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碳納米管純化方法

2023-06-26 17:15:01 1

專利名稱:碳納米管純化方法
技術領域:
本發明涉及一種碳納米管純化方法,特別是常壓下碳納米管純化方法。
背景技術:
現有方法合成的碳納米管不可避免的含有碳雜質和催化劑雜質,這些雜質直接影響碳納米管的結構和性質,進而影響其應用與性能研究。
文獻「Purifcation and structural annealing of multiwalled carbon nanotubes atgraphitization temperatures,Carbon 2001,391681-1687」介紹了一種高溫退火純化多壁納米碳管的方法。該方法用N2作保護氣體,在略高於大氣壓的條件下,於1600℃、2250℃、3000℃分別對多壁納米碳管進行了45min高溫退火處理,得到的多壁碳納米管Fe含量分別為7.1%、0.04%、0.01%。據該報導,2250℃高溫,正壓條件下,經過45min高溫退火處理可以得到純的多壁碳納米管。該方法由於純化過程在正壓下進行,設備需能夠耐受一定的壓力。
文獻「High yield purification of multiwalled carbon nanotubes by selective oxidationduring thermal annealing,2001,39655-661」介紹了一種多壁碳納米管氧化熱退火純化方法。該方法於760℃,通過用扇子向爐子裡鼓入空氣作氧化劑,退火過程中不斷轉動純化設備,以便多壁碳納米管儘可能均勻地暴露給氧化劑,純化40min,得到的多壁碳納米管純化率>40%。該方法由於使用空氣作氧化劑,純化過程中部分多壁碳納米管被氧化,因而產率低,操作不易控制。
文獻「99.9%purity multi-walled carbon nanotubes by vacuum high-temperatureannealing,Carbon 2003,412585-2590.」介紹了一種高溫退火純化多壁碳納米管的方法。該方法在10-3~10Pa壓力下,於1500℃~2150℃之間,不同的退火時間內對多壁碳納米管進行高溫退火,在2000以上的高溫下,多壁碳納米管內外的催化劑雜質被除去。該高溫退火方法,在真空條件下進行,對退火設備要求較高。

發明內容
為了克服現有技術純化過程對設備要求較高、操作不易控制、產率較低的不足,本發明提供一種碳納米管純化方法,特別是常壓下高溫純化碳納米管的方法,其產率可以達到72%以上。
本發明解決其技術問題所採取的技術方案是一種碳納米管純化方法,其特徵在於,包括下述步驟1)將粗製的碳納米管裝入石墨坩堝中蓋好上蓋,放入高溫爐中;2)用常規方法檢查高溫爐的氣密性;
3)開啟抽氣泵,排除高溫爐中空氣,確保爐內空氣排盡;4)在常壓下,給高溫爐通入Ar氣,在4~6小時升溫至1600~2100℃,並在該溫度下保溫0.5~5小時;5)降溫至1000℃,關閉電源,切斷Ar氣源,隨爐降至室溫。
本發明的有益效果是由於本發明純化過程在常壓下進行,避免了正壓或真空條件下,對設備耐壓性能、密封性能及減壓設施等方面的特殊需求;純化過程採用Ar氣氛保護,避免了高溫退火過程中碳納米管的氧化燒蝕;而且常壓下高溫退火處理,在消除碳雜質、催化劑雜質的同時碳納米管的石墨化度也得到了提高,其純化率從現有技術的40%提高到73~77%。


圖1(a)是未純化的碳納米管掃描電鏡照片圖1(b)是經常壓1800℃高溫退火3小時純化的碳納米管掃描電鏡照片圖2(a)是未純化的碳納米管能譜2(b)是經常壓1800℃高溫退火3小時純化的碳納米管能譜圖具體實施方式
實施例1(1)將粗製的碳納米管0.4970g,裝入石墨坩堝中蓋好上蓋,放入高溫爐中。
(2)用常規方法檢查高溫爐的氣密性。
(3)開啟抽氣泵,排除高溫爐中空氣,通Ar30min,反覆上述操作三次,確保爐內空氣排盡。
(4)常壓下,Ar氣氛中,4.5h內升溫至1800℃。
(5)Ar氣氛中,於1800℃恆溫3h。
(6)Ar氣氛中,降溫至1000℃,關閉電源,隨爐降溫至室溫。打開高溫爐,取出裝有碳納米管的石墨坩堝,稱量純化後的碳納米管,重為0.3652g,純化率為73%。密封保存於乾燥器中。
從圖1(a、b)掃描電鏡圖可見退火後碳納米管表面雜質已基本消除;圖2(a、b)的能譜分析顯示,粗製碳納米管中的Ni,Si,Al已全部被除去。
實施例2(1)將粗製的碳納米管0.5326g,裝入石墨坩堝中蓋好上蓋,放入高溫爐中。
(2)用常規方法檢查高溫爐的氣密性。
(3)開啟抽氣泵,排除高溫爐中空氣,通Ar30min,反覆上述操作三次,確保爐內空氣排盡。
(4)常壓下,Ar氣氛中,4h內升溫至1600℃。
(5)Ar氣氛中,於1600℃恆溫5h。
(6)Ar氣氛中,降溫至1000℃,關閉電源,隨爐降溫至室溫。打開高溫爐,取出裝有碳納米管的石墨坩堝,稱量純化後的碳納米管,重為0.3928g,純化率為74%。密封保存於乾燥器中。
實施例3(1)將粗製的碳納米管0.5175g,裝入石墨坩堝中蓋好上蓋,放入高溫爐中。
(2)用常規方法檢查高溫爐的氣密性。
(3)開啟抽氣泵,排除高溫爐中空氣,通Ar30min,反覆上述操作三次,確保爐內空氣排盡。
(4)常壓下,Ar氣氛中,6h內升溫至2100℃。
(5)Ar氣氛中,於2100℃恆溫0.5h。
(6)Ar氣氛中,降溫至1000℃,關閉電源,隨爐降溫至室溫。打開高溫爐,取出裝有碳納米管的石墨坩堝,稱量純化後的碳納米管,重為0.3985g,純化率為77%。密封保存於乾燥器中。
實施例4(1)將粗製的碳納米管0.5175g,裝入石墨坩堝中蓋好上蓋,放入高溫爐中。
(2)用常規方法檢查高溫爐的氣密性。
(3)開啟抽氣泵,排除高溫爐中空氣,通Ar30min,反覆上述操作三次,確保爐內空氣排盡。
(4)常壓下,Ar氣氛中,5h內升溫至2100℃。
(5)Ar氣氛中,於2100℃恆溫2h。
(6)Ar氣氛中,降溫至1000℃,關閉電源,隨爐降溫至室溫。打開高溫爐,取出裝有碳納米管的石墨坩堝,稱量純化後的碳納米管,重為0.3985g,純化率為77%。密封保存於乾燥器中。
權利要求
1.一種碳納米管純化方法,其特徵在於,包括下述步驟1)將粗製的碳納米管裝入石墨坩堝中蓋好上蓋,放入高溫爐中;2)用常規方法檢查高溫爐的氣密性;3)開啟抽氣泵,排除高溫爐中空氣,確保爐內空氣排盡;4)在常壓下,給高溫爐通入Ar氣,在4~6小時升溫至1600~2100℃,並在該溫度下保溫0.5~5小時;5)降溫至1000℃,關閉電源,切斷Ar氣源,隨爐降至室溫。
全文摘要
本發明公開了一種碳納米管純化方法,用於粗製碳納米管純化,其特徵在於,包括下述步驟將粗製的碳納米管裝入石墨坩堝中蓋好上蓋,放入高溫爐中;用常規方法檢查高溫爐的氣密性;開啟抽氣泵,排除高溫爐中空氣,確保爐內空氣排盡;在常壓下,給高溫爐通入Ar氣,在4~6小時升溫至1600~2100℃,並在該溫度下保溫0.5~5小時;降溫至1000℃,關閉電源,切斷Ar氣源,隨爐降至室溫。由於本發明純化過程在常壓下進行,對設備沒有特殊要求;純化過程採用Ar氣氛保護,避免了高溫退火過程中碳納米管的氧化燒蝕;而且常壓下高溫退火處理,在消除碳雜質、催化劑雜質的同時碳納米管的石墨化度也得到了提高,其純化率從現有技術的40%提高到73~77%。
文檔編號B82B3/00GK1868870SQ20061004293
公開日2006年11月29日 申請日期2006年6月7日 優先權日2006年6月7日
發明者李賀軍, 弓巧娟, 李克智, 王翔 申請人:西北工業大學

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