基板處理方法、基板處理裝置以及基板處理系統與流程
2023-05-08 13:58:46
本發明涉及將殘留於基板的表面的氟去除的基板處理方法、基板處理裝置以及基板處理系統。
背景技術：
作為對形成於作為基板的半導體晶圓(以下，簡稱為「晶圓」。)的氧化膜進行化學蝕刻而去除的處理，公知有例如cor(化學氧化去除：chemicaloxideremoval)處理和pht處理(後熱處理：postheattreatment)。在cor處理中，使在晶圓的表面形成的氧化膜與氟化氫氣體和氨氣反應，從氧化膜生成作為反應產物的氟矽酸銨(afs)。在pht處理中，通過對晶圓進行加熱而使所生成的afs升華而去除。即、通過cor處理和pht處理，氧化膜被去除。
不過，有時在實施了cor處理和pht處理之後的晶圓的表面殘留氟。殘留下的氟有時對形成於晶圓的表面的配線膜等進行腐蝕，使由晶圓製造的半導體器件的電特性劣化。因而，需要將在晶圓的表面殘留的氟(以下稱為「殘留氟」。)去除。
作為將殘留氟去除的方法，以往，進行了對晶圓實施使用dhf(稀氫氟酸)、diw(純水)作為清洗液的溼清洗方法。若對晶圓實施溼清洗，則能夠使在晶圓的表面殘留的氟原子的數量減少到每1平方釐米1012的水平。
不過，隨著半導體器件的配線等的微細化，在晶圓的表面形成的圖案的寬度成為幾nm，因此，產生由於清洗液的表面張力而圖案倒塌這樣的問題。因此，提出了不使用清洗液而使用等離子體來將殘留氟去除的方法。在該方法中，通過在晶圓的表面附近產生氧等離子體，將氟強制性地置換而去除(參照例如專利文獻1。)。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本特表2012—532440號公報
技術實現要素：
發明要解決的問題
然而，在專利文獻1的方法中，需要用於產生氧等離子體的機構。另外，為了產生氧等離子體，需要減壓等工序，該工序需要恆定的時間，因此存在生產率降低這樣的問題。
本發明的目的在於提供一種以簡單的結構、不使生產率降低就能夠將殘留的氟去除的基板處理方法、基板處理裝置以及基板處理系統。
用於解決問題的方案
為了達成上述目的，本發明的基板處理方法的特徵在於，其具有對基板實施使用了含有氟的氣體的處理的第1步驟和使所述基板暴露於含有水分的氣氛的第2步驟。
為了達成上述目的，本發明的基板處理裝置的特徵在於，其包括：處理室，其收容已被實施了使用了含有氟的氣體的處理的基板；水分含有機構，其使所述處理室內的氣氛含有水分。
為了達成上述目的，基板處理系統的特徵在於，其包括：基板處理裝置，其對基板實施使用了含有氟的氣體的處理；後處理裝置，其使已被實施了所述使用了含有氟的氣體的處理的基板暴露於含有水分的氣氛。
發明的效果
根據本發明，使被實施了使用了含有氟的氣體的處理的基板暴露於含有水分的氣氛。氟與水分中的氫結合而成為氟化氫、並升華而被去除。另外，基板的表面上的對矽進行封端(日文：終端)的氟被置換成水分中的氫、氫氧基而被去除。即、僅通過暴露於含有水分的氣氛就能夠從基板將氟去除，因此，無需用於產生等離子體的機構、工序。其結果，以簡單的結構、不使生產率降低就能夠將殘留的氟去除。
附圖說明
圖1是概略地表示本發明的實施方式的基板處理系統的構成的俯視圖。
圖2是概略地表示圖1中的冷藏部的結構的剖視圖。
圖3是表示將在表面存在殘留氟的晶圓收容到恆溫恆溼槽時的殘留氟原子的數量的圖表。
圖4是用於說明本發明的實施方式中的殘留氟原子的數量的減少的過程的工序圖。
圖5是表示使晶圓所暴露於的氣氛的水分量變化了時的殘留氟原子的數量的圖表。
圖6是表示使將晶圓暴露於高溼度的氣氛的時間變化了時的殘留氟原子的數量的圖表。
圖7是表示作為本發明的實施方式的基板處理方法的氧化膜去除處理的流程圖。
附圖標記說明
w、晶圓；10、基板處理系統；13、工藝模塊；20、冷藏部；29、水分供給機構。
具體實施方式
以下，參照附圖詳細地說明本發明的實施方式。
圖1是概略地表示本發明的實施方式的基板處理系統的構成的俯視圖。此外，在圖1中，為了容易地理解，內部的構成的一部分被透視地表示。
在圖1中，基板處理系統10包括：晶圓保管部11，其保管多個晶圓w；作為通用輸送部的傳遞模塊12，其將兩張晶圓w同時輸送；多個工藝模塊13(基板處理裝置)，其對從傳遞模塊12輸入的晶圓w實施cor處理、pht處理。工藝模塊13的內部被維持為真空氣氛。
在基板處理系統10中，將從保管到晶圓保管部11的多個晶圓w中選擇出的兩張晶圓w由傳遞模塊12所內置的輸送臂14保持，通過使輸送臂14移動，在傳遞模塊12的內部輸送晶圓w，在配置於工藝模塊13的內部的兩個載物臺15分別各載置1張晶圓w。接下來，在基板處理系統10中，在利用工藝模塊13對載置到載物臺15的各晶圓w實施cor處理、pht處理之後，將處理完畢的兩張晶圓w由輸送臂14保持，通過使輸送臂14移動而向晶圓保管部11輸出。
晶圓保管部11具有：作為用於保管多個晶圓w的容器的前開式晶圓傳送盒16的載置臺即3個加載部17；將所保管的晶圓w從載置到各加載部17的前開式晶圓傳送盒16接收、或者、將由工藝模塊13實施了預定的處理的晶圓w交給前開式晶圓傳送盒16的裝載模塊18；為了在裝載模塊18與傳遞模塊12之間交接晶圓w而臨時保持晶圓w的兩個加載互鎖模塊19以及對實施了pht處理的晶圓w進行冷卻的冷藏部20(基板處理裝置、後處理裝置)。
裝載模塊18由內部是大氣壓氣氛的矩形的殼體構成，多個加載部17並列設置於構成該矩形的長邊的一側面。而且，裝載模塊18在其內部具有能夠沿著該矩形的長度方向移動的輸送臂(未圖示)。該輸送臂將晶圓w從載置到各加載部17的前開式晶圓傳送盒16向加載互鎖模塊19輸入、或者、將晶圓w從加載互鎖模塊19向各前開式晶圓傳送盒16輸出。前開式晶圓傳送盒16以將多個晶圓w呈多層重疊的方式收容多個晶圓w。另外，載置到各加載部17的前開式晶圓傳送盒16的內部被氮氣等充滿並被密閉。
各加載互鎖模塊19為了將收容於被載置到大氣壓氣氛的各加載部17的前開式晶圓傳送盒16的晶圓w交給內部是真空氣氛的工藝模塊13而臨時地保持晶圓w。各加載互鎖模塊19具有保持兩張晶圓w的儲料器21。另外，各加載互鎖模塊19具有用於相對於裝載模塊18確保氣密性的閘閥22a和用於相對於傳遞模塊12確保氣密性的閘閥22b。而且，未圖示的氣體導入系統和氣體排氣系統利用配管與加載互鎖模塊19連接，利用氣體導入系統和氣體排氣系統將內部控制成大氣壓氣氛或真空氣氛。
傳遞模塊12將未處理的晶圓w從晶圓保管部11向工藝模塊13輸入，將處理完畢的晶圓w從工藝模塊13向晶圓保管部11輸出。傳遞模塊12由內部是真空氣氛的矩形的殼體構成，包括可保持兩張晶圓w而移動的兩個輸送臂14、將各輸送臂14支承成能夠旋轉的旋轉臺23、搭載有旋轉臺23的旋轉載置臺24、以使旋轉載置臺24能夠沿著傳遞模塊12的長度方向移動的方式對旋轉載置臺24進行引導的引導軌道25。另外，傳遞模塊12經由閘閥22a、22b、還經由隨後論述的各閘閥26與晶圓保管部11的加載互鎖模塊19以及各工藝模塊13連通。在傳遞模塊12中，在加載互鎖模塊19中輸送臂14保持並接收由儲料器21保持著的兩張晶圓w，向各工藝模塊13輸送。另外，輸送臂14保持由工藝模塊13實施了處理的兩張晶圓w而向加載互鎖模塊19輸出。旋轉載置臺24和引導軌道25構成使所載置的旋轉臺23在傳遞模塊12的內部沿著長度方向移動的滑動機構。
各工藝模塊13經由各閘閥26與傳遞模塊12連通。因而，利用各閘閥26兼顧各工藝模塊13和傳遞模塊12之間的氣密性的確保以及彼此的連通。另外，工藝模塊13與未圖示的氣體導入系統(處理氣體和吹掃氣體等的氣體供給部等)和氣體排氣系統(真空泵、排氣控制閥以及排氣管等)連接。
各工藝模塊13在內部具有沿著水平方向排列載置兩張晶圓w的兩個載物臺15。各工藝模塊13通過將晶圓w排列載置於兩個載物臺15而對兩張晶圓w的表面均勻且同時地進行處理。在本實施方式中，多個工藝模塊13分別執行cor處理和pht處理中的任一者。
另外，基板處理系統10還具有控制器27作為控制部，控制器27通過執行被儲存到所內置的存儲器等的程序等，對基板處理系統10的各構成要素的動作進行控制。
圖2是概略地表示圖1中的冷藏部的結構的剖視圖。
在圖2中，冷藏部20具有收容晶圓w的處理室28、水分供給機構29〔水分含有機構)、非活性氣體供給機構30以及排氣機構31。
處理室28內被維持成大氣壓氣氛，配置有載置晶圓w的載物臺32。載物臺32內置有對所載置的晶圓w進行加熱的加熱器33和對該晶圓w進行冷卻的冷卻通道34。載物臺32利用加熱器33和冷卻通道34對所載置的晶圓w的溫度進行調整。處理室28在側壁部具有貫通口即埠35，晶圓w經由埠35相對於處理室28內輸入輸出。埠35由開閉自由的閘閥36封閉。
水分供給機構29由水分供給部37和配管38構成，使處理室28內的氣氛含有形成為水蒸氣的水分。非活性氣體供給機構30由氣體供給部39和配管40構成，向處理室28內供給非活性氣體，例如供給氮氣。排氣機構31由排氣泵41和配管42構成，對處理室28內進行排氣。
在本實施方式中，對晶圓w實施pht處理，但pht處理是利用加熱使在晶圓w生成的afs升華的處理，因此，實施了pht處理的晶圓w的溫度較高，例如約是120℃。冷藏部20對實施了pht處理的晶圓w進行冷卻。
不過，在本發明之前，本發明人為了探求除了利用溼清洗、氧等離子體進行去除以外的恰當的殘留氟的去除方法，準備多個在表面存在殘留氟的晶圓w的樣品，進行各種實驗，因此，將這些樣品預先在清潔室內暫時保管，結果發現了各樣品的表面的殘留氟原子的數量大幅度地減少了。清潔室內是大氣壓氣氛，維持了恰當的溼度，因此，本發明人推測出水分有助於殘留氟原子的數量的減少。之後，本發明人準備多個在表面存在殘留氟的晶圓w的樣品，將各樣品收容到內部的溫度和溼度可控制的恆溫恆溼槽，使恆溫恆溼槽的內部的溫度和溼度的條件變化，對各條件下的殘留氟原子的數量進行了計量。
圖3是表示將在表面存在殘留氟的晶圓收容到恆溫恆溼槽時的殘留氟原子的數量的圖表。
其中，作為在表面存在殘留氟的晶圓w，使用了cor處理和pht處理後的晶圓w。該晶圓w上的殘留氟原子的數量是每1平方釐米5.0×1014。在圖3中，「×」表示使恆溫恆溼槽的內部的溫度和溼度的條件變化時的各條件下的殘留氟原子的數量。另外，在圖3的圖表中，用「◆」表示作為比較對象的cor處理和pht處理後的晶圓w放置到清潔室內時的殘留氟原子的數量。圖3的圖表的橫軸表示從收容到恆溫恆溼槽起經過的時間和清潔室內的放置時間。使恆溫恆溼槽的內部的溫度和溼度的條件變化時的各條件如下所述：溫度是24℃且溼度是95％的條件、溫度是48℃且溼度是75％的條件、溫度是48℃且溼度是80％的條件、溫度是60℃且溼度是55％的條件、溫度是60℃且溼度是70％的條件以及溫度是60℃且溼度是95％的條件。在任一條件下，都將恆溫恆溼槽的內部的溼度維持成比清潔室內的溼度高的值。此外，恆溫恆溼槽的內部的溫度與晶圓w的溫度大致相同。另外，在將晶圓w收容到恆溫恆溼槽的情況下，恆溫恆溼槽的內部的溫度和溼度到達各條件需要20分鐘，因此，晶圓w在恆溫恆溼槽中以各條件進行了處理時的實質上的處理時間成為從圖3的圖表的橫軸所表示的時間減去20分鐘而得到的時間。
如圖3的圖表所示，在放置到清潔室內時，為了在不對晶圓w實施任一處理時殘留氟原子的數量減少到作為在晶圓w的表面存在的氟原子的數量的每1平方釐米1012的水平(以下稱為「基準殘留氟原子數水平」。)，需要大幅度的時間(約72小時)。另一方面，在將晶圓w暴露在恆溫恆溼槽中的高溼度的氣氛時，以大約10分鐘左右殘留氟原子的數量減少到基準殘留氟原子數水平。
但是，大氣的水分飽和量因溫度而變化，因此，本發明人想到大氣中的水分量左右殘留氟原子的數量的減少，將晶圓w暴露於恆溫恆溼槽中的高溼度的氣氛時的上述各條件下的水分量和殘留氟原子的數量匯總於下述表1。
【表1】
如上述表中的無陰影部分所示那樣可知：大氣中的水分量只要是20g/m3以上，存在殘留氟原子的數量減少到每1平方釐米1013的水平的可能性，大氣中的水分量只要是50g/m3以上，殘留氟原子的數量大致減少到基準殘留氟原子數水平。
對於在使大氣中的水分量增加時殘留氟原子的數量大幅度地減少的理由，難以清楚地說明，但殘留氟原子的數量的減少的過程的觀察的結果，本發明人以至於類推以下說明的假設。
首先，在實施了cor處理和pht處理的晶圓w的表面存在單體的氟，而且，由於氧化膜的去除而露出於晶圓w的表面的矽被氟封端(圖4的(a))。
接下來，在將晶圓w的表面暴露於含有水分的氣氛、即、高溼度氣氛時，氣氛中的一部分的水分分解成氫、氫氧基(圖4的(b))。此時，氫與單體的氟結合而成為氟化氫，並升華。另外，在晶圓w的表面上對矽進行封端的氟被置換成氫、氫氧基而被去除(圖4的(c))。其結果，晶圓w的表面上的殘留氟原子的數量大幅度地減少。之後，在晶圓w的表面上矽由氫、氫氧基進行封端而穩定(圖4的(d))。
不過，對於上述的殘留氟原子的數量的計量，恆溫恆溼槽的內部的溫度與晶圓w的溫度大致相同，之後，以晶圓w的溫度比恆溫恆溼槽的內部的溫度低的條件進行了殘留氟原子的數量的計量，結果氣氛中的水分在晶圓w的表面冷凝而產生了結露。若產生結露，則圖案有可能由於冷凝後的水分的表面張力而倒塌。另一方面，為了防止結露的產生，需要使晶圓w的溫度比恆溫恆溼槽的內部的溫度高。因而，出於可靠地防止在晶圓w上產生圖案的倒塌的觀點，優選的是，對晶圓w進行加熱而使晶圓w的溫度比恆溫恆溼槽的內部的溫度、即、氣氛的溫度高。
另一方面，若使晶圓w的溫度比氣氛的溫度高，則水分難以附著於晶圓w的表面，在圖4中說明那樣的晶圓w的表面上的氫和氟的結合、對矽進行封端的氟的由氫氧基進行的置換並不怎麼進行，作為結果，殘留氟原子的數量並不那麼減少。例如，在將cor處理和pht處理後的晶圓w暴露於相同的水分量的氣氛的情況下，由於晶圓w有無加熱，殘留氟原子的數量變化，具體而言，如下述表2所示，對晶圓w進行了加熱的情況下的殘留氟原子的數量相比於不對晶圓w進行加熱的情況下的殘留氟原子的數量增加了。
【表2】
因此，本發明人為了查明晶圓w的溫度的上限，在使cor處理和pht處理後的晶圓w的溫度變化了的基礎上，將該晶圓w暴露於預定的水分量(例如、88.5g/m3)的氣氛，進行了之後的殘留氟原子的數量的計量，結果如下述表3所示，可知：只要晶圓w的溫度與氣氛的溫度(恆溫恆溼槽的內部的溫度)之差是大致100℃，殘留氟原子的數量不降低到基準殘留氟原子數水平，而只要晶圓w的溫度與氣氛的溫度之差是大致50℃，殘留氟原子的數量減少並降低到基準殘留氟原子數水平。
【表3】
另外，認為：即使是對晶圓w進行了加熱的情況，只要使氣氛中的水分量增加，晶圓w的表面上的氫和氟的結合、將矽封端的氟的由氫氧基進行的置換也被促進，因此，本發明人進行使cor處理和pht處理後的晶圓w所暴露於的氣氛的水分量變化時的殘留氟原子的數量的計量，匯總於圖5的圖表。此時，晶圓w被加熱而晶圓w的溫度被設定於100℃，氣氛的溫度(恆溫恆溼槽的內部的溫度)被設定成55℃～75℃。
圖5是表示使晶圓所暴露於的氣氛的水分量變化時的殘留氟原子的數量的圖表。
如圖5所示，可確認到：即使是在對晶圓w進行了加熱的情況下，只要氣氛的水分量是67.7g/m3以下，殘留氟原子的數量也不減少到基準殘留氟原子數水平，而氣氛的水分量只要是88.5g/m3以上，殘留氟原子的數量也減少到基準殘留氟原子數水平。
而且，認為：對晶圓w進行了加熱的結果，即使是在水分難以附著於晶圓w的表面的情況下，只要確保將晶圓w暴露於氣氛的時間，晶圓w的表面上的氫和氟也進行結合，對矽進行封端的氟也由氫氧基置換，因此，本發明人進行使cor處理和pht處理後的晶圓w暴露於氣氛的時間變化了時的殘留氟原子的數量的計量，匯總於圖6的圖表。此時，晶圓w被加熱而晶圓w的溫度被設定成100℃，氣氛的溫度(恆溫恆溼槽的內部的溫度)被設定成55℃，氣氛中的水分量被設定成88.5g/m3。
圖6是表示使晶圓暴露於高溼度的氣氛的時間變化了時的殘留氟原子的數量的圖表。
如圖6所示，可確認到：即使是在對晶圓w進行了加熱的情況下，只要將晶圓w暴露於氣氛的時間至少是3分鐘，殘留氟原子的數量也減少到基準殘留氟原子數水平。此外，通過將晶圓w收容到恆溫恆溼槽來進行了上述的實驗，在該實驗中，在晶圓w收容到恆溫恆溼槽之後恆溫恆溼槽的內部的溫度和水分量到達所設定的條件需要兩分鐘，因此，晶圓w在恆溫恆溼槽中暴露於高溼度的氣氛的實質上的時間成為從圖6的圖表的橫軸表示的時間減去兩分鐘而得到的時間。
本發明基於上述的見解。
圖7是表示作為本實施方式的基板處理方法的氧化膜去除處理的流程圖。
在圖7中，首先，在一個工藝模塊13中對晶圓w實施cor處理(步驟s71)(第1步驟)。具體而言，在將晶圓w載置到被配置於一個工藝模塊13的內部的載物臺15之後，向工藝模塊13的內部導入含有氟化氫氣體、氬氣、氨氣以及氮氣的處理氣體，使在晶圓w的表面形成的氧化膜、例如二氧化矽膜與氟化氫氣體以及氨氣反應，從氧化膜生成作為反應產物的氟矽酸銨(afs)。
接下來，在另一工藝模塊13中對晶圓w實施pht處理(步驟s72)。具體而言，利用輸送臂14將實施了cor處理的晶圓w從一個工藝模塊13取出，載置於被配置於另一工藝模塊13的內部的載物臺15，而且，利用內置到載物臺15的加熱器等對所載置的晶圓w進行加熱。此時，晶圓w的溫度升高到例如大約120℃，在晶圓w上生成的afs由於熱而分解並升華。但是，如圖4的(a)所示，在afs升華後的晶圓w的表面存在單體的氟，而且，由於氧化膜的去除而露出於晶圓w的表面的矽被氟封端。
接下來，在冷藏部20中將晶圓w暴露於高溼度的氣氛(步驟s73)。具體而言，利用輸送臂14將實施了pht處理的晶圓w從另一工藝模塊13取出，經由加載互鎖模塊19、裝載模塊18向冷藏部20輸入，載置到載物臺32。之後，利用內置於載物臺32的加熱器33和冷卻通道34對所載置的晶圓w的溫度進行調整。例如，使晶圓w的溫度從約120℃降低而維持在10℃～80℃、更優選維持在24℃～60℃，而且，利用水分供給機構29和非活性氣體供給機構30對溼度進行調整，以使處理室28的內部的水分量成為50g/m3以上。此時，晶圓w暴露於水分量成為50g/m3以上的氣氛預定的時間、例如10分鐘以上(第2步驟)。或者，例如，使晶圓w的溫度從大約120℃降低而設定成比處理室28的內部的溫度高且與處理室28的內部的溫度之差處於50℃以內、具體而言使晶圓w的溫度成為100℃，而且，對溼度進行調整以使處理室28的內部的水分量成為88.5g/m3以上。此時，將晶圓w暴露於水分量成為88.5g/m3以上的氣氛至少3分鐘(第2步驟)。在此，如圖4的(c)所示，在晶圓w的表面存在的單體的氟與氫結合而成為氟化氫，並升華。另外，在晶圓w的表面上對矽進行封端的氟被置換成氫、氫氧基。升華了的氟化氫、置換了的氟被排氣機構31從處理室28的內部排出。此外，預定的時間由冷藏部20的處理室28的內部的環境、尤其是水分量左右，因此，並不限於上述的10分鐘以上，例如，若水分量多於50g/m3，則預定的時間也可以小於10分鐘。
之後，從冷藏部20取出晶圓w，經由裝載模塊18向前開式晶圓傳送盒16輸出晶圓w，結束本處理。
根據圖7的處理，實施了cor處理和pht處理的晶圓w暴露於將溼度調整成所含有的水分量成為50g/m3以上的氣氛。或者、實施了cor處理和pht處理的晶圓w被設定成溫度比處理室28的內部的溫度高且與處理室28的內部的溫度之差處於50℃以內，暴露於溼度被調整成所含有的水分量成為88.5g/m3以上的氣氛。此時，在晶圓w的表面存在的單體的氟與水分中的氫結合而成為氟化氫並升華，從而被去除。另外，在晶圓w的表面上對矽進行封端的氟被置換成水分中的氫、氫氧基而被去除。即、僅通過暴露於溼度被調整成較高的值的氣氛，就能夠將氟從晶圓w去除，因此，不需要用於產生用於去除氟的等離子體的機構、工序。其結果，以簡單的結構、不使生產率降低就能夠將殘留氟去除。
在上述的圖7的處理中，如圖4的(d)所示，晶圓w的表面上矽被氫、氫氧基封端而穩定。由此，能夠抑制在圖7的處理後氧化膜再次增加。通常，為了在對晶圓實施了氧化膜去除處理之後避免由於自然氧化而再次生成氧化膜，需要對從氧化膜去除處理後到下一個處理的時間進行管理、具體而言，進行縮短。另一方面，在圖7的處理中，如上所述，能夠抑制在圖7的處理後氧化膜再次增加，因此，能夠無需對從圖7的處理後到下一個處理的時間進行管理，能夠減少基板處理系統10的使用者的負擔。
另外，在上述的圖7的處理中，在冷藏部20中冷卻晶圓w之際，殘留氟被去除。由此，能夠無需分開晶圓w的冷卻工序和殘留氟的去除工序，因而，能夠可靠地防止生產率降低。
在上述的圖7的處理中，在冷藏部20中，也可以由水分供給機構29和非活性氣體供給機構30反覆進行處理室28的內部的水分量的調整和由排氣機構31反覆進行處理室28的內部的氣氛的排出。由此，能夠將從晶圓w的表面升華了的氟化氫、所置換的氟勤快地去除，能夠將晶圓w的表面上的氟濃度維持在極低的水平。其結果，能夠降低已置換的氟再次殘留於晶圓w的表面、或氟化氫中的氟再次對矽進行封端的可能性。
另外，在上述的圖7的處理中，將實施了cor處理和pht處理的晶圓w暴露於含有水分的氣氛，但氣氛只要含有氫氧基、氫即可，例如，即使將上述晶圓w暴露於含有氫氧基、氫的醇、例如乙醇、甲醇、丙醇、丁醇的氣氛，也能夠起到與本實施方式同樣的效果。此外，也有可能水分附著在被暴露於含有水分的氣氛的晶圓w的表面而不蒸發卻直接殘留，因此，也可以利用設於基板處理系統10、或者獨立地設置的乾燥模塊等使利用圖7的處理將殘留氟去除了的晶圓w乾燥。
而且，在上述的圖7的處理中，在基板處理系統10所具有的冷藏部20中將晶圓w的殘留氟去除了，但也可以將冷藏部20與基板處理系統10獨立地設置，通過在該獨立地設置的冷藏部20中將晶圓w暴露於高溼度的氣氛，將晶圓w的殘留氟去除。進而，在圖7的處理中，也可以是，在對晶圓w實施了pht處理之後，不將該晶圓w向冷藏部20輸入就向前開式晶圓傳送盒16輸出，通過對該前開式晶圓傳送盒16的內部的溼度和溫度進行調整，將殘留氟從晶圓w去除。
在上述的圖7的處理中，作為使用了含有氟的氣體的處理，執行了cor處理，但使用了含有氟的氣體的處理並不限於cor處理，例如，也可以是使用從含有氟的氣體產生的氟等離子體的處理，另外，上述處理並不限於膜的去除處理，也可以是蝕刻處理、成膜處理。在任一處理中，都通過一邊在冷藏部20中對晶圓w的溫度進行調整一邊將該晶圓w暴露於高溼度的氣氛，能夠將殘留氟去除。
以上，對本發明的實施方式進行了說明，但本發明並不限定於上述實施方式。
另外，對於本發明的目的，也可通過將記錄有實現上述的實施方式的功能的軟體的程序代碼的存儲介質向基板處理系統10所具有的控制器27供給、控制器27的cpu讀出並執行被儲存於存儲介質的程序代碼來達成。
在該情況下，從存儲介質讀出來的程序代碼自身實現上述的實施方式的功能，程序代碼和存儲有該程序代碼的存儲介質構成本發明。
另外，作為用於供給程序代碼的存儲介質，只要是例如ram、nv—ram、軟盤(フロッピー(floppy註冊商標)ディスク)、硬碟、光磁碟、cd—rom、cd—r、cd—rw、dvd(dvd—rom、dvd—rw、dvd+rw)等光碟、磁帶、非易失性的存儲卡、其他rom等能夠存儲上述程序代碼的存儲介質即可。或者，上述程序代碼也可以通過從與網際網路、商業網絡、或者區域網等連接的未圖示的其他計算機、資料庫等下載而向控制器27供給。
另外，不僅包括控制器27通過執行所讀出的程序代碼來實現上述實施方式的功能的情況，還包括如下情況：基於該程序代碼的指示在cpu上運轉的os(作業系統)等進行實際的處理的一部分或全部，由該處理實現上述的實施方式的功能。
而且，還包括如下情況：從存儲介質讀出來的程序代碼在寫入被插入到控制器27的功能擴展板、與控制器27連接的功能擴展單元所具有的存儲器之後，基於該程序代碼的指示，該功能擴展板、功能擴展單元所具有的cpu等進行實際的處理的一部分或全部，通過該處理可實現上述的實施方式的功能。
上述程序代碼的形態也可以由目標代碼、可由翻譯程序執行的程序代碼、可向os供給的腳本數據等形態構成。