橋接形式的晶片封裝結構及其製造方法
2023-06-01 21:36:31 1
專利名稱：橋接形式的晶片封裝結構及其製造方法
技術領域：
本發明涉及一種晶片封裝結構及其製造方法，特別是涉及一種可以提高電性效能的橋接形式的晶片封裝結構及其製造方法(Bridge ConnectionType of Chip Package and Process Thereof)。
背景技術：
近年來，隨著電子技術的日新月異，高科技電子產品也相繼問世，因而更人性化、功能性更佳的電子產品不斷推陳出新，然而各種產品無不朝向輕、薄、短、小的趨勢設計，以提供更便利舒適的使用。而一個電子產品的完成，電子封裝扮演著重要的角色，其晶片與承載器間電性連接的方式，一般常見的有三種，第一種為打線(wire-bonding)的方式、第二種為軟片自動貼合(tape automated bonding，TAB)的方式、第三種為覆晶(flip chip)的方式。就打線的方式而言，其是利用一打線機臺將其打線頭先移動至晶片的接點上，並利用尖端放電的方式將導線的端點熔化而成為球型的樣式，如此便可以將導線打到晶片的接點上，然後便移動打線頭到承載器的接點上，而在移動的過程中打線頭亦會放出導線，最後再利用超音波熔接的方式將導線打到承載器的接點上。
接下來，將介紹一種現有習知的利用打線方式的封裝結構。請參閱圖1所示，是現有習知的利用打線方式的封裝結構的剖面示意圖。該一封裝結構100，包括一基板120、一晶片160、多條導線170、一封裝材料180及多個焊球190。基板120具有一第一表面122及對應的一第二表面124，而基板120具有多個基板接點126、128及一晶片座132，基板接點126及晶片座132是位在晶片120的第一表面122上，並且基板接點126是環繞在晶片座132的周圍，而基板接點128是位在晶片120的第二表面124上。晶片160具有一主動表面162及對應的一背面164，而晶片160還具有多個晶片接點166，是位在晶片160的主動表面162上。晶片160是以其背面164並藉由一黏著材料140貼附到基板120的晶片座132上，而利用打線的方式使晶片160與基板120電性連接，其中導線170的一端是接合到晶片接點166上，而導線170的另一端是接合到基板接點126上。封裝材料180包覆晶片160、基板120的第一表面122及導線170。焊球190是位在基板接點128上，藉由焊球190可以使一外界電路(圖中未示)與封裝結構100電性連接。
在上述的封裝結構100中，晶片160是藉由導線170與基板120電性連接，然而由於該導線170的截面積甚小並且長度甚長，因此特性阻抗匹配不良，使得訊號會被快速地衰減，並且在高頻電路運作時，會有電感電容寄生效應(Parasitics)的發生，以致產生訊號反射的情形。此外，由於導線170與基板接點126或晶片接點166傳輸路徑的面積甚小，不利於電壓及電流提供，而導致電源及接地的效果變差。
由此可見，上述現有的晶片封裝結構及其製造方法仍存在有缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決現有的晶片封裝結構及其製造方法的缺陷，相關廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設計被發展完成，此顯然是相關業者急欲解決的問題。
有鑑於上述現有的晶片封裝結構及其製造方法存在的缺陷，本發明人基於從事此類產品設計製造多年豐富的實務經驗及專業知識，積極加以研究創新，以期創設一種新的橋接形式的晶片封裝結構及其製造方法，能夠改進一般現有的晶片封裝結構及其製造方法，使其更具有實用性。經過不斷的研究、設計，並經反覆試作樣品及改進後，終於創設出確具實用價值的本發明。
發明內容
本發明的目的在於，克服上述現有的晶片封裝結構及其製造方法存在的缺陷，而提供一種新的橋接形式的晶片封裝結構及其製造方法，所要解決的技術問題是使其可以縮短晶片與基板間電性連接的距離，進而使得晶片封裝結構的電性效能可以提高，從而更加適於實用，且具有產業上的利用價值。
本發明的目的及解決其技術問題是採用以下的技術方案來實現的。依據本發明提出的一種晶片封裝結構，其至少包括一基板，具有一表面，該基板還具有一凹陷部及至少一基板接點，均位在該基板的該表面上，而該凹陷部具有一第一側壁；一晶片，具有一主動表面，該晶片具有至少一晶片接點，配置在該晶片的該主動表面上，該晶片是位在該基板的該凹陷部中，該晶片具有一第二側壁，該晶片的該第二側壁是接觸於該凹陷部的該第一側壁；以及至少一導電體，該導電體是在該晶片的該主動表面上及該基板的該表面上延伸，使該晶片接點與該基板接點電性連接。
本發明的目的及解決其技術問題還可以採用以下的技術措施來進一步實現。
前述的晶片封裝結構，其還包括一封裝材料，包覆該晶片的該主動表面、該基板的該表面及該導電體。
前述的晶片封裝結構，其中所述的晶片接點是位在該主動表面與該第二側壁的交界處。
前述的晶片封裝結構，其中所述的基板接點是位在該基板的該表面與該第一側壁的交界處。
前述的晶片封裝結構，其中所述的導電體是為錫鉛合金。
前述的晶片封裝結構，其中所述的導電體是為錫。
前述的晶片封裝結構，其中所述的凹陷部的截面尺寸是大致上相同於該晶片的尺寸。
前述的晶片封裝結構，其中所述的晶片接點是接觸於該基板接點。
前述的晶片封裝結構，其中所述的導電體是為導電膠。
前述的晶片封裝結構，其還包括複數個焊球，位在該基板上。
前述的晶片封裝結構，其中所述的晶片的該主動表面與該基板的該表面是為共平面的配置。
本發明的目的及解決其技術問題還採用以下技術方案來實現。依據本發明提出的一種晶片封裝結構，其至少包括一基板，具有一基板表面，該基板還具有一凹陷部及至少一基板接點，均位在該基板表面上，而該凹陷部具有一第一側璧；一晶片，具有一主動表面，該晶片具有至少一晶片接點，配置在該晶片的該主動表面上，該晶片是位在該基板的該凹陷部中，該晶片具有一第二側壁；一填充材料，位在該第一側壁與該第二側壁之間，該填充材料具有一填充材料表面；以及至少一導電體，該導電體是在該主動表面上、該填充材料表面上及該基板表面上延伸，使該晶片與該基板電性連接。
本發明的目的及解決其技術問題還可以採用以下的技術措施來進一步實現。
前述的晶片封裝結構，其還包括一封裝材料，包覆該晶片的該主動表面、該基板表面、該填充材料表面及該導電體。
前述的晶片封裝結構，其中所述的晶片接點是位在該主動表面與該第二側壁的交界處。
前述的晶片封裝結構，其中所述的基板接點是位在該基板表面與該第一側壁的交界處。
前述的晶片封裝結構，其中所述的導電體是為錫鉛合金。
前述的晶片封裝結構，其中所述的導電體是為錫。
前述的晶片封裝結構，其中所述的導電體是為導電膠。
前述的晶片封裝結構，其還包括複數個焊球，位在該基板上。
前述的晶片封裝結構，其中所述的晶片的該主動表面、該填充材料表面及該基板表面是為共平面的配置。
本發明的目的及解決其技術問題還採用以下技術方案來實現。依據本發明提出的一種晶片與承載器間導電接合結構，其至少包括一承載器，具有至少一接點；以及一晶片，具有至少一晶片接點，該晶片接點是直接與該承載器的該接點接觸，使該承載器與該晶片電性連接。
本發明的目的及解決其技術問題還可以採用以下的技術措施來進一步實現。
前述的晶片與承載器間導電接合結構，其中所述的承載器具有一凹陷部，配置在該承載器的一表面上，該凹陷部具有一第一側壁，而該承載器的該接點是位在該承載器的該表面與該第一側壁的交界處，該晶片是位在該凹陷部中，該晶片具有一第二側壁，該第一側壁是直接接觸於該第二側壁，該晶片具有一主動表面，該晶片接點是位在該主動表面與該第二側壁的交界處，而該晶片的該主動表面與該承載器的該表面是為共平面的配置。
前述的晶片與承載器間導電接合結構，其中所述的凹陷部的截面尺寸是大致相同於該凹陷部的截面尺寸。
前述的晶片與承載器間導電接合結構，其中所述的承載器是為基板。
本發明的目的及解決其技術問題還採用以下技術方案來實現。依據本發明提出的一種晶片與承載器間導電接合製造方法，其至少包括提供一承載器，該承載器具有一凹陷部，配置在該承載器的一表面上；提供一晶片，該晶片具有一主動表面；將該晶片置放到該承載器的該凹陷部中；以及形成至少一導電體延伸在該晶片的該主動表面上及該承載器的該表面上，使該晶片與該承載器電性連接。
本發明的目的及解決其技術問題還可以採用以下的技術措施來進一步實現。
前述的晶片與承載器間導電接合製造方法，其中所述的形成該導電體的步驟包括以網板印刷的方式形成一焊料到該晶片的該主動表面上及該基板的該表面上；以及進行一回焊製程，使該焊料固化而形成該導電體。
前述的晶片與承載器間導電接合製造方法，其中所述的形成該導電體的步驟包括形成一線路圖案層到該晶片的該主動表面上及該基板的該表面上，該線路圖案層具有至少一開口，暴露出該晶片的該主動表面及該基板的該表面；以印刷的方式形成一焊料到該線路圖案層的該開口中；進行一回焊製程，使該焊料固化而形成該導電體；以及去除該線路圖案層。
前述的晶片與承載器間導電接合製造方法，其中所述的線路圖案層是為感光材質。
前述的晶片與承載器間導電接合製造方法，其中所述的線路圖案層是為非感光材質。
前述的晶片與承載器間導電接合製造方法，其中所述的承載器是為基板。
前述的晶片與承載器間導電接合製造方法，其中所述的導電體是為導電膠。
前述的晶片與承載器間導電接合製造方法，其中當該晶片置放到該承載器的該凹陷部中時，該晶片的該主動表面與該基板的該表面是為共平面的配置。
前述的晶片與承載器間導電接合製造方法，其中所述的凹陷部具有一第一側壁，該晶片具有一第二側壁，當該晶片置放到該承載器的該凹陷部中時，該第一側壁是接觸於該第二側壁。
前述的晶片與承載器間導電接合製造方法，其中在形成。導電體之前，還填入一填充材料到該凹陷部中，該凹陷部具有一第一側壁，該晶片具有一第二側壁，該填充材料是位在該第一側壁與該第二側壁之間，該填充材料具有一填充材料表面，而在形成該導電體時，該導電體是在該主動表面上、該填充材料表面上及該承載器的該表面上延伸。
前述的晶片與承載器間導電接合製造方法，其中所述的晶片的該主動表面、該填充材料表面及該承載器的該表面是為共平面的配置。
本發明的目的及解決其技術問題還採用以下技術方案來實現。依據本發明提出的一種晶片與承載器間導電接合製造方法，其至少包括提供一承載器，該承載器具有一凹陷部，配置在該承載器的一表面上，而該凹陷部具有一第一側壁，並且該承載器還具有至少一接點，是配置在該承載器的該表面與該第一側壁的交界處；提供一晶片，該晶片具有一主動表面、一第二側壁及至少一晶片接點，該晶片接點是配置在該主動表面與該第二側壁的交界處；以及將該晶片置放到該承載器的該凹陷部中，並使該晶片的該主動表面與該基板的該表面形成共平面的配置，且該第一側壁是接觸於該第二側壁，而該晶片接點是接觸於該承載器的該接點。
本發明的目的及解決其技術問題還可以採用以下的技術措施來進一步實現。
前述的晶片與承載器間導電接合製造方法，其中所述的承載器是為基板。
本發明與現有技術相比具有明顯的優點和有益效果。由以上技術方案可知，為了達到上述和其它發明目的，本發明的主要技術內容如下本發明提出一種晶片封裝結構，至少包括一基板、一晶片、至少一導電體及數個焊球。基板具有一第一表面及對應的一第二表面，基板還具有一凹陷部及至少一基板接點，均位在基板的第一表面上。晶片具有一主動表面，晶片還具有至少一晶片接點，配置在晶片的主動表面上。晶片是置放在基板的凹陷部中，晶片的至少一側壁是緊鄰凹陷部的至少一側壁，並且晶片的主動表面與基板的第一表面是為共平面的配置。導電體是在晶片的主動表面上及基板的第一表面上延伸，使晶片接點與基板接點電性連接。
依照本發明的一較佳實施例，其中晶片封裝結構還包括一封裝材料，包覆晶片的主動表面、基板的第一表面及導電體。晶片接點是位在晶片的邊緣上，而基板接點是位在基板的凹陷部的邊緣上，晶片接點是緊靠在基板接點的旁邊。另外，基板的凹陷部的截面尺寸可以設計成大致上相同於晶片的尺寸。此外，導電體可以是錫鉛合金、錫、無鉛導電材料或導電膠。
本發明還提出一種晶片與承載器間導電接合製造方法，其至少包括下列步驟。其是首先提供一承載器及一晶片，其中承載器具有一凹陷部，配置在承載器的一表面上，而晶片具有一主動表面。接著，將晶片置放到承載器的凹陷部中，並使晶片的主動表面與基板的表面形成共平面的配置，而晶片的一側壁緊鄰凹陷部的一側壁。接下來，形成至少一導電體延伸在晶片的主動表面上及基板的表面上，使晶片與基板電性連接。其中承載器比如為基板。
依照本發明的一較佳實施例，其中形成導電體的方法包括下列兩種實施範例。
第一種實施範例，是為先以網板印刷的方式形成一焊料到晶片的主動表面上及基板的表面上，之後再進行一回焊製程，使焊料固化而形成導電體。
第二種實施範例，是為先形成一線路圖案層到晶片的主動表面上及基板的表面上，線路圖案層具有至少一開口，暴露出晶片的主動表面上及基板的表面上。接下來，以印刷的方式形成一焊料到線路圖案層的開口中。接著，進行一回焊製程，使焊料固化而形成導電體。之後，便去除線路圖案層。其中線路圖案層可以為感光材質或是非感光材質。
第三種實施範例，是為先將導電銀膠點於晶片上及基板上，並經過烘乾的過程使得導電銀膠固化，形成導電體，以使晶片與基板電性連接。
本發明再提出一種晶片與承載器間導電接合製造方法，其至少包括下列步驟。首先要提供一承載器及一晶片，承載器具有一凹陷部，配置在承載器的一表面上，並且承載器還具有至少一接點，是配置在承載器的表面上並位在凹陷部的開口處的邊緣上，而晶片具有至少一晶片接點，是配置在晶片的一主動表面的邊緣上。接下來，將晶片置放到承載器的凹陷部中，並使晶片的主動表面與基板的表面形成共平面的配置，且晶片的一側壁緊鄰凹陷部的一側壁，使得晶片接點是緊靠在承載器的接點的旁邊並且電性連接。其中承載器比如為基板。
藉由上述技術方案，本發明具有明顯的優點和有益效果。本發明的晶片封裝結構，主要是至少包括一基板、一晶片及至少一導電體。基板具有一第一表面及對應的一第二表面、一凹陷部及至少一基板接點，均位在基板的第一表面上。晶片具有一主動表面，晶片還具有至少一晶片接點，配置在晶片的主動表面上。晶片是置放在基板的凹陷部中，晶片的至少一側壁是緊鄰凹陷部的至少一側壁，並且晶片的主動表面與基板的第一表面是為共平面的配置。導電體是在晶片的主動表面上及基板的第一表面上延伸，使晶片接點與基板接點電性連接。本發明的晶片封裝結構，由於晶片接點可以通過導電體與基板接點電性連接，或者晶片接點可以直接與基板接點電性連接，因此晶片接點與基板接點間的傳導路徑甚短，且傳導路徑的徑寬甚大，故可以降低傳導阻抗，而減緩訊號的衰減，並且可以適於在高頻電路的運作，而減少電感電容寄生效應的發生。另外，由於導電體與基板接點或晶片接點接觸的面積甚大，且基板接點可以直接與晶片接點接觸，故可以避免發生如打線結構的阻抗不匹配的現象，並且會有甚佳的電源及接地效果。
綜上所述，本發明特殊的橋接形式的晶片封裝結構及其製造方法，可以縮短晶片與基板間電性連接的距離，進而使得晶片封裝結構的電性效能可以提高，從而更加適於實用，且具有產業上的利用價值。其具有上述諸多的優點及實用價值，並在同類產品及製造方法中未見有類似的結構設計及方法公開發表或使用而確屬創新，其不論在產品結構、製造方法或功能上皆有較大的改進，在技術上有較大的進步，並產生了好用及實用的效果，且較現有的晶片封裝結構及其製造方法具有增進的多項功效，從而更加適於實用，而具有產業的廣泛利用價值，誠為一新穎、進步、實用的新設計。
上述說明僅是本發明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發明的技術手段，並可依照說明書的內容予以實施，以下以本發明的較佳實施例並配合附圖詳細說明如後。
圖1是現有習知的利用打線方式的封裝結構的剖面示意圖。
圖2至圖7是本發明第一較佳實施例的一種晶片封裝製程及結構的剖面示意圖。
圖2A是圖2中晶片及基板的立體示意圖。
圖8是依照本發明第二較佳實施例的一種晶片封裝結構的剖面示意圖。
圖9是依照本發明第三較佳實施例的一種晶片封裝結構的剖面示意圖。
圖10是依照本發明第四較佳實施例的一種晶片封裝結構的剖面示意圖。
圖11至圖13是本發明第五較佳實施例的一種晶片封裝製程及結構的剖面示意圖。
圖14是依照本發明第六較佳實施例的一種晶片封裝結構的剖面示意圖。
圖15是依照本發明第七較佳實施例的一種晶片封裝結構的剖面示意圖。
圖16是依照本發明第八較佳實施例的一種晶片封裝結構的剖面示意圖。
100封裝結構 120基板122第一表面 124第二表面126基板接點 128基板接點132晶片座(晶片座) 140黏著材料160晶片(晶片) 162主動表面164背面 166晶片接點(晶片接點)170導線 180封裝材料190焊球 210晶片212主動表面 214背面216晶片接點 218側壁220基板 222第一表面224第二表面 226凹陷部227底面 228基板接點229側壁 230基板接點240黏著材料 250焊料252導電體 254線路圖案層256開口 258焊料259導電體 260封裝材料270焊球 310晶片312主動表面 316晶片接點320基板 326凹陷部328基板接點 352導電體410晶片 412主動表面416晶片接點 420基板422第一表面 426凹陷部428基板接點 460封裝材料510晶片 512主動表面514背面 516晶片接點520基板 522第一表面526凹陷部 527底面528基板接點 540黏著材料610晶片 612主動表面
616晶片接點618側壁620基板622表面626凹陷部 628基板接點629側壁640黏著材料652導電體 660封裝材料680填充材料682表面710晶片712主動表面716晶片接點720基板722表面726凹陷部728基板接點752導電體780填充材料782表面810晶片812主動表面816晶片接點820基板822表面826凹陷部828基板接點852導電體具體實施方式
以下結合附圖及較佳實施例，對依據本發明提出的橋接形式的晶片封裝結構及其製造方法其具體結構、製造方法、步驟、特徵及其功效，詳細說明如後。
請參閱圖2至圖7所示，是本發明第一較佳實施例的一種晶片封裝製程的剖面示意圖。首先請參閱圖2及圖2A所示，其中圖2A是圖2中晶片及基板的立體示意圖。本發明在進行晶片封裝製程時，要先提供一晶片210及一基板220，基板220具有一第一表面222及對應的一第二表面224，基板還具有一凹陷部226及多個基板接點228、230，其中凹陷部226及基板接點228是位在基板220的第一表面222上，並且基板接點228是環繞在凹陷部226的邊緣上，亦即位在凹陷部226的開口處，亦即基板接點228是位在基板220的第一表面222與凹陷部226的側壁229的交界處。晶片210具有一主動表面212及對應的一背面214，並且晶片210還具有數個晶片接點216，配置在晶片210的主動表面212的邊緣上，亦即是配置在晶片210的主動表面212與晶片210的側壁218的交界處。在本實施例中，基板220的凹陷部226的截面尺寸可以設計成大致上相同於晶片210的尺寸，而晶片接點216的位置配置是與基板接點228的位置配置相對應。
請參閱圖3所示，接下來便將晶片210置放到基板220的凹陷部226中，並藉由一黏著材料240可以使得晶片210以其背面214貼附到基板220的凹陷部226的底面227上，使得晶片210的側壁是緊鄰基板220的凹陷部226的側壁，並且晶片210的主動表面212與基板220的第一表面222是為共平面的配置，如此晶片接點216是緊靠在基板接點228的旁邊。
請參閱圖4所示，接下來比如可以利用網板印刷的方式，形成一焊料250到晶片接點216上及基板接點228上，其中焊料250是由一助焊劑(圖中未示)及多個金屬粒子(圖中未示)所構成，金屬粒子是均勻地混合在助焊劑中。之後，便進行回焊的製程，使得金屬粒子可以熔融聚合而固化形成導電體252到晶片接點216上及基板接點228上，如圖5所示，其中晶片接點216可以藉由導電體252與基板接點228電性連接，而導電體252比如是錫鉛合金、錫或是無鉛導電材料。或是當晶片置放到基板的凹陷部中時，晶片接點便能夠直接與基板接點接觸而電性連接，如此便可以省去前述的形成導電體的步驟。在另一較佳實施例中，導電體亦可以是導電膠，如此便可以省去回焊的步驟，僅需將導電膠直接形成到晶片接點上及基板接點上，再經烘乾導電膠後，製作導電體的步驟便完成。
另外，可以選擇性地形成一封裝材料260以包覆晶片210的主動表面212、基板220的第一表面222及導電體252，而形成如圖6所示的樣式。之後，可以再利用植球的方式，形成多個焊球270到基板接點230上，形成如圖7所示的樣式。
在上述的封裝結構中，由於晶片接點216可以透過導電體252與基板接點228電性連接，或者晶片接點216可以直接與基板接點228電性連接，因此晶片接點216與基板接點228間的傳導路徑甚短，且傳導路徑的徑寬甚大，故可以降低傳導阻抗，而減緩訊號的衰減，並且可以適於在高頻電路的運作，而減少電感電容寄生效應(Parasitics)的發生。此外，由於導電體252與基板接點228或晶片接點216接觸的面積甚大，且基板接點228可以直接與晶片接點216接觸，因此其接觸阻抗甚小，故可以避免發生阻抗不匹配的現象，以致產生訊號反射的情形。另外，由於本發明可以改善晶片封裝結構中如上所述的電性效能，因此會有甚佳的電源及接地的效果。
另外，在其它的較佳實施例中，亦可以省去形成黏著材料及封裝材料的步驟，如圖8所示，其是依照本發明第二較佳實施例的一種晶片封裝結構的剖面示意圖，而僅需藉由導電體352便可以將晶片310固定到基板320的凹陷部326中，同時可以使位在晶片310邊緣的晶片接點316電性連接於位在基板320的凹陷部326邊緣的基板接點328，在較佳的情況下，晶片310的主動表面312要與基板320的第一表面322共平面，其中晶片310的主動表面312可以直接暴露於外，而晶片310的背面可以直接與基板320的凹陷部326的底面接觸。或是甚至不需導電體及黏著材料，而僅需利用封裝材料460便可以將晶片410固定到基板420的凹陷部426中，如圖9所示，其是依照本發明第三較佳實施例的一種晶片封裝結構的剖面示意圖，此時必須是當晶片410置放到基板420的凹陷部426中時，晶片接點416便直接與基板接點428接觸而電性連接，在較佳的情況下，晶片410的主動表面412要與基板420的第一表面422共平面，而晶片410的背面可以直接與基板420的凹陷部426的底面接觸，其中晶片接點416的配置及基板接點428的配置如前面的較佳實施例所述，在此便不再贅述。
在另一較佳實施例中，如圖10所示，其是依照本發明第四較佳實施例的一種晶片封裝結構的剖面示意圖，亦可以是晶片510的其中一側壁緊鄰基板520的凹陷部526的一側壁即可，並非限制於晶片的每一側壁均需緊鄰基板的凹陷部，而在較佳的情況下，晶片510的主動表面512要與基板520的第一表面522共平面，其中晶片接點516可以配置在晶片510的邊緣，而緊靠在位於基板520的凹陷部526的邊緣上的基板接點528的旁邊，使得晶片接點516可以直接與基板接點528接觸而電性連接。晶片510是以其背面514藉由一黏著材質540貼附到基板520的凹陷部526的底面527上。
在第一較佳實施例中，是以網板印刷的方式形成焊料於晶片接點上及基板點上，然而本發明形成焊料的方式並非僅限於此，其亦可以如圖11至圖13所示，是本發明第五較佳實施例的一種晶片封裝製程及結構的剖面示意圖，其中若是本實施例中的標號與第一較佳實施例一樣者，則表示在本實施例中所指明的構件是雷同於在第一較佳實施例中所指明的構件，在此便不再贅述。請首先參閱圖11所示，在晶片210貼附到基板220的凹陷部226中之後，亦可以先形成一線路圖案層254到晶片210的主動表面212上及基板220的第一表面222上，當線路圖案層254是為感光材質時，便可以通過曝光的步驟而直接形成開口256，以暴露出晶片接點216及基板接點228；當線路圖案層254是為非感光材質時，便可以通過微影蝕刻等步驟而形成開口256，以暴露出晶片接點216及基板接點228。接著，便可以利用印刷的方式，形成一焊料258到線路圖案層254的開口256中，形成如圖12所示的樣式，其中焊料258是由一助焊劑(圖中未示)及多個金屬粒子(圖中未示)所構成，金屬粒子是均勻地混合在助焊劑中。之後，便進行回焊的製程，使得金屬粒子可以熔融聚合而固化形成導電體259到晶片接點216上及基板接點228上，如圖13所示，其中晶片接點216可以藉由導電體252與基板接點228電性連接。接著，便將線路圖案層254去除。其接下來的製程，如第一較佳實施例所述，在此便不再贅述。
在上述的實施例中，晶片的側壁是接觸於凹陷部的側壁，使得晶片接點可以接觸於基板接點。然而，本發明的應用並不限於此，請參閱圖14所示，其是依照本發明第六較佳實施例的一種晶片封裝結構的剖面示意圖，其中，一填充材料680是位於晶片610的側壁618與凹陷部626的側壁629之間，在較佳的情況下，填充材料680的一表面682是與晶片610的主動表面612共平面，並且亦與基板620的表面622共平面。導電體652可以從晶片610的主動表面612開始延伸，經過填充材料680的表面682，而到達基板620的表面622。藉由導電體652可以使基板接點628與晶片接點616電性連接。在本實施例中，晶片接點616是位在晶片610的邊緣上，亦即是位在晶片610的主動表面612與側壁618交界之處。基板接點628是位在凹陷部626的開口處的邊緣，亦即是位在基板620的表面622與凹陷部626的側壁629的交界處。
接下來，具體說明如圖14所示的晶片封裝結構的製造方法。首先，可以利用黏著材料640將晶片610貼覆於凹陷部626的底部上，接著填充材料680可以填入於晶片610的側壁618與凹陷部626的側壁之間。接下來，比如可以利用上述的印刷方式形成導電體652，之後，便可以形成封裝材料660覆蓋導電體652、晶片610的主動表面612及基板620的表面622。
另外，請參閱圖15所示，是依照本發明第七較佳實施例的一種晶片封裝結構的剖面示意圖，其中晶片接點716亦可以位在晶片710的主動表面712上，而不是位在晶片710的邊緣上。並且，基板接點728亦可以位在基板720的表面722上，而不是位在凹陷部726的開口處的邊緣。導電體752可以經過晶片710的主動表面712、填充材料780的表面782及基板720的表面722，電性連接於晶片接點716與基板接點728。其它結構是雷同於第六較佳實施例，在此便不再贅述。
在第一較佳實施例中，晶片接點是位在晶片的主動表面與側壁的交界處，而基板接點是位在基板的表面與凹陷部的側壁的交界處，在晶片置放於基板的凹陷部中之後，晶片接點可以直接與基板接點接觸。然而，在實際應用上，晶片接點816亦可以位在晶片810的主動表面812上，而不是位在晶片810的邊緣上。並且，基板接點828亦可以位在基板820的表面822上，而不是位在凹陷部826的開口處的邊緣，如圖16所示，其是依照本發明第八較佳實施例的一種晶片封裝結構的剖面示意圖。導電體852可以經過晶片810的主動表面812與基板820的表面822，電性連接於晶片接點816與基板接點828。其它結構是雷同於第六較佳實施例，在此便不再贅述。
在上述的實施例中是以基板作為承載器，然而亦可以其它電子組件作為承載器。
綜上所述，本發明至少具有下列優點1、本發明的晶片封裝結構，由於晶片接點可以透過導電體與基板接點電性連接，或者晶片接點可以直接與基板接點電性連接，因此晶片接點與基板接點間的傳導路徑甚短，且傳導路徑的徑寬甚大，故可以降低傳導阻抗，而減緩訊號的衰減，並且可以適於在高頻電路的運作，而減少電感電容寄生效應的發生。
2、本發明的晶片封裝結構，由於導電體與基板接點或晶片接點接觸的面積甚大，且基板接點可以直接與晶片接點接觸，故可以改善阻抗不匹配的現象。
3、本發明的晶片封裝結構，會有甚佳的電源及接地的效果。
以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，並非對本發明作任何形式上的限制，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然而並非用以限定本發明，任何熟悉本專業的技術人員，在不脫離本發明技術方案範圍內，當可利用上述揭示的方法及技術內容作出些許的更動或修飾為等同變化的等效實施例，但是凡是未脫離本發明技術方案的內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬於本發明技術方案的範圍內。
權利要求
1.一種晶片封裝結構，其特徵在於其至少包括一基板，具有一表面，該基板還具有一凹陷部及至少一基板接點，均位在該基板的該表面上，而該凹陷部具有一第一側壁；一晶片，具有一主動表面，該晶片具有至少一晶片接點，配置在該晶片的該主動表面上，該晶片是位在該基板的該凹陷部中，該晶片具有一第二側壁，該晶片的該第二側壁是接觸於該凹陷部的該第一側壁；以及至少一導電體，該導電體是在該晶片的該主動表面上及該基板的該表面上延伸，使該晶片接點與該基板接點電性連接。
2.根據權利要求1所述的晶片封裝結構，其特徵在於其還包括一封裝材料，包覆該晶片的該主動表面、該基板的該表面及該導電體。
3.根據權利要求1所述的晶片封裝結構，其特徵在於其中所述的晶片接點是位在該主動表面與該第二側壁的交界處。
4.根據權利要求1所述的晶片封裝結構，其特徵在於其中所述的基板接點是位在該基板的該表面與該第一側壁的交界處。
5.根據權利要求1所述的晶片封裝結構，其特徵在於其中所述的導電體是為錫鉛合金。
6.根據權利要求1所述的晶片封裝結構，其特徵在於其中所述的導電體是為錫。
7.根據權利要求1所述的晶片封裝結構，其特徵在於其中所述的凹陷部的截面尺寸是大致上相同於該晶片的尺寸。
8.根據權利要求1所述的晶片封裝結構，其特徵在於其中所述的晶片接點是接觸於該基板接點。
9.根據權利要求1所述的晶片封裝結構，其特徵在於其中所述的導電體是為導電膠。
10.根據權利要求1所述的晶片封裝結構，其特徵在於其還包括複數個焊球，位在該基板上。
11.根據權利要求1所述的晶片封裝結構，其特徵在於其中所述的晶片的該主動表面與該基板的該表面是為共平面的配置。
12.一種晶片封裝結構，其特徵在於其至少包括一基板，具有一基板表面，該基板還具有一凹陷部及至少一基板接點，均位在該基板表面上，而該凹陷部具有一第一側壁；一晶片，具有一主動表面，該晶片具有至少一晶片接點，配置在該晶片的該主動表面上，該晶片是位在該基板的該凹陷部中，該晶片具有一第二側壁；一填充材料，位在該第一側壁與該第二側壁之間，該填充材料具有一填充材料表面；以及至少一導電體，該導電體是在該主動表面上、該填充材料表面上及該基板表面上延伸，使該晶片與該基板電性連接。
13.根據權利要求12所述的晶片封裝結構，其特徵在於其還包括一封裝材料，包覆該晶片的該主動表面、該基板表面、該填充材料表面及該導電體。
14.根據權利要求12所述的晶片封裝結構，其特徵在於其中所述的晶片接點是位在該主動表面與該第二側壁的交界處。
15.根據權利要求12所述的晶片封裝結構，其特徵在於其中所述的基板接點是位在該基板表面與該第一側壁的交界處。
16.根據權利要求12所述的晶片封裝結構，其特徵在於其中所述的導電體是為錫鉛合金。
17.根據權利要求12所述的晶片封裝結構，其特徵在於其中所述的導電體是為錫。
18.根據權利要求12所述的晶片封裝結構，其特徵在於其中所述的導電體是為導電膠。
19.根據權利要求12所述的晶片封裝結構，其特徵在於其還包括複數個焊球，位在該基板上。
20.根據權利要求12所述的晶片封裝結構，其特徵在於其中所述的晶片的該主動表面、該填充材料表面及該基板表面是為共平面的配置。
21.一種晶片與承載器間導電接合結構，其特徵在於其至少包括一承載器，具有至少一接點；以及一晶片，具有至少一晶片接點，該晶片接點是直接與該承載器的該接點接觸，使該承載器與該晶片電性連接。
22.根據權利要求21所述的晶片與承載器間導電接合結構，其特徵在於其中所述的承載器具有一凹陷部，配置在該承載器的一表面上，該凹陷部具有一第一側壁，而該承載器的該接點是位在該承載器的該表面與該第一側壁的交界處，該晶片是位在該凹陷部中，該晶片具有一第二側壁，該第一側壁是直接接觸於該第二側壁，該晶片具有一主動表面，該晶片接點是位在該主動表面與該第二側壁的交界處，而該晶片的該主動表面與該承載器的該表面是為共平面的配置。
23.根據權利要求22所述的晶片與承載器間導電接合結構，其特徵在於其中所述的凹陷部的截面尺寸是大致相同於該凹陷部的截面尺寸。
24.根據權利要求21所述的晶片與承載器間導電接合結構，其特徵在於其中所述的承載器是為基板。
25.一種晶片與承載器間導電接合製造方法，其特徵在於其至少包括提供一承載器，該承載器具有一凹陷部，配置在該承載器的一表面上；提供一晶片，該晶片具有一主動表面；將該晶片置放到該承載器的該凹陷部中；以及形成至少一導電體延伸在該晶片的該主動表面上及該承載器的該表面上，使該晶片與該承載器電性連接。
26.根據權利要求25所述的晶片與承載器間導電接合製造方法，其特徵在於其中所述的形成該導電體的步驟包括以網板印刷的方式形成一焊料到該晶片的該主動表面上及該基板的該表面上；以及進行一回焊製程，使該焊料固化而形成該導電體。
27.根據權利要求25所述的晶片與承載器間導電接合製造方法，其特徵在於其中所述的形成該導電體的步驟包括形成一線路圖案層到該晶片的該主動表面上及該基板的該表面上，該線路圖案層具有至少一開口，暴露出該晶片的該主動表面及該基板的該表面；以印刷的方式形成一焊料到該線路圖案層的該開口中；進行一回焊製程，使該焊料固化而形成該導電體；以及去除該線路圖案層。
28.根據權利要求27所述的晶片與承載器間導電接合製造方法，其特徵在於其中所述的線路圖案層是為感光材質。
29.根據權利要求27所述的晶片與承載器間導電接合製造方法，其特徵在於其中所述的線路圖案層是為非感光材質。
30.根據權利要求25所述的晶片與承載器間導電接合製造方法，其特徵在於其中所述的承載器是為基板。
31.根據權利要求25所述的晶片與承載器間導電接合製造方法，其特徵在於其中所述的導電體是為導電膠。
32.根據權利要求25所述的晶片與承載器間導電接合製造方法，其特徵在於其中當該晶片置放到該承載器的該凹陷部中時，該晶片的該主動表面與該基板的該表面是為共平面的配置。
33.根據權利要求25所述的晶片與承載器間導電接合製造方法，其特徵在於其中所述的凹陷部具有一第一側壁，該晶片具有一第二側壁，當該晶片置放到該承載器的該凹陷部中時，該第一側壁是接觸於該第二側壁。
34.根據權利要求25所述的晶片與承載器間導電接合製造方法，其特徵在於其中在形成該導電體之前，還填入一填充材料到該凹陷部中，該凹陷部具有一第一側壁，該晶片具有一第二側壁，該填充材料是位在該第一側壁與該第二側壁之間，該填充材料具有一填充材料表面，而在形成該導電體時，該導電體是在該主動表面上、該填充材料表面上及該承載器的該表面上延伸。
35.根據權利要求34所述的晶片與承載器間導電接合製造方法，其特徵在於其中所述的晶片的該主動表面、該填充材料表面及該承載器的該表面是為共平面的配置。
36.一種晶片與承載器間導電接合製造方法，其特徵在於其至少包括提供一承載器，該承載器具有一凹陷部，配置在該承載器的一表面上，而該凹陷部具有一第一側壁，並且該承載器還具有至少一接點，是配置在該承載器的該表面與該第一側壁的交界處；提供一晶片，該晶片具有一主動表面、一第二側壁及至少一晶片接點，該晶片接點是配置在該主動表面與該第二側壁的交界處；以及將該晶片置放到該承載器的該凹陷部中，並使該晶片的該主動表面與該基板的該表面形成共平面的配置，且該第一側壁是接觸於該第二側壁，而該晶片接點是接觸於該承載器的該接點。
37.根據權利要求36所述的晶片與承載器間導電接合製造方法，其特徵在於其中所述的承載器是為基板。
全文摘要
本發明是關於一種橋接形式的晶片封裝結構及其製造方法，該晶片封裝結構，至少包括一基板、一晶片及至少一導電體。基板具有一第一表面及對應的一第二表面、一凹陷部及至少一基板接點，均位在基板的第一表面上。晶片具有一主動表面，晶片還具有至少一晶片接點，配置在晶片的主動表面上。晶片是置放在基板的凹陷部中，晶片的至少一側壁是緊鄰凹陷部的至少一側壁，並且晶片的主動表面與基板的第一表面是為共平面的配置。導電體是在晶片的主動表面上及基板的第一表面上延伸，使晶片接點與基板接點電性連接。本發明可以縮短晶片與基板間電性連接的距離，進而使得晶片封裝結構的電性效能可以提高，從而更加適於實用，且具有產業上的利用價值。
文檔編號H01L23/12GK1595642SQ0315681
公開日2005年3月16日 申請日期2003年9月8日 優先權日2003年9月8日
發明者洪志斌 申請人:日月光半導體製造股份有限公司