沉積鍺膜的方法

2023-05-14 02:17:36 2

專利名稱：沉積鍺膜的方法
技術領域：
本發明提供一種化學氣相沉積方法，其在充分低的溫度下在種入矽的金屬襯底上沉 積平滑的連續鍺膜。
技術背景所屬領域的技術人員眾所周知，通過化學氣相沉積來沉積鍺或矽鍺相對於接納襯底 極其敏感。舉例來說，在矽襯底上沉積鍺或矽鍺相對較容易。另一方面，迄今為止，在 二氧化矽或金屬襯底上沉積鍺或矽鍺需要極大的培養時間(啟始沉積的時間)且得到異 質或塊狀的沉積物，或者在450。攝氏度以下的溫度下在一些襯底上將完全不沉積。因此， 將非常需要一種在小於450。攝氏度的溫度下在金屬或二氧化矽襯底上沉積非晶鍺膜的新 的且改進的方法。 發明內容在一種優選的化學氣相沉積方法中，在充分低的溫度下在種入矽的金屬襯底上沉積 平滑的連續鍺膜，以提供適於與例如鋁和銅等溫度敏感材料集成的鍺裝置。在另一種優 選的化學氣相沉積方法中，在充分低的溫度下在種入二氧化矽的襯底上沉積平滑的連續 矽鍺膜，以提供適於與例如鋁、銅和硫族化物(例如，Ge2Sb2Te5)等溫度敏感材料一起 使用的鍺裝置。


通過結合附圖參考對本發明優選實施例的以下描述，將了解本發明的上述特徵和步驟以及實現所述特徵和步驟的方式，且將最佳地理解本發明本身，附圖中圖1是說明根據本發明優選實施例的化學氣相沉積方法的圖解流程圖；圖2是沒有種子層的矽襯底的照片，所述矽襯底已經受在約400。攝氏度的高溫下使用催化氣體GeH4進行的化學氣相沉積工藝；圖3是在經受相對於圖2提及的化學氣相沉積工藝之後的oc矽襯底的照片；圖4是說明圖2所示的所沉積的鍺膜層是多晶體的x射線衍射曲線；圖5是a矽襯底的照片，所述矽襯底已經受在約380。攝氏度的高溫下進行的化學氣相沉積工藝；圖6是在經受相對於圖5提及的化學氣相沉積工藝之後的a矽襯底的照片；圖7是二氧化矽襯底的照片，所述二氧化矽襯底已經受在約380。攝氏度的高溫下進行的化學氣相沉積工藝；圖8是在經受相對於圖7提及的化學氣相沉積工藝之後的二氧化矽襯底的照片；圖9是a矽襯底的照片，所述矽襯底已經受在約380。攝氏度的高溫下進行的化學氣相沉積工藝；圖10是a矽襯底的照片，所述矽襯底己經受相對於圖9提及的化學氣相沉積工藝； 圖11是二氧化矽的照片，所述二氧化矽己經受在約380。攝氏度的高溫下進行的化學 氣相沉積工藝；圖12是TiN襯底的照片，所述TiN襯底已經受在約380。攝氏度的高溫下進行的化 學氣相沉積工藝；圖13是a矽襯底的照片，所述矽襯底已經受在約360。攝氏度的高溫下進行的化學氣 相沉積工藝；圖14是oc矽襯底的照片，所述矽襯底已經受相對於圖13提及的化學氣相沉積工藝； 圖15是二氧化矽襯底的照片，所述二氧化矽襯底已經受在約360。攝氏度的高溫下進 行的化學氣相沉積工藝；圖16是TiN襯底的照片，所述TiN襯底己經受在約360。攝氏度的高溫下進行的化學氣相沉積工藝；圖n是a矽襯底的照片，所述矽襯底已經受在約340。攝氏度的高溫下進行的化學氣 相沉積工藝；圖18是a矽襯底的照片，所述矽襯底已經受相對於圖17提及的化學氣相沉積工藝； 圖19是TiN襯底的照片，所述TiN襯底已經受在約340。攝氏度的高溫下進行的化 學氣相沉積工藝；圖20是a矽襯底的照片，所述矽襯底己經受在約320。攝氏度的高溫下進行的化學氣 相沉積工藝；圖21是a矽襯底的照片，所述矽襯底己經受相對於圖20提及的化學氣相沉積工藝； 圖22是TiN襯底的照片，所述TiN襯底已經受在約320。攝氏度的高溫下進行的化 學氣相沉積工藝；圖23是TiN襯底的照片，所述TiN襯底已經受相對於圖22提及的化學氣相沉積工藝；圖24是TiN襯底的照片，所述TiN襯底已經受根據本發明優選實施例的化學氣相沉 積工藝；以及圖25是TiN襯底的照片，所述TiN襯底已經受相對於圖24提及的化學氣相沉積工藝。
具體實施方式
本發明揭示一種在金屬和二氧化矽襯底上沉積鍺膜的方法。提供以下描述以使所屬 領域的技術人員能夠製造和使用本發明。出於闡釋的目的，陳述特定術語以提供對本發 明的詳盡理解。對特定應用和方法的描述僅作為實例而提供。所屬領域的技術人員將易 於了解對優選實施例的各種修改，且本文定義的一般原理可在不偏離本發明精神和範圍 的情況下應用於其它實施例和應用。因此，本發明不希望限於所展示的實施例，而是應 符合與本文揭示的原理和步驟相一致的最廣泛範圍。現參看附圖且更明確地說參看附圖的圖1,其展示根據本發明優選實施例的化學氣 相沉積方法112的流程圖。所揭示的方法112使得能通過化學氣相沉積在小於32(TC的非 常低的溫度下在二氧化矽和金屬襯底上沉積非晶或多晶鍺或矽鍺均質膜。在此方面，此 方法適用於(例如)用於製造存儲器裝置的半導體裝置，例如S. B. Herner和M. Mahajani 的題為"Method for Making High Density Nonvolatile Memory"的美國專利申請公開案 20050012119中所陳述。在更詳細地論述沉積方法112之前，簡要地回顧在二氧化物和金屬襯底上沉積鍺和 矽鍺(下文中有時單獨和共同地簡稱為Ge膜)的當前技術狀態可能是有益的。在此方面， 通過化學氣相沉積在二氧化矽襯底上沉積Ge膜的標準方法是，首先沉積薄矽膜作為種子 層。矽膜種子層沉積到預定最小厚度以有助於使對組合的矽與鍺或組合的矽與矽鍺膜的 電特性的影響最小。沉積矽種子層之後，接著通過化學氣相沉積(CVD)在約大於450。攝氏度的高溫下 沉積Ge膜層。然而，使用GeH4前驅氣體沉積鍺的CVD方法有一個缺點。即，Ge膜可 能具有較大培養時間(啟始沉積的時間)且留下異質或塊狀的最終的膜；或者Ge在一些 襯底上將完全不沉積。這是由於將GeH4分子"裂化"以在一些襯底上沉積鍺並去除氫的 難度引起的。在此方面，已顯示難以在Si02襯底上沉積鍺(通過GeH4催化作用)，而在 矽襯底上沉積則較容易。在二氧化矽襯底上沉積矽鍺的難度在此項技術中是眾所周知的。並且，在二氧化矽 襯底上使用矽"種子"層來幫助促進矽鍺沉積的方法也是眾所周知的。然而，這些矽種子層沉積全部是使用SiH"乍為Si的來源在大於500。攝氏度的高溫下執行的。舉例來說， 可參考以下公開案(其如同完全陳述而併入本文中)M. Cao、 A. Wang、 K.C. Saraswat 的"Low Pressure Chemical Vapor Deposition of Si!.xGex Films On SiO2"， Journal of the Electrochemical Society 142， 1566-1572 (1995)。現參看圖1更詳細地考慮沉積方法112，所述工藝開始於使用步驟114，所述使用步 驟114促使第一催化氣體源(例如，矽氣體源)流過襯底(例如，金屬襯底)以用於在 襯底上沉積矽種子膜的目的。接著，使用步驟116促使第二催化氣體源(例如，鍺氣體 源)流過經種入的襯底以用於在矽種子層上沉積鍺膜的目的。如下文將更詳細闡釋，由 於所採用的矽氣體的類型和所使用的溫度的緣故，矽種子層是自限的種子層。這意味著 反應繼續沉積矽直到實現完全覆蓋暴露的下伏層為止。這形成(例如) 一薄層，其可能 為1到3個原子厚。此外，因為在充分低的溫度(32(TC或更低)下輸送第二催化氣體， 所以上面沉積有膜層的金屬襯底適於與原本會被通過其它方法進行的鍺或矽-鍺的較高 溫度沉積排除的其它溫度敏感材料一起使用。因此，簡單地說，使用便宜、普遍可用的前驅氣體來形成自限的矽種子層，從而實 現在比現有技術中已知的溫度低得多的溫度(475°C)排除的熱敏材料， 其實例例如為鋁接線、硫族化物存儲器材料和銅。自限特徵還將Si沉積減到最少，因此 使Si對所得裝置的影響最小，這是合乎需要的。最後，優於現有技術的所有這些優點均 在不使用特殊的昂貴氣體的情況下實現。現更詳細地考慮沉積方法112，在金屬和二氧化物襯底上沉積Ge膜的沉積方法實現 與例如鋁(Al)和銅(Cu)接線等其它溫度敏感材料的整合。並且，方法112利用較低 溫度SiH4催化作用"裂化"氮化鈦(TiN)以產生自限的矽層(~4A)。將此種子層用於 Ge膜沉積是獨特且新穎的。此外，使矽種子的厚度最小是非常有利的，且自限固有地更 具可製造性，因為其經受較少的操作者錯誤。如下文將更詳細闡釋的沉積方法112提供一種在330。攝氏度以下的溫度下在(例如) TiN或Si02襯底上沉積Ge膜的新穎工藝。在330。C (或更低溫度)下沉積非晶Ge膜之 後，Ge膜在後續步驟中結晶。Ge膜的結晶在約35(TC與約425'C之間的溫度下發生。通 過沉積膜非晶體並接著在隨後的步驟加熱所述非晶Ge膜並持續足夠的時間段以促使膜 結晶，使得結晶的半導體裝置性能與沉積膜晶體相比得到改進。通過將溫度保持在425 'C或更低來進行Ge處理，Ge半導體裝置可與例如鋁互連或硫族化物存儲器材料等其它熱敏材料整合。然而，所屬領域的技術人員應了解，這並不排除在非晶狀態下使用Ge 膜作為半導體。為了向讀者提供對從發明性化學氣相沉積工藝中獲得的益處的更好理解，提供一系 列掃描電子顯微鏡(SEM)照片或圖像(圖2-3和圖5-23)。在各個SEM照片中，矽種 子層看不見。在此方面，當顯示矽膜時，已在單獨沉積過程中沉積了所述矽膜。在發明 性工藝112中，如圖24-25中所說明，Si02層C24和Ge膜層A^在一個沉積過程(兩個 步驟)中沉積。應注意，Si種子層存在於Ge膜A24與TiN膜B24之間，但Si種子層看不見。現參看圖2和3，提供一組掃描電子顯微鏡照片，其說明利用在100毫託的壓力下 以100標準立方釐米/分鐘流速輸送的GeH4氣體在400。攝氏度下在220納米沒有種子層 的a矽襯底12上鍺沉積30分鐘時期的結果。在此方面，展示深度為約0.1480 jmi的所 得鍺膜層A2、摻雜和未摻雜矽的深度為約0.2180 pm的單獨沉積的矽膜層B2，其已沉積 在二氧化矽層C2上，具有約0.0910 pm的深度。如圖4中最佳看到，x射線衍射曲線412 清楚地證實所沉積的Ge膜為多晶體。SEM成像還確定(儘管單獨照片中未展示)，對於 Si02襯底和TiN襯底兩者，相對於所提及的條件不發生沉積。現參看圖5-6，提供一組照片，其說明利用在400毫託的壓力下以500標準立方釐米 /分鐘流速輸送的SiH4氣體在380。攝氏度下在ct矽襯底15上鍺沉積60分鐘時期的結果。 在此方面，展示深度為約0.0750 nm的所得鍺膜層A5、深度為約0.1510 pm的單獨沉積 的矽膜層B5,其已沉積在深度為約0.0950nm的二氧化矽層Cs上。現參看圖7-8，提供一組照片，其說明利用在200毫託的壓力下以IOO標準立方釐米 /分鐘流速輸送的GeH4氣體在380。攝氏度下在二氧化矽襯底17上鍺沉積10分鐘時期的 結果。在此方面，展示深度為約0.0930 pm的所得鍺膜層A7、深度為約0.0930 pm的單 獨沉積的Si02膜層B7。 SEM成像還確定(儘管單獨照片中未展示)，對於TiN襯底，相 對於所提及的條件不發生沉積。現參看圖9-10，提供一組照片，其說明利用在800毫託的壓力下以500標準立方釐 米/分鐘流速輸送的SiH4氣體在380。攝氏度下在a矽襯底19上鍺沉積60分鐘時期的結 果。在此方面，展示深度為約0.0570 pm的所得鍺膜層A9、深度為約0.0530 Hm的所得 矽膜層B9，其沉積在深度為約0.1000 pm的矽二極體層09上。現參看圖11，提供一照片，其說明利用在400毫託的壓力下以100標準立方釐米/ 分鐘流速輸送的GeH4氣體在380°攝氏度下在Si02襯底21上鍺沉積10分鐘時期的結果。在此方面，展示深度為約0.0730 jxm的所得鍺膜層Au和深度為約0.0880 pm的所得Si02 膜層Bn，其在Si02襯底層21上。現參看圖12，提供一張照片，其說明利用在400毫託的壓力下以100標準立方釐米 /分鐘流速輸送的GeH4氣體在380。攝氏度下在TiN襯底22上鍺沉積10分鐘時期的結果。 在此方面，展示深度為約0.0860 pm的所得鍺膜層An和深度為約0.0290 pm的所得TiN 膜層B12，其已沉積在深度為約0.0900 Mm的二氧化矽層Cu上。參看圖9-12可看出，矽種入階段期間增加的壓力較好地實現在Si02襯底19和TiN 襯底22兩者上的Ge沉積。現參看圖13-14，提供一組照片，其說明利用在800毫託的壓力下以500標準立方釐 米/分鐘流速輸送的SiH4氣體在360。攝氏度下在a矽襯底23上鍺沉積60分鐘時期的結 果。在此方面，展示深度為約0.0400 的所得鍺膜層A13、深度為約0.0600 pm的所得 矽膜層B13，其已沉積在深度為約0.0990 jLim的二氧化矽層Cu上。現參看圖15，提供一張照片，其說明利用在400毫託的壓力下以100標準立方釐米 /分鐘流速輸送的GeH4氣體在360。攝氏度下在Si02襯底25上鍺沉積10分鐘時期的結果。 在此方面，展示深度為約0.0410 )xm的所得鍺膜層八15和深度為約0.0930 nm的所得Si02 膜層Bu，其在Si02襯底層25上。現參看圖16，提供一張照片，其說明利用在400毫託的壓力下以100標準立方釐米 /分鐘流速輸送的GeH4氣體在360。攝氏度下在TiN襯底26上鍺沉積10分鐘時期的結果。 在此方面，展示深度為約0.0470 的所得鍺膜層Aw和深度為約0.0300 pm的所得TiN 膜層B16，其已沉積在深度為約0.0860 pm的二氧化矽層C"上。參看圖13-16可看出，溫度降低使Si02襯底上的Ge膜沉積降級，因為在較低溫度 下SiH4分解很可能在提供完全覆蓋襯底的種子層方面變得不夠有效。還可看出，Ge膜是 多晶體，因此需要進一步減少沉積以獲得所得非晶Ge膜。現參看圖17-18，提供一組照片，其說明利用在800毫託的壓力下以500標準立方釐 米/分鐘流速輸送的SiH4氣體在340。攝氏度下在a矽襯底27上鍺沉積60分鐘時期的結 果。在此方面，展示深度為約0.0400 pm的所得鍺膜層An、深度為約0.0260 pm的單獨 沉積的矽膜層Bn,其已沉積在深度為約0.0930 pm的二氧化矽層Cn上。此工藝導致約 40 A /分鐘的Ge膜沉積速率。現參看圖19，提供一照片，其說明利用在800毫託的壓力下以100標準立方釐米/ 分鐘流速輸送的GeH4氣體在340。攝氏度下在TiN襯底29上鍺沉積10分鐘時期的結果。在此方面，展示深度為約0.0700 )im的所得鍺膜層Aw、深度為約0.0380 pm的所得TiN 膜層Bw，其已沉積在深度為約0.1010 pm的二氧化矽層d9上。此工藝導致約70A/分 鐘的Ge膜沉積速率。SEM成像還確定(儘管單獨照片中未展示)，對於Si02襯底，相 對於所提及的條件不發生沉積。參看圖17-19可看出，溫度降低現已完全不能在Si02襯底上沉積Ge膜。此外，甚 至TiN襯底上的Ge膜沉積也己降級。還可看出，矽膜和鍺膜仍是多晶體，因此需要進一 步減少沉積以具有所得的非晶Ge膜。現參看圖20-21，提供一組照片，其說明利用在1000毫託的壓力下以500標準立方 釐米/分鐘流速輸送的SiH4氣體在320。攝氏度下在a矽襯底30上鍺沉積60分鐘時期的 結果。在此方面，展示深度為約0.1280 nm的所得鍺膜層A2Q和深度為約0.0980 pm的單 獨沉積的矽膜層B加，其在TiN襯底層上。現參看圖22-23，提供一組照片，其說明利用在1000毫託的壓力下以100標準立方 釐米/分鐘流速輸送的GeH4氣體在320。攝氏度下在TiN襯底32上鍺沉積20分鐘時期的 結果。在此方面，展示深度為約0.0640 nm的所得鍺膜層A22、深度為約0.0270 pm的所 得TiN膜層B22，其已沉積在深度為約0.0930 pm的二氧化矽層C22上。此工藝導致約32 A/分鐘的Ge膜沉積速率。並且參看圖20-22，可看出Ge膜沉積物現為非晶的，但所述 沉積物在TiN襯底32上呈現為略不規則。現參看圖24-25,提供一組照片，其說明使用380。攝氏度和320。攝氏度的組合工藝 進行鍺沉積的結果。在一個方面，利用在1000毫託的壓力下以500標準立方釐米/分鐘 流速輸送的SiH4氣體在380。攝氏度下在TiN襯底34上沉積矽種子層<:24持續60分鐘時 期。接著，利用在1000毫託的壓力下以200標準立方釐米/分鐘流速輸送的GeH4氣體在 320。攝氏度下沉積Ge膜層AM持續20分鐘時期。在此方面，展示深度為約0.0640 pm的 所得Ge膜層A24、深度為約0.0270 pm的所得TiN膜層B24，其已沉積在深度為約0.0930 Hm的二氧化矽層C24上。因此，概括來說，以兩個溫度工藝(一個沉積)產生平滑的連續膜，其中所施加的 溫度足夠低(320。攝氏度或更低)以與A1、 Cu接線或GST材料完全兼容。還可斷定， SiH4氣體在這些較低溫度下在TiN上將比在矽襯底上或在二氧化矽襯底上更容易分解。 最後， 一旦沉積矽層，SiH4氣體就不會再分解，從而形成自限工藝。這種自限特徵使矽 沉積最少並因此使矽對所得Ge或SiGe裝置的影響最小，這非常合乎需要。最重要的是， 這種自限工藝是在不使用特殊氣體而是利用容易獲得的氣體進行Si、 Ge和SiGe沉積的情況下實現的。雖然己揭示本發明的特定實施例，但應了解，各種不同修改是可能的且涵蓋在所附 權利要求書的真實精神和範圍內。舉例來說，雖然已針對TiN襯底證明效果，但完全預 期所述效果將在例如Ta、 TaN、 W和WN等其它金屬襯底以及例如Si02、 SiN和SiNx 襯底等其它矽型襯底上有效。並且，儘管已相對於優選實施例描述了使用普通來源催化 氣體源(例如，SiH4氣體)，但預期也可利用在較低溫度下分解以用於沉積Si種子層的 較昂貴的Si氣體源。舉例來說，可利用二矽烷(Si2H6)和三矽烷(Si3H8)。類似地，也 可利用替代性Ge氣體源，比如GeF4、 GeBr4或GeCl4。因此，不希望限於本文提供的確 切摘要或揭示內容。
權利要求
1.一種化學氣相沉積方法，其包括在320℃或更低的溫度下使用第一催化氣體以在金屬襯底上沉積自限的矽膜層；以及在320℃或更低的溫度下使用第二催化氣體以在所述自限的矽膜層上沉積鍺膜層。
2. —種化學氣相沉積方法，其包括在約32(TC的溫度下使用催化氣體以在金屬襯底上沉積非晶鍺膜層。
3. 根據權利要求2所述的化學氣相沉積方法，其進一步包括-在約32(TC的溫度下使用另一催化氣體以在所述金屬襯底上沉積矽種子層。
4. 根據權利要求3所述的化學氣相沉積方法，其中所述金屬襯底是TiN襯底。
5. 根據權利要求4所述的化學氣相沉積方法，其中所述另一催化氣體是SiH4。
6. 根據權利要求5所述的化學氣相沉積方法，其中所述矽種子層是自限種子層。
7. —種化學氣相沉積方法，其包括在約320'C與約380'C之間的溫度下使用第一催化氣體以在金屬襯底上沉積矽膜 層；以及在320。C或更低的溫度下使用第二催化氣體以在所述矽膜層上沉積鍺膜層。
8. 根據權利要求7所述的化學氣相沉積方法，其中所述矽膜層是具有約一個原子厚到 約三個原子厚之間的厚度的矽層。
9. 根據權利要求8所述的化學氣相沉積方法，其中所述矽層是自限的層。
10. 根據權利要求3所述的化學氣相沉積方法，其中所述金屬襯底是TiN襯底。
11. 根據權利要求IO所述的化學氣相沉積方法，其中所述第一催化氣體是SiH4。
12. 根據權利要求IO所述的化學氣相沉積方法，其中所述第二催化氣體是GeH4。
13. 根據權利要求7所述的化學氣相沉積方法，其中所述鍺膜層是非晶鍺層。
14. 根據權利要求7所述的化學氣相沉積方法，其中所述鍺膜層是多晶鍺層。
15. —種化學氣相沉積方法，其包括在約32(TC與約38(TC之間的溫度下使用第一催化氣體以在襯底上沉積種子膜層； 以及在32(TC或更低的溫度下使用第二催化氣體以在所述種子膜層上沉積鍺膜層。
16. 根據權利要求15所述的化學氣相沉積方法，其中所述襯底是金屬襯底。
17. 根據權利要求16所述的化學氣相沉積方法，其中所述襯底是TiN襯底。
18. 根據權利要求15所述的化學氣相沉積方法，其中所述襯底是Si襯底。
19. 根據權利要求15所述的化學氣相沉積方法，其中所述襯底是Si02襯底。
20. 根據權利要求15所述的化學氣相沉積方法，其中所述種子膜層是自限的矽種子膜 層。
21. 根據權利要求15所述的化學氣相沉積方法，其中所述鍺膜層是非晶鍺。
22. 根據權利要求15所述的化學氣相沉積方法，其中所述鍺膜層是多晶鍺。
23. 根據權利要求15所述的化學氣相沉積方法，其中所述鍺膜是均質膜層。
24. 根據權利要求17所述的化學氣相沉積方法，其中所述第一催化氣體是矽氣體源。
25. 根據權利要求24所述的化學氣相沉積方法，其中所述矽氣體源選自由SiH4、 Si2H6 和Si3Hs組成的群組。
26. 根據權利要求17所述的化學氣相沉積方法，其中所述第二催化氣體是鍺氣體源。
27. 根據權利要求26所述的化學氣相沉積方法，其中所述鍺氣體源選自由GeH4、 GeF4、 GeBr4和GeCl4組成的群組。
28. 根據權利要求16所述的化學氣相沉積方法，其中所述金屬襯底選自由TiN、Ta、TaN、 W和WN組成的金屬襯底群組。
29. 根據權利要求15所述的化學氣相沉積方法，其中所述襯底是SiNx襯底。
30. 根據權利要求21所述的化學氣相沉積方法，其進一步包括將所述非晶鍺膜加熱到約350'C與約425'C之間的溫度並持續足夠的時期以促使 所述非晶鍺膜結晶。
全文摘要
一種化學氣相沉積方法提供平滑的連續鍺膜層，其在充分較低的溫度下沉積在金屬襯底上以提供適於與例如鋁和銅等溫度敏感材料一起使用的鍺裝置。另一種化學氣相沉積方法提供平滑的連續矽鍺膜層，其在充分低的溫度下沉積在二氧化矽襯底上以提供適於與例如鋁、銅和硫族化物存儲器材料等溫度敏感材料一起使用的鍺裝置。
文檔編號C23C16/22GK101248209SQ200680030684
公開日2008年8月20日 申請日期2006年6月22日 優先權日2005年6月22日
發明者S·布拉德·赫納 申請人:桑迪士克3D公司