裝置的製作方法

2023-04-24 17:09:06 4

專利名稱：裝置的製作方法
裝置本發明涉及一種能無序激射的裝置，該裝置的製造方法及具有該裝置的雷射器，該裝置包括稀土摻雜玻璃波導。依靠隨機散射介質中的多散射過程實現光反饋的雷射器被認為是無序雷射器。它們與常規的依靠反射器或鏡的諧振式光反饋不同。無序激射已經成為固態物理和雷射物理領域的研究者們非常感興趣的課題。起初實驗被設計用以證明無序激射的原理，而非確定對應用而言有效的雷射源。使用摻雜釹晶體的細粉末創建了無序的放大介質，並在液氮溫度下展示了無序激射(Markushev,V.M.,Zolin, V.F.&Briskina, Ch, M.Powder laser.Zh.Prikl.Spektrosk.45,847-850(1986))。在帶有分散的散射體的液態染料增益介質中展示了激射(Martorell, J., Balachandran,R.M.&Lawandy,N.M.Radiative coupling between photonic paint layers.0pt.Lett.21,239-241(1996)).在這些實驗中，在某特定閾值以上時觀察到發射光譜的顯著窄化，這歸因於在無序的散射介質中的受激發射導致能夠使用Letokhov模型(Letokhov’s model)描述的「放大，，(Letokhov, V.S.Generation of light by a scattering medium with negativeresonance absorption.Zh.Eksp.Teor.Fiz.53,1442-1447(1967) ；Sov.Phys.JETP 26,835-840(1968))。將會在光能夠是局部的無序散射介質中出現的雷射器的離散模式由Cao及其同事首次發現(Cao, H.et al.Random laser action in semiconductor powder.Phys.Rev.Lett.82,2278-2281 (1999))。在厚度範圍為6-10 u m的ZnO納米粉的膜中實現了強散射和高增益，且發現當使用鎖模Nd: YAG雷射器泵時相干激射具有角度相關性。激射閾值為763kW/cm2。已提議蝕刻玻璃或半導體晶體能夠產生無序激射的非常強的散射介質(Schuurmans, F.J.P., Vanmaekelbergh, D., van de Lagemaat, J.&Lagendijk, A.Stronglyphotonic macroporous GaP networks.Science 284,141-143(1999)and D.S.Wiersmaand S.Cavalieri, 「Light emission:A temperature-tunable random laser，，Nature414(6865) ,708-709(2001)) o已被用於展示無序激射的介質通常是3維的且需要非常高的泵閾值來啟動激射。介質大多複雜、不能攜帶、不穩定，且分散體的分布是不可複製的。模式難以保存。已存在理論研究無序雷射器2D結構的興趣(Apallkov，V.M.，Raikh，M.E.&Shapiro, B.Random resonators and prelocalized modes in disordereddielectricf i lms.Phys.Rev.Lett.89，016802 (2002)) 採用摻雜Tm3+離子的玻璃粉膜的無序雷射器的使用聲稱已經實現了每平方釐米幾個千瓦的閾值(H.Fujiwara, and K.Sasaki,「Observation of upconversion lasing within a thulium-1on-doped glass powderfilm containing titanium dioxide particles，，Jpn.J.Appl.Phys.43 (N0.10B), L1337-L1339(2004))。使用無序雷射器作為相干源的實際應用因為它們高的閾值、低的可靠性以及製造的難度而受到限制。US-A-3573653, US-A-3579142，US-A-3787234，US-A-6574249 以及 US-A-3747021披露了電或光泵的薄膜雷射器。US-A-5306385披露了位於娃基底上的光致發光晶體摻雜CaF2薄膜。US-A-5788319披露了包括有位 於矽基底上的有機摻雜矽玻璃薄膜的可調諧染料雷射器。US-A-6656588披露了顯示激射的薄膜形式的摻雜納米晶體金屬氧化物粉的製備方法。本發明基於這樣的認知，即通過將電磁輻射限制在非3維摻雜玻璃結構中可能實現無序激射的改善。具體地，本發明涉及一種能無序激射的裝置，其採用特定稀土摻雜的玻璃波導。本發明一個方面提供一種能無序激射的裝置，其包括:一基底；一稀土摻雜玻璃，以波導形式製造在基底上，其中，玻璃包括鍺玻璃，鈦玻璃或硫系玻璃。本發明的裝置堅固耐用、可複製，且非常有利地不要求布拉格或常規的鏡子，使得它可以直接與其它基於半導體和聚合物的發光裝置集成。它顯示了優良的模式穩定性且在出乎意料寬的波長範圍內可調諧。裝置可以是可光泵的。裝置也可以是可電泵的。通常，裝置為光泵的。當裝置為光泵的，裝置可以在泵雷射器的特定輸出功率下開始發射雷射。使裝置發射雷射所需要的泵雷射器的最小功率可以稱為閾值泵浦功率。這還可以被簡單地稱為「閾值」。閾值還可以表示成裝置上單位面積的泵雷射光束入射區域的閾值泵浦功率(例如瓦/mm2)。這還可以稱為閾值功率密度。例如具有37mW的閾值泵雷射器功率和約1.45_2泵雷射器入射區域的光束，閾值泵浦功率密度為約26mW/mm2。裝置可以是能在ImW或更小的閾值下無序激射，從而從小於2_2的區域產生相干輸出。這等同於0.5mff/mm2的閾值功率密度。

裝置的閾值功率密度可以小於200mW/mm2。優選地，裝置的閾值功率密度小於100mff/mm2,特別優選地，小於50mW/mm2,更優選地,小於26mW/mm2。裝置的閾值可以小於lmW。優選地，裝置的閾值小於500ii W，特別優選地，小於300 u W，更優選地，小於200 u W，還更優選地，小於100 u W，甚至更優選地，小於50 u W。來自裝置的雷射發射波長可以與泵雷射器光束的入射角度相關。來自裝置的雷射發射波長可以是可調諧的。可以通過改變泵雷射器光束的入射角度來調諧來自裝置的雷射發射波長。來自裝置的雷射發射波長可以在1510nm至1620nm的範圍內可調諧。裝置的閾值泵浦功率可以與泵雷射器光束的入射角度相關。可以通過改變泵雷射器光束的入射角度來調諧裝置的閾值泵浦功率。隨著泵雷射的入射角度在39°和51°之間變化，裝置的閾值可以在300UW至20 ii W之間的範圍內變化。降低閾值或閾值功率密度降低了裝置的熱負荷。降低的熱負荷使得裝置更加實用，因為對熱耗散的需要降低了。特定地，玻璃是非晶的。典型地，玻璃基本上沒有晶界。優選地，玻璃能夠多散射。玻璃通常為電介質。優選地，玻璃為多孔的，特別優選納米多孔的。納米多孔的玻璃促進多散射並使波導的製造容易。優選地，玻璃為硫系玻璃。特別優選地，硫系玻璃包括硫、硒、碲或它們的混合物。
優選地，玻璃為鍺玻璃或碲玻璃，特別優選碲玻璃。玻璃可以包括(或主要包括)氧化鍺(GeO2)。GeO2可以在稀土摻雜玻璃中以超過30mol %的量存在，優選地，60_90mol %範圍內的量，特別優選地，75-85mol %。玻璃可以包括(或主要包括)氧化碲(TeO2)。TeO2還被稱為碲酸鹽。TeO2可以在稀土摻雜玻璃中以超過30mol %的量存在，優選地，在60_90mol %範圍內的量，特別優選地，75-85mol %。玻璃可進一步包括一種或更多網絡改性劑。玻璃可以包括四種網絡改性劑，優選地，三種網絡改性劑，特別優選二種網絡改性劑。網絡改性劑可以打開玻璃的網絡。網絡改性劑可以為網絡改性離子。網絡改性劑可以為金屬化合物。金屬化合物可以提供網絡改性離子。網絡改性劑可以為金屬氟化物或氧化物。每種網絡改性劑可以以30mo I %或以下的量存在，優選地，20mo I %或以下，特別優選地，IOmo I %或以下。每種網絡改性劑可以以達到3011101%的量存在,優選地,達到2011101%,特別優選達到IOmol%。網絡改性劑可以為Ba，Bi，Pb，Zn，Al，Ga，La，Nb，Wo, Ta，Zr, Ti，V 中的至少一種的氧化物或它們的混合物。優選地，網絡改性劑選自BaO, Bi2O3, PbO2, ZnO, Ga2O3, Al2O3, La2O3, Nb2O5, WO3, Ta2O5,ZrO2, TiO2, V2O5及它們的混合物。網絡改性劑可以以30mol%或以下的量存在，優選地，20mol%或以下，特別優選 IOmol%或以下。優選地，玻璃可以進一步包括MgO，CaO, SrO, BaO, ZnO, PbO中的一種或更多及它們的混合物。MgO，CaO，SrO，BaO，ZnO，PbO中的一種或更多及它們的混合物的可以以30mol%或以下的量存在，優選地，20mOl%或以下，特別優選IOmol %或以下。這些金屬氧化物也可以是網絡改性劑。優選地，玻璃進一步包括一種或更多鹼金屬氧化物。特別優選地，玻璃進一步包括Li2O, Na2O和K2O中的一種或更多及它們的混合物。Li2O, Na2O和K2O中的一種或更多及它們的混合物可以以25mol %或以下的量存在，優選地，20mol %或以下，特別優選地，IOmol %或以下。例如，鹼金屬氧化物可以以約9mol%的量存在。鹼金屬氧化物可以是網絡改性劑。優選地，玻璃進一步包括一種或更多金屬滷化物，特別優選地，鹼金屬滷化物。金屬滷化物可以是網絡改性劑。一種或更多金屬滷化物可以選自 BaCl2, PbCl2, PbF3, LaF3, ZnF2, BaF2, NaCl，NaF,LiF及它們的混合物。一種或更多金屬滷化物可以以20mol%或以下的量存在。玻璃可以進一步包括鹼金屬或鹼土金屬磷酸鹽。玻璃可以進一步包括包含磷和硼的增強化合物。增強化合物可以為磷或硼的氧化物。優選地，增強化合物包括P2O5, B2O3或它們的混合物。增強化合物可以增強玻璃的折射率。增強化合物可以引起無規光散射。 玻璃可以摻雜有鑭系元素。玻璃可以摻雜有鑭系元素氧化物。玻璃可以摻雜有鉺、鐿、釹、鐠、欽、鋪、乾、衫、銪、禮、鋪、鏑或鑥中的至少一種。玻璃可以摻雜有一種或更多鑭系元素離子。優選地，玻璃摻雜有選自Nd3+，Yb3+，Er3+，Tm3+，Pr3+，Ho3+，Sm3+，Eu3+，Tb3+ 及 Ce3+ 中的一種或更多種離子。
優選地，玻璃摻雜有Tm3+或Er3+，特別優選Er3+。稀土摻雜劑通常以0.01到5mol%的範圍的量存在，優選0.5到2mol% (例如約Imol % )。裝置能無序激射的波長是可選擇的。通過選擇具體的稀土摻雜劑或稀土摻雜劑的混合物可以選擇波長。通過選擇具體的稀土摻雜劑或稀土摻雜劑的混合物和使用合適的激發/泵機制，裝置能無序激射的波長可以在600nm到5000nm的範圍選擇。玻璃可以具有在1450至1650nm(例如約1550nm)範圍內的發射峰。玻璃在波長1535nm下可以具有大於I X IO-21Cm2的發射截面。玻璃顯示的光譜半峰全寬通常為50nm或以上。玻璃可以為高折射率玻璃。玻璃，當為膜形式時，可以具有1.5或以上的有效折射率。770nm的厚度和633nm波長下的有效折射率通常為約1.55。波導可以為光纖波導、條波導、平面波導或平板波導。優選的是平面波導。特別地，波導為薄膜形式。薄膜厚度可以小於10，OOOnm (10 U m)，優選小於5，OOOnm(5 ii m),進一步優選小 於IOOOnm,更進一步優選小於500nm。優選地,薄膜的厚度範圍為115到Illxm0基底可以為矽基基底。基底可以為高分子基底。基底可以包括聚合物。基底可以包括電致發光裝置。基底可以包括光致發光裝置。優選地，基底為矽基基底。矽基基底可以是或者包括矽，矽玻璃，氧化矽或氫化矽。娃基基底可以為半導體。矽基基底在633nm下的有效折射率可以為約1.455。藉助電或光激發，裝置能無序激射。裝置受980nm連續波雷射二極體光激發，在低於50 y W的閾值下能無序激射。裝置可以是能在UV、可見、近紅外或中紅外光譜的波長下無序激射。可以通過在矽基基底的存在下用來自超快雷射器的入射輻射燒蝕靶玻璃獲得裝置。獨立的專利性的意義的是:在特定激發參數下，本發明的裝置可能實現不同的激射波長的認知。本發明另一方面提供一種雷射器組件，其包括:以上定義的裝置；位於裝置下遊且能夠激發裝置至雷射輸出的激振器。激振器可以為聚焦激振器。出乎意料地，通過簡單地改變激振器和裝置的相對位置，實現了組件在跨越整個自發發射線寬度(例如對鉺為1512.75到1612.15nm)的不同波長下的激射優選地，雷射器組件為可調諧雷射器組件。可調諧雷射器組件可以在達到IOOnm的範圍可調諧。優選地，雷射器組件進一步包括上遊的探測器，能夠測量裝置的雷射輸出。優選地，雷射器組件進一步包括上遊的收集器，能夠收集裝置的雷射輸出。優選地，激振器和裝置的角度位置可調節。這允許充分利用雷射器組件的可調性。優選地，激振器為電磁輻射源。例如，激振器可以為二極體雷射器或發光二極體(LED或SLED)。激振器可以為半導體雷射器。例如，激振器可以為垂直腔面發射雷射器(VCSEL)。激振器可以為連續波雷射器。激振器可以為泵雷射器。泵雷射器可以具有980nm的輸出波長。本發明又一方面提供上述定義的裝置的製造方法，其包括:在基底存在下，用來自超快雷射器的入射輻射燒蝕靶玻璃，藉此在基底上沉積一些靶玻璃。基底可以為矽基基底。基底可以為高分子基底。基底可以包括聚合物。基底可以包括電致發光裝置。基底可以包括光致發光裝置。優選地，基底為矽基基底。矽基基底可以是或包括矽，矽玻璃，氧化矽或氫化矽。矽基基底可以為半導體。優選地，靶玻璃被安裝在轉動的平臺上。基底可以與靶玻璃相距有間隔(例如約70mm的距離)。基底可以被加熱(例如至600°C或更高的溫度)。入射輻射可以以40到80° (例如約60° )範圍內的角度入射到靶玻璃上。超快雷射器可以為脈衝雷射器。優選地，超快雷射器能夠發射使靶玻璃燒蝕的超短脈衝。超快雷射器可以為飛秒或皮秒雷射器。優選地，超快雷射器為飛秒雷射器。在本發明的方法中，超快雷射器可以發射15ps或更小的脈衝(例如範圍為5fs到15ps的脈衝)。優選地，在本發明的方法中，超快雷射器發射150fs或更小的脈衝，優選地，範圍50到150fs，特別優選約lOOfs。脈衝可以以IHz到IOOMHz範圍內的重複頻率發射，優選地，IkHz到20MHz，進一步優選地，IkHz到1MHz，更進一步優選地，IkHz到200KHz。超快雷射器可以為模鎖式。超快雷射器的平均功率可以為80W或以下。特定地，波長為約800nm。超快雷射器可以(例如)為鈦寶石雷射器，二極體泵雷射器例如Yb-摻雜或Cr-摻雜晶體雷射器或纖維雷射器。雷射器可以為激元雷射器或激態絡合物雷射器。特定地，脈衝能量在I U J到IOOmJ範圍內，優選10 μ J到100mJ (例如50到300 μJ範圍)。可以使用衰減器來選擇性調節脈衝能量。通常在真空室內實施方法。可以在減壓下(例如在分壓為約70mTorr的氧氣的存在下)實施方法。方法持續的時間可以為30分鐘或以上。根據本發明的裝置可以使用於通信、計算機或顯示技術和雷射器組件。根據本發明的裝置可以使用於集成光學(例如作為信號源)，化學感測，環境感測，生物傳感，微納米光譜，光學通信，微流體裝置，光流裝置，太赫茲放大器，晶片實驗室或光學層析。將僅結合附圖通過實施例對本發明的實施方式進行詳細的描述，其中:

圖1顯示了使用根據本發明的一個實施方式的裝置中的薄膜的UV-VIS-NIR波長區域記錄的光透過率光譜(垂直入射)；圖2a顯示了放大倍數為20x的圖1膜的光學顯微圖像；圖2b顯示了放大倍數為50x的圖1膜的光學顯微圖像；圖2c顯示了放大倍數為50x的圖1膜的內側面的的光學顯微圖像；圖3顯示了膜的螢光光譜與玻璃靶的螢光光譜的對比；圖4顯示了提供鉺雷射機制的鉺離子的光子的吸收和發射；
圖5a顯示了膜在通過順時針轉動膜來改變泵雷射器的入射線角度帶來的不同收集角度e時的螢光是如何監測的；圖5b顯示了圖5a限定的不同角度位置時獲得的輸出光譜；圖6a顯示了對應39° (誤差±0.5° )的角度時觀察到的最長波長光譜；圖6b顯示了在遠低於1534nm、吸收截面比發射截面大的波長下也觀察到了激射；圖6c顯示了波長低至1515nm時觀察到的激射；圖7顯示了在兩個不同泵功率下的雷射器的光譜；圖8顯示了集成輸出強度對入射泵功率；圖9顯不了一個玻璃膜樣品的表面的部分的AFM圖像；圖10顯示了玻璃膜樣品的雷射發射輸出；圖11顯示了隨不同角度0而變化的閾值功率。 實施例通過脈衝雷射沉積在矽玻璃基底上製造摻雜鉺離子的納米多孔碲玻璃膜以相對摩爾組成80mol% TeO2, IOmol % ZnO和IOmol % Na2O,通過批量熔煉和淬火TeO2, ZnO和Na2O製備靶標碲酸鹽玻璃。玻璃摻雜有Imol %氧化鉺。獲得的靶標碲酸鹽玻璃的組成為:80mol% TeO2, IOmol % Zn0,9mol% Na2O以及Imol %氧化鉺。碲酸鹽玻璃具有提供強散射的非常高的折射率(在633nm下> 2)。在室內距離靶標碲酸鹽玻璃上方70mm處放置矽玻璃基底。室被抽至低於KT6Torr，氧氣氣氛維持在壓力為70mTorr。基底加熱器溫度設定在700°C並且在沉積過程中保持在該溫度。使用飛秒雷射器，通過燒蝕方法製備了玻璃薄膜。具有脈衝持續時間為IOOfs的雷射器以60°的入射角度聚焦在靶標碲酸鹽玻璃上。具有重複頻率為500Hz的雷射器的能量為52ii J。實施3小時的雷射燒蝕。以40rpm的速度轉動靶標並在基底速度為20rpm時施加適當的光柵化以使目標均勻地燒蝕。在沉積後，快速將基底冷卻至室溫。採取實證方法來最優化工藝參數從而最大化膜質量。即使靶標上的雷射點相對於基底的相對位置在燒蝕過程中是不變，這也是成功的。歸因於雷射等離子體的密度分布，存在著厚度的調製作用。性能採用不同方法對上述藉助飛秒雷射器燒蝕在矽玻璃基底上製造的鉺摻雜碲酸鹽玻璃膜進行檢測。圖1顯示了使用UV-VIS-NIR波長區域記錄的膜的光透過率光譜(垂直入射)。膜在波長區域內顯示了非常高的透過率(> 98% )和表明良好一致性的顯著幹涉圖案。儘管以下呈現的僅是單膜的結果，但是具有更低厚度和不同孔隙率的膜也被觀察到了激射。使用橢偏光譜法對膜的光學性能進行了考察，膜的光學性能顯示了一些有趣的特性。從偏光譜數據獲得的尺寸為3 * 2cm2的的樣品的中部的厚度為777nm，跨膜的厚度變化量為約150nm/cm。厚度變化量歸因於沉積過程中雷射燒蝕點與基底的相對位置保持不變和雷射光束具有光點面積小於3000 u m2的高斯強度分布。膜在進行激射實驗的表面上的表面粗糙度的範圍為17到23nm。該膜粗糙度導致了比用於製備膜的玻璃靶更低的有效折射率。使用橢偏光譜法測得的玻璃在633nm下的折射率為1.935，而膜在表面粗糙度為22.69nm的區域的折射率為1.549，在粗糙度為17.16納米時為1.552。橢偏光譜法的結果清楚表明了納米多孔膜。圖2顯示的膜的光學顯微圖沒有發現裂紋或剝落。然而，表面的粗糙度是非常明顯的。為了進一步理解膜的形態，採用了原子力顯微鏡(AFM)。圖9顯示了玻璃膜的表面的部分的AM圖像。從圖9可以清楚看到玻璃膜的納米尺度的的表面粗糙度。基底上形成的玻璃線的尺寸表明了無序分布。雷射性能使用具有輸出峰為980nm的纖維引線的雷射二極體的聚焦光束激發膜，在橫切膜的方向收集螢光和使用附在愛丁堡儀器(UK)的螢光分光光度計上的液氮冷卻光電倍增管。圖3顯示了膜10與大塊碲酸鹽玻璃靶20的螢光光譜的對比。鉺離子的光子的吸收和發射通過圖4顯示的方法發生。泵雷射器在大約980nm激發離子至4111/2級，一些離子非輻射地鬆弛至4113/2。該激發態的鉺離子通過發射波長寬度峰為約1535nm的光子輻射地衰減到基態4115/2。這種特別的發射已被成功運用於光纖以及波導放大器中，且是寬帶纖維光通信系統成功的關鍵。與靶標碲酸鹽玻璃相比，膜的螢光信號譜寬變窄了。玻璃的FWHM為72.6nm，而膜的FWHM僅為31nm。這種光譜的變窄歸因於無序介質中的散射和受激發射導致的自發發射的放大。觀察到的膜光譜是預測發射`光譜在高於在最大增益波長下具有最大強度的閾值時變窄的模型的直接證據。這為光譜峰波長朝長波方向遷移和所觀察到的膜的更長的
11.9ms的螢光衰減壽命(而靶標的僅為3.8ms)所證明。由於光譜窄化和更長壽命清楚地表明了具有局部性的無序激射，通過順時針轉動膜樣品40來改變泵雷射器30的入射角度(對應於0 )和用探測器50監測不同收集角度6下的螢光(見圖5a)。在較長波長的鉺增益帶帶尾和大約39°的收集角度，觀察到激射。光譜顯示了離散模式，最長波長激射模在1615.15nm。然後，通過在固定的37.39mW入射泵功率下改變角度來系統地記錄雷射器峰，在不同角度下得到的輸出光譜顯示在圖5b中。圖6a顯示了放大的對應39°角度(誤差為±0.5° )時觀察到的最長波長光譜。雷射發射寬帶跨越1604.3到1615.15nm的波長範圍。分光計的解析度為0.3，比這個寬度窄的峰沒有分辨出。當收集角度增加時，峰雷射波長朝鉺離子的增益光譜的較低波長遷移。在鉺離子的整個增益光譜中清楚觀察到了無序雷射器預測的光譜中的窄電位激射，並且還出乎意料地在吸收截面比發射截面大、遠低於1534nm的波長也觀察到激射(見圖6b)。在波長低至1515nm時觀察到激射(見圖6c)。圖10顯示了對入射泵功率繪圖的波長範圍為1610_1625nm的集成雷射器強度。雷射器的閾值為約290 y W，但在膜的不同位置和不同激射波長下發生改變。不過，閾值在亞-mW範圍,對波長超過1520nm的,是無序雷射器最低的記錄。圖11顯示了隨不同的角度0而變化的閾值功率。不同0值時的閾值功率排列在下面的表I中。表1:閾值功率隨不同的角度0的變化
權利要求
1.一種能無序激射的裝置，其包括: 一基底; 一稀土摻雜玻璃，該玻璃以波導的形式製作在所述基底上，其中，玻璃包括鍺玻璃、鈦玻璃或硫系玻璃。
2.根據權利要求1所述的裝置，其中，該裝置的閾值功率密度小於200mW/_2。
3.根據權利要求1或2所述的裝置，其中，該裝置的閾值功率小於lmW。
4.根據權利要求1 ，2或3所述的裝置，其中，玻璃進一步包括網絡改性劑。
5.根據權利要求1，2，3或4所述的裝置，其中，波導為薄膜形式。
6.根據權利要求5所述的裝置，其中，薄膜的厚度小於10u m。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的裝置，其中，玻璃為硫系玻璃。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的裝置，其中，玻璃為碲酸鹽玻璃。
9.根據權利要求1至8中任一項所述的裝置，其中，玻璃摻雜有鑭系元素。
10.根據權利要求9所述的裝置，其中，所述鑭系元素為鉺。
11.根據權利要求1至10中任一項所述的裝置，其中，基底選自矽基基底或高分子基。
12.一種雷射器組件，其包括: 權利要求1至11中任一項所述的裝置； 位於所述裝置下遊且能激發所述裝置至雷射輸出的激振器。
13.根據權利要求12所述的雷射器組件，其中，該雷射器組件為可調諧雷射器組件。
14.根據權利要求12或13所述的雷射器組件，其中，激振器為聚焦激振器。
15.根據權利要求12，13或14所述的雷射器組件，其中激振器包括二極體雷射器或發光二極體或垂直腔面發射雷射器。
16.權利要求1至11中任一項所述的裝置的製造方法，其包括: 在基底的存在下，用來自超快雷射器的入射輻射燒蝕靶玻璃，藉以在所述基底上沉積一些靶玻璃。
17.根據權利要求16所述的方法，其中，超快雷射器為飛秒雷射器。
18.根據權利要求16或17所述的方法，其中，來自超快雷射器的入射輻射以持續時間為150fs或更少的脈衝發射。
19.根據權利要求16，17或18所述的方法，其中，來自超快雷射器的入射輻射以重複頻率範圍為IHz至IOOMHz的脈衝發射。
20.根據權利要求16至19中任一項所述的方法，其中，入射輻射脈衝能量範圍為IU J至 IOOmJ。
全文摘要
一種能無序激射的裝置，其包括基底和以波導形式製作在基底上的稀土摻雜玻璃，其中，玻璃包括鍺玻璃，鈦玻璃或硫系玻璃。
文檔編號H01S3/30GK103229371SQ201080051616
公開日2013年7月31日 申請日期2010年9月10日 優先權日2009年9月10日
發明者金·約塞, 阿尼梅什·扎, 大衛·保羅·司定森 申請人:利茲大學