離子化裝置的製作方法

2023-10-04 20:18:19

專利名稱：離子化裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及半導體離子化製程，尤其涉及一種離子化裝置。
背景技術：
在離子化機臺中，通常包括一個反應腔(Arc Chamber), —個陰極(Cathode ) 以及一個燈絲。反應腔和陰極都是相互絕緣的。反應腔內充有需要離子化的氣 體，陰極上加有600V及1.6A的電壓。反應腔中的氣體在陰極和燈絲的作用下 被離子化，隨後通過專用設備註入到晶片表面。
現有技術中，由於陰極的陰極頭是光滑的且位於反應腔內部，被離子化的 氣體很容易附著在陰極頭上，當附著的氣體越來越多的時候，這些附著物很容 易堵塞在反應腔和陰極中間的細小縫隙中，從而導致陰極和反應腔短接，進而 造成機臺故障。

發明內容
本發明的目的在於提供一種新的離子化裝置，其可以有效防止由於短接造 成的故障。
為實現上述目的，本發明提供一種離子化裝置，其至少包括一個反應腔和 一個陰極，陰極和反應腔相互絕緣且陰極的陰極頭伸入反應腔內；其中，陰極 伸入反應腔的陰極頭表面粗糙。
陰極頭的表面利用噴砂機打磨粗糙。離子化裝置工作過程中產生的附著物 集中附著在陰極頭的表面。
與現有技術相比，本發明的陰極頭表面粗糙，可以使離子化裝置工作過程 中產生的附著物集中附著在陰極頭的表面，而且不會掉到反應腔和陰極之間的 縫隙造成堵塞，有效防止陰極和反應腔短接。


通過以下對本發明一實施例結合其附圖的描述，可以進一步理解其發明的
目的、具體結構特徵和優點。其中，附圖為 圖1為本發明離子化裝置的結構示意圖。
具體實施例方式
本發明的離子化裝置包括一個反應腔(Arc Chamber )2, —個陰極(Cathode ) 3以及一個燈絲(未圖示)。反應腔2內充有需要被離子化的氣體。陰極3包括 一個陰極頭31，該陰極頭31伸入反應腔2，且在陰極頭31和反應腔中間設有 細小縫隙21。該陰極3上加有600V, 1.6A的電壓。反應腔和陰極都是相互絕 緣的。
陰極頭31利用噴砂機(未圖示)打磨粗糙。在離子化製程中，離子化的氣 體會產生一些附著物，這些附著物集中附著在陰極頭31上，而且由於陰極頭31 的粗糙表面，附著在陰極頭31上的附著物也不會掉到反應腔和陰極頭31的縫 隙21中，從而有效減少附著物造成反應腔2和陰極3之間的縫隙21的堵塞。
權利要求
1、一種離子化裝置，至少包括一個反應腔和一個陰極，陰極和反應腔相互絕緣且陰極的陰極頭伸入反應腔內；其特徵在於陰極伸入反應腔的陰極頭表面粗糙。
2、 如權利要求1所述的一種離子化裝置，其特徵在於陰極頭的表面利用噴砂 機打磨粗糙。
3、 如權利要求1所述的一種離子化裝置，其特徵在於離子化裝置工作過程中 產生的附著物集中附著在陰極頭的表面，而且不容易脫落。
全文摘要
本發明提供一種離子化裝置，其至少包括一個反應腔和一個陰極，陰極和反應腔相互絕緣且陰極的陰極頭伸入反應腔內；其中，陰極伸入反應腔的陰極頭表面粗糙。陰極頭的表面利用噴砂機打磨粗糙。離子化裝置工作過程中產生的附著物集中附著在陰極頭的表面。與現有技術相比，本發明的陰極頭表面粗糙，可以使離子化裝置工作過程中產生的附著物集中附著在陰極頭的表面，而且不會掉到反應腔和陰極之間的縫隙造成堵塞，有效防止陰極和反應腔短接。
文檔編號H01J37/00GK101202197SQ20061014739
公開日2008年6月18日 申請日期2006年12月15日 優先權日2006年12月15日
發明者潘升林, 董春榮, 曉 陳 申請人:中芯國際集成電路製造(上海)有限公司