敏感光阻耐受程度檢測方法及晶圓缺陷檢驗方法
2023-12-09 13:09:36
專利名稱：敏感光阻耐受程度檢測方法及晶圓缺陷檢驗方法
技術領域：
本發明涉及一種光阻耐受程度檢測方法及晶圓檢驗方法，尤其涉及一種可利用深紫外光源的敏感光阻耐受程度檢測方法及晶圓缺陷檢驗方法。
背景技術：
隨著集成電路器件尺寸不斷縮小，工藝過程的複雜度不斷提高，在線監控過程中需要具有更高解析度和能夠充分抑制工藝幹擾的缺陷檢測設備。目前被採用的深紫外光源缺陷檢測設備因其具有突出的降噪能力和高解析度而被廣泛的運用。但是，深紫外光源缺陷檢測設備的波長在^Onm至300nm左右，其波長範圍與光刻工藝中使用的深紫外曝光設備的波長近似(約為M8nm)，在使用該檢測設備對敏感光阻進行缺陷檢測時，長時間掃描對深紫外光敏感的光阻，會對該光阻圖形造成曝光過量，圖形受到破壞。因此，在實際生產中，會避免使用深紫外光源，以保證圖形關鍵尺寸的完好。這樣就會犧牲深紫外光源在對敏感光阻掃描缺陷時的優越性。因此，本領域的技術人員致力於開發一種能夠利用深紫外光源檢測敏感光阻耐受程度的方法，並進而檢驗晶圓缺陷的方法。
發明內容
針對現有技術的不足，本發明的目的是提供了一種能夠利用深紫外光源檢測敏感光阻耐受程度的方法，並進而檢驗晶圓缺陷的方法。本發明的一種敏感光阻耐受程度檢測方法，包括以下步驟 步驟1，將敏感光阻置於試驗片上，並建立深紫外光源掃描程式； 步驟2，選定測試掃描區域；
步驟3，對選定區域掃描；
步驟4，檢查敏感光阻圖形是否發生變化；
步驟5，如敏感光阻圖形無變化，則繼續掃描，如有變化，則記錄深紫外光源程式對所選區域的掃描次數；
步驟6，將步驟4所得掃描次數記錄為所述敏感光阻的最大耐受掃描次數。在本發明的一個較佳實施例中，所述深紫外光源的波長為260rniT300nm。本發明還提供了一種應用上述的敏感光阻耐受程度檢測方法進行晶圓缺陷檢驗的方法，包括以下步驟
步驟1，確定晶圓中所需檢驗的敏感光阻；
步驟2，應用上述的敏感光阻耐受程度檢測方法檢測步驟1中所述敏感光阻，得到所述敏感光阻的最大耐受掃描次數；
步驟3，調整深紫外光源缺陷掃描設備在掃描過程中經過晶圓中所述敏感光阻所在區域的最大掃描次數，使得最大掃描次數小於所述敏感光阻的最大耐受掃描次數。在本發明的另一較佳實施例中，所述深紫外光源缺陷掃描設備的深紫外光源的波
3長為 ^0nnT300nm。本發明通過測定敏感光阻被深紫外光源掃描的最大耐受次數從而檢測出了敏感光阻對該深紫外光的耐受程度。並進一步通過控制對該區域的掃描次數以控制深紫外光受光量，防止敏感光阻損壞，保證了圖形尺寸的完好，方法簡單，易於實行。
圖1是本發明的一個實施例的流程示意圖2是本發明的一個實施例的深紫外光源缺陷掃描設備對晶圓掃描原理的示意圖。
具體實施例方式下面結合附圖對本發明做具體的描述。如圖1中所示，本發明的一種敏感光阻耐受程度檢測方法，包括以下步驟 步驟1，將敏感光阻置於試驗片上，並建立深紫外光源掃描程式；
步驟2，選定測試掃描區域；
步驟3，對選定區域掃描；
步驟4，檢查敏感光阻圖形是否發生變化；
步驟5，如敏感光阻圖形無變化，則繼續掃描，如有變化，則記錄深紫外光源程式對所選區域的掃描次數；
步驟6，將步驟4所得掃描次數記錄為所述敏感光阻的最大耐受掃描次數。本發明通過將敏感光阻置於深紫外光源的掃描之下，從而得出了敏感光阻對深紫外光源的最大的耐受掃描次數。假設敏感光阻對深紫外光的耐受程度可表示為C (受照射光阻特性，與光阻厚度、 粘度、類型等相關)、t (照射時間)、1 (光照強度)的函數
P=f(CpE, t, I) P為光阻耐受程度
從上述函數可知，對於特定的深紫外光學檢測系統及特定的光阻，敏感光阻的耐受程度與照射時間直接相關。如圖2中所示，在光學缺陷檢測系統中，深紫外光源與被掃描晶圓以一定的相對速度運動，圖2中所示的箭頭即為深紫外光源在晶圓上的行經路線。因此，在確定光源移動速度情況下，敏感光阻被照射時間與光源經過同一區域的次數線性相關。本發明通過測定敏感光阻被深紫外光源掃描的最大耐受次數從而檢測出了敏感光阻對該深紫外光的耐受程度。本發明方法簡單，易於實行。在本發明的較佳實施例中，深紫外光源的波長為260nnT300nm。此外，本發明的一種應用上述的敏感光阻耐受程度檢測方法進行晶圓缺陷檢驗的方法，包括以下步驟
步驟1，確定晶圓中所需檢驗的敏感光阻；
步驟2，應用上述的敏感光阻耐受程度檢測方法檢測步驟1中所述敏感光阻，得到所述敏感光阻的最大耐受掃描次數；
步驟3，調整深紫外光源缺陷掃描設備在掃描過程中經過晶圓中所述敏感光阻所在區域的最大掃描次數，使得最大掃描次數小於所述敏感光阻的最大耐受掃描次數。
本發明的晶圓缺陷檢驗方法通過檢測出敏感光阻的最大耐受掃描次數，從而得到晶圓上敏感光阻所在區域對深紫外光的最大耐受次數，並進一步通過控制對該區域的掃描次數以控制深紫外光受光量，使得深紫外光源能夠應用到敏感光阻的缺陷檢測中，並防止敏感光阻損壞，保證了圖形尺寸的完好，在定量的光學掃描時能夠使深紫外光源發揮其優越性。在本發明的較佳實施例中，深紫外光源缺陷掃描設備的深紫外光源的波長為 260nnT300nm。以上對本發明的具體實施例進行了詳細描述，但其只是作為範例，本發明並不限制於以上描述的具體實施例。對於本領域技術人員而言，任何對本發明進行的等同修改和替代也都在本發明的範疇之中。因此，在不脫離本發明的精神和範圍下所作的均等變換和修改，都應涵蓋在本發明的範圍內。
權利要求
1.一種敏感光阻耐受程度檢測方法，其特徵在於，包括以下步驟步驟1，將敏感光阻置於試驗片中，並建立對其的深紫外光源掃描程式；步驟2，選定測試掃描區域；步驟3，對選定區域掃描；步驟4，檢查敏感光阻圖形是否發生變化；步驟5，如敏感光阻圖形無變化，則繼續掃描，如有變化，則記錄深紫外光源程式對所選區域的掃描次數；步驟6，將步驟4所得掃描次數記錄為所述敏感光阻的最大耐受掃描次數。
2.如權利要求1所述的敏感光阻耐受程度檢測方法，其特徵在於，所述深紫外光源的波長為 ^0nnT300nm。
3.一種應用如權利要求1或2所述的方法進行晶圓缺陷檢驗的方法，其特徵在於，包括以下步驟步驟1，確定晶圓中所需檢驗的敏感光阻；步驟2，應用權利要求1所述的方法檢測步驟1中所述敏感光阻，得到所述敏感光阻的最大耐受掃描次數；步驟3，調整深紫外光源缺陷掃描設備在掃描過程中經過晶圓中所述敏感光阻所在區域的最大掃描次數，使得最大掃描次數小於所述敏感光阻的最大耐受掃描次數。
4.如權利要求3所述的晶圓缺陷檢驗的方法，其特徵在於，所述深紫外光源缺陷掃描設備的深紫外光源的波長為^0ηπΓ300ηπι。
全文摘要
本發明的一種敏感光阻耐受程度檢測方法將敏感光阻置於試驗片上並建立深紫外光源掃描程式；掃描選定測試掃描區域並檢查敏感光阻圖形是否發生變化；如變化，則記錄深紫外光源程式對所選區域的掃描次數。一種晶圓缺陷檢驗的方法得到敏感光阻的最大耐受掃描次數；調整掃描次數小於敏感光阻的最大耐受掃描次數。本發明通過測定敏感光阻被深紫外光源掃描的最大耐受次數從而檢測出了敏感光阻對該深紫外光的耐受程度。並進一步通過控制對該區域的掃描次數以控制深紫外光受光量，防止敏感光阻損壞，保證了圖形尺寸的完好，方法簡單，易於實行。
文檔編號G01N21/88GK102435547SQ20111027269
公開日2012年5月2日 申請日期2011年9月15日 優先權日2011年9月15日
發明者倪棋梁, 朱陸軍, 王愷, 郭明升, 陳宏璘, 龍吟 申請人:上海華力微電子有限公司