一種OLED器件及製造方法與流程
2023-09-12 21:20:55
本發明是應用於液晶顯示領域裡的一種oled器件及製造方法。
背景技術：
有機發光器件oled(organiclightemittingdiode)以其良好的自發光特性、高的對比度、快速響應以及柔性顯示等優勢，得到了廣泛的應用。傳統的oled採用真空蒸鍍技術，目前可實現量產化。但是該技術需要採用精細掩模版，導致材料利用率低；另外，如果對於大尺寸面板，掩模版的製備工藝飽受挑戰。近些年，印刷顯示技術(噴墨列印，inkjetprinting，ijp)發展迅速。ijp是oled實現大尺寸以及低成本生產的最佳途徑。
採用ijp製備oled，需要對像素定義層以及襯底電極進行修飾，使得噴墨能夠準確落入像素內，並且無溢流現象發生。現有技術中，對噴墨的液滴在不同截面的流動鋪展情況進行探究，對襯底進行親疏水性圖案化，液滴在一定著落速度下，會流向親水界面，具有形成軌跡結構(tracepatten)的功能。因此，可以對噴墨接觸的襯底電極以及像素定義層表面進行親疏水圖案化(襯底電極為ito，親水性表面；像素定義層為疏水性表面)，使得噴墨流向像素內。
在oled器件製備過程中，為了使得封裝蓋板在外力撞擊時不對oled器件(比如陰極，偏振鏡等)造成損傷，使得整個器件有一定的抗壓能力，現有技術通常會在tft基板上製作多個ps(photospacer，支撐柱)。支撐柱還有另外一個作用，即保持大尺寸面板盒厚均一性，避免牛頓環出現。
噴墨列印製備的oled所採用的基板像素定義層表面為疏水性，而支撐柱一般為有機光阻，在疏水性表面鋪展不開；一般情況會將支撐柱做在蓋板上，這樣就對設備的對位精度有很高的要求，且不易實施。
技術實現要素：
為了解決上述問題，本發明用噴嘴列印的方式將支撐柱製作在oled陰極的保護層保持大尺寸面板盒厚均一性，避免牛頓環出現。
一種oled器件，包括：tft基板、塗布區、封框膠、蓋板以及支撐柱；
其中，所述塗布區位於tft基板中央，封框膠設置在塗布區四周，蓋板設置在塗布區和封框膠上，支撐柱用於支撐蓋板設置在塗布區上表面。
所述的oled器件，其中，塗布區包括多個相互間隔設置的像素定義層和襯底電極層，每個襯底電極層表面覆蓋有機半導體層，所述有機半導體層和像素電極層上由下至上依次覆蓋有陰極導電層和保護層，所述保護層位於每個像素定義層中央的上表面設置支撐柱。
所述的oled器件，其中，所述像素定義層靠近有機半導體層的表面具有疏水特性。
所述的oled器件，其中，所述襯底電極層靠近有機半導體層的表面具有親水性。
所述的oled器件，其中，所述支撐柱為有機高分子聚合物，所述有機高分子聚合物為高粘度聚合物。
所述的oled器件，其中，所述高粘度聚合物的粘度為200pa·s～2000pa·s。
所述的oled器件，其中，所述支撐柱的高度為2～20μm；寬度為1～100μm。
一種oled器件的製造方法包括以下步驟：
步驟一、在tft基板中央形成襯底電極層，並對襯底電極層表面進行親水性處理；
步驟二、在tft基板上形成像素電極層，並對像素電極層的表面形成疏水性處理；
步驟三、在襯底電極層上設置有機半導體層；
步驟四、在所述像素電極層和有機半導體層表面設置陰極層；
步驟五、在所述陰極層表面設置保護層；
步驟六、在保護層位於像素定義層中央的上表面設置支撐柱；
步驟七、在tft基板四周塗布封框膠，將蓋板蓋至塗布區上完成封裝。
所述的oled器件的製造方法，其中，所述有機半導體層包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層和電子傳輸層，其中空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層和電子傳輸層至少由一個採用噴墨列印方法製備。
所述的oled器件的製造方法，其中，所述支撐柱採用噴嘴擠出uv膠的方法塗布在所述保護層位於像素定義層中央的上表面上，塗布同時進行固化，形成支撐柱。
本發明具有以下優點：採用噴嘴列印的方式將支撐柱設置在oled陰極的保護層上面，製備方法簡單易行。
附圖說明
在下文中將基於實施例並參考附圖來對本發明進行更詳細的描述。其中：
圖1是本發明oled器件的結構示意圖。
圖2是本發明oled器件製造方法流程示意圖。
在附圖中，相同的部件使用相同的附圖標記。附圖並未按照實際的比例。
具體實施方式
下面將結合附圖對本發明作進一步說明。
如圖1所示，為本發明oled器件結構示意圖，所述的oled器件包括：tft基板1、塗布區10、封框膠9、蓋板8以及支撐柱7；
其中，所述塗布區10位於tft基板中央，封框膠9設置在塗布區10四周，蓋板8設置在塗布區10和封框膠9上，支撐柱7用於支撐蓋板8設置在塗布區10上表面；將支撐柱設置在塗布區上表面，保持大尺寸面板盒厚均一性，避免牛頓環出現。避免了將支撐柱設置在蓋板上造成的設備位精度有高，且不易實施的缺點。
其中，塗布區10包括多個相互間隔設置在tft基板1表面的像素定義層2和襯底電極層3，每個襯底電極層3表面覆蓋有機半導體層4，所述有機半導體層4和像素定義層2上由下至上依次覆蓋有陰極導電層5和保護層6，所述保護層6位於每個像素定義層2中央的上表面設置有用於支撐蓋板8的支撐柱7。將支撐柱設置像素定義層2中央的上表面，保持大尺寸面板盒厚均一性，避免牛頓環出現。避免了將支撐柱設置在蓋板上造成的設備位精度有高，且不易實施的缺點。
襯底電極經蝕刻後形成多個橫截面為梯形且間隔相同的多個長方形襯底電極層3，所述每個襯底電極層3的橫截面相同，梯形相對較小的底與tft基板接觸。在每相鄰兩個襯底電極之間和襯底電極與tft基板邊緣之間塗布光阻，形成像素定義層2，所述像素定義層2為橫截面為梯形的結構。在所述襯底電極層3上表面形成有機半導體層4，所述有機半導體層4位於相鄰兩像素電極層2之間，所述像素電極層2的厚度大於有機半導體層4和襯底電極層3的厚度之和。所述有機半導體層4包括：空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層和電子傳輸層(圖中未繪製出)，在所述像素定義層2和有機半導體層4上表面依次設置陰極電極層5和保護層6。所述的支撐柱的高度為2～20μm，支撐柱的寬度為2～100μm。
所述像素定義層2靠近陰極層5的表面具有疏水特性。
所述襯底電極層3靠近有機半導體層4的表面具有親水性。
所述支撐柱7為有機高分子聚合物，所述有機高分子聚合物為高粘度聚合物。
所述高粘度聚合物的粘度為200pa·s～2000pa·s，所述的聚合物可以是亞克力或環氧樹脂或聚二甲基氧烷等。
所述保護層為無機阻水層，其材質可以是氧化矽、氮化矽、三氧化二鋁、二氧化鈦、氧化鋅或二氧化鈰等。保護層可以採用等離子體增強化學汽相沉積、原子層沉積、真空噴鍍的方式製成。
如圖2所示，為本發明oled器件的製造方法，包括以下步驟：
步驟一、在tft基板上形成襯底電極，並對襯底電極層表面進行親水性處理；所述襯底電極具有透明導電的特性，這裡選擇ito，形成ito之後對其表面進行親水性處理，可以採取照適量uv光的方法，或者採取等離子體的方法，以及一切表面改性的方法。
步驟二、在tft基板上形成像素電極層，並對像素電極層的表面形成疏水性處理；所述光阻含有游離的f原子，曝光顯影製程結束之後，f原子回到像素定義層表面，因此製備的像素定義層表面具有疏水性
步驟三、在襯底電極層上設置有機半導體層；
步驟四、在所述像素電極層和有機半導體層表面設置陰極層；即採用蒸鍍的方法形成器件的陰極。
步驟五、在所述陰極層表面設置保護層；保護層可以採用等離子體增強化學汽相沉積、原子層沉積、真空噴鍍的方式製成。
步驟六、在保護層位於像素定義層中央的上表面設置支撐柱；
步驟七、在tft基板四周塗布封框膠，將蓋板蓋至塗布區上完成封裝。
所述有機半導體層包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層和電子傳輸層，其中空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層和電子傳輸層至少由一個採用噴墨列印方法製備。
所述支撐柱採用噴嘴擠出uv膠的方法塗布在所述保護層位於像素定義層中央的上表面上，塗布同時進行固化，形成支撐柱。
雖然已經參考優選實施例對本發明進行了描述，但在不脫離本發明的範圍的情況下，可以對其進行各種改進並且可以用等效物替換其中的部件。尤其是，只要不存在結構衝突，各個實施例中所提到的各項技術特徵均可以任意方式組合起來。本發明並不局限於文中公開的特定實施例，而是包括落入權利要求的範圍內的所有技術方案。