太陽能吸收器及其製造方法
2023-07-10 16:01:31 2
太陽能吸收器及其製造方法
【專利摘要】本發明涉及一種太陽能吸收器及其製造方法，其帶有：經覆層的或未經覆層的基材(S)和布置在基材上的太陽能吸收器層系統(SASS)，該太陽能吸收器層系統(SASS)從基材(S)向上觀察具有吸收層系統(ASS)和覆蓋層系統(DSS)。本發明的任務在於，為太陽能熱應用提供一種不含鉻的吸收器層系統，該層系統具有α>94％的吸收率α和ε<5％的發射率ε，並且可以在穩定的工作點下在金屬帶裝置上製造。這一點如此實現，方式為，吸收層系統(ASS)由至少三個吸收層(UAS、MAS、OAS)組成，其中的至少一個吸收層(UAS、MAS、OAS)具有碳氧化鈦TiOxCy作為主要組分。
【專利說明】太陽能吸收器及其製造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種太陽能吸收器，其帶有:基材和布置在基材上的太陽能吸收器層系統，該太陽能吸收器層系統從基材向上觀察具有吸收層系統和覆蓋層系統。本發明還涉及太陽能吸收器的製造方法。
【背景技術】
[0002]太陽能吸收器層系統的突出之處在於:在大約300至lOOOnm的最大太陽能照射的波長範圍內的高的吸收和極低的反射(ct = 1-Re,其中α =吸收係數而Re =太陽能能量反射)。在從約lOOOnm起的波長範圍中，這樣的層系統的反射率急劇提升。特別是在直至約2000nm的近紅外輻射(NIR輻射)的波長區域和在它以上的紅外區域中，太陽能吸收器具有高的反射率和運行溫度下的小的能量放射(通過能量放射能力或熱發射率ε來描述)。相應的覆層因此也稱作選擇性覆層。在此，在ε〈0.05(5%)的發射率ε下實現了α >0.95(95% )的太陽能吸收率α的值。
[0003]多年以來，憑藉物理氣相沉積(physical vapour deposit1n, PVD)製造了市場上常見的太陽能吸收器。通常，用於太陽能吸收的層系統包括在紅外範圍內高反射的基底層或相應的反射基材，其經常由鋁、金、銀或其他適合的材料構成。有時，也應用銅。在上面有至少一個吸收層作為功能層，並且上面又有一個抗反射的覆蓋層，其除了抗反射效應外還具有高透射能力，以便通過吸收層提高吸收。這些層可以構造為一件式或多件式的，並通過改善粘附的中間層加以補充。
[0004]為了製造太陽能吸收器，如今採用了一系列的材料，其中，含鉻的層系統由於其特性的加和得到了廣泛的傳播。相應的吸收層在小的層厚條件下就已經在太陽輻射波長範圍(即約300至2500nm的範圍)中具有良好的吸收能力。在此，能通過化學計量調整吸收性倉泛。
[0005]為了生產這些層，在含有反應性氣體的氣氛下將金屬引入氣相，在其中，金屬與反應性氣體發生反應並作為金屬氧化物Me0x層或金屬氮化物MeNx層沉積在基材上。在此，只要涉及含鉻金屬，就會形成鉻(VI)氧化物，其對於設備操作員及其同事有大的健康風險。此外，經覆層的吸收器帶也可能含有痕量的鉻(VI)。
[0006]不含鉻的層系統，例如基於鈦或氮氧化鈦Ti0xNy的、或者基於氮化鋁A1NX、氧化鋁Alx0y、氮化娃SixNy或氧化娃Si0x的層系統可以實現與含鉻的層系統光學上相似的性能，然而相應的含鋁或含矽的層的吸收能力受到工藝條件的強烈影響。含鋁或含矽的吸收器層可以例如憑藉反應性濺射在過渡模式下產生。然而該製造變化方案在過程技術上難以掌握，並通常要求採用適宜的測量技術和控制技術。
[0007]相反，低吸收的含鋁層或含矽層在反應模式下在引入適宜反應性氣體的條件下生成。
[0008]眾所周知地，許多反應性運行的濺射過程依賴於反應氣體流擁有兩個穩定運行狀態。金屬模式的特徵在於，被引入濺射過程的反應性氣體完全被過程耗盡。在該運行類型中，製造出的層具有欠化學計量的組成(MeOx、MeNx)，但卻主要擁有靶體材料的特性。沉積率和過程電壓近似對應於非反應性的運行方式。在相關於靶材和相關於過程功率的反應性氣體流過量時，濺射過程自發地轉為反應模式。該模式的特徵在於，靶體表面幾乎完全被(在氧氣作為反應性氣體的情況下)氧化皮覆蓋。這導致了濺射率的急劇降低，以及經常導致(在相同的過程功率下的)過程電壓的明顯降低。以該運行類型沉積下來的層具有化學計量組成(例如Si02)以及(根據靶材)主要是陶瓷性的特性，例如透光率以及高的電阻。處於金屬模式和反應模式之間的過程區域被稱作過渡模式(或者說transit1n mode)。在該區域進行濺射時，幾乎可以實現任意的層組成，還帶有層性能的相應結果。該區域因此特別適合製造由上述材料製成的吸收性的層，這是因為它的符合化學計量的氧化物和氮化物不具有在相關波長範圍內的吸收。此外，然而，依賴於實際的過程參數(例如點火電壓)需要對反應性氣流的快速的、主動的控制。此外，在金屬帶覆層裝置上的不含鉻的層系統通常不能以必要的長時間穩定性或必要的生產率沉積。此外，由例如W095/17533和US 4，098, 956已知另外的、含氮的吸收層。
[0009]作為基於分立的選擇性層系統的替代，可以構造出作為金屬陶瓷的吸收器。在此情況下，將金屬顆粒植入到陶瓷基質中，例如w-ai2o3。該吸收器類型不能在常見的帶裝置上順利地製造，這是因為對於金屬和陶瓷之間的均質混合，必須交替地施布多個薄層，這些層超出了通常可提供的覆層源的數量。
【發明內容】
[0010]本發明的目的在於，提供一種用於太陽能熱應用的不含鉻的吸收器層系統，該吸收器層系統具有α >94%的太陽能吸收率α和ε〈5%的發射率ε，並且可以在穩定的工作點下在覆層裝置、特別是金屬帶裝置上以常見的裝置配置製造。
[0011]為解決該任務建議了一種太陽能吸收器，其根據權利要求1構造而成，並且能夠通過根據權利要求7的方法製造。各個從屬權利要求是太陽能吸收器以及製造方法的優選的設計方案。
[0012]根據本發明的太陽能吸收器包括基材，帶有吸收層系統和覆蓋層系統的太陽能吸收器層系統布置在基材上，其中，該吸收層系統由至少三個子層製成:即下吸收層、中吸收層和上吸收層，其中的至少一個子層具有碳氧化鈦T1xCy作為主要組分。在此，化學計量因數X和y可以取0〈x〈2且0〈y彡1範圍內的值。當用於吸收性的層的x小於2時，y可以等於1，這是因為TiC保持為吸收性的，亦即，在沉積期間不依賴於反應氣體輸入的量。
[0013]基材可以經過覆層或未經覆層，這取決於，該基材是否根據前引的描述自身在紅外範圍中是高反射的，或者相應的反射基底層是否為此是必需的。
[0014]概念「下」和「上」是相對於基材並因而相對於光入射，其中，「下」意味著靠近基材，而「上」是朝向光入射。被稱作「中」層的層因此位於至少兩個層之間。
[0015]主要組分是指，相應的化合物確定了光電特性。相應地，還可以存在例如其他金屬、半導體或者其化合物的混雜物。在此，可選的混雜物是否只是技術原因導致的(即，用於沉積或靶體製造期間的過程控制)還是對於層的功能有利，是無關緊要的。這包括了，在混雜物以外，還可能包含技術原因導致的雜質。這類雜質通常位於1重量％以下範圍，但是也可以為百分之幾。相反，技術上的混雜物可以直至約10重量％存在。
[0016]確定了，以所要求保護的、含有碳氧化鈦T1xCy的吸收器層系統，能夠得到:帶有α >94%的太陽能吸收率α和ε〈5%的發射率ε的太陽能吸收器。由於不含鉻，太陽能吸收器表現為特別環境友好的、不危害健康的對迄今為止的太陽能吸收器的替代方案。通過根據本發明的太陽能吸收器層系統，結合適宜的、下文進一步描述的覆蓋層系統，可以在除了光學效能之外還實現了層系統的所要求的熱學、力學和化學穩定性，並且因而長時間地將光學特性維持在可接受的界限內。
[0017]作為基材材料，優選使用高紅外反射的鋁帶或銅帶，其中，還可以採用各種另外的(必要時帶有適宜的在基材上的紅外反射層)材料。
[0018]這樣的反射層對於改善太陽能吸收器的效率有所貢獻，該反射層位於基材和吸收層系統之間並適合於下述情況:該基材本身並非良好的反射體(例如不鏽鋼帶，在某些情況下甚至對於陽極氧化的鋁帶也有必要)並要求小的發射率。由此得出，在透明的基材上必須布置反射層，而這一點在使用未經陽極氧化的鋁帶或銅帶作為基材時通常是不必要的。
[0019]作為自身帶有高紅外反射的基材材料，除了鋁或銅之外例如還採用以鑰進行覆層的載體材料，其中，鄰接層的材料以及優選的製造方法以及它在真空連續通過中的排列又共同決定了材料的選擇。
[0020]除了所述及的層，太陽能吸收器層系統還可以包括其他層，其有利於製造、光學性能、以及熱學、力學和化學耐受度。
[0021]特別可能的是，直接在基材上，在層系統的不同位置中有補充的增附層和/或阻隔層。起增附作用的阻隔層可以直接地存在於基材上，該阻隔層由金屬、金屬合金、金屬氧化物或金屬氮化物、金屬合金的氧化物或氮化物或混合物製成。除了在基材和下一個、位於其上的層之間的增附作用之外，阻隔層一方面用於覆蓋基材，該基材在它的表面通過對它的處理即使在清潔後還是可能具有少量的雜質或水。另一方面，起增附作用的阻隔層阻止或降低了特別是在更高溫度下出現的、不期望的、物質從基材到層系統中的擴散，該擴散會對層系統的質量和使用壽命造成影響。
[0022]用於起增附作用的阻隔層的可能的材料是氧化鋅或氧化鋅鋁、氧化錫、鈦或者鋁的氧化物、氮化物或氮氧化物、氧化矽、氮氧化矽或碳氮氧化矽S1xCyHz或者其混合物，或者含有大份額的這些物質的材料。對於具體的材料選擇應該考慮:沉積在阻隔層之上的層的材料、在真空連續通過中的排列，以及基材對於層系統的可能影響。
[0023]上吸收層和/或下吸收層優選具有碳氧化鈦。中吸收層優選包括0 < X < 2的鈦氧化物T1x作為主要組分。這樣的材料組合證實對於覆層站之間的氣體分離的耗費是有利的。
[0024]根據不同的實施變體，中吸收層的層厚小於下吸收層和上吸收層的層厚，和/或，下吸收層的層厚小於上吸收層的層厚。通過相繼調整出的層厚，結合層的彼此匹配的折射率η和消光係數k，對於所感興趣的波長使用相消幹涉，以獲得高的吸收、小的發射率和期望的色彩。
[0025]根據本發明的太陽能吸收器層系統的覆蓋層系統可以由一個或多個層構建而成。在一個實施變體中，該太陽能吸收器層系統可以包括覆蓋層系統，覆蓋層系統具有至少兩個子層:下覆蓋層和上覆蓋層，其中，下覆蓋層的折射率大於上覆蓋層的折射率。這樣的交替層系統作為單層的替代用於層系統的抗反射，並且適用於調整層系統的色彩外觀。如果對覆蓋層系統例如使用Ti02和Si02，可以相對於使用由Si02製成的單層覆蓋層系統，結合經常優選的藍色實現了對太陽反射的抑制。
[0026]此外，覆蓋層系統的所有層相對於待吸收的輻射的波長範圍都是高度透明的。這些層此外還用於使太陽能吸收器的表面被調整出期望的色彩外觀。
[0027]下覆蓋層是高折射的層，它的折射率大於上覆蓋層的折射率，該上覆蓋層被稱作抗反射層。用於下覆蓋層的優選的主要材料是打02或他205。下覆蓋層的層厚優選明顯小於上覆蓋層的層厚。
[0028]可選地:還可以取消下覆蓋層。
[0029]「高折射」以及「低折射」的說法是對於描述起光學作用的層系統的單層的特性所經常使用的概念。相對於在層系統中所使用的材料以及基材，該概念不能被始終看作是絕對的，這是因為在鄰接的層的光學厚度交替處經常測得光學效應，常常是抗反射效應。結合太陽能應用，約1.5和高或低零點幾的範圍內的折射率被視作低折射的，而2.0和高零點幾的折射率通常被視為高折射的。這種對於高折射和低折射層的用語目前對於極為不同的層系統是常見的並且應該在此也如此使用。
[0030]上覆蓋層是介電的並優選具有低折射率，並包括例如Si02或A1203作為主要組分。混雜物例如如上所述出於技術原因，或者為了相對於極端氣候條件進行穩定化是可行的，但不是必需的。上覆蓋層的折射率優選處於1.40至1.85範圍中，依賴於所使用的材料地進而優選位於該範圍的下界限。
[0031]通過對該覆蓋層或多個覆蓋層的材料與折射率以及層厚進行有針對性地選擇以及必要時的結合，可以對吸收層系統的色彩外觀造成影響。
[0032]此外，上覆蓋層用於對吸收層系統提供保護，免受化學和力學環境影響，並由於其抗反射特性抑制了不期望的、對待吸收的輻射的反射，由此顯著提高了太陽能吸收器的效率。
[0033]例如S1xCyHz層也適合作為覆蓋層，其具有良好的耐腐蝕特性,並能夠例如通過以適合的碳份額在含碳的氣氛中濺射或者通過等離子體增強化學氣相沉積法(PECVD)來製造。
[0034]根據本發明，為了在基材上製造太陽能吸收器，沉積出了太陽能吸收器層系統，其包括吸收層系統以及覆蓋層系統，其中，由至少三個子層製成的吸收層系統通過磁控濺射反應性沉積而成。對於至少一個子層，沉積出碳氧化鈦作為主要組分。
[0035]在不同的設計方案中對所述及的太陽能吸收器層系統的製造在真空覆層裝置中以連續通過原理(Durchlaufprinzip)進行，其中，上文所述及的單層相繼地以相應順序通過濺射，特別是磁控濺射來施布。吸收層系統的沉積在存在作為反應性氣體的(根據吸收層)氧或二氧化碳的條件下反應性地進行。
[0036]作為替代，還可以結合電子束蒸發使用磁控濺射，特別是用於介電層，其中，電子束蒸發也能整合到真空覆層裝置的連續通過中。
[0037]因為用電子束蒸發能夠實現明顯更高的沉積速率，可以以這種方式更有效地製造帶有高層厚的層。對應於太陽能吸收器層系統的設計方案，這涉及例如3102覆蓋層的沉積。
[0038]此外，通過結合電子束蒸發和濺射技術，能夠實現直接相鄰的層的折射率的大幅跳躍。例如，電子束蒸發適合於製造低折射的介電覆蓋層。
[0039]由於在濺射時相對於電子束蒸發明顯更高的工作壓力，通過在單一真空連續通過中進行濺射和電子束蒸發進行的結合式的覆層要求用於氣體解耦和壓力解耦的特殊措施。該解耦例如通過流動阻力和壓降實現。濺射過程的不同的過程氣氛還可能要求氣體分離。
[0040]對於濺射，除了已知的直流濺射還能應用交流濺射，由此實現了:半導體矽的反應性濺射更穩定且更有效。因此，特別是對於上覆蓋層以及通常為了所有的透明層，要考慮反應性交流濺射。
[0041 ] 此外，反應既可以由平板靶進行，又可以由圓柱靶進行，其中，通過使用圓柱靶，由於更好的靶利用和更穩定的運行方式，可以更有效地製造太陽能吸收器層系統。在此，對於大面積的且長時間穩定的覆層，還可以採用多個靶，用以製造單層。
[0042]如果憑藉濺射施布Si02覆蓋層，則該施布優選由摻雜了硼的和/或摻雜了鋁的或鋁合金的矽靶進行。另外，可以例如通過使用適宜的前體，像例如四甲基二矽氧烷(TMDS0)憑藉PECVD沉積出S1xCyHz層作為覆蓋層。
[0043]由於特別是由Si02組成的上覆蓋層的折射率依賴於沉積方法，必要時要調整層厚，以便實現所期望的光學效應。因此，濺射出的Si02層的折射率例如為約1.5，從而對於吸收器所期望的藍色，以及結合了 Ti02作為下覆蓋層的兩層式覆蓋層系統，約95nm至125nm的Si02層厚是有必要的。如果相反，通過電子束蒸發沉積出3102層，則得到約1.46的更小的折射率，並且層厚必須相應地提高約3nm。
[0044]如果覆蓋層系統僅由Si02層組成，則沉積方法的影響明顯更小。在此情況下，直至約135nm的Si02層厚都觀測到藍色。
[0045]在沉積出太陽能吸收器層系統之前，基材可以通過無焰燃燒、濺射蝕刻、離子束加工或co2濺射進行清潔。
[0046]這一點可以結合加入前體進行，以便在基材上產生例如由S1xCyHz製成的薄的補償層，其平整了基材缺陷，並提供了在化學上和形態上均一的表面，用於後繼的太陽能吸收器層系統的沉積。相對於濺射，結合式的加入前體在此實現了補償層的構造沉積。
[0047]根據一個實施方式變體，吸收層系統的這些層由金屬鈦靶進行濺射。下吸收層或上吸收層的沉積在此優選在含二氧化碳的氣氛下在所謂的反應模式下進行。作為替代，可以結合氧輸入使用另外的碳源(例如像甲烷一樣的碳氫化合物)。但是，由於爆炸風險在這種情況下需要跑提高安全措施，從而使用二氧化碳作為反應性氣體表現為優選的替代方案。
[0048]相反，中吸收層的沉積在含氧的氣氛中以所謂的金屬模式進行。
[0049]根據一個實施變體，覆蓋層沉積為兩個子層，其中，下覆蓋層的折射率大於上覆蓋層的折射率。由此得出了在對太陽能吸收器層系統表徵時所述及的有利的特性。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0050]下面，憑藉實施例進一步闡述本發明。在所屬的附圖中:
[0051]圖1示出沒有反射層的根據本發明的太陽能吸收器的結構，
[0052]圖2示出帶有反射層的根據本發明的太陽能吸收器的結構，
[0053]圖3示出按照第三實施例的根據本發明的太陽能吸收器的結構。
【具體實施方式】
[0054]在圖中示出的結構僅示意性地說明了實際上的層序列。特別是厚度關係不對應於實際情況，而是鑑於更好的可視化而加以改變。
[0055]在根據圖1的第一實施例中，根據本發明的太陽能吸收器層系統沉積在作為基材S的鋁帶上。作為替代，也可以使用銅帶。
[0056]在基材S上，藉助於反應性磁控濺射沉積出吸收層系統ASS，其由三個子層組成，即下吸收層UAS、中吸收層MAS和上吸收層0AS。
[0057]為此由金屬鈦靶在含二氧化碳的氣氛中以反應模式濺射出下吸收層UAS。得出的主要由碳氧化鈦T1xCy組成的下吸收層UAS具有在550nm的波長下的約0.5的消光係數以及2020 μ Ohm.cm的電阻率。層厚為約37nm。
[0058]在它上面接著由金屬鈦靶在含氧的氣氛下以金屬模式濺射出中吸收層MAS。得出的帶有鈦氧化物T1x作為主要組分的中吸收層MAS具有在550nm波長下的約1.7的消光係數，以及706 μ Ohm.cm的電阻率。層厚為約10nm。
[0059]在它上面繼續由金屬鈦靶在含二氧化碳的氣氛下以反應模式濺射出上吸收層0AS。得出的主要由T1xCy組成的上吸收層0AS具有在550nm的波長下的約0.5的消光係數以及2020 μ Ohm.cm的電阻率。層厚為約45nm。在吸收層系統ASS之後，沉積出覆蓋層系統DSS。在該實施例中，該覆蓋層系統由兩個子層構成，即下覆蓋層UDS和上覆蓋層0DS。
[0060]由金屬鈦靶在含氧的氣氛下沉積出下覆蓋層UDS，而且下覆蓋層相應地具有鈦氧化物作為主要組分。下覆蓋層是透明的且高折射的，並主要用於色彩調整。它的折射率大於上覆蓋層0DS的折射率。可選地，該層可以由陶瓷的T1x-製造。
[0061]在下覆蓋層UDS上，由主要含矽的靶在含氧的氣氛下通過濺射沉積出上覆蓋層0DS，從而得出的層主要含有Si02。上覆蓋層0DS是介電的、透明的並擁有低的折射率。層厚為約lOOnm。可選地，上覆蓋層的沉積也可以通過帶有或沒有離子輔助的電子束蒸發進行。
[0062]通過第一實施例的層系統，在使用鋁帶作為基材S的情況下，獲得了在色值a*(Rf) =-7.7 和 b* (Rf) =-34.3 下的、ε = 0.027(2.7% )的發射率 ε 和根據 ISO 9050確定的α = 0.9465(94.65% )的太陽能吸收率α。該色值對應於深藍色。
[0063]第二實施例的太陽能吸收器層系統SASS與第一實施例的區別僅在於，選擇了其他的基材材料並且在基材S和吸收層系統ASS之間沉積出了額外的紅外反射層RS。
[0064]具體而言，為根據圖2的第二實施例選擇不鏽鋼帶作為基材S。通過在惰性氣氛下的濺射，在它上面施布由50nm的鋁、替代地由75nm的銀製成的紅外反射層RS。作為替代，反射層還可以通過在真空中汽化滲鍍，或者溼化學法，或者電鍍法在常壓下施布。作為替代，反射層的製造可以通過另外的適合的方法進行。
[0065]根據第三實施例(圖3)進行:將吸收層系統ASS以根據第一實施例的Ti0xCy/Ti0x/Ti0xCy的層序列沉積在鋁帶上，其中，濺射優選作為管靶的直流濺射進行，並還採用多個管靶。不同於實施例1，在第三實施例中，覆蓋層系統DSS僅由一個覆蓋層DS (二氧化矽層)組成，其通過電子束蒸發沉積出。太陽能吸收器層系統SASS的藍色色調以直至約135nm的層厚來獲得。
[0066]附圖標記說明
[0067]SASS太陽能吸收器層系統
[0068]S基材
[0069]ASS吸收層系統
[0070]DSS覆蓋層系統
[0071]ODS上覆蓋層
[0072]UDS下覆蓋層
[0073]DS覆蓋層
[0074]OAS上吸收層
[0075]MAS中吸收層
[0076]UAS下吸收層
[0077]RS紅外反射層
【權利要求】
1.一種太陽能吸收器，其包括:經覆層的或未經覆層的基材(S)和布置在所述基材上的太陽能吸收器層系統(SASS)，所述太陽能吸收器層系統從所述基材(S)向上觀察具有吸收層系統(ASS)和覆蓋層系統(DSS)，其特徵在於，所述吸收層系統(ASS)包括至少三個吸收層(UAS、MAS、OAS):即下吸收層、至少一個中吸收層和上吸收層，其中的至少一個吸收層(UAS, MAS、0AS)具有0〈x〈2且0〈y彡I的碳氧化鈦T1xCy作為主要組分。
2.根據權利要求1所述的太陽能吸收器，其特徵在於，所述下吸收層(UAS)和/或所述上吸收層(OAS)具有0〈x〈2且0〈y彡I的碳氧化鈦T1xCy。
3.根據前述權利要求中任一所述的太陽能吸收器，其特徵在於，所述中吸收層(MAS)具有O < X < 2的鈦氧化物T1x作為主要組分。
4.根據權利要求1或2所述的太陽能吸收器，其特徵在於，所述中吸收層(MAS)的層厚小於所述下吸收層(UAS)和所述上吸收層(OAS)的層厚。
5.根據權利要求1或2所述的太陽能吸收器，其特徵在於，所述下吸收層(UAS)的層厚小於所述上吸收層(OAS)的層厚。
6.根據權利要求1或2所述的太陽能吸收器，其特徵在於，所述中吸收層(MAS)具有0^x<2的鈦氧化物T1x作為主要組分，所述中吸收層(MAS)的層厚小於所述下吸收層(UAS)和所述上吸收層(OAS)的層厚，並且，所述下吸收層(UAS)的層厚小於所述上吸收層(OAS)的層厚。
7.根據權利要求1或2所述的太陽能吸收器，其特徵在於，所述覆蓋層系統(DSS)由至少兩個子層(UDS、0DS)構建而成，其中，下覆蓋層(UDS)的折射率大於上覆蓋層(ODS)的折射率。
8.根據權利要求6所述的太陽能吸收器，其特徵在於，所述覆蓋層系統(DSS)由至少兩個子層(UDS、0DS)構建而成，其中，下覆蓋層(UDS)的折射率大於上覆蓋層(ODS)的折射率。
9.一種製造太陽能吸收器的方法，其特徵在於，把根據前述權利要求的任意一項所述的太陽能吸收器層系統(SASS)的諸層相繼地沉積在經覆層或未經覆層的基材(S)上，其中，至少所述吸收層(UAS、MAS、0AS)的沉積憑藉反應性磁控濺射進行。
10.根據權利要求9所述的方法，其特徵在於，所述吸收層系統(ASS)的吸收層(UAS、MAS、0AS)由金屬靶濺射出。
【文檔編號】B32B33/00GK104422188SQ201410412308
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2014年8月20日 優先權日:2013年8月20日
【發明者】馬庫斯·貝倫特 申請人:馮·阿德納有限公司