軟性印刷電路板製造方法及由該方法所形成的金屬布線圖的製作方法

2023-07-04 09:45:16

專利名稱：：軟性印刷電路板製造方法及由該方法所形成的金屬布線圖的製作方法
技術領域：
：隨著電子設備逐漸往輕量薄型化、高性能化、高密度化等方向的發展，最近日趨需要既輕薄又便於安裝的電路板。而現有印刷電路板由於其基板本身的硬度過大，很難配置在小型電子設備上，不僅如此還存在重量大的問題。由於這種原因，最近倍受關注的是採用柔軟性優異的軟性印刷電路板(FlexiblePrintedCircuitBoard,FPCB)的帶載體半導體封裝。這種軟性印刷電路板是一種由銅膜和樹脂膜構成的，既薄又具可撓性的印刷板。其原來作為飛彈等軍需用途開發，後來被應用在自動對焦攝影機(autofocuscamera)等民用電子設備，而以此為契機，由於其輕量及可撓性等特點，廣泛應用在各種電子設備，最近有不少軟性印刷電路板應用在DVD(DigitalVersatileDisc)等裝置的光學讀取頭(pick-up)、行動電話、印表機、數位相機的液晶周圍、鉸接部(hinge)等部分。上述軟性印刷電路板可分為單面印刷電路板及雙面印刷電路板，前者在絕緣聚醯亞胺薄膜的某一面上覆蓋銅箔而形成電路，是軟性印刷電路板最基本的結構；後者則是在絕緣聚醯亞胺薄膜的上下兩面上均覆蓋銅箔而形成電路的結構。而後者由於其上下兩面均可設置焊盤(land)，因此在安裝元件時，在相同大小下可提高元件的安裝密度。然而，雙面印刷電路板由於需要連接聚醯亞胺薄膜上下兩面上的圖案，因此需要進行打孔步驟和孔處理步驟即鍍銅步驟。而這是在單面印刷電路板上是不必要的。特別是，根據應用技術及應用部分不同，所述軟性印刷電路板對銅膜的要求也就不同。例如隨著在需要精細加工的薄膜覆晶(COF，ChipOnFilm或ChipOnFlexible)技術中的應用，或者隨著對同多層軟性基板構成一體的樞紐線(hingecable)的彎曲性要求的日趨嚴格，所述軟性印刷電路板對銅膜特性的要求也就越來越嚴格。
背景技術：
：首先來看一下單面軟性印刷電路板的布線圖案形成方式。如圖4所示，以往的COF軟性半導體基板是通過利用鍍有銅膜的聚醯亞胺薄膜，並利用減成(Subtractive)方式來製造。具體來說，如圖4所示，這種以往的方式首先在原材料絕緣片1)的一面上鍍有銅膜2的軟性銅箔積層板(FlexibleCopper-Cladlaminatedboard,FCCL)上塗敷光刻膠3，進而將其曝光、顯影后，對銅膜2中除形成有電路圖案部分3'之外其他所暴露的部分進行蝕刻，而後去除殘留的光刻膠3'，最後執行收尾蒸鍍。然而，蝕刻步驟中由於需要蝕刻的銅膜2較厚，因此不僅會大大損失銅材，尤其是還會造成不良圖案。也就是說，由於蝕刻過程中的粘閉(Puddling)現象，會使相鄰的電路圖案間相互連接，從而降低電路間的電絕緣阻抗，因此難以形成走線間距為10-50鐧的高密度電路(FINEPITCH)。為了解決上述問題，本發明的發明人曾經提出一種軟性印刷電路板的製造方法(韓國專利第10-0691336號)。該方法在形成布線圖案時，由軟蝕刻或半加成(Semi-additive)方式取代上述減成方式，並通過單面層積圖案的方式來製造電路板。如圖5所示，上述利用半加成(Semi-additive)方式製造單面軟性印刷電路板的方法，包括提供絕緣片的步驟(SIO)、蒸鍍導電層的步驟(S20)、形成陽刻圖案的步驟(S30至S50)、層積圖案的步驟(S60及S70)、去除光刻膠的步驟(S80)及蝕刻步驟(S90)。上述方法具體如下首先，作為原材料準備厚度為25戶的聚醯亞胺絕緣片IO(即為提供絕緣片的步驟，SIO)。為了便於在絕緣片10上執行後述的電鍍銅層步驟(S60)，並為了提高銅層22與所述絕緣片10間的粘接性，在所述絕緣片10上蒸鍍厚度為0.1-0.5，的銅或銅合金等導電金屬以形成導電層21(蒸鍍導電層的步驟，S20)。形成陽刻圖案的步驟(S30至S50)是在上述蒸鍍導電層的步驟(S20)中所形成的導電層21上塗敷光刻膠50(S30)，並在其上安放光罩60，經過預定時間曝光(S40)後，移去光軍60，並施以顯影(S50)步驟而完成。完成上述形成陽刻圖案的步驟(S30到S50)後，經塗敷的光刻膠50將形成預定的陽刻圖案50，及陰刻圖案即顯露的導電層21。層積圖案的步驟(S60到S70)是通過半加成(semi-additive)蒸鍍方式來執行，其在未形成陽刻圖案50，的部分即在陰刻圖案部分上層積金屬。首先，利用銅電鍍步驟，在顯露的導電層21上鍍銅而形成第一鍍層20(S60)，之後在其上鍍鎳而形成第二鍍層30，而後在其上鍍金(Au)而形成最外層即第三鍍層40，從而完成布線圖案(S70)。所述第二鍍層30用於防止布線圖案的腐蝕及下部金屬的擴散，而第三鍍層40則用於提高晶片的粘接性，而且在後述的蝕刻步驟(S90)中作為抗蝕劑層來保護布線圖案免受蝕刻液的侵蝕。其後的工序為去除光刻膠的步驟(S80)及蝕刻步驟(S90)，在這兩道工序中去除構成陽刻圖案50，的光刻膠層(S80)，並通過軟蝕刻方式，去除殘留的導電層21，以形成預期的單面軟性印刷電路板。上述製造方法可以最大限度地減少現有技術中由於使用6-8，之厚的導電層而在蝕刻步驟(S卯)中產生粘閉的現象，同時還能節約銅資源。但如果採用這種方式，通過層積圖案的方式所形成的布線圖案的第一鍍層20即銅層將被暴露於空氣中，因此如果形成布線圖案後在此狀態下長期保存，該層將被氧化而腐蝕。另外，銅膜的形成還存在一些問題。在絕緣片10上鍍制金屬導電層21的方法大致有噴鍍(sputtering)、鑄型(casting)、層壓(lamination)等方式，其中噴鍍方式被看做是可以保障高度剝離強度(peelstrength),以及由於尺寸(dimension)穩定性而可以形成微細間距的+效的方法，因此在上述發明和現有軟性印刷電路製造工藝均採用了噴鍍方式。然而，雖然沒有在圖5中表示，為了形成銅膜而採用噴鍍方式的情況下，為了防止直接在絕緣片10上噴鍍形成銅膜時剝離強度下降的問題，如圖6所示，在噴鍍形成銅層21之前，必須預先形成鎳鉻合金層21'以作為籽晶層(seedlayer)或預塗層(tie-coatinglayer)。如圖6所示，由於這種籽晶層21'的存在，在對銅層的軟蝕刻步驟(S90)的後續工序中，需要經過額外的籽晶層蝕刻步驟(S91)，並使用昂貴的蝕刻液。尤其，在形成布線圖案間的間距即走線間距(pitch)為10-50//m的高密度圖案時，即便經過籽晶層蝕刻步驟(S91)，常常會發生籽晶層21，未完成剝除的情況，從而導致電路間電絕緣阻抗下降的問題，這會嚴重影響產品的合格率。
發明內容本發明是鑑於上述問題而提出的，其目的在於提供一種印刷電路板的製造方法，該方法可抑制粘閉現象，可易於形成超細電路圖案，還可以最大限度地減少蝕刻量，以改善環保問題及銅資源的浪費等問題，進而節減費用。本發明的另一個目的在於提供一種單面及雙面軟性印刷電路板的製造方法，並提供一種具有抗氧化結構的金屬布線圖案。其可防止布線圖案的第一鍍層，即銅層在空氣中長期暴露的狀態下被保管時被氧化。本發明的另一個目的在於提供一種可簡化工序，且經濟性良好的製造方法。其在形成銅箔積層板時，可以省略在現有技術中由於採用噴鍍方式而必須執行的籽晶層蝕刻步驟。本發明的另一個目的在於提供一種製造方法。其可以消除由於殘留的籽晶層，電絕緣阻抗下降的可能性，並能夠提高產品合格率。本發明的另一個目的在於提供一種產品合格率高，而且可靠性強的單面及雙面印刷電路板的製造方法。其通過鑄型方式形成厚度為1-4拜的薄型金屬導電層。為了達到上述目的，本發明的用於帶栽體半導體封裝的單面軟性印刷電路板的製造方法，包括提供軟性銅箔積層板的步驟，在絕緣片的一面形成金屬導電層，從而提供軟性銅箔積層板；形成陽刻圖案的步驟，在所述提供軟性銅箔積層板的步驟中所形成的金屬導電層上塗敷光刻膠後施以曝光及顯影，從而在所述金屬導電層上形成陽刻電路圖案；形成第一鍍層的步驟，通過鍍銅方式，在經過所述形成陽刻圖案的步驟所暴露的金屬導電層上進一步形成第一鍍層；去除光刻膠的步驟，去除在所述形成陽刻圖案的步驟中所形成的光刻膠陽刻圖案；蝕刻步驟，通過軟蝕刻方式去除所述金屬導電層中除第一鍍層以外所暴露的部分；以及層積圖案的步驟，以鍍鎳方式在所述第一鍍層上形成第二鍍層，並以鍍金(Au)方式在所述第二鍍層上形成第三鍍層，從而依次層積布線圖案。其中，為了省略在現有技術中由於採取噴鍍方式而必須執行的籽晶層蝕刻步驟，從而形成可靠的布線圖案，所述提供軟性銅箔積層板的步驟優選通過鑄型方式執行，其在厚度為l-4，的金屬導電層側面設置模具，並在所述金屬導電層上塗敷熔融的絕緣材料後進行乾燥及硬化處理。另外，為了省略在現有技術中由於採取噴鍍方式而必須執行的籽晶層蝕刻步驟，從而形成可靠的布線圖案，本發明的用於帶載體半導體封裝的單面軟性印刷電路板的製造方法，包括提供軟性銅箔積層板的步驟，在絕緣片的一面形成金屬導電層，從而提供軟性銅箔積層板；形成陽刻圖案的步驟，在所述提供軟性銅箔積層板的步驟中所形成的金屬導電層上塗敷光刻膠後施以啄光及顯影，從而在所述金屬導電層上形成陽刻電路圖案；形成第一鍍層的步驟，利用鍍銅方式，在通過所述形成陽刻圖案的步驟所暴露的金屬導電層上進一步形成第一鍍層；層積圖案的步驟，利用鍍鎳方式，在所述第一鍍層上形成第二鍍層，並利用鍍金方式，在所述第二鍍層上形成第三鍍層，從而依次層積布線圖案；去除光刻膠的步驟，去除在所述形成陽刻圖案的步驟中所形成的光刻膠陽刻圖案；及蝕刻步驟，通過軟蝕刻方式去除金屬導電層中除所述第一鍍層以外所暴露的部分，其中，所述提供軟性銅箔積層板的步驟是通過鑄型方式完成的，其在厚度為l-4閛的金屬導電層側面設置模具，並在所述金屬導電層上塗敷熔融的絕緣材料後進行乾燥及硬化處理。其中，所述第一鍍層優選的厚度是5-12，，這樣可以發揮最佳的特性。另外，作為防止第一鍍層被氧化的優選方案，本發明的用於帶載體半導體封裝的雙面軟性印刷電路板的製造方法，包括打孔步驟，在由絕緣片及其兩面的導電層構成的軟性銅箔積層板上i殳置導通孔；塗敷孔的步驟，通過噴鍍方式，在所述設有導通孔的軟性銅箔積層板上形成銅層以塗敷所述導通孔，並據此電性連接所述軟性銅箔積層板的上下兩面；形成陽刻圖案的步驟，在所述軟性銅箔積層板兩面塗敷光刻膠，並施以膝光及顯影從而形成陽刻電路圖案；形成第一鍍層的步驟，利用鍍銅方式，在通過所述形成陽刻圖案的步驟所暴露的兩面導電層上進一步形成第一鍍層；去除光刻膠的步驟，去除在所述形成陽刻圖案的步驟中所形成的光刻膠陽刻圖案；蝕刻步驟，利用軟蝕刻方式去除所述金屬導電層中除第一鍍層之外所暴露的部分；以及層積圖案的步驟，以鍍鎳方式在所述第一鍍層上形成第二鍍層，並以鍍金(Au)方式在所述第二鍍層上形成第三鍍層，從而依次層積布線圖案。其中，為了省略現有技術中由於採用噴鍍方式而必須執行的籽晶層蝕刻步驟，從而形成可靠的布線圖案，所迷提供軟性銅箔積層板的步驟優選通過鑄型方式完成，其在厚度為l-4拜的第一金屬導電層側面設置模具，並在所述金屬導電層上塗敷熔融的絕緣材料，並於其上層積厚度為l-4，的第二金屬導電層後乾燥及硬化所述絕緣材料。另外，為了省略在現有技術中由於採取噴鍍方式而必須執行的籽晶層蝕刻步驟，從而形成可靠的布線圖案，本發明的用於帶栽體半導體封裝的雙面軟性印刷電路板的製造方法，包括打孔步驟，在由絕緣片及其兩面上的導電層構成的軟性銅箔積層板上設置導通孔；塗敷孔的步驟，通過噴鍍方式，在所述設有導通孔的軟性銅箔積層板上形成銅層以塗敷所述導通孔，並據此電性連接所述軟性銅箔積層板的上下兩面；形成陽刻圖案的步驟，在所述軟性銅箔積層板兩面上塗敷光刻膠，並施以膝光及顯影，形成陽刻電路圖案；形成第一鍍層的步驟，通過鍍銅方式，在通過所述形成陽刻圖案的步驟所暴露的兩面導電層上進一步形成第一鍍層；層積圖案的步驟，以鍍鎳方式在所述第一鍍層上形成第二鍍層，並以鍍金方式在所述第二鍍層上形成第三鍍層，從而依次層積布線圖案；去除光刻膠的步驟，去除在所述形成陽刻圖案的步驟中所形成的光刻膠陽刻圖案；以及蝕刻步驟，通過軟蝕刻方式去除金屬導電層中除所述第一鍍層之外所暴露的部分，其中，所述提供軟性銅箔積層板的步驟是通過鑄型方式完成的，其在厚度為l-4周的第一金屬導電層側面設置模具，並在所述金屬導電層上塗敷熔融的絕緣材料，並於其上層積厚度為l-4，的第二金屬導電層後乾燥及硬化所述絕緣材料。其中，所述第一鍍層優選的厚度是5-12所述，這樣可發揮最佳的特性。另外，為了防止金屬布線圖案的氧化，本發明的用於帶載體半導體封裝的軟性印刷電路板的金屬布線圖案，優選在絕緣片的至少一面上依次設置銅層、鎳層及金層以分別作為第一鍍層、第二鍍層及第三鍍層，且所述第二鍍層及第三鍍層包裹所述第一鍍層的上面及側面。本發明的軟性印刷電路板的製造方法，可以抑制採用以往的蝕刻方式的軟性印刷電路板的製程中出現的粘閉現象，從而可以容易形成超微細電路圖案，還可以最大P艮度地減少蝕刻量，以改善環保問題及銅資源的浪費等問題，進而節減費用。通過本發明可提供單面或雙面軟性印刷電路板的製造方法，並可提供具有抗氧化結構的金屬布線圖案。其能夠防止布線圖案的第一鍍層即銅層在空氣中長期暴露而被保管時被氧化。通過本發明可提供經濟性良好的製造方法，其在形成銅箔積層板時，可以省略在以往的噴鍍方式下必須進行的籽晶層蝕刻步驟，從而簡化工序，並能夠防止由於殘留的籽晶層而電絕緣阻抗下降的問題。另外，通過本發明還可以提供可靠性強的單面及雙面印刷電路板的製造方法。其通過鑄型方式形成厚度為l-4/zm的薄型金屬導電層。圖1是本發明的實施方式1所涉及的單面軟性印刷電路板的製造方法流程圖。圖2是本發明的實施方式2所涉及的軟性印刷電路板之軟性銅箔積層板(FCCL)的製造方法示意圖。圖3是本發明的實施方式3所涉及的雙面軟性印刷電路板的製造方法流程圖。圖4是現有單面軟性印刷電路板的製造方法流程圖。圖5是現有單面軟性印刷電路板的製造方法流程圖。圖6是利用噴鍍方式所執行的現有軟性銅箔積層板的製造方法流程圖。具體實施例方式下面結合附圖，詳細說明本發明的軟性印刷電路板的結構及作用。實施方式l涉及本發明的單面軟性印刷電路板的製造方法；實施方式2涉及本發明的軟性印刷電路板的軟性銅箔積層板(FCCL)的製造方法；實施方式3則涉及本發明的雙面軟性印刷電路板的製造方法。圖1是根據本發明實施方式1的單面軟性印刷電路板製造方法流程圖。如圖l所示，根據本發明實施方式l的單面軟性印刷電路板的製造方法大致可分為提供絕緣片的步驟(SIO)、形成圖案的步驟(S20到S40)、形成第一鍍層的步驟(S50)、去除光刻膠的步驟(S60)、蝕刻步驟(S70)、層積圖案的步驟(S80)。具體來說，通過鑄型或噴塗方式，在絕緣片IO上貼附銅等金屬導電層21以製造單面軟性銅箔層(FCCL)(SIO),而後在其上塗敷光刻膠50(S20)後，在其上安放光罩60並施以膝光(S30)及顯影(S40)，之後在露出的金屬導電層21上鍍銅而形成銅層22，並據此形成由金屬導電層21及銅層22構成的第一鍍層20(S50)，接著去除殘留的、並構成陽刻圖案50，的光刻膠(S60),而後通過軟蝕刻方式去除導電層21中除層積有所述第一鍍層20以外的部分(S70)，並通過電鍍法在所述第一鍍層20上依次層積第二鍍層30及第三鍍層40(S80)，從而完成本發明的單面軟性印刷電路板的製造方法。在如上製造方法中，本發明的特徵在於形成第一鍍層的步驟(S50)到層積圖案的步驟(S80)當中電路圖案的形成方式上。而這種技術特徵可以解決以往技術的前述缺點中，當布線圖案的第一鍍層即銅層長期暴露於空氣中而被保管時，布線圖案被氧化的問題。此外，本發明的另一個特徵在於，所述提供軟性銅箔積層板的步驟(S10)可以由鑄型方式取代噴鍍方式來完成，這樣可以省略以往技術中蝕刻籽晶層的步驟從而縮短工序，並可防止由於殘留籽晶層的存在而電絕緣阻抗下降的問題。對此，將在後面的實施方式2中詳細i兌明，而在下面，詳細說明本發明的技術特徵即"形成布線圖案的方式"。圖5表示以往的布線圖案形成方式。在第一鍍層20上依次經過電鍍，形成鎳層和金層以分別作為第二鍍層30和第三鍍層40，其中所述鎳層用於防止布線圖案的腐蝕，而所述金層則用於提高晶片的粘接性。然後，去除殘留的光刻膠陽刻圖案50，後，蝕刻及去除導電層21，從而形成布線圖案。然而，如按照上述方式製造布線圖案，會讓第一鍍層20即銅層露於空氣中，如果長期保管下來，將會使所述第一鍍層20被氧化，這一問題已在前述部分中說明過。本發明是為了解決上述問題而提出的，其首先以鍍銅方式執行形成第一鍍層的步驟(S50),以讓由導電層21及銅層22構成的第一鍍層20的厚度達到5-12//m，優選為8-10//m後，接著執行去除光刻膠的步驟(S60)以去除光刻膠陽刻圖案50，。之後通過蝕刻步驟(S70)，用軟蝕刻方式去除金屬導電層後，最終執行層積圖案的步驟(S80)，用電鍍方式依次層積第二鍍層30即鎳層和第三鍍層即金層。在此，當所述第一鍍層20的厚度小於5//m時，由於沒有額外提供可抵抗蝕刻液從而保護布線圖案的光刻膠層，因此在蝕刻液的腐蝕作用下，第一鍍層20的厚度會變得過小，從而無法順利完成所述第二鍍層30的電鍍，且會使電路的阻抗變大。當所述第一鍍層20的厚度大於12戶時，第一鍍層20即銅膜會具有過大的厚度，所以不夠經濟。另外，將所述第一鍍層20的厚度設成5-12/zm，最好設成8-10，的目的還在於，為了使第一鍍層20在經過蝕刻液的蝕刻作用後，還能保持3-10/zm，優選為6-8燜的厚度。經過從提供軟性銅箔積層板的步驟(S10)到層積圖案的步驟(S卯)所形成的單面軟性印刷電路板中，金屬布線圖案的剖面如圖1中最後一面放大圖所示，第一鍍層20的上部表面及側面依次被第二鍍層30及第三鍍層40所包裹。對於完整的金屬布線圖案來說，能夠體現最佳性能的各層厚度分別是，第一鍍層20為6-8嬋；第二鍍層30為0.1-2.5鏵；第三鍍層40為0.1，。其中第一鍍層20則由於受到蝕刻作用而其厚度相較於剛開始時縮小。之所以形成上述結構，是為了解決現有技術中存在的以下問題。即，由於現有技術在存在光刻膠陽刻圖案50，的狀態下形成第一鍍層20到第三鍍層40等連續層積結構，陽刻圖案50，還會包圍第一鍍層20的側部，因此通過電鍍法就無法讓第二鍍層30和第三鍍層40的鍍金液粘附在該部分。與此相反，根據本發明，形成第一鍍層20後首先剝除光刻膠陽刻圖案50，，並通過蝕刻方式去除金屬導電層21，從而使第二鍍層30及第三鍍層40得以粘附在第一鍍層20的側面以形成鍍層。據此，易於氧化的第一鍍層20即銅層，會由在空氣中不易氧化的第二鍍層30即鎳層和第三鍍層40即金層所保護，在長期保管的情況下也可以解決布線圖案在氧化及腐蝕作用下斷路的現象。但是，即使採用上述方式來形成金屬布線圖案，如果在執行提供軟性銅箔積層板的步驟(S10)時採取噴鍍方式，在蝕刻金屬導電層21的步驟中，無法讓足夠的蝕刻液浸入走線間距為10-50//m的布線圖案間微細縫隙中，從而會導致金屬導電層21下層的鎳鉻合金籽晶層未被完全蝕刻的現象。如此在籽晶層(圖6中的標記21，)未被完全消除的狀態下電鍍第二鍍層30及第三鍍層40時，最終會使鍍金液也粘附在殘留的籽晶層21'上，這會引起金屬布線圖案間的導通，從而會導致電絕緣阻抗下降的現象。將在後面敘述的實施方式2所涉及的軟性印刷電路板的製造方法，可以製造出省略所述籽晶層的軟性印刷電路，因此可以克服前述問題，進而可以形成超細布線圖案電路。圖2是本發明實施方式2所涉及的軟性印刷電路板製造方法中，銅箔積層板(FCCL)的製造方法流程圖。圖2所示的本發明實施方式2所涉及的是用鑄型方式來製造軟性銅箔積層板的方法，該製造方法在單面及雙面印刷電路板上均可適用。實施方式2可直接適用在如圖5所示的現有半加成方式下的導電體蒸鍍步驟(S20)、上述實施方式1及將在後面詳述的實施方式3中單面及雙面軟性印刷電路板製造方法中提供軟性銅箔積層板的步驟(SIO，SIOO)。首先，為了通過鑄型方式製備軟性銅箔積層板，所提供的導電層21是厚度為1-4，，優選為2-3炯的銅等金屬製成的導電層，且具有和絕緣材料10相接觸的表面。其中，之所以限定金屬導電層21的厚度，是因為如果所述金屬導電層21的厚度大於4/zm，就難以防止出現粘閉(puddling)現象，而防止粘閉現象也是本發明的一個目的；如果厚度小於l戶，就難以形成布線圖案即銅層22，還會導致生產效率下降的問題。準備所述金屬導電層21後，將所述金屬導電層21面朝上地置放，而後在其上設置模具23，並使模具23圍住導電層21的外圍。之後，在其上直接倒入或者用輥壓方式塗敷絕緣片IO材料即聚醯亞胺熔液。用於雙面軟性印刷電路的軟性銅箔積層板(FCCL)則利用兩個相同的板狀金屬導電層，即第一金屬導電層及第二金屬導電層，並通過鑄型方式來製備。具體來說，在厚度為l-4，的第一金屬導電層的側部設置模具，並在所述金屬導電層的上面塗敷絕緣材料熔液，而後在其上層積相同厚度的第二金屬導電層後，經過乾燥及硬化所述絕緣材料熔液，製備所述積層板。完成所述塗敷步驟後，千燥及硬化所述絕緣片10材料熔液，即可完成所述軟性銅箔積層板。除上迷方法之外，還可以使用可剝離的銅膜。這是在導電層21上，將倒入絕緣片10材料熔液的相對表面上層積可剝離的載體箔(carrierfoil)，從而保障足夠的厚度來承受絕緣片10材料熔液的溫度。所述栽體箔由離型材料及金屬材料構成，所述離型材料則由離型粘結劑構成。使用上述可剝離的銅膜時，注入絕緣片IO材料熔液並經過乾燥及硬化後，從所述導電層21的表面剝離所述由離型材料及金屬材料構成的載體箔，從而最終獲得由絕緣片10及其上導電層21構成的FCCL。所述方法可在由於導電層21過薄，無法承受絕緣片IO材料熔液，從而有可能導致變形時使用。所述實施方式2可以提供能夠解決以下問題的FCCL的製造方法。第一、由於可以省略釆用噴鍍方式的現有技術(如圖6所示)中必不可少的籽晶層(Seedlayer)，因此在後續程序中也可以省略蝕刻籽晶層的步驟(S91);第二、對於間距為10-50，的高密度布線圖案來說，可以解決現有技術中儘管執行了蝕刻籽晶層的步驟(S91，如圖6所示)，但由於未被消除仍在殘留的籽晶層，布線間電絕緣阻抗下降的問題。也就是說，通過實施方式2，可以簡化工序，也可以節省用於去除籽晶層的昂貴的蝕刻液以獲得經濟效果，還能實現更加有效的高密度布線圖案。接著，結合圖3,詳細說明根據實施方式3的雙面軟性印刷電路板的製造方法。圖3是實施方式3所涉及的雙面軟性印刷電路板製造方法之流程圖。如圖3所示，本發明的製造雙面軟性印刷電路板的全部工序包括，提供軟性銅箔積層板的步驟(SIOO)、打孔步驟(S200)、塗敷孔的步驟(S300)、形成陽刻圖案的步驟(S410到S420)、形成第一鍍層的步驟(S500)、去除光刻膠的步驟(S600)、蝕刻步驟(S700)及層積圖案的步驟(S800)。具體如下提供軟性銅箔積層板的步驟(S100),這是本工藝的第一道工序。為了在厚度為25，，優選以聚醯亞胺構成的膜基材兩面賦予導電特性，利用在前述實施方式2中的鑄型方式，製備設有導電層210的軟性銅箔積層板(FCCL)，其中所述導電層210由厚度為1-4卿，優選為2-3拜的上導電層211及下導電層212構成。當使用噴鍍方式來執行所述提供軟性銅箔積層板的步驟(S100)時，先把厚度為0.1-0.5拜的金屬導電層噴鍍後，分別把厚度為1-4卿的上導電層211及下導電層212電鍍在基材兩面以形成導電層210，從而製備FCCL。這裡，限制金屬導電層210厚度的原因和實施方式1中對提供軟性銅箔積層板的步驟(S10)的說明一樣。其次，執行打孔步驟(S200)，該步驟在所述提供軟性銅箔積層板的步驟(S100)中所製得的軟性銅箔積層板上設置導通孔600。設置導通孔600的目的是讓軟性銅箔積層板的上、下兩面所形成的布線圖案間能夠導通。所述導通孔600可以是貫通所述軟性銅箔積層板的鍍通孔(PTH)，或者僅僅在板的厚度方向上，部分形成的盲孔(BVH)。圖3中表示的是鍍通孔。具體來說，鍍通孔依次貫通軟性銅箔積層板的上導電層211、聚醯亞胺絕緣片100、下導電層212;盲孔則打在從上導電層211到絕緣片100的底部為止，而留下下導電層212。形成所述孔時，可以採用雷射法、化學蝕刻法、機械衝壓法等三種方式。執行塗敷孔的步驟(S300)時，利用無電解鍍金方式，在通過所述打孔步驟(S200)打出孔的基板上形成鍍層而塗敷孔的至少一部分，從而讓所述軟性銅箔積層板的上、下兩面電性連接。而所述塗敷孔的步驟(S300)也可以採用以下噴鍍方式執行。在採用噴鍍方式的塗敷孔的步驟(S300)中，於通過所述打孔步驟(S200)所形成的導通孔600的內表面及上導電層211或下導電層212的整個表面上噴鍍銅或銅合金，以形成銅層200，。塗敷孔的步驟(S300)可進一步包括銅電鍍步驟，該步驟是通過在所述銅層200，上以電鍍方式鍍銅，從而完全堵住所述孔600，或者在所述銅層200，上形成厚度為1-4，的銅膜。其次，塗敷光刻膠500(S410)，並按照常規方法施以曝光(S420)及顯影(S430)，以形成陽刻圖案(S400)。之後，和前述單面軟性印刷電路板的製造方法一樣，雙面軟性印刷電路板也需要經過以下步驟來製造，從而防止第一鍍層200即銅層的氧化。所述步驟依次包括形成第一鍍層的步驟(S500);去除光刻膠的步驟(S600)，用以去除殘留光刻膠陽刻圖案500，；蝕刻步驟(S700),用以通過軟蝕刻方式去除金屬導電層210;層積圖案的步驟(S800)，用以在所形成的第一鍍層200上依次層積鎳層及金層(Aulayer)，以分別作為第二鍍層300和第三鍍層400。也就是說，形成第一鍍層的步驟(S500)是，在通過所述形成陽刻圖案的步驟(S400)所暴露的布線圖案上，也就是在導電層210a上進一步施以電鍍，從而層積銅層220，以形成具有5-12，之厚的第一鍍層200。其後的步驟如前所述，依次執行去除光刻膠的步驟(S600)、蝕刻步驟(S700)、層積圖案的步驟(S800)，製備出和實施方式1中單面軟性印刷電路板具有相同形狀的金屬布線圖案。下面通過實施例1和比較例1，^兌明一下按照上述方法所製造的軟性印刷電路布線圖案在應用時的特性變化。實施例1利用同時應用實施方式1及實施方式2的單面軟性印刷電路板的製造方法，製造布線圖案時，通過所述鑄型方式，在厚度為2，的銅金屬導電層21上設置厚度為25//m的絕緣片10，以製備FCCL，之後在所述金屬導電層21上塗敷光刻膠50後，施以啄光及顯影。然後在通過所述形成圖案的步驟所暴露的金屬導電層21上設置銅層22，從而讓所述第一鍍層20的全部厚度達到9，。接著，去除光刻膠陽刻圖案50，後，通過軟蝕刻方式去除金屬導電層21，之後在其上鍍鎳合金而形成厚度為0.2//m的第二鍍層30，再於其上鍍金(Au)而形成厚度為0.1//m的第三鍍層40以作為保護層，從而形成金屬布線圖案，完成單面軟性印刷電路板的製造。實施例2按照本發明的實施方式1製造單面軟性印刷電路板。但在製備FCCL時，採用的是噴鍍方式，此外還增加額外的籽晶層蝕刻步驟。除此之外，其他方法均與實施例l相同。實施例3按照本發明的實施方式2製造單面軟性印刷電路板。通過鑄型方式，在厚度為2，的銅金屬導電層21上設置厚度為25，的絕緣片10，從而製備FCCL。而在形成布線圖案時，連續層積第一鍍層20、第二鍍層30及第三鍍層40後，去除光刻膠陽刻圖案50，，之後用軟蝕刻方式去除金屬導電層21。其餘方法均與實施例l相同。比較例按照以往的單面軟性印刷電路板的製造方法製造單面軟性印刷電路板。在形成布線圖案時，通過噴鍍方式製備FCCL,之後連續層積第一鍍層20、第二鍍層30及第三鍍層40後，去除光刻膠陽刻圖案50，，而後利用軟蝕刻方式去除金屬導電層21。其餘方法均與實施例l相同。之後，評價了所製得的半導體基板試片的特性。評價項目如下所示，評價結果如表一所示。圖案穩定性依照IPCTM6502.2.4，檢測試片在蝕刻及加熱前後的尺寸(Dimen誦sion)之差。剝離強度(Peelstrength)依照IPCTM6402.4.9，檢測單位面積的銅剝離強度。表面粗糙度使用AFM(AtomicForceMicrosc叩e)，檢測所需級別的表面粗糙度。絕緣阻抗在相互獨立的電路之間施加500V的直流電壓DC,施加時間為1分種。之後檢測相鄰圖案間的絕緣阻抗。評價標準是阻抗為IOOMO時視為良好。耐電壓在相互獨立的電路之間施加500V的交流電壓AC，施加時間為1分鐘，而後進行檢測。如果沒有出現斷路或者絕緣破壞的現象，則視為良好。耐曲折性在500g壓力和135.5X:溫度條件下，用R=0.38mm，轉動20次後進行檢測。評價標準是，無銅箔龜裂或折斷現象，並且在電性上無任何問題時視為優秀。耐腐蝕性依照KSM8012中性鹽霧試驗法測試，其中氯化鈉的濃度為40g/1，壓縮空氣的壓強為1.2kgf/cm2，噴霧量為1.51ml/80cm3/h，空氣飽和器(saturator)的溫度為47TC，鹽7JC塔溫度為，實驗槽溫度為35"C。評價標準是，阻抗變化率在10%之內，並且無斷路、無絕緣破壞時視為優秀。冷熱衝擊由-55x:到室溫(30分種)，再由室溫到120r;(30分種)的溫度變化做為一次循環周期，而將5分鐘內執行10次上述循環周期的溫度變化就是本試驗的手段。評價標準是，阻抗變化率在10%以內，外觀及(或)結構上無任何反常時視為良好。耐溼性在溫度為60X:、溼度為9095%的環境中放置96小時，之後在室溫(1535t:)下放置1~2小時後進行檢測。評價標準是，外觀及(或)結構上無任何反常，絕緣阻抗為IOO以上，而且阻抗變化率在10%以內時視為良好。耐熱性在溫度為85匸士2T:的環境中放置96小時，之後在室溫下放置1~2小時後進行檢測。評價標準是，外觀及(或)結構上無任何反常，絕緣阻抗為IOO以上，而且阻抗變^f匕率在10%以內時視為良好。complextableseeoriginaldocumentpage23〇優秀O:良好△:一般X:不良從上表一可以看出，實施例1在所有評價項目中均表現出優秀的結果；實施例2在圖案穩定性及絕緣阻抗上表現出一般的結果；比較例在耐腐蝕性和耐溼性上表現出不良結果。從上述結果可知，當採用鑄型方式時就無需進行籽晶層蝕刻步驟,而且，和利用噴鍍方式來製備軟性銅箔積層板時相比，其在圖案穩定性及絕緣阻抗上表現出良好的特性。此外，依照本發明的方法形成布線圖案，會如前述預期，大幅提高圖案的耐腐蝕性及耐溼性。上面，通過結合本發明的優選實施例來進行了說明。但本發明要求保護的範圍並不限於上述實施例，而在權利要求書中所記載的範圍內可以實現各種形式的實施例。因此，在不超出權利要求書中要求保護的技術思想範圍內，本領域中具有一般知識水平及常識的技術人員均可實施各種變形及修飾，而這理應視為包括在本發明要求保護的範圍內。權利要求1.一種用於帶載體半導體封裝的單面軟性印刷電路板的製造方法，其特徵在於，包括提供軟性銅箔積層板的步驟，在絕緣片的一面形成金屬導電層，從而提供軟性銅箔積層板；形成陽刻圖案的步驟，在所述提供軟性銅箔積層板的步驟中所形成的金屬導電層上塗敷光刻膠後經過曝光及顯影，以在所述金屬導電層上形成陽刻電路圖案；形成第一鍍層的步驟，通過鍍銅方式，在通過所述形成陽刻圖案的步驟所暴露的金屬導電層上進一步形成第一鍍層；去除光刻膠的步驟，去除在所述形成陽刻圖案的步驟中所形成的光刻膠陽刻圖案；蝕刻步驟，通過軟蝕刻方式去除金屬導電層中從所述第一鍍層之外所暴露的部分；以及層積圖案的步驟，以鍍鎳方式在所述第一鍍層上形成第二鍍層，並以鍍金方式在所述第二鍍層上形成第三鍍層，從而依次層積布線圖案。2.根據權利要求1所述的用於帶載體半導體封裝的單面軟性印刷電路板的製造方法，其特徵在於，所述提供軟性銅箔積層板的步驟是通過鑄型方式完成的，其在厚度為l-4卿的金屬導電層側面設置模具，並在所述金屬導電層上塗敷熔融的絕緣材料後施以乾燥及硬化處理。3.—種用於帶載體半導體封裝的單面軟性印刷電路板的製造方法，包括提供軟性銅箔積層板的步驟，在絕緣片的一面形成金屬導電層，從而提供軟性銅箔積層板；形成陽刻圖案的步驟，在所述提供軟性銅箔積層板的步驟中所形成的金屬導電層上塗敷光刻膠後施以爆光及顯影，以在所述金屬導電層上形成陽刻電路圖案；形成第一鍍層的步驟，通過鍍銅方式，在通過所述形成陽刻圖案的步驟所暴露的金屬導電層上進一步形成第一鍍層；層積圖案的步驟，通過鍍鎳方式，在所述第一鍍層上形成第二鍍層，並通過鍍金方式，在所述第二鍍層上形成第三鍍層，從而依次層積布線圖案；去除光刻膠的步驟，去除在所述形成陽刻圖案的步驟中所形成的光刻膠陽刻圖案；以及蝕刻步驟，通過軟蝕刻方式去除金屬導電層中除所述第一鍍層之外所暴露的部分，其特徵在於，所述提供軟性銅箔積層板的步驟是通過鑄型方式完成的，其在厚度為l-4,的金屬導電層側面設置模具，並在所述金屬導電層上塗敷熔融的絕緣材料後進行乾燥及硬化處理。4.根據權利要求1至3中任何一項所述的用於帶栽體半導體封裝的單面軟性印刷電路板的製造方法，其特徵在於所述第一鍍層的厚度為5-12卿。5.—種用於帶載體半導體封裝的雙面軟性印刷電路板的製造方法，其特徵在於，包括打孔步驟，在由絕緣片及其兩面上的導電層構成的軟性銅箔積層板上設置導通孔；塗敷孔的步驟，通過噴鍍方式，在所述設有導通孔的軟性銅箔積層板上設置銅層以塗敷所述導通孔，並據此電性連接所述軟性銅箔積層板的上下兩面；形成陽刻圖案的步驟，在所述軟性銅箔積層板兩面塗敷光刻膠，並施以膝光及顯影，形成陽刻電路圖案；形成第一鍍層的步驟，通過鍍銅方式，在通過所述形成陽刻圖案的步驟所暴露的兩面導電層上進一步形成第一鍍層；去除光刻膠的步驟，去除在所述形成陽刻圖案的步驟中所形成的光刻膠陽刻圖案；蝕刻步驟，通過軟蝕刻方式去除金屬導電層中除所述第一鍍層之外所暴露的部分；以及層積圖案的步驟，以鍍鎳方式在所述第一鍍層上形成第二鍍層，並以鍍金方式在所述第二鍍層上形成第三鍍層，從而依次層積布線圖案。6.根據權利要求5所述的用於帶栽體半導體封裝的雙面軟性印刷電路板的製造方法，其特徵在於，所述提供軟性銅箔積層板的步驟是通過鑄型方式完成的，其在厚度為l-4/m的第一金屬導電層側面設置模具，並在所述金屬導電層上塗敷熔融的絕緣材料，並於其上層積厚度為l-4卿的第二金屬導電層後乾燥及硬化所述絕緣材料。7.—種用於帶載體半導體封裝的雙面軟性印刷電路板的製造方法，包括打孔步驟，在由絕緣片及其兩面上的導電層構成的軟性銅箔積層板上設置導通孔；塗敷孔的步驟，通過噴鍍方式，在所述設有導通孔的軟性銅箔積層板上設置銅層以塗敷所述導通孔，並據此電性連接所述軟性銅箔積層板的上下兩面；形成陽刻圖案的步驟，在所述軟性銅箔積層板兩面塗敷光刻膠，並施以膝光及顯影，形成陽刻電路圖案；形成第一鍍層的步驟，通過鍍銅方式，在通過所述形成陽刻圖案的步驟所暴露的兩面導電層上進一步形成第一鍍層；層積圖案的步驟，以鍍鎳方式在所述第一鍍層上形成笫二鍍層，並以鍍金方式在所述第二鍍層上形成第三鍍層，從而依次層積布線圖案；去除光刻膠的步驟，去除在所述形成陽刻圖案的步驟中所形成的光刻膠陽刻圖案；以及蝕刻步驟，通過軟蝕刻方式去除所述第一鍍層之外所暴露的金屬導電層，其特徵在於，所述提供軟性銅箔積層板的步驟是通過鑄型方式完成的，其在厚度為l-4/M的第一金屬導電層側面設置模具，並在所述金屬導電層上塗敷熔融的絕緣材料，並於其上層積厚度為l-4卿的第二金屬導電層後乾燥及硬化所述絕緣材料。8.才艮據權利要求5到7中任何一項所述的用於帶栽體半導體封裝的雙面軟性印刷電路板的製造方法，其特徵在於，所述第一鍍層厚度為5-12//m。9.一種用於帶栽體半導體封裝的軟性印刷電路板的金屬布線圖案，其為在絕緣片上形成的多個條紋狀圖案，其特徵在於，所述絕緣片的至少一面上依次設置有銅層、鎳層及金層以分別作為第一鍍層、第二鍍層及第三鍍層，且所述第二鍍層及第三鍍層覆蓋所述第一鍍層的上面及側面。全文摘要本發明涉及一種通過半加成方式製造軟性印刷電路板的方法，並涉及利用該方法所形成的軟性印刷電路板金屬布線圖案。對於在絕緣片上所形成，並呈多個條紋狀態的用於帶載體半導體封裝軟性印刷電路板的金屬布線圖案來說，所述絕緣片的至少一面上依次層積第一鍍層——銅層、第二鍍層——鎳層、第三鍍層——金層，其中所述第二鍍層及第三鍍層包裹所述第一鍍層的上面及側面。本發明還公開了用於製造上述布線圖案的單面及雙面印刷電路板製造方法。文檔編號H05K3/42GK101346043SQ20071015213公開日2009年1月14日申請日期2007年9月14日優先權日2007年7月13日發明者姜建榮,李大訓,李智遠,梁亨宇,洪淳盛申請人:阿克泰克薩特株式會社