光刻膠去除方法和光刻工藝返工方法
2023-09-16 21:48:35 3
光刻膠去除方法和光刻工藝返工方法
【專利摘要】本發明提供了一種光刻膠去除方法和光刻工藝返工方法，利用正性光刻膠曝光後再顯影實現光刻膠的去除，同時在此去膠方法上實現光刻工藝返工方法，以解決現有技術中，正性光刻膠的去膠效果穩定性不佳，不僅無法達到去膠效果，還給返工工藝帶來風險的問題。進一步的，在去除正性光刻膠的過程中曝光、顯影條件是對產品通常光刻工藝中曝光、顯影條件做相應優化，去除正性光刻膠過程比傳統方法更迅速、有效，在此光刻膠去除方法上進行的光刻工藝返工方法，可避免由於光刻膠殘留導致的重複返工、產品報廢的風險。特別的，在光刻膠去除方法和光刻工藝返工方法中，對曝光對準系統沒有精度要求，從而使得工藝簡便。
【專利說明】光刻膠去除方法和光刻工藝返工方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體製造工藝【技術領域】，特別涉及一種光刻膠去除方法和光刻工藝返工方法。
【背景技術】
[0002]集成電路製造工藝中，光刻工藝是利用照相技術將掩膜板上圖形轉移到晶片上光刻膠層的過程。光刻膠是一種對光敏感的高分子化合物，使用適當波長的光透過具有選擇性圖形的掩膜板，未被掩膜板遮擋的區域經過光照會發生交聯、分解或聚合等化學反應，再通過顯影液和光刻膠反應，使光刻膠選擇性的溶解於顯影液中，從而得到所需要的圖形窗口，之後再通過刻蝕、注入、退火等工藝形成圖形轉移過程。
[0003]光刻膠的主要成分是樹脂、感光材料、溶劑和添加劑，其中樹脂是聚合材料，是光刻膠中不同材料的粘合劑，決定光刻膠的粘附性、厚度和熱穩定性；感光材料是在曝光時吸收光能發生化學反應，形成溶於或不溶於顯影液的圖形區域；溶劑主要作用是使光刻膠在塗到晶片表面前保持液體的狀態，具有良好的流動性；添加劑一般只在特殊需求的光刻膠中使用，主要目的是改善光刻膠的某些性能，如改善光刻膠的反射添加染色劑等。常用的光刻膠從種類上分為正性光刻膠和負性光刻膠，簡稱正膠和負膠。其中正膠指的是曝光區域光刻膠溶於顯影液，形成圖形打開區，負膠指的是曝光區域光刻膠不溶於顯影液，形成圖形保護區。正膠和負膠相比，具有更高的解析度和解析度，對於製作較小尺寸的圖形時需要用正膠，但正膠價格比負膠貴，負膠在早期的半導體製造中普遍使用。
[0004]光刻工藝的基本流程如下:
[0005]1、將矽片塗覆六甲基乙矽氮烷(簡稱HMDS)，HMDS在加熱的條件下與釋放的02反應形成三甲基甲矽烷(Si [CH3])的氧化物，鍵合在矽表面，形成疏水的表面，增加矽片表面與光刻膠的粘附性能；金屬層由於和光刻膠的粘附性較佳，一般在勻膠前不塗覆六甲基乙矽氮烷，但一般都需要做一個高溫烘烤，以排除矽片表面的水汽，保證矽片和光刻膠的粘附性。
[0006]2、塗勻光刻膠，光刻膠的厚度、均勻性主要受到光刻膠粘附性和勻膠臺轉速的影響，以及受勻膠方式(靜態還是動態勻膠)影響。
[0007]3、勻膠後烘，也稱為前烘，主要目的是通過進行高溫烘焙使存在光刻膠中的溶劑揮發出來，降低灰塵的沾汙，減輕因高速旋轉形成的薄膜應力，提高光刻膠的附著性。
[0008]4、對準曝光，使從光刻機中具有一定波長範圍的光透過光刻版，通過選擇性的光照形成光刻版上圖形的複製過程，受光照的光刻膠發生化學反應，形成可溶於相應顯影液的混合物。具體的，對於正膠來說，曝光區的光刻膠會生成羧酸，可溶於顯影液，而對於負膠而言，曝光區光刻膠會生成交聯聚合物，不溶於顯影液。
[0009]5、曝光後烘，主要目的是消除駐波效應。駐波效應指的是曝光過程中在曝光區和非曝光區邊界將會形成曝光強弱相間的過渡區，影響顯影后的圖形尺寸和解析度，增加烘烤後可以使曝光區和非曝光區之間的過度區域光刻膠形貌平緩。[0010]6、光刻顯影，通過曝光和曝光後烘後的光刻膠，在曝光區域形成潛在的圖形，在顯影液溶解衝水的作用下，形成光刻版上的光刻圖形。具體的，對於正膠而言，曝光區的光刻膠形成羧酸，顯影液呈鹼性，可迅速中和逐層溶解；對於負膠而言，曝光區的光刻膠形成不溶於顯影液的交聯聚合物，未曝光區的光刻膠在顯影液中形成凝膠體後迅速分解。
[0011]7、顯影后烘，在顯影后的高溫處理主要是去除光刻膠中的剩餘溶劑，增強光刻膠對矽片表面的附著力，提高光刻膠在刻蝕和離子注入過程中的抗蝕力和阻擋力，還可以減少光刻膠表面張力以減少缺陷，同時使光刻膠邊緣輪廓得到修正。
[0012]8、光刻檢查，線寬測量，顯影后做光刻質量的檢查。此時對於光刻工藝中重點項目如光刻版是否正確、光刻膠質量、圖形質量、線寬、對偏等是否滿足產品的要求進行檢測。
[0013]9、返工或刻蝕,對於合格的娃片安排刻蝕,形成最終形貌，對於不符合要求的娃片，需要選擇返工。返工的程序一般是先將光刻膠去除，再重做一遍光刻的步驟，最終形成滿足產品要求的光刻圖形。
[0014]對於光刻返工工藝中光刻膠的去除，常用的方法是溼法去膠和幹法去膠。溼法去膠指的是使用液體浸潤發生化學反應的方法，溼法去膠又分為有機溶液去膠和無機溶液去膠。有機溶液使用的是丙酮或者EBR (Edge Bead Rinse)清洗液。相對EBR清洗液，丙酮很容易出現去膠不盡的異常，但EBR清洗液使用成本比丙酮高的多。無機溶劑基本是含硫酸(H2S04)和雙氧水(H202)的混合液，使光刻膠中的碳元素氧化成為二氧化碳，但由於會腐蝕金屬，所以無機溶液去膠方法一般只在金屬層之前使用，且去膠時間較長，時間成本較聞。
[0015]幹法去膠指的是使用等離子體，使光刻膠在氧等離子體中發生化學反應，生成氣態的一氧化碳、二氧化碳和水汽，並由真空系統排出。但幹法去膠存在的顯著問題是受設備波動、氣體流量、反應溫度、腔體壓力等影響出現去膠不盡、去膠均勻性不佳、顆粒沾汙等異常，同時矽片表面由於等離子體的轟擊反應變得不平整光滑，在後續的返工過程中，矽片和光刻膠的粘附性變得很差，會出現光刻膠脫落的現象。
[0016]隨著半導體製造技術的發展，線寬要求越來越小，負膠較差的解析度、解析度已經不能滿足生產製造的需求，在半導體製造中除了特殊器件外已經很少使用負膠。同時隨著材料技術的發展，正膠和負膠的生產成本已經相差不大，所以在實際中，正膠已經成為使用最廣泛的光刻膠材料。而傳統的正性光刻膠的去膠效果穩定性不佳，常出現去膠不盡、顆粒沾汙或者影響矽片表面狀態，不僅無法達到返工效果，還給返工矽片帶來風險。傳統的光刻返工方法中正膠去膠單步時間和材料成本較高，不僅嚴重影響返工及效率，還會產生較大的設備佔用率，所以優化光刻返工流程中正性光刻膠的去除方法，提供高效質優的返工方案已成為本領域技術人員需要解決的問題。
【發明內容】
[0017]本發明的目的在於提供一種光刻膠去除方法和光刻工藝返工方法，以解決現有技術中，正性光刻膠的去膠效果穩定性不佳，常出現去膠不盡、顆粒沾汙或者影響矽片表面狀態，不僅無法達到去膠效果，還給返工工藝帶來風險；以及正膠去膠單步時間和材料成本較高，不僅嚴重影響返工及效率，還會產生較大的設備佔用率的問題。
[0018]為解決上述技術問題，本發明提供一種光刻膠去除方法，所述光刻膠去除方法包括:
[0019]步驟10:提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有介質層和/或金屬層，所述介質層或金屬層上形成有正性光刻膠；
[0020]步驟11:選擇曝光光源對所述正性光刻膠進行曝光；
[0021]步驟12:對曝光後的正性光刻膠進行顯影；
[0022]步驟13:對介質層或金屬層進行清洗及烘烤。
[0023]可選的，在所述的光刻膠去除方法中，在步驟11中，所述曝光光源的波長為0.1nm ?600nm。
[0024]可選的，在所述的光刻膠去除方法中，在步驟10中，所述正性光刻膠經過了光刻工藝中的選擇性曝光或顯影；或者所述正性光刻膠未經過曝光。
[0025]可選的，在所述的光刻膠去除方法中，在步驟11中，所述曝光光源的波長與光刻工藝中當道曝光工藝中的曝光光源的波長相同。
[0026]可選的，在所述的光刻膠去除方法中，在步驟11中，所使用的曝光機的出光口與所述正性光刻膠之間無阻擋物。
[0027]可選的，在所述的光刻膠去除方法中，在步驟11中，在對所述正性光刻膠進行曝光的過程中，所使用的曝光能量是通常曝光能量的I倍或者多倍，所使用的曝光次數是I次或者多次。
[0028]可選的，在所述的光刻膠去除方法中，在步驟12中，對曝光後的正性光刻膠進行顯影的顯影條件與光刻工藝中當道顯影工藝中的顯影條件相同。
[0029]可選的，在所述的光刻膠去除方法中，在步驟13中，所述烘烤的工藝溫度為90°C ?140 °C。
[0030]本發明還提供一種光刻工藝返工方法，所述光刻工藝返工方法包括:
[0031 ] 步驟20:提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有介質層和/或金屬層，所述介質層或金屬層上形成有正性光刻膠；
[0032]步驟21:選擇曝光光源對所述正性光刻膠進行曝光；
[0033]步驟22:對曝光後的正性光刻膠進行顯影；
[0034]步驟23:對介質層或金屬層進行清洗及烘烤 '及
[0035]步驟24:在半導體襯底上執行塗勻光刻膠、勻膠後烘、對準曝光、曝光後烘、光刻顯影、顯影后烘及光刻檢查工藝。
[0036]可選的，在所述的光刻工藝返工方法中，在步驟21中，所述曝光光源的波長為
0.1nm ?600nm。
[0037]可選的，在所述的光刻工藝返工方法中，在步驟20中，所述正性光刻膠經過了光刻工藝中的選擇性曝光或顯影；或者所述正性光刻膠未經過曝光。
[0038]可選的，在所述的光刻工藝返工方法中，在步驟21中，所述曝光光源的波長與光刻工藝中當道曝光工藝中的曝光光源的波長相同。
[0039]可選的，在所述的光刻工藝返工方法中，在步驟21中，所使用的曝光機的出光口與所述正性光刻膠之間無阻擋物。
[0040]可選的，在所述的光刻工藝返工方法中，在步驟21中，在對所述正性光刻膠進行曝光的過程中，所使用的曝光能量是通常曝光能量的I倍或者多倍，所使用的曝光次數是I次或者多次。
[0041]可選的，在所述的光刻工藝返工方法中，在步驟22中，對曝光後的正性光刻膠進行顯影的顯影條件與光刻工藝中當道顯影工藝中的顯影條件相同。
[0042]可選的，在所述的光刻工藝返工方法中，在步驟23中，所述烘烤的工藝溫度為90°C ~140 °C。
[0043]可選的，在所述的光刻工藝返工方法中，在步驟24中，當發現正性光刻膠存在異常時，則中斷步驟24，並重新執行步驟21至步驟23。
[0044]在本發明提供一種光刻膠去除方法和光刻工藝返工方法中，利用正性光刻膠曝光後再顯影實現光刻膠的去除，同時在此去膠方法上實現光刻工藝返工方法，以解決現有技術中，正性光刻膠的去膠效果穩定性不佳，不僅無法達到去膠效果，還給返工工藝帶來風險的問題。進一步的，在去除正性光刻膠的過程中曝光、顯影條件是對產品通常光刻工藝中曝光、顯影條件做相應優化，去除正性光刻膠過程比傳統方法更迅速、有效，在此光刻膠去除方法上進行的光刻工藝返工方法，可避免由於光刻膠殘留導致的重複返工、產品報廢的風險。特別的，在光刻膠去除方法和光刻工藝返工方法中，對曝光對準系統沒有精度要求，從而使得工藝簡便。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0045]圖1是本發明實施例一的光刻膠去除方法的流程示意圖；
[0046]圖2a~2c是本發明實施例一的光刻膠去除方法所形成的器件剖面示意圖；
[0047]圖3是本發明實施例二的光刻工藝返工方法的流程示意圖。
【具體實施方式】
[0048]以下結合附圖和具體實施例對本發明提出的光刻膠去除方法和光刻工藝返工方法作進一步詳細說明。根據下面說明和權利要求書，本發明的優點和特徵將更清楚。需說明的是，附圖均採用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。
[0049]【實施例一】
[0050]在本實施例一中，提供了一種光刻膠去除方法，具體的，請參考圖1，其為本發明實施例一的光刻膠去除方法的流程示意圖。如圖1所示，所述光刻膠去除方法包括:
[0051]步驟SlO:提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有介質層和/或金屬層，所述介質層或金屬層上形成有正性光刻膠；
[0052]步驟Sll:選擇曝光光源對所述正性光刻膠進行曝光；
[0053]步驟S12:對曝光後的正性光刻膠進行顯影；
[0054]步驟S13:對介質層或金屬層進行清洗及烘烤。
[0055]具體的，請結合參考圖2a~2c，圖2a~2c為本發明實施例一的光刻膠去除方法所形成的器件剖面示意圖。
[0056]如圖2a所示，提供半導體襯底21，所述半導體襯底21上形成有介質層和/或金屬層22，所述介質層或金屬層上形成有正性光刻膠23。其中，所述半導體襯底21可以是矽襯底、鍺矽襯底、II1- V族元素化合物襯底或本領域技術人員公知的其他半導體材料襯底。本實施例中採用的是矽襯底。更具體地，本實施例中採用的矽襯底上可以形成有MOS場效應電晶體或雙極型電晶體等半導體器件。
[0057]所述介質層和/或金屬層22指既可以是一層介質層，也可以是一層金屬層，還可以是包含介質層和金屬層的複合層。當是包含介質層和金屬層的複合層時，既可以是所述金屬層位於所述介質層上面，也可以是所述介質層位於所述金屬層上面。當所述金屬層位於所述介質層上面時，所述正性光刻膠23位於所述金屬層之上；當所述介質層位於所述金屬層上面時，所述正性光刻膠23位於所述介質層之上。具體的，所述介質層的材料可以為氧化物、氮化物、氮氧化物或多晶矽等；所述金屬層的材料可以為鋁、銅、氮化鈦、鈦、鎢單種金屬，也可以是多種合金、矽合金等。
[0058]請繼續參考圖2a，在本實施例中，所述正性光刻膠23經過了光刻工藝中的顯影工藝，即已經形成了光刻版上的光刻圖形。在本申請的其他實施例中，所述正性光刻膠23也可以為未經過曝光工藝的正性光刻膠，例如，在光刻工藝中的曝光步驟之前已經發現正性光刻膠存在顆粒化或者厚度不均等異常，則此時即可以進行光刻膠去除工藝。在本申請的其他實施例中，所述正性光刻膠23還可以是經過了選擇性曝光工藝、但尚未經過顯影工藝，即形成了潛在圖形。
[0059]接著，請參考圖2b，選擇曝光光源對所述正性光刻膠23進行曝光，所述曝光光源的波長為0.1nm?600nm。具體的，所述曝光光源可以為紫外光、電子束或者X射線。進一步的，所述曝光光源的波長與光刻工藝中當道曝光工藝中的曝光光源的波長相同，由此，可以不改變曝光機的設定條件，從而簡化工藝步驟。在本申請的其他實施例中，所述曝光的工藝條件也可相對於前一道曝光的工藝條件作出改變。
[0060]進一步的，在對所述正性光刻膠23進行曝光的過程中，所使用的曝光能量是通常曝光能量的I倍或者多倍，所使用的曝光次數是I次或者多次。例如，所使用的曝光能量是通常曝光能量的I倍，所使用的曝光次數是2次或更多次；或者，所使用的曝光能量是通常曝光能量的2倍多更多倍，所使用的曝光次數僅為I次。在此，通過曝光能量及曝光次數的設定/選擇，以達到更好去除正性光刻膠23的目的，即使得正性光刻膠23去除乾淨。
[0061]請繼續參考圖2b，在本實施例中，所使用的曝光機的出光口與所述正性光刻膠23之間無阻擋物，即曝光機發出的光線24無遮擋的照射至正性光刻膠23上，由此，能夠使得所述正性光刻膠23得到充分的曝光。優選的，所述光線24的照射範圍Zl大於等於所述正性光刻膠23所佔據的範圍Z2，由此，能夠使得所述正性光刻膠23得到充分、全面的曝光。
[0062]接著，請參考圖2c，對曝光後的正性光刻膠23進行顯影，從而去除介質層或金屬層上的正性光刻膠23。其中，所述顯影的方式為軌道顯影或者槽式顯影。優選的，所述顯影的工藝條件與光刻工藝中當道顯影工藝中的顯影工藝條件相同，即所述顯影工藝所需要的顯影液可以為當前所使用的顯影液，由此，既能夠簡化工藝又能夠降低成本。優選的，所述顯影的工藝時間比光刻工藝中當道顯影工藝中的顯影工藝的時間長，由此能夠保證正性光刻膠23充分顯影去除。在此，根據光刻原理，經過曝光的正性光刻膠會發生化學反應變成羧酸，形成可溶於相應顯影液的混合物，從而實現正性光刻膠23的去除。
[0063]進一步的，對曝光後的正性光刻膠23進行顯影，去除了正性光刻膠23之後，對所述介質層或金屬層(即去除正性光刻膠23之後所顯露出的膜層)進行清洗及烘烤。通過清洗工藝能夠將介質層或金屬層22表面的聚合物予以清除，從而保證介質層或金屬層22表面的清潔。同時，通過烘烤工藝能夠排除介質層和/或金屬層22 (包括半導體襯底21)表面的水汽，保證後續進行光刻返工工藝時光刻膠能夠很好的附著於介質層或金屬層22表面。優選的，所述烘烤的工藝溫度為90°C~140°C。
[0064]在本實施例中，利用正性光刻膠曝光後再顯影實現光刻膠的去除，以解決現有技術中，正性光刻膠的去膠效果穩定性不佳，不僅無法達到去膠效果，還給返工工藝帶來風險的問題。進一步的，在去除正性光刻膠的過程中曝光、顯影條件是對產品通常光刻工藝中曝光、顯影條件做相應優化，去除正性光刻膠過程比傳統方法更迅速、有效，在此光刻膠去除方法上進行的光刻工藝返工方法，可避免由於光刻膠殘留導致的重複返工、產品報廢的風險。特別的，在光刻膠去除方法中，對曝光對準系統沒有精度要求，從而使得工藝簡便。
[0065]【實施例二】
[0066]在本實施例二中，提供了一種光刻工藝返工方法，具體的，請參考圖3，其為本發明實施例二的光刻工藝返工方法的流程示意圖。如圖3所示，所述光刻工藝返工方法包括:
[0067]步驟20:提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有介質層和/或金屬層，所述介質層或金屬層上形成有正性光刻膠；
[0068]步驟S21:選擇曝光光源對所述正性光刻膠進行曝光；
[0069]步驟S22:對曝光後的正性光刻膠進行顯影；
[0070]步驟S23:對介質層或金屬層進行清洗及烘烤 '及
[0071]步驟S24:在半導體襯底上執行塗勻光刻膠、勻膠後烘、對準曝光、曝光後烘、光刻顯影、顯影后烘及光刻檢查工藝。
[0072]具體的，先執行步驟S21至步驟S23，進行光刻膠去除工藝，對此可相應參考實施例一，本實施例二對此不再贅述。
[0073]在去除了正性光刻膠之後，接著即可在半導體襯底上執行塗勻光刻膠、勻膠後烘、對準曝光、曝光後烘、光刻顯影、顯影后烘及光刻檢查工藝，即再次執行正常的光刻工藝，由此實現光刻工藝的返工。此外，在步驟24中，當發現正性光刻膠存在異常時，則中斷步驟24，並重新執行步驟21至步驟23，即可以進行多次返工。在本實施例中，在半導體襯底上執行塗勻光刻膠、勻膠後烘、對準曝光、曝光後烘、光刻顯影、顯影后烘及光刻檢查工藝可參考【背景技術】中描述，本申請對此不再贅述。
[0074]在此，利用正性光刻膠曝光後再顯影實現光刻膠的去除，同時在此去膠方法上實現光刻工藝返工方法，以解決現有技術中，正性光刻膠的去膠效果穩定性不佳，不僅無法達到去膠效果，還給返工工藝帶來風險的問題。進一步的，在去除正性光刻膠的過程中曝光、顯影條件是對產品通常光刻工藝中曝光、顯影條件做相應優化，去除正性光刻膠過程比傳統方法更迅速、有效，在此光刻膠去除方法上進行的光刻工藝返工方法，可避免由於光刻膠殘留導致的重複返工、產品報廢的風險。特別的，在光刻膠去除方法和光刻工藝返工方法中，對曝光對準系統沒有精度要求，從而使得工藝簡便。
[0075]上述描述僅是對本發明較佳實施例的描述，並非對本發明範圍的任何限定，本發明領域的普通技術人員根據上述揭示內容做的任何變更、修飾，均屬於權利要求書的保護範圍。
【權利要求】
1.一種光刻膠去除方法，其特徵在於，包括: 步驟10:提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有介質層和/或金屬層，所述介質層或金屬層上形成有正性光刻膠； 步驟11:選擇曝光光源對所述正性光刻膠進行曝光； 步驟12:對曝光後的正性光刻膠進行顯影； 步驟13:對介質層或金屬層進行清洗及烘烤。
2.如權利要求1所述的光刻膠去除方法，其特徵在於，在步驟11中，所述曝光光源的波長為 0.1nm ~600nm。
3.如權利要求1所述的光刻膠去除方法，其特徵在於，在步驟10中，所述正性光刻膠經過了光刻工藝中的選擇性曝光或顯影；或者所述正性光刻膠未經過曝光。
4.如權利要求1所述的光刻膠去除方法，其特徵在於，在步驟11中，所述曝光光源的波長與光刻工藝中當道曝光工藝中的曝光光源的波長相同。
5.如權利要求1所述的光刻膠去除方法，其特徵在於，在步驟11中，所使用的曝光機的出光口與所述正性光刻膠之間無阻擋物。
6.如權利要求1~5中任一項所述的光刻膠去除方法，其特徵在於，在步驟11中，在對所述正性光刻膠進行曝光的過程中，所使用的曝光能量是通常曝光能量的I倍或者多倍，所使用的曝光次數是I次或者多次。
7.如權利要求1~5中任一項所述的光刻膠去除方法，其特徵在於，在步驟12中，對曝光後的正性光刻膠進行顯影的顯影條件與光刻工藝中當道顯影工藝中的顯影條件相同。
8.如權利要求1~5中任一項所述的光刻膠去除方法，其特徵在於，在步驟13中，所述烘烤的工藝溫度為90°C~140°C。
9.一種光刻工藝返工方法，其特徵在於，包括: 步驟20:提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有介質層和/或金屬層，所述介質層或金屬層上形成有正性光刻膠； 步驟21:選擇曝光光源對所述正性光刻膠進行曝光； 步驟22:對曝光後的正性光刻膠進行顯影； 步驟23:對介質層或金屬層進行清洗及烘烤 '及 步驟24:在半導體襯底上執行塗勻光刻膠、勻膠後烘、對準曝光、曝光後烘、光刻顯影、顯影后烘及光刻檢查工藝。
10.如權利要求9所述的光刻工藝返工方法，其特徵在於，在步驟21中，所述曝光光源的波長為0.1nm~600nm。
11.如權利要求9所述的光刻工藝返工方法，其特徵在於，在步驟20中，所述正性光刻膠經過了光刻工藝中的選擇性曝光或顯影；或者所述正性光刻膠未經過曝光。
12.如權利要求9所述的光刻工藝返工方法，其特徵在於，在步驟21中，所述曝光光源的波長與光刻工藝中當道曝光工藝中的曝光光源的波長相同。
13.如權利要求9所述的光刻工藝返工方法，其特徵在於，在步驟21中，所使用的曝光機的出光口與所述正性光刻膠之間無阻擋物。
14.如權利要求9~13所述的光刻工藝返工方法，其特徵在於，在步驟21中，在對所述正性光刻膠進行曝光的過程中，所使用的曝光能量是通常曝光能量的I倍或者多倍，所使用的曝光次數是I次或者多次。
15.如權利要求9~13所述的光刻工藝返工方法，其特徵在於，在步驟22中，對曝光後的正性光刻膠進行顯影的顯影條件與光刻工藝中當道顯影工藝中的顯影條件相同。
16.如權利要求9~13所述的光刻工藝返工方法，其特徵在於，在步驟23中，所述烘烤的工藝溫度為90°C~140°C。
17.如權利要求9~13所述的光刻工藝返工方法，其特徵在於，在步驟24中，當發現正性光刻膠存在異常時，則中斷步驟24，並重新執行步驟21至步驟23。
【文檔編號】G03F7/42GK103558739SQ201310596199
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2013年11月21日 優先權日:2013年11月21日
【發明者】楊彥濤, 江宇雷, 鍾榮祥, 崔小鋒, 吳繼文, 袁媛 申請人:杭州士蘭集成電路有限公司