去除晶片外保護層的裝置及方法
2023-10-11 14:01:24 2
專利名稱：去除晶片外保護層的裝置及方法
技術領域：
本發明涉及半導體製程用的裝置和方法，特別是涉及去除DRAM等 產品表面的聚醯亞胺外保護層的裝置和方法。
背景技術：
目前，掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope, SEM)和聚焦 離子束(Focused Ion Beam, FIB)已成為半導體工廠品質監測和制樣不可或 缺的常規工具。
為了防止射線等外在的損傷，在DRAM等產品的表面通常有一層外 保護層，如聚醯亞胺層。在使用FIB和SEM觀察和製作DRAM等產品的 樣品時，由於產品表面有很厚的聚醯亞胺(polyimide)覆蓋層很難去掉，而 該聚醯亞胺覆蓋層會引起電荷累積效應(Charging effect)使得樣品觀測變 得困難。為了減小由於聚醯亞胺帶來的電荷累積問題，通常在用FIB制樣 前要去除樣品表面的聚醯亞胺覆蓋層。
現在所使用去除樣品表面的聚醯亞胺外保護層的方法主要是用反應 離子蝕刻(Reactive Ion Beam, RIE)去除，這種去除方法需要的時間很長， 在用RIE去除聚醯亞胺後，機臺需要很長時間做自清潔，使得成本提升。
發明內容
本發明的要解決的技術問題是提供一種去除晶片外保護層的裝置和 方法。
本發明的去除晶片外保護層的裝置，包括 樣品臺，用於放置樣品和設置組件； 在樣品臺上有一凹槽，用於容置樣品；
一固定軸，至少部分帶有羅紋，設置於樣品臺上凹槽的一側； 一滑道設置於樣品臺上與固定軸相對的一側；
刮取部件，包括一套筒、刮片、手柄，其中刮片的一端與套筒連接， 另一端與手柄連接，套筒以可相對旋轉地與固定軸連接，手柄下端設置在 滑道上可沿滑道移動；
高度調節部件，包括套筒，內有羅紋與固定軸上的羅紋相配合，頂部 有高度調節手柄，與高度調節套筒連接。
根據本發明，所述的晶片外保護層為聚醯胺覆蓋層。
根據本發明的刮片材質可以是不鏽鋼等金屬材料。其他部件的材質沒 有特別限定。刮片的形狀可以是任何形狀，只要刮片的刀刃與套筒垂直即 可，優選為直角三角形。
根據本發明的凹槽內通常設置有緩衝墊，所述的緩衝墊，優選為矽橡膠。
本發明的去除晶片外保護層的方法，包括如下步驟
a) 將樣品放入樣品臺的凹槽中；
b) 將刮取部件的套筒套在固定軸上，手柄放在滑道上； C)裝上高度調節部件；
d) 旋動高度調節部件，使得刮片與樣品臺緊密接觸；
e) 拉動手柄使刮片在樣品表面刮動，從而去除樣品表面的外保護層。 本發明的方法通過簡單操作裝置，很容易地將樣品表面的聚醯亞胺去除。
本發明的裝置使用起來，方便靈活，操作簡便，效果明顯。 本發明的方法和裝置可以節約成本，與反應離子刻蝕(RIE)去除聚
醯亞胺覆蓋層相比大大節省了成本。
本發明的方法可以節約時間，用反應離子刻蝕需要40分鐘，現在可
節約30分鐘左右。
下面的附圖有助於說明和理解本發明的特徵，其中某些實施例在附圖 中示出。然而需要注意的是，附圖只是說明本發明的典型實施例，因此不 應被認為是對其範圍的限制，本發明可允許更多其它等效實施例。
圖1是本發明的去除晶片表面的聚醯亞胺外保護層的裝置的整體示意
圖。
圖2是將晶片樣品放入樣品臺的凹槽中後的示意圖。 圖3是將刮片套入旋轉軸後的示意圖。
圖4是將手柄放入滑道，旋動高度調節器，使得刀片與樣品緊密接觸 後的示意圖。
圖5是拉動手柄使得刮片在樣品表面滑動，從而去除樣品表面的聚醯 亞胺後的示意圖。
附圖標記說明 1樣品臺 2 凹槽
3滑道 4 套筒 5刮片 51刀刃
6 高度調節部件 61高度調節套筒 62高度調節手柄
7 樣品
8 手柄
9固定軸 10緩衝墊
具體實施例方式
下面通過具體實施方式
，較詳細介紹本發明的去除晶片外保護層的裝 置和用該裝置去除晶片外保護層的方法。
根據本發明的一個實施例，如圖1所示，去除晶片外保護層聚醯亞胺 的裝置，包括帶有凹槽2和滑道3的樣品臺1，固定軸9垂直固定於樣 品臺1上凹槽2的一側、滑道3的對側，由套筒4、刮片5、手柄8構成 的刮取部件以及由高度調節套筒61、高度調節手柄62構成的高度調節部
6件6。
在刮片5移動的扇形區域內，刮片5可以全部刮過樣品7表面。只要 刮片5的刀刃51與樣品臺1自然接觸且與樣品臺1的水平面平行，並可 與套筒4固定連接，則刮片5可以是任何形狀。
其刀刃51呈一直角邊，與套筒4連接之處呈另一直角邊，刀刃51直 角邊與斜邊的頂點處與手柄8的適宜部分連接，連接方式可以是活動的， 也可以是固定的，在未工作時刀刃51與樣品臺1自然接觸，手柄8可在 滑道3上移動。
在放置樣品的凹槽2內設置有緩衝墊10，在本實施例中緩衝墊為矽橡 膠所制。
本發明的去除晶片外保護層的裝置的工作過程以及去除晶片外保護 層的方法如下
如圖2所示，首先將適宜的矽橡膠製的緩衝墊10放置於樣品臺1上 的凹槽2內；並將準備好的表面覆蓋有聚醯亞胺的晶片樣品7放在凹槽2 內的矽橡膠製的緩衝墊10上；
然後如圖3所示，將刮取部件的套筒4套在固定軸9上，並將手柄8 置於滑道3上的一端，使刮片5的刀刃51水平地接觸到樣品臺1，將刮片 移動到樣品邊緣剛接觸樣品；
再如圖4所示，將高度調節部件6裝在固定軸9上刮取部件的套筒4 的上方，並通過向一方向旋轉高度調節手柄62使高度調節套筒61向下壓 緊刮取部件的套筒4，使刮片5的刀刃51緊密接觸樣品；
然後如圖5所示，按住手柄8滑向滑道另一端，使刮片刮過樣品表面， 就可以將晶片樣品表面的聚醯亞胺外保護層均勻地刮掉了。
本發明的裝置簡單，易於操作，通過本發明的方法去除晶片樣品表面 的聚醯亞胺覆蓋層可以節省時間，用原來的反應離子束(RIE)需要40分 鍾，而用本發明的裝置和方法可節約30分鐘左右。
雖然前面所述是針對本發明的實施例，但在不背離本發明的基本構思 範圍的情況下可以設計出本發明的其它及進一步的實施例，並且其保護範 圍是由權利要求的範圍決定。
權利要求
1.一種去除晶片外保護層的裝置，包括樣品臺，用於放置樣品和設置組件；在樣品臺上有一凹槽，用於容置樣品；一固定軸，至少部分帶有羅紋，設置於樣品臺上凹槽的一側；一滑道設置於樣品臺上與固定軸相對的一側；刮取部件，包括一套筒、刮片、手柄，其中刮片的一端與套筒連接，另一端與手柄連接，套筒以可相對旋轉地與固定軸連接，手柄下端設置在滑道上可沿滑道移動；高度調節部件，包括套筒，內有羅紋與固定軸上的羅紋相配合，頂部有高度調節手柄，與高度調節套筒連接。
2. 根據權利要求1所述的裝置，其特徵在於 為聚醯胺覆蓋層。
3. 根據權利要求1所述的裝置，其特徵在於 屬材料，如不鏽鋼。
4. 根據權利要求1所述的裝置，其特徵在於 角形。
5. 根據權利要求1所述的裝置，其特徵在於 緩衝墊。
6. 根據權利要求5所述的裝置，其特徵在於 膠材料製成。
7. —種去除外保護層的方法，包括a) 將樣品放入樣品臺的凹槽中；b) 將刮取部件的套筒套在固定軸上，手柄放在滑道上； C)裝上高度調節部件；d) 旋動高度調節部件，使得刮片與樣品臺緊密接觸；e) 拉動手柄使刮片在樣品表面刮動，從而去除樣品表面的外保護層。
8. 根據權利要求7所述的方法，其特徵在於，所述的樣品下面放置 緩衝墊。,所述的晶片外保護層 ，所述的刮片材質是金 ，所述的刮片是直角三 ，所述的凹槽內設置有 ，所述的緩衝墊是矽橡
9.根據權利要求8所述的方法，其特徵在於，所述的緩衝墊是矽橡 膠材料製成。
全文摘要
一種去除晶片外保護層的裝置，包括帶有凹槽和滑道的樣品臺，固定軸固定於樣品臺上凹槽的一側及滑道的對側，由套筒、刮片、手柄構成的刮取部件以及由高度調節套筒、高度調節手柄構成的高度調節部件。通過先放置樣品於凹槽中，裝上刮取部件和高度調節部件，使刮片的刀刃緊密接觸樣品，即可刮取樣品表面的外保護層。本發明的裝置和方法簡單、易於操作，可以節省時間和成本。
文檔編號H01L21/00GK101192506SQ20061011850
公開日2008年6月4日 申請日期2006年11月20日 優先權日2006年11月20日
發明者晶 周, 季春葵, 梁山安, 趙燕麗 申請人:中芯國際集成電路製造(上海)有限公司