120ms ；植球完成後使用BL-370水清洗機進行清洗，清洗時傳送帶速度為O. 45 ±O. 05m/min，三槽清洗液溫度為45±5°C，清洗水壓為3. Ikg 3. 5kg，風乾溫度為60°C ；步驟8:列印採用基板專用的列印夾具，使錫球不受擦傷，其使用的設備和工藝同普通基板單晶片封裝產品列印；步驟9:切割分離採用專用基板切割夾具和DAD3350切割系統，控制切割槽寬、槽深、進刀尺寸，防止裂片；步驟10 :測試、檢測、包裝、入庫同普通BGA測試、檢驗、包裝、入庫，製得BT基板的懸梁式IC晶片堆疊封裝件。本封裝件是晶片多層堆疊封裝，是在BT基板上實現多層懸梁式IC晶片堆疊封裝。其特點是所有IC晶片的大小相同，並且上層晶片向右移動，使下層晶片表面留出O. 35 2. 5mm的距離，使得上層晶片右端懸空O. 35 2. 5mm，堆疊的IC晶片呈懸梁式結構。通過膠量控制術控制點膠量不影響下層打線和防止膠溢出，並且採用多次上芯、一次烘烤和一次焊線。上層晶片採用絕緣膠和膠膜片兩種方式粘片，打線方式是下層晶片焊線堆疊在上層焊點上面或上層焊點堆疊在下層焊點上，只有第一層晶片的焊盤直接和基板上的焊線相連，採用懸梁式絲焊技術。塑封採用QFN防翹曲模型軟體和多段注塑模型軟體控制塑封工藝過程，調整優化塑封工藝參數，實現多層懸梁式IC晶片堆疊無翹曲無交絲短路封裝，解決了尺寸大小相同晶片的堆疊封裝及單邊焊線問題。
權利要求1.一種BT基板的懸梁式IC晶片堆疊封裝件，包括基板載體(1)，基板載體(I)上粘貼有基板(5 )，基板(5 )上堆疊粘貼有IC晶片，至少三層IC晶片，基板載體(I)背面設有基板背面焊盤(14)，基板背面焊盤(14)與位於基板載體(I)正面的基板正面焊盤(13)相連接，基板背面焊盤(14)表面依次設有凸點(15)、焊料(17)和錫球(16)，其特徵在於，所述的基板(5)為BT基板，所述的IC晶片至少為三層，相鄰的兩層IC晶片沿水平方向錯位設置，且錯位距離相同，所有IC晶片的外形尺寸相同，相鄰兩層IC晶片通過鍵合線相連接，粘貼於基板(5)上的一層IC晶片通過第三鍵合線(11)與基板正面焊盤(13)相連接。
2.如權利要求I所述的懸梁式IC晶片堆疊封裝件，其特徵在於，所述的相鄰兩層IC晶片之間的錯位距離為O. 35mm 2. 5mm。
專利摘要本實用新型公開了一種BT基板的懸梁式IC晶片堆疊封裝件，包括粘貼有BT基板的基板載體，基板上堆疊粘貼有至少三層外形尺寸相同的IC晶片，基板載體背面設有基板背面焊盤，基板背面焊盤與基板正面焊盤相連，基板背面焊盤表面依次設有凸點、焊料和錫球，相鄰兩層IC晶片沿水平方向錯位設置，且錯位距離相同，並通過鍵合線相連接，基板上的一層IC晶片通過鍵合線與基板正面焊盤相連。本封裝件最大限度降低了各層鍵合線的高度，避免了不同環形層鍵合線之間的線短路。
文檔編號H01L25/00GK202549832SQ201220141808
公開日2012年11月21日 申請日期2012年4月6日 優先權日2012年4月6日
發明者慕蔚, 朱文輝, 李習周, 郭小偉 申請人:華天科技(西安)有限公司, 天水華天科技股份有限公司