觸摸面板的製造方法和成膜裝置的製作方法

2023-10-07 10:10:14

專利名稱：觸摸面板的製造方法和成膜裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及觸摸面板的製造方法和成膜裝置，更詳細地，涉及適於設置在液晶顯 示裝置(IXD)等平板顯示器(FPD，Flat Panel Display)的顯示面上，可通過普通的記錄用 具或手指等容易地輸入，可實現小型化，可減少除顯示區域以外的周邊區域的面積，可降低 製造成本的觸摸面板的製造方法和成膜裝置。本申請基於2008年7月9日申請的日本專利申請第2008-179372號主張優先權， 在此引用其內容。
背景技術：
近些年，隨著液晶顯示裝置(IXD)等平板顯示器(FPD)的進步，對於設置在此平板 顯示器(FPD)的顯示面上的觸摸面板的新要求也正提高。為了實現這些要求，開發並提出 了新的技術。作為此觸摸面板的一種，已知電阻膜方式觸摸面板。在此電阻膜方式觸摸面板中， 以規定間隔對向配置有在主面上形成透明導電膜的一對透明基板以使這些透明導電膜彼 此對置。此外，在這些透明導電膜之間矩陣狀地配置有多個絕緣性間隔體。此觸摸面板具 有在向顯示面按壓視認側的透明基板上的期望位置時，在該期望位置使一對透明導電膜電 連接，將該期望位置的信息以電信號方式輸出到外部的功能。以往，此電阻膜方式觸摸面板中，作為透明導電膜材料使用在氧化銦中添加有 1 40質量％的氧化錫的添加有錫的氧化銦(ITOJndium Tin Oxide)。然而，作為ITO原 料的銦(In)為稀有金屬，估計今後會因難以得到而造成成本上升。因此，作為代替ITO的 透明導電材料，豐富且廉價的氧化鋅(SiO)類材料正引起人們關注(例如參見專利文獻1)。該ZnO類材料為通過稍微還原ZnO而稍稍偏離化學計量組成，在ZnO結晶中形成 氧空穴而釋放自由電子，或者作為雜質添加的B、Al、fe等進入ZnO晶格中的Si離子的位置 形成離子而釋放自由電子等，由此表現出導電性的η型半導體。該ZnO類材料適用於可對大型基板均勻成膜的濺射。在成膜裝置中，通過將ITO 等In2O3類材料的靶變更為ZnO類材料的靶，可將ZnO成膜。此外，由於ZnO類材料不包含 如h203類材料一樣絕緣性高的低級氧化物(InO)，所以不易發生濺射異常。為了提高防反射性能，該觸摸面板也可在透明基板上設置防反射膜。該防反射膜 具有折射率不同的多層透明膜重疊的層壓結構。作為以往的防反射膜，例如使用折射率 1. 45 1. 46的SiO和折射率2. 3 2. 55的TiO層壓而成的結構。可是，在使用氧化物靶通過濺射法將SiO和TiO的層壓結構成膜時，由於這些氧化 物靶的電阻高，所以使用RF電源進行濺射法。此外，在使用可用DC電源或AC電源的Si和 Ti的金屬靶將上述層壓結構成膜時，通過在導入大量的氧化性氣體的同時進行濺射的所謂 反應濺射形成層壓膜。專利文獻1 日本特開平9-87833號公報然而，將使用現有的ZnO類材料的透明導電膜用於靜電容量式觸摸面板時，透明性不比現有的ITO膜遜色，但具有電阻率高的問題。因此，為了使ZnO類透明導電膜的電阻率降至期望值，考慮了在進行濺射法時，將 氫氣作為還原氣體導入腔內，在此還原氣氛中成膜的方法。然而，此時得到的透明導電膜的電阻率切實地降低，但存在在其表面產生少許金 屬光澤，透過率降低的問題。此外，防反射膜的成膜工藝中使用SiO和TiO的靶時，由於需要使用RF電源，與使 用DC電源或AC電源時相比，成膜速度具有變慢的趨勢。此外，在使用RF電源的裝置中，電源成本具有變高的趨勢，因情況不同而裝置也 有可能複雜化。進而，現有的成膜方法由於需要SiO和TiO的兩種靶或者Si和Ti的兩種靶，所以 需要兩種濺射裝置。

發明內容
本發明是為了解決上述問題而提出的，其目的在於，提供在使用氧化鋅類透明導 電膜或防反射膜等光學膜的觸摸面板中，使氧化鋅類透明導電膜的電阻率降低，同時可維 持對可見光線的透明性的觸摸面板的製造方法和成膜裝置。此外，本發明的目的在於，提供在設置防反射膜等光學膜時，也可用一個裝置形成 透明導電膜或光學膜的觸摸面板的製造方法和成膜裝置。此外，本發明的目的在於，提供可以以現有的透明導電膜或光學膜的成膜速度以 上的成膜速度成膜的觸摸面板的製造方法和成膜裝置。進而，本發明的目的在於，提供通過使用一種靶，變更導入的氣體種類，可形成多 層光學膜、或多層光學膜和透明導電膜，進一步地，可以以比現有的透明導電膜或光學膜的 成膜速度高的成膜速度成膜的觸摸面板的製造方法和成膜裝置。本發明人對適用氧化鋅類透明導電膜或防反射膜的觸摸面板進行仔細研究的結 果發現，在使用由氧化鋅類材料形成的靶通過濺射法形成氧化鋅類透明導電膜時，如果在 含有選自氫氣、氧氣和水蒸氣中的兩種或三種的反應性氣體的氣氛中進行濺射，並且氫氣 的分壓(Ph2)與氧氣的分壓(P。2)的比R(PH2/P。2)滿足下式⑴的條件下進行濺射法，可得 到比現有優異的觸摸面板，直至完成本發明。R = PH2/P02 彡 5(1)具體來說，本發明人發現，如果在上述條件下進行濺射法，可使氧化鋅類透明導電 膜的電阻率降低，可維持對可見光線的透明性，進而發現，如果與上述同樣處理形成氧化鋅 類防反射膜等光學膜，不用擔心產生金屬光澤，可維持對可見光線的透明性。即，本發明第一方式中的觸摸面板的製造方法為包括具有形成有透明導電膜的主 面的透明基板的觸摸面板的製造方法，通過在含有選自氫氣、氧氣和水蒸氣中的兩種或三 種的反應性氣體氣氛中使用由氧化鋅類材料形成的靶進行濺射法，在所述透明基板的所述 主面上形成所述透明導電膜。在此，本發明中的觸摸面板包括將形成有透明導電膜的一對透明基板以規定間隔 對向配置以使這些透明導電膜彼此對置，檢測出該一對透明導電膜接觸的位置的電阻膜方 式。此外，本發明中的觸摸面板可為在觸摸面板的全部表面形成低壓電場，通過用戶等接觸按壓部分，使電場放電，檢測出該位置的靜電容量式。該製造方法中，通過使用由氧化鋅類材料形成的靶在含有選自氫氣、氧氣和水蒸 氣中的兩種或三種的反應性氣體氣氛中進行濺射法在透明基板的主面上形成透明導電膜。 由此，可使通過濺射法在透明基板上形成氧化鋅類透明導電膜時的氣氛為含有選自氫氣、 氧氣和水蒸氣中的兩種或三種的氣氛，即還原性氣體和氧化性氣體的比例調和的氣氛。因 此，如果在該氣氛下進行濺射法，可在得到的透明導電膜中控制氧化鋅結晶中的氧空穴數， 可實現具有期望導電率的透明導電膜。此外，透明導電膜的電阻率也降低，可實現具有期望 電阻率值的透明導電膜。此外，得到的透明導電膜不會產生金屬光澤，可維持對可見光線的 透明性。本發明第二方式中的觸摸面板的製造方法為下述觸摸面板的製造方法，所述觸摸 面板包括具有形成有透明導電膜的主面的第一透明基板和第二透明基板，對向配置有所述 第一透明基板和所述第二透明基板以使所述第一透明基板的透明導電膜和所述第二透明 基板的所述透明導電膜彼此對置且以規定間隔隔開，通過使用由氧化鋅類材料形成的靶在 含有選自氫氣、氧氣和水蒸氣中的兩種或三種的反應性氣體氣氛中進行濺射法，在所述第 一透明基板和所述第二透明基板中的任意一方或兩方的基板的所述主面上形成所述透明 導電膜。該製造方法中，通過使用由氧化鋅類材料形成的靶在含有選自氫氣、氧氣和水蒸 氣中的兩種或三種的反應性氣體氣氛中進行濺射法在一對的所述第一透明基板和所述第 二透明基板中的任意一方或兩方的主面上形成透明導電膜。由此，可使通過濺射法在透明 基板上形成氧化鋅類透明導電膜時的氣氛為含有選自氫氣、氧氣和水蒸氣中的兩種或三種 的氣氛，即還原性氣體和氧化性氣體的比例調和的氣氛。因此，如果在該氣氛下進行濺射 法，可在得到的透明導電膜中控制氧化鋅結晶中的氧空穴數，可實現具有期望導電率的透 明導電膜。此外，透明導電膜的電阻率也降低，可實現具有期望電阻率值的透明導電膜。此 外，得到的透明導電膜不會產生金屬光澤，可維持對可見光線的透明性。本發明第三方式中的觸摸面板的製造方法為下述觸摸面板的製造方法，所述觸摸 面板包括具有形成有透明導電膜的主面的第一透明基板和第二透明基板，對向配置有所述 第一透明基板和所述第二透明基板以使所述第一透明基板的透明導電膜和所述第二透明 基板的所述透明導電膜彼此對置且以規定間隔隔開，通過使用由氧化鋅類材料形成的靶在 含有選自氫氣、氧氣和水蒸氣中的兩種或三種的反應性氣體氣氛中進行濺射法，在所述第 一透明基板和所述第二透明基板中的任意一方的主面上形成光學膜，接著，在所述光學膜 上形成所述透明導電膜。該製造方法中，通過使用由氧化鋅類材料形成的靶在含有選自氫氣、氧氣和水蒸 氣中的兩種或三種的反應性氣體氣氛中進行濺射法在一對的所述第一透明基板和所述第 二透明基板中的任意一方的主面上形成光學膜。由此，可使通過濺射法在透明基板上形成 氧化鋅類光學膜時的氣氛為含有選自氫氣、氧氣和水蒸氣中的兩種或三種的氣氛，即還原 性氣體和氧化性氣體的比例調和的氣氛。因此，如果在該氣氛下進行濺射法，可在得到的光 學膜中控制氧化鋅結晶中的氧空穴數，該氧空穴所導致的光吸收減少，由此不會產生金屬 光澤，可維持對可見光線的透明性。本發明第四方式中的觸摸面板的製造方法為下述觸摸面板的製造方法，所述觸摸面板包括具有形成有透明導電膜的主面的第一透明基板和第二透明基板，對向配置有所述 第一透明基板和所述第二透明基板以使所述第一透明基板的透明導電膜和所述第二透明 基板的所述透明導電膜彼此對置且以規定間隔隔開，通過使用由第一氧化鋅類材料形成的 靶在含有選自氫氣、氧氣和水蒸氣中的兩種或三種的反應性氣體氣氛中進行濺射法，在所 述第一透明基板和所述第二透明基板中的任意一方的主面上形成光學膜，接著，通過使用 由第二氧化鋅類材料形成的靶在含有選自氫氣、氧氣和水蒸氣中的兩種或三種的反應性氣 體氣氛中進行濺射法，在所述光學膜上形成所述透明導電膜。該製造方法中，通過使用由第一氧化鋅類材料形成的靶在含有選自氫氣、氧氣和 水蒸氣中的兩種或三種的反應性氣體氣氛中進行濺射法在一對的所述第一透明基板和所 述第二透明基板中的任意一方的主面上形成光學膜。由此，可使通過濺射法在透明基板上 形成氧化鋅類光學膜時的氣氛為含有選自氫氣、氧氣和水蒸氣中的兩種或三種的氣氛，即 還原性氣體和氧化性氣體的比例調和的氣氛。因此，如果在該氣氛下進行濺射法，可在得到 的光學膜中控制氧化鋅結晶中的氧空穴數，該氧空穴所導致的光吸收減少，由此不會產生 金屬光澤，可維持對可見光線的透明性。此外，通過使用由第二氧化鋅類材料形成的靶在含有選自氫氣、氧氣和水蒸氣中 的兩種或三種的反應性氣體氣氛中進行濺射法在該光學膜上形成透明導電膜。由此，可使 通過濺射法在光學膜上形成氧化鋅類透明導電膜時的氣氛為含有選自氫氣、氧氣和水蒸氣 中的兩種或三種的氣氛，即還原性氣體和氧化性氣體的比例調和的氣氛。因此，如果在該氣 氛下進行濺射法，可在得到的透明導電膜中控制氧化鋅結晶中的氧空穴數，可實現具有期 望導電率的透明導電膜。此外，透明導電膜的電阻率也降低，可實現具有期望電阻率值的透 明導電膜。此外，得到的透明導電膜不會產生金屬光澤，可維持對可見光線的透明性。在本發明的第一至第四方式的製造方法中，所述氫氣的分壓(Ph2)與所述氧氣的 分壓(P02)的比R(PH2/PQ2)優選滿足下式(DoR = PH2/P02 彡 5(1)在本發明的第一至第四方式的製造方法中，進行所述濺射法時使用的濺射電壓優 選為340V以下。在本發明的第一至第四方式的製造方法中，進行所述濺射法時使用的濺射電壓優 選為直流電壓與高頻電壓疊加而得到的電壓。在本發明的第一至第四方式的製造方法中，所述靶的表面的水平磁場強度的最大 值優選為600高斯以上。在本發明的第一至第四方式的製造方法中，所述氧化鋅類材料優選為添加有鋁的 氧化鋅或添加有鎵的氧化鋅。本發明第五方式中的製造觸摸面板的成膜裝置包括真空容器、在所述真空容器內 保持靶的靶保持部、和對所述靶施加濺射電壓的電源，所述真空容器具有氫氣導入部、氧氣 導入部和水蒸氣導入部中的兩種以上。該成膜裝置中，真空容器具備氫氣導入部、氧氣導入部和水蒸氣導入部中的兩種 以上。由此，可使用氫氣導入部、氧氣導入部和水蒸氣導入部中的兩種以上，使通過使用由 氧化鋅類材料形成的靶的濺射法在基板上形成氧化鋅類透明導電膜或光學膜時的氣氛為 還原性氣體和氧化性氣體的比例調和的反應性氣體氣氛。因此，可控制氧化鋅結晶中的氧
7空穴數，由此可使用由氧化鋅類材料形成的靶通過一個裝置形成電阻率降低、不會產生金 屬光澤、可維持對可見光線的透明性的氧化鋅類透明導電膜，以及不會產生金屬光澤、可維 持對可見光線的透明性的氧化鋅類光學膜中的任意一方或兩方。進而，該成膜裝置中不僅能夠形成這些透明導電膜或光學膜，還可使用由氧化鋅 類材料形成的一種靶，僅通過變更導入的氣體形成多層光學膜、或多層光學膜和透明導電膜。進而，可使用DC電源或AC電源，而且可以以現有的成膜速度以上的速度進行成膜。在本發明的第五方式的製造方法中，所述電源優選並用直流電源和高頻電源。該成膜裝置中，通過並用直流電源和高頻電源，可使濺射電壓降低，從而可形成晶 格整齊的氧化鋅類透明導電膜或光學膜。根據該成膜裝置，可以得到電阻率降低，不會產生 金屬光澤，可維持對可見光線的透明性的透明導電膜。此外，可以得到不會產生金屬光澤， 可維持對可見光線的透明性的光學膜。本發明的第五方式的製造方法優選包括設置在所述靶保持部，在所述靶的表面產 生強度的最大值為600高斯以上的水平磁場的磁場產生部。在該成膜裝置中，由於在靶保持部設置在靶的表面產生強度的最大值為600高斯 以上的水平磁場的磁場產生部，所以在靶表面的垂直磁場為0(水平磁場最大)的位置生成 高密度等離子體。由此，可形成晶格整齊的氧化鋅類透明導電膜或光學膜。根據本發明第一方式中的觸摸面板的製造方法，由於通過使用由氧化鋅類材料形 成的靶在含有選自氫氣、氧氣和水蒸氣中的兩種或三種的反應性氣體氣氛中進行濺射法在 透明基板的主面上形成透明導電膜，所以可使氧化鋅類透明導電膜的電阻率降低，而且可 維持對可見光線的透明性。因此，可容易地形成電阻率低，對可見光線的透明性優異的氧化鋅類透明導電膜。根據本發明第二方式中的觸摸面板的製造方法，由於通過使用由氧化鋅類材料形 成的靶在含有選自氫氣、氧氣和水蒸氣中的兩種或三種的反應性氣體氣氛中進行濺射法在 一對的上述第一透明基板和上述第二透明基板中的任意一方或兩方的主面上形成透明導 電膜，所以可使氧化鋅類透明導電膜的電阻率降低，而且可維持對可見光線的透明性。因此，可容易地形成電阻率低，對可見光線的透明性優異的氧化鋅類透明導電膜。根據本發明第三方式中的觸摸面板的製造方法，由於通過使用由氧化鋅類材料形 成的靶在含有選自氫氣、氧氣和水蒸氣中的兩種或三種的反應性氣體氣氛中進行濺射法在 一對的上述第一透明基板和上述第二透明基板中的任意一方的主面上形成光學膜，所以可 防止氧化鋅類光學膜的金屬光澤，可維持對可見光線的透明性。因此，可容易地形成對可見光線的透明性優異的氧化鋅類光學膜。根據本發明第四方式中的觸摸面板的製造方法，由於通過使用由第一氧化鋅類材 料形成的靶在含有選自氫氣、氧氣和水蒸氣中的兩種或三種的反應性氣體氣氛中進行濺射 法在一對的上述第一透明基板和上述第二透明基板中的任意一方的主面上形成光學膜，所 以可防止氧化鋅類光學膜的金屬光澤，可維持對可見光線的透明性。因此，可容易地形成對可見光線的透明性優異的氧化鋅類光學膜。此外，由於通過使用由第二氧化鋅類材料形成的靶在含有選自氫氣、氧氣和水蒸氣中的兩種或三種的反應性氣體氣氛中進行濺射法在該光學膜上形成透明導電膜，所以可 降低氧化鋅類透明導電膜的電阻率，而且可維持對可見光線的透明性。因此，可容易地形成電阻率低，對可見光線的透明性優異的氧化鋅類透明導電膜。根據本發明第五方式中的製造觸摸面板的成膜裝置，由於在真空容器內具備氫氣 導入部、氧氣導入部和水蒸氣導入部中的兩種以上，通過控制它們，可使在真空容器內形成 氧化鋅類透明導電膜或光學膜時的氣氛為還原性氣體和氧化性氣體的比例調和的反應性 氣體氣氛。因此，不僅改良了現有成膜裝置的一部分，還可使用由氧化鋅類材料形成的靶通 過一個裝置形成電阻率低、對可見光線的透明性優異的氧化鋅類透明導電膜，或者形成對 可見光線的透明性優異的氧化鋅類光學膜。進而，這些透明導電膜或光學膜可使用由氧化鋅類材料形成的一種靶，僅通過變 更導入的氣體形成多層光學膜、或多層光學膜和透明導電膜。進而，可使用DC電源或AC電源，而且可以以現有的成膜速度以上的速度進行成膜。


圖1為表示本發明第一實施方式的電阻膜方式的觸摸面板的主要部分截面圖。圖2為表示本發明第一實施方式的電阻膜方式的觸摸面板的防反射膜的截面圖。圖3為表示本發明第一實施方式的濺射裝置的結構簡圖。圖4為表示本發明第一實施方式的濺射裝置的成膜室的主要部分截面圖。圖5為表示未加熱成膜中的H2O氣體(水蒸氣)引起的效果圖。圖6為表示防反射膜的反射率的模擬結果圖。圖7為表示基板溫度設定為250°C時的加熱成膜中的H2O氣體(水蒸氣)引起的 效果圖。圖8為表示基板溫度設定為250°C時的加熱成膜中同時導入H2氣體和仏氣體時 引起的效果圖。圖9為表示基板溫度設定為250°C時的加熱成膜中同時導入H2氣體和仏氣體時 引起的效果圖。圖10為表示未加熱成膜中的H2氣體引起的效果圖。圖11為表示本發明第二實施方式的往復、λ、y夕一)…、式磁控濺射裝置的 成膜室的主要部分截面圖。
具體實施例方式以下，對本發明的觸摸面板的製造方法和成膜裝置的具體實施方式
進行說明。在本實施方式中，為了更好地理解發明主旨而進行了具體說明，但本實施方式不 限定本發明的技術範圍，在不脫離本發明主旨的範圍內，可進行各種變更。(第一實施方式)(觸摸面板)圖1為表示本發明第一實施方式的電阻膜方式的觸摸面板的主要部分截面圖。
該觸摸面板1通過間隔體3設置在液晶顯示裝置(IXD) 2的圖像顯示面加上，由 作為下部電極的驅動電路4、作為上部電極的檢測電路5和配置在驅動電路4與檢測電路5 之間的多個絕緣性間隔體6構成。驅動電路4通過在由聚醯亞胺膜等塑料或無鹼玻璃等玻璃板等形成的透明基板 11的表面(主面)Ila上依次形成防反射膜(光學膜)12和透明導電膜13而構成。檢測電路5通過在由聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)等形成的塑料膜(透明基 板)14的表面1 上形成硬塗膜15，在其背面(主面)14b形成透明導電膜16而構成。這些驅動電路4和檢測電路5以規定間隔配置，以使透明導電膜13、16彼此對置。 這些透明導電膜13、16通過粘接劑17粘接固定，這些透明導電膜13、16之間矩陣狀地配置 有用於維持透明導電膜13、16之間距離的多個絕緣性間隔體6。如圖2所示，防反射膜12具有折射率不同的多層透明膜，例如高折射率的透明膜 1 和低折射率的透明膜12b重疊而成的層壓結構以使折射率自透明基板11的表面Ila的 表面向著配置透明導電膜13的位置依次減小。防反射膜12的層壓結構優選使用例如將添加有氧化鋁(Al2O3)的添加有鋁的氧化 鋅(AZO)、添加有氧化鎵(Gei2O3)的添加有鎵的氧化鋅(GZO)、氧化矽(SiO2)、氧化鈦(TiO2) 等用作主要成分的膜層壓而成的層壓結構。例如，使用添加有鋁的氧化鋅(AZO)的層壓結構時，折射率例如為1. 91等高折射 率的透明膜1 通過將添加有鋁的氧化鋅(AZO)作為靶，在氬氣(Ar)氣體氣氛、或含氧氣 的氬氣(Ar+02)氣體氣氛下成膜而得到。此外，折射率例如為1. 64等低折射率的透明膜12b通過將上述添加有鋁的氧化鋅 (AZO)作為靶，在氫氣(H2)氣體氣氛或水蒸氣(H2O)氣體氣氛氣下成膜而得到。這樣，僅改變反應氣體的種類，可使用同一種靶形成兩種折射率的膜。因此，使用 一個裝置(同一裝置)就可容易地形成層壓結構的膜。進而，使用AZO或GZO等ZnO類靶 時，由於僅用DC電源或AC電源也可以進行濺射，容易簡化成膜裝置的結構。此外，RF濺射 的成膜速度相對較慢，但在第一實施方式的成膜裝置中，由於可使用DC電源或AC電源，可 使成膜速度變快。而且，如果進一步使AC電源的輸出與RF輸出重疊，可降低放電壓力。此外，使用DC電源時，與例如現有使用Si靶的反應濺射法中的成膜速度為20 30埃/分鐘(相當於lW/cm2，以下相同)、Ti的反應濺射法中的成膜速度為約埃/分鐘相 比，將^iO-Al2O3作為靶濺射形成AZO膜時，可得到50 80埃/分鐘的成膜速度。進而，將SiO-Al2O3作為靶，導入包含氧或氫原子的氣體濺射形成AZO膜時，由於靶 包含氧，反應性氣體的導入量比使用Si或Ti靶的反應濺射法時少。在該觸摸面板1中，通過用觸摸筆或手指等向透明基板11按壓塑料膜14的硬塗 膜15上的期望位置(地址)，在該期望位置(地址)透明導電膜13和透明導電膜16電連 接(導通)為「導通」狀態，該期望位置(地址)中的「導通」狀態的信息以表示該觸摸面 板1面內的操作的地址的電信號輸出。(濺射裝置)圖3為表示使用第一實施方式觸摸面板的製造方法中使用的濺射裝置(成膜裝 置)的結構簡圖，圖4為表示圖3的濺射裝置中的成膜室主要部分的截面圖。該濺射裝置21為往復式濺射裝置，例如包括搬入或搬出無鹼玻璃基板(未圖示)等基板的裝入/取出室22、和在基板上形成氧化鋅類透明導電膜的成膜室(真空容器)23。裝入/取出室22中設置有對該室內進行粗抽真空的旋轉泵等粗抽排氣部M，在該 室內配置有可移動的用於保持、搬送基板的基板託盤25。另一方面，在成膜室23的一側側面(第一側面)23a立式設置有加熱基板沈的加 熱器31，在另一側側面(第二側面)2 立式設置有保持氧化鋅類材料的靶27並施加期望 的濺射電壓的陰極(靶保持部)32，進而，設置有對該室內進行抽高真空的渦輪分子泵等高 真空排氣部33、對靶27施加濺射電壓的電源34、以及向該室內導入氣體的氣體導入部35。陰極32由板狀的金屬板構成，為通過釺料等焊接(固定)靶27的部件。電源34具有對靶27施加直流電壓與高頻電壓重疊而成的濺射電壓的功能，具備 直流(DC)電源和高頻(RF)電源(省略圖示)。氣體導入部35具備導入Ar等濺射氣體的濺射氣體導入部35a、導入氫氣的氫氣導 入部35b、導入氧氣的氧氣導入部35c、和導入水蒸氣的水蒸氣導入部35d。而且，在該氣體導入部35中，導入部3 35d可根據需要選擇使用，例如可由氫 氣導入部3 和氧氣導入部35c、氫氣導入部3 和水蒸氣導入部35d的兩種導入部構成。接著，對使用上述濺射裝置21在透明基板11上依次形成氧化鋅類防反射膜12和 透明導電膜13的方法進行說明。這裡，對透明基板11使用無鹼玻璃基板，防反射膜12使用由添加有鋁的氧化鋅 (AZO)、添加有鎵的氧化鋅(GZO)等氧化鋅類材料構成的兩層結構的膜的情形進行說明。(防反射膜的形成)(a)高折射率透明膜的形成為了形成高折射率透明膜12a，用釺料等將氧化鋅類靶27焊接並固定在陰極32 上。在此，靶材可舉出氧化鋅類材料，例如添加有0. 1 10質量％的氧化鋁(Al2O3)的 添加有鋁的氧化鋅(AZO)、添加有0. 1 10質量％的氧化鎵(Ga2O3)的添加有鎵的氧化鋅 (GZO)等。接著，以裝入/取出室22的基板託盤25收納基板沈的狀態下，通過粗抽排氣部 24對裝入/取出室22和成膜室23進行粗抽真空。裝入/取出室22和成膜室23形成規 定的真空度，例如0. 27Pa(2.0X10-3託)後，將基板沈從裝入/取出室22搬入成膜室23。 將該基板26配置在設定為關閉狀態的加熱器31之前，使該基板沈與靶27對置，用加熱器 31加熱該基板沈，溫度設定在100°C 600°C的範圍內。接著，用高真空排氣部33對成膜室23抽高真空，將成膜室23設定為規定的高真 空度，例如2. 7 X IO-4Pa (2. OX ΙΟ"6託)。之後，通過由濺射氣體導入部3 對成膜室23導 入Ar氣體，或者由濺射氣體導入部3 和氧氣導入部35c對成膜室23導入Ar氣體和仏氣 體，使該成膜室23內為Ar氣體氣氛、或含O2氣體的Ar氣體(Ar+02)氣氛。接著，通過電源34對靶27施加濺射電壓。該濺射電壓優選為340V以下。通過降低放電電壓，可形成晶格整齊的氧化鋅類透明膜。該濺射電壓優選為直流電壓與高頻電壓重疊而成的電壓。通過對直流電壓重疊高 頻電壓，可進一步降低放電電壓。
通過施加濺射電壓，在基板沈上產生等離子體，由該等離子體激發的Ar氣體等濺 射氣體的離子撞擊靶27，從該靶27釋放構成添加有鋁的氧化鋅(AZO)、添加有鎵的氧化鋅 (GZO)等氧化鋅類材料的原子，在基板沈上形成由氧化鋅類材料形成的透明膜。此成膜過程中由於成膜室23內的氣氛為Ar氣體氣氛、或含O2氣體的Ar氣體 (Ar+02)氣氛，如果在此氣氛下進行濺射法，則可在得到的透明膜中控制氧化鋅結晶中的氧 空穴數，可得到具有例如1.2左右的期望的高折射率和期望的電阻率(導電率)的高折射 率透明膜12a。而且，使透明膜1 的折射率變動時，即在折射率特性方面調整透明膜1 的折射 率值時，優選將成膜時的氣氛由Ar氣體氣氛、或含O2氣體的Ar氣體(Ar+02)氣氛改變為對 Ar氣體或含&氣體的Ar氣體添加吐氣體和/或H2O氣體(水蒸氣)而成的氣氛。這可通過進行由氫氣導入部3 對成膜室23導吐氣體、由水蒸氣導入部35d對 成膜室23導入H2O氣體(水蒸氣)中的任意一方或兩方來實現。(b)低折射率透明膜的形成在成膜室23內殘留氧化鋅類靶27的狀態下，通過進行由氫氣導入部3 對成膜 室23導入吐氣體、由水蒸氣導入部35d對成膜室23導入H2O氣體(水蒸氣)中的任意一 方或兩方，將該成膜室23內的氣氛控制成包含吐氣體和/或H2O氣體(水蒸氣)。形成此低折射率透明膜時，使用形成高折射率透明膜時所用的相同的氧化鋅類靶 27，將成膜時的氣氛控制成包含H2氣體和/或H2O氣體(水蒸氣)。由此，形成透明膜的折 射率向低折射率側變動的低折射率透明膜。這裡，使用氫氣導入部3 或水蒸氣導入部35d對成膜室23導入吐氣體和/或 H2O氣體(水蒸氣)。而且，由於在該成膜室23內也包含Ar氣體、或含O2氣體的Ar氣體(Ar+02)，通過 控制H2氣體、H2O氣體(水蒸氣)和Ar+02氣體的各分壓，可控制得到的透明膜的折射率或 電阻率(導電率)。例如，氫氣的分壓(Ph2)與氧氣的分壓(P02)的比ROVP02)滿足下式(1)時，將成 膜室23內的氣氛控制成包括氫氣濃度為氧氣濃度5倍以上的反應性氣體。r = PH2/Po2 ^ 5(1)此外，通過使反應性氣體氣氛滿足R = PH2/P02 ^ 5，可得到折射率為1. 6左右的透 明膜1%。此外，氫氣的分壓(Ph2)與水蒸氣(氣體)的分壓(Ph2q)的比R(PH2/PH2Q)滿足下式 (2)時，將成膜室23內的氣氛控制成包括氫氣濃度為水蒸氣濃度5倍以上的反應性氣體。r = PH2/PH2o ^ 5(2)此外，通過使反應性氣體氣氛滿足R = PH2/PH20彡5，可得到折射率為1. 6左右的透 明膜1%。這樣，通過在成膜室23形成H2氣體和/或H2O氣體(水蒸氣)氣氛，得到的透明 膜12b的電阻率(導電率)也發生變化。因此，在形成需要導電性的透明膜12b時，需要在 H2氣體氣氛中成膜。另一方面，在形成不需要導電性的透明膜12b時，可使用H2氣體氣氛、 H2O氣體(水蒸氣)氣氛中的任意一種。這樣，在H2氣體和H2O氣體(Η2+Η20)氣氛下形成的低折射率的透明膜12b由於電
12阻率低，所以可兼具透明導電膜的功能。因此，不需要透明導電膜13。另一方面，由於在H2O氣體氣氛下形成的低折射率的透明膜12b的電阻率高，所以 需要透明導電膜13。接著，對在高電阻率且低折射率的透明膜12b上形成透明導電膜13的方法進行說 明。(透明導電膜的形成)形成透明導電膜13時，使用上述氧化鋅類靶27，與上述防反射膜的成膜方法同樣 地將基板26的溫度設定為100°C 600°C的溫度範圍內。此外，由濺射氣體導入部15a導 入Ar等濺射氣體，使用氫氣導入部1 水蒸氣導入部15d中的任意兩種或三種導入選自 氫氣、氧氣和水蒸氣中的兩種或三種氣體。這裡，選擇氫氣和氧氣時，氫氣的分壓(Ph2)與氧氣的分壓(Pffi)的比R(PH2/P。2)滿 足下式C3)時，將成膜室23內的氣氛控制成包括氫氣濃度為氧氣濃度5倍以上的反應性氣 體。R = PH2/Po2 ^ 5(3)此外，通過使反應性氣體氣氛滿足R = PH2/P02彡5，可得到電阻率為 1.0X IO3 μ Ω · cm以下的透明導電膜。此外，選擇氫氣和水蒸氣(氣體)時，氫氣的分壓(Ph2)與水蒸氣(氣體)的分壓 (Ph20)的比R(PH2/PHJ滿足下式時，將成膜室23內的氣氛控制成包括氫氣濃度為水蒸 氣濃度5倍以上的反應性氣體。R = PH2/PH2。>5(4)此外，通過使反應性氣體氣氛滿足R = PH2/PH20彡5，可得到電阻率為 1.0X IO3 μ Ω · cm以下的透明導電膜。接著，通過電源34對靶27施加340V以下的濺射電壓，優選施加直流電壓與高頻 電壓重疊而成的濺射電壓。由此，在基板沈上產生等離子體，由該等離子體激發的Ar氣體等濺射氣體的離子 撞擊靶27，從該靶27釋放構成添加有鋁的氧化鋅(AZO)、添加有鎵的氧化鋅(GZO)等氧化 鋅類材料的原子，在透明膜12b上形成由氧化鋅類材料形成的透明導電膜。此成膜過程中，成膜室23內的氣氛為含有選自氫氣、氧氣和水蒸氣中的兩種或三 種的反應性氣體氣氛。因此，如果在此反應性氣體氣氛下進行濺射法，可控制氧化鋅結晶中 的氧空穴數，得到的透明導電膜為具有期望導電率的膜，透明導電膜的電阻率降低，可得到 期望的電阻率值。特別是關於成膜室23內的各氣體濃度，氫氣濃度為氧氣濃度的5倍以上時，可得 到氫氣與氧氣的比例調和的反應性氣體氣氛。因此，如果在此反應性氣體氣氛下進行濺射 法，可高度控制氧化鋅結晶中的氧空穴數，得到的透明導電膜為具有期望導電率的膜，透明 導電膜的電阻率也降至與ITO膜相當，可得到期望的電阻率值。此外，對於得到的透明導電膜，不用擔心產生金屬光澤，可維持對可見光線的透明 性。這樣，可得到形成電阻率低且對可見光線的透明性良好的氧化鋅類透明導電膜13 的基板沈。
接著，就第一實施方式的氧化鋅類透明導電膜和防反射膜的製造方法，對本發明 人進行的實驗結果進行說明。準備具有5英寸X 16英寸尺寸，添加有2質量％的Al2O3的添加有鋁的氧化鋅 (AZO)靶。用釺料將該靶固定在施加直流(DC)電壓的平行平板型陰極32上。接著，將無鹼玻璃基板搬入裝入/取出室22，用粗抽排氣部M對裝入/取出室22 內進行粗抽真空，接著，將該無鹼玻璃基板搬入用高真空排氣部33進行了高抽真空的成膜 室23中。之後，將無鹼玻璃基板與AZO靶對向配置。接著，由氣體導入部35向成膜室23導入Ar氣體的同時，將成膜室23內的壓力控 制為5m託。之後，向成膜室23導入氣體，以形成H2O氣體的分壓為5X 10_5託和仏氣體的 分壓為1 X 10_5託中的任何一種，在H2O氣體或&氣體的氣氛下，通過電源34對陰極32施 加IkW的功率。由此，將安裝在陰極32上的AZO靶濺射，在無鹼玻璃基板上堆積AZO膜。圖5為表示未加熱成膜中的H2O氣體(水蒸氣)引起的效果圖。在圖5中，符號 A表示未導入反應性氣體時的氧化鋅類透明導電膜的透過率，符號B表示以H2O氣體的分 壓為5X10—5託來導入時的氧化鋅類透明導電膜的透過率，符號C表示以O2氣體的分壓為 1 X ΙΟ"5託來導入時的氧化鋅類透明導電膜的透過率。未導入反應性氣體時，透明導電膜的膜厚為207. 9nm,電阻率為1576 μ Ω · cm。此外，導入H2O氣體時，透明導電膜的膜厚為204. Onm，電阻率為64464 μ Ω .cm。此外，導入O2氣體時，透明導電膜的膜厚為208. 5nm,電阻率為M06 μ Ω · cm。根據圖5可知，通過導ΛΗ20氣體，可變更透過率的峰波長，而不改變膜厚。此外， 與未導入反應性氣體的符號A相比，整體透過率也上升。此外可知，導入H2O氣體時，電阻率變高，電阻劣化變大，但由於透過率高，可適用 於如防反射膜等不要求低電阻的光學部件。進而可知，通過重複進行H2O氣體的未導入和導入、或改變導入量的成膜條件，用 一塊靶就可得到具有折射率變化的層壓結構(由折射率不同的多層膜形成的層壓結構)的 光設備。圖6為表示使用圖5中的符號B和符號C的光譜計算出的折射率進行光學設計的 防反射膜的反射率的模擬結果圖。在此，將根據圖5中的符號C的光譜求出的波長的峰值(λ)796ηπι和膜厚 ((!」(^；歷的各值簡易地代入式『力！^二！！^」丨式中川為膜厚，λ為波長，n、m為整數)。 計算出m = 1時的高折射率透明膜的折射率(η)，η = 1. 91。另一方面，將根據圖5中的符號B的光譜求出的波長的峰值(λ)668ηπι和膜厚 (d) 204. Onm的各值簡易地代入式「2nd = 」(式中，d為膜厚，λ為波長，n、m為整數)。 計算出m = 1時的低折射率透明膜的折射率(η)，η = 1. 64。接著，在玻璃基板上以膜厚(d)為64. Onm形成折射率(η)為1.91的高折射率透 明膜，在該高折射率透明膜上以膜厚⑷為89. 5nm形成折射率(η)為1. 64的低折射率透明膜。根據圖6可知，波長(λ)為550nm時，防反射膜的反射率為0. 167%，可使用一塊 靶連續形成層壓結構的防反射膜。接著，除了將無鹼玻璃基板加熱到250°C以外，與上述同樣處理，在無鹼玻璃基板上堆積AZO膜。圖7為表示基板溫度為250°C時的加熱成膜中的H2O氣體(水蒸氣)引起的效果 圖。在圖7中，符號A表示未導入反應性氣體時的氧化鋅類透明導電膜的透過率，符號B表 示以H2O氣體的分壓為5X10—5託來導入時的氧化鋅類透明導電膜的透過率，符號C表示以 O2氣體的分壓為1X10—5託來導入時的氧化鋅類透明導電膜的透過率。而且，陰極使用施加 直流(DC)電壓的平行平板型陰極。未導入反應性氣體時，透明導電膜的膜厚為201. 6nm,電阻率為766 μ Ω · cm。此外，導入H2O氣體時，透明導電膜的膜厚為183. Onm，電阻率為6625 μ Ω · cm。此外，導入02氣體時，透明導電膜的膜厚為197. 3nm，電阻率為2214μ Ω .cm。根據圖7可知，即使是加熱成膜，也可得到與未加熱成膜相同的效果。可知，導入H2O氣體時，膜厚稍微變薄，但由於峰波長的變化為因膜厚的幹涉引起 的峰波長的變化以上，所以即使在將基板溫度加熱到250°C時，也可得到與未加熱相同的效^ ο接著，用H2氣體代替H2O氣體，使用可使直流(DC)電壓和高頻(RF)電壓重疊進行 功率供給的平行平板型陰極，通過電源34對陰極12施加使IkW的DC功率與350W的高頻 (RF)功率重疊而成的濺射功率。除了通過電流量4A進行定電流控制以外，與上述同樣處 理，在無鹼玻璃基板上堆積AZO膜。圖8為表示基板溫度為250°C時的加熱成膜中同時導入H2氣體和仏氣體時引起 的效果圖。在圖8中，符號A表示以H2氣體的分壓為15X ΙΟ"5託、&氣體的分壓為1 X 10_5 託來同時導入時的氧化鋅類透明導電膜的透過率，符號B表示以O2氣體的分壓為IX 10_5託 來導入時的氧化鋅類透明導電膜的透過率。同時導入H2氣體和O2氣體時，透明導電膜的膜厚為211. lnm。此外，僅導入O2氣體時，透明導電膜的膜厚為208. 9nm。根據圖8可知，與僅導入&氣體時相比，同時導入H2氣體和&氣體時，峰波長變 化為因膜厚的幹涉引起的峰波長的變化以上。此外可知，透過率也提高。圖9為表示基板溫度為250°C時的加熱成膜中同時導入H2氣體和O2氣體時引起的 效果圖，示出了 A氣體的分壓固定在1 XIO-5託(流量換算的分壓)、H2氣體的分壓在O 15X10_5託(流量換算的分壓)之間變化時的氧化鋅類透明導電膜的電阻率。而且，透明 導電膜的膜厚約為200nm。根據該圖可知，H2氣體的分壓從O託至2. OX 10_5託，電阻率急劇下降，如果超出 2. OX 10_5託，電阻率變得穩定。由於相同條件下未導入反應性氣體時的透明導電膜的電阻率為422μ Ω · cm，可 知在同時導入吐氣體和A氣體時，電阻率的劣化也小。特別是顯示器等中使用的透明導電膜除了在可見光區域內的透過率高之外，還要 求為低電阻。通常的顯示器的透明電極要求1Χ103μ Ω 以下。在圖9中，H2氣體的 壓力為5. 0X10_5託以上時，電阻率為1Χ103μ Ω · cm以下。可知，由於O2氣體的壓力為 1. OX 10_5託，為了使電阻率為IX 103μ Ω · cm以下，優選使R = PH2/P02彡5。圖10為表示未加熱成膜中的H2氣體引起的效果圖。在圖10中，符號A表示以H2 氣體的分壓為3X 10_5託來導入時的氧化鋅類透明導電膜的透過率，符號B表示以&氣體
15的分壓為1. 125X10_5託來導入時的氧化鋅類透明導電膜的透過率。而且，陰極使用施加直 流(DC)電壓的對向型陰極。導入H2氣體時，透明導電膜的膜厚為191. 5nm，電阻率為913 μ Ω .cm。此外，導入O2氣體時，透明導電膜的膜厚為206. 4nm，電阻率為3608 μ Ω .cm。根據圖10可知，通過導入H2氣體，可變更透過率的峰波長，而不改變膜厚。此外可知，透過率比導入O2氣體時高。根據以上可知，導入吐氣體的工序通過將吐氣體導入量最優化，可得到高透過率 且低電阻率的氧化鋅類透明導電膜。根據第一實施方式的觸摸面板的製造方法，由於在含有選自氫氣、氧氣和水蒸氣 中的兩種或三種的反應性氣體氣氛中進行濺射法，可容易地形成對可見光線的透明性優異 的氧化鋅類防反射膜12，以及電阻率低、對可見光線的透明性優異的氧化鋅類透明導電膜 13。根據第一實施方式的成膜裝置，氣體導入部35由導入Ar等濺射氣體的濺射氣體 導入部35a、導入氫氣的氫氣導入部35b、導入氧氣的氧氣導入部35c和導入水蒸氣的水蒸 氣導入部35d構成。通過控制這些導入部3 35d，可將形成氧化鋅類防反射膜12或透 明導電膜13時的氣氛控制為還原性氣體和氧化性氣體的比例調和的反應性氣體氣氛。因此，僅通過改良現有成膜裝置的一部分，就可形成氧化鋅類防反射膜或透明導 電膜。(第二實施方式)圖11為表示本發明第二實施方式的觸摸面板的製造方法中使用的往復式磁控濺 射裝置的成膜室的主要部分截面圖。第二實施方式的磁控濺射裝置41與第一實施方式的濺射裝置21的不同點在於， 在成膜室23的第二側面2 立式設置保持氧化鋅類材料的靶27並產生期望磁場的濺射陰 極機構(靶保持部)42。濺射陰極機構42包括通過釺料等焊接(固定)靶27的背面板43、和沿著背面板 43的背面配置的磁路(磁場產生部)44。該磁路44具有在靶27的表面產生水平磁場的功能。在磁路44中，多個磁路單元 (圖11中為2個)44a、44b通過託架45連接形成一體。磁路單元44a、44b分別具備第一磁 鐵46和第二磁鐵47，以及安裝磁鐵46、47的磁軛48。在靠近背面板43的位置(與背面板 43對置對的位置)，第一磁鐵46的極性和第二磁鐵47的極性彼此不同。在此磁路44中，由極性彼此不同的第一磁鐵46和第二磁鐵47產生磁力線49所示 的磁場。由此，位於第一磁鐵46和第二磁鐵47之間的靶27的表面產生垂直磁場為0(水 平磁場最大)的位置50。通過在該位置50生成高密度等離子體，成膜速度提高。該靶27的表面的水平磁場的強度最大值優選為600高斯以上。通過將水平磁場 的強度最大值設定為600高斯以上，可降低放電電壓。在第二實施方式的透明導電膜的成膜裝置中也可以發揮與第一實施方式的濺射 裝置相同的效果。而且，通過在成膜室23的第二側面2 立式設置產生期望磁場的濺射陰極機構 42，濺射電壓為340V以下，靶27的表面的水平磁場的強度最大值為600高斯以上，由此可形成晶格整齊的氧化鋅類防反射膜或透明導電膜。該氧化鋅類防反射膜或透明導電膜在成膜後即便在高溫下進行退火處理也不易 氧化，而可抑制透過率降低或電阻率增加，從而可得到耐熱性優異的氧化鋅類防反射膜或 透明導電膜。產業上的可利用性如以上詳細描述的一樣，本發明對於在使氧化鋅類透明導電膜的電阻率降低的同 時可維持對可見光線的透明性，在設置防反射膜等光學膜時也可用一個裝置形成透明導電 膜或光學膜，通過使用一種靶變更導入的氣體種類就可形成多層光學膜、或多層光學膜和 透明導電膜的觸摸面板的製造方法是有用的。符號說明
1觸摸面板
2液晶顯示裝置(IXD)
2a圖像顯示面
3間隔體
4驅動電路
5檢測電路
6絕緣性間隔體
11透明基板
Ila表面主面
12防反射膜(光學膜)
12a高折射率透明膜
12b低折射率透明膜
13透明導電膜
14塑料膜(透明基板)
14a表面
14b背面(主面)
15硬塗膜
16透明導電膜
17粘接劑
21濺射裝置
22裝入/取出室
23成膜室
24粗抽排氣部
25基板託盤
26基板
27革巴
31加熱器
32陰極
33高真空排氣部
17
34 電源35氣體導入部35a濺射氣體導入部35b氫氣導入部35c氧氣導入部35d水蒸氣導入部41磁控濺射裝置42濺射陰極機構43背面板44 磁路44a、44b 磁路單元45 託架46第一磁鐵47第二磁鐵48 磁軛(3 — 夕)49磁力線50垂直磁場為0的位置
權利要求
1.一種觸摸面板的製造方法，為包括具有形成有透明導電膜的主面的透明基板的觸摸 面板的製造方法，其特徵在於，通過在含有選自氫氣、氧氣和水蒸氣中的兩種或三種的反應性氣體氣氛中使用由氧化 鋅類材料形成的靶進行濺射法，在所述透明基板的所述主面上形成所述透明導電膜。
2.一種觸摸面板的製造方法，為下述觸摸面板的製造方法，所述觸摸面板包括具有形 成有透明導電膜的主面的第一透明基板和第二透明基板，對向配置有所述第一透明基板和 所述第二透明基板以使所述第一透明基板的透明導電膜和所述第二透明基板的所述透明 導電膜彼此對置且以規定間隔隔開，其特徵在於，通過使用由氧化鋅類材料形成的靶在含有選自氫氣、氧氣和水蒸氣中的兩種或三種的 反應性氣體氣氛中進行濺射法，在所述第一透明基板和所述第二透明基板中的任意一方或 兩方的基板的所述主面上形成所述透明導電膜。
3.一種觸摸面板的製造方法，為下述觸摸面板的製造方法，所述觸摸面板包括具有形 成有透明導電膜的主面的第一透明基板和第二透明基板，對向配置有所述第一透明基板和 所述第二透明基板以使所述第一透明基板的透明導電膜和所述第二透明基板的所述透明 導電膜彼此對置且以規定間隔隔開，其特徵在於，通過使用由氧化鋅類材料形成的靶在含有選自氫氣、氧氣和水蒸氣中的兩種或三種的 反應性氣體氣氛中進行濺射法，在所述第一透明基板和所述第二透明基板中的任意一方的 主面上形成光學膜，接著，在所述光學膜上形成所述透明導電膜。
4.一種觸摸面板的製造方法，為下述觸摸面板的製造方法，所述觸摸面板包括具有形 成有透明導電膜的主面的第一透明基板和第二透明基板，對向配置有所述第一透明基板和 所述第二透明基板以使所述第一透明基板的透明導電膜和所述第二透明基板的所述透明 導電膜彼此對置且以規定間隔隔開，其特徵在於，通過使用由第一氧化鋅類材料形成的靶在含有選自氫氣、氧氣和水蒸氣中的兩種或三 種的反應性氣體氣氛中進行濺射法，在所述第一透明基板和所述第二透明基板中的任意一 方的主面上形成光學膜，接著，通過使用由第二氧化鋅類材料形成的靶在含有選自氫氣、氧氣和水蒸氣中的兩 種或三種的反應性氣體氣氛中進行濺射法，在所述光學膜上形成所述透明導電膜。
5.根據權利要求1至4中任何一項所述的觸摸面板的製造方法，其特徵在於，所述氫氣的分壓(Ph2)與所述氧氣的分壓(P02)的比ROVP02)滿足R = PH2/Po2彡5。
6.根據權利要求1至5中任何一項所述的觸摸面板的製造方法，其特徵在於，進行所述濺射法時使用的濺射電壓為340V以下。
7.根據權利要求1至6中任何一項所述的觸摸面板的製造方法，其特徵在於，進行所述濺射法時使用的濺射電壓為直流電壓與高頻電壓疊加而得到的電壓。
8.根據權利要求1至7中任何一項所述的觸摸面板的製造方法，其特徵在於，所述靶的表面的水平磁場強度的最大值為600高斯以上。
9.根據權利要求1至8中任何一項所述的觸摸面板的製造方法，其特徵在於，所述氧化鋅類材料為添加有鋁的氧化鋅或添加有鎵的氧化鋅。
10.一種成膜裝置，為製造觸摸面板的成膜裝置，其特徵在於，包括真空容器；在所述真空容器內保持靶的靶保持部；和 對所述靶施加濺射電壓的電源，所述真空容器具有氫氣導入部、氧氣導入部和水蒸氣導入部中的兩種以上。
11.根據權利要求10所述的成膜裝置，其特徵在於， 所述電源並用直流電源和高頻電源。
12.根據權利要求10或11所述的成膜裝置，其特徵在於，包括設置在所述靶保持部，在所述靶的表面產生強度的最大值為600高斯以上的水平 磁場的磁場產生部。
全文摘要
該觸摸面板的製造方法為包括具有形成透明導電膜(13)的主面(11a)的透明基板(11)的觸摸面板(1)的製造方法，通過在含有選自氫氣、氧氣和水蒸氣中的兩種或三種的反應性氣體氣氛中使用由氧化鋅類材料形成的靶(27)進行濺射法，在所述透明基板(11)的所述主面(11a)上形成所述透明導電膜(13)。
文檔編號H01B5/14GK102066601SQ20098012254
公開日2011年5月18日 申請日期2009年7月3日 優先權日2008年7月9日
發明者石橋曉, 高橋明久 申請人:株式會社愛發科