陣列基板及其走線和測試墊的製作方法、液晶面板與流程

2023-11-11 04:36:52

本發明屬於液晶顯示技術領域，具體地講，涉及一種陣列基板及其走線和測試墊的製作方法、液晶面板。

背景技術：

隨著光電與半導體技術的演進，也帶動了平板顯示器(FlatPanel Display)的蓬勃發展，而在諸多平板顯示器中，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，簡稱LCD)因具有高空間利用效率、低消耗功率、無輻射以及低電磁幹擾等諸多優越特性，已被應用於生產生活的各個方面。

液晶顯示器通常包括相對設置的液晶面板和背光模塊，其中，由於液晶面板無法發光，因此需要背光模塊向液晶面板提供均勻的光線，以使液晶面板顯示影像。液晶面板通常包括對盒組裝的彩色濾光片基板(CF基板)和陣列基板(Array基板)，其中，陣列基板包括顯示區域和非顯示區域。在顯示區域中一般具有陣列排布的多個薄膜電晶體開關，而在非顯示區域一般具有多個測試墊以及多條走線，每條走線與對應的一個測試墊連接。而現有的走線結構中，由於第一金屬層(其與柵極金屬層同時形成)與第二金屬層(其與源漏極金屬層同時形成)之間僅具有很薄的一層第一絕緣層(其與柵極絕緣層同時形成)，且第一金屬層與第二金屬層之間容易聚集大量的電荷，從而極易出現靜電放電現象，進而損壞器件。

技術實現要素：

為了解決上述技術問題，本發明提供了一種將走線結構中的第二金屬層省去，從而降低靜電放電現象出現機率的陣列基板及其走線和測試墊的製作方法、液晶面板。

根據本發明的一方面，提供了一種陣列基板，包括位於測試墊區域的測試墊以及位於走線區域走線，所述走線與所述測試墊連接，所述走線包括：依次在基板上且位於所述走線區域的第一金屬層、第一絕緣層、第一鈍化層、第二絕緣層、第二鈍化層及透明電極層。

進一步地，所述測試墊包括：依次在基板上且位於所述測試墊區域的第一金屬層、第一絕緣層、第一鈍化層、第二絕緣層、第二鈍化層及透明電極層；位於所述測試墊區域的第一金屬層與位於所述走線區域的第一金屬層連接；位於所述測試墊區域的第一絕緣層與位於所述走線區域的第一絕緣層連接；位於所述測試墊區域的第一鈍化層與位於所述走線區域的第一鈍化層連接；位於所述測試墊區域的第二絕緣層與位於所述走線區域的第二絕緣層連接；位於所述測試墊區域的第二鈍化層與位於所述走線區域的第二鈍化層連接；位於所述測試墊區域的透明電極層與位於所述走線區域的透明電極層連接；其中位於所述測試墊區域的透明電極層依次穿過第二鈍化層、第二絕緣層、第一鈍化層及第一絕緣層，以與位於所述測試墊區域的第一金屬層接觸。

進一步地，所述陣列基板包括顯示區域和非顯示區域，所述非顯示區域環繞包圍所述顯示區域且與所述顯示區域鄰接，所述測試墊區域和所述走線區域均位於所述非顯示區域中。

進一步地，所述第一金屬層與陣列基板的薄膜電晶體的柵極金屬層由同種材料同時形成，所述第一絕緣層與陣列基板的薄膜電晶體的柵極絕緣層由同種材料同時形成，所述第一鈍化層與陣列基板的薄膜電晶體的第一鈍化層由同種材料同時形成，所述第二絕緣層與陣列基板的薄膜電晶體的PFA層或者COA層由同種材料同時形成，所述第二鈍化層與陣列基板的薄膜電晶體的第二鈍化層由同種材料同時形成，所述透明電極層與陣列基板的薄膜電晶體的像素電極層由同種材料同時形成。

根據本發明的另一方面，提供了一種陣列基板的走線和測試墊的製作方法，所述陣列基板包括位於測試墊區域的測試墊以及位於走線區域走線，所述走線與所述測試墊連接，所述走線和所述測試墊的製作方法包括：

在基板上形成位於所述走線區域和所述測試墊區域中的第一金屬層；

在所述第一金屬層上形成位於所述走線區域和所述測試墊區域中的第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上形成位於所述走線區域和所述測試墊區域中的第一鈍化層；

在所述第一鈍化層上形成位於所述走線區域和所述測試墊區域中的第二絕緣層；

在所述第二絕緣層上形成位於所述走線區域和所述測試墊區域中的第二鈍化層；

在位於所述測試墊區域中的第二鈍化層、第二絕緣層、第一鈍化層及第一絕緣層中形成暴露出位於所述測試墊區域中的第一金屬層的通孔；

在所述第二鈍化層上形成位於所述走線區域和所述測試墊區域中的透明電極層；其中位於所述測試墊區域的透明電極層通過所述通孔與暴露出的第一金屬層接觸。

進一步地，利用同種材料同時形成所述第一金屬層與陣列基板的薄膜電晶體的柵極金屬層；利用同種材料同時形成所述第一絕緣層與陣列基板的薄膜電晶體的柵極絕緣層；利用同種材料同時形成所述第一鈍化層與陣列基板的薄膜電晶體的第一鈍化層；利用同種材料同時形成所述第二絕緣層與陣列基板的薄膜電晶體的PFA層或者COA層；利用同種材料同時形成所述第二鈍化層與陣列基板的薄膜電晶體的第二鈍化層；利用同種材料同時形成所述透明電極層與陣列基板的薄膜電晶體的像素電極層。

根據本發明的又一方面，又提供了一種液晶面板，包括對盒的彩膜基板和上述的陣列基板或者由上述的製作方法製作而成的陣列基板。

本發明的有益效果：在本發明的走線的結構中，將第二金屬層(即薄膜電晶體的源漏極金屬層)省去，而採用像素電極層與第一金屬層跨接。由於像素電極層與第一金屬層之間的膜層較多，二者之間距離較大，這樣可以增加擊穿的閾值電壓，且可以降低寄生電容，從而降低靜電放電的發生機率。

附圖說明

通過結合附圖進行的以下描述，本發明的實施例的上述和其它方面、特點和優點將變得更加清楚，附圖中：

圖1根據本發明的實施例的液晶面板的結構示意圖；

圖2是根據本發明的實施例的陣列基板的平面圖；

圖3是圖2中一條走線的A-A向的剖面圖；

圖4是圖2中一個測試墊的B-B向的剖面圖；

圖5是根據本發明的實施例的陣列基板的走線和測試墊的製作方法的流程圖。

具體實施方式

以下，將參照附圖來詳細描述本發明的實施例。然而，可以以許多不同的形式來實施本發明，並且本發明不應該被解釋為限制於這裡闡述的具體實施例。相反，提供這些實施例是為了解釋本發明的原理及其實際應用，從而使本領域的其他技術人員能夠理解本發明的各種實施例和適合於特定預期應用的各種修改。

在附圖中，為了清楚器件，誇大了層和區域的厚度。相同的標號在附圖中始終表示相同的元件。

圖1根據本發明的實施例的液晶面板的結構示意圖。

參照圖1，根據本發明的實施例的液晶面板包括：彩色濾光片基板(或稱CF基板)100、陣列基板(或稱Array基板)200、框膠300以及液晶400。

彩色濾光片基板100和陣列基板200對盒設置。液晶400填充於彩色濾光片基板100和陣列基板200之間。在彩色濾光片基板100和陣列基板200的兩相對端部之間設置框膠300，從而將液晶400封閉於彩色濾光片基板100和陣列基板200之間。

在本實施例中，彩色濾光片基板100包括黑色矩陣、多個彩色濾光片等必要的元器件，更加具體的構造可以參照現有的相關技術，在此不再贅述。

以下對根據本發明的實施例的陣列基板200進行詳細描述。圖2是根據本發明的實施例的陣列基板的平面圖。

參照圖2，根據本發明的實施例的陣列基板200包括：顯示區域200a、非顯示區域200b，非顯示區域200b環繞包圍顯示區域200a，並且非顯示區域200b鄰接於顯示區域200a。

在顯示區域200a中，具有陣列排布的多個薄膜電晶體220。在本實施例中，每個薄膜電晶體220順序包括：柵極金屬層、柵極絕緣層、源漏極金屬層、第一鈍化層、PFA層或COA層、第二鈍化層以及像素電極層，其中像素電極層依次貫穿第二鈍化層、PFA層或COA層和第一鈍化層之後與漏極金屬層接觸。

在非顯示區域200b中，具有測試墊區域200b1和走線區域200b2，測試墊區域200b1中具有多個測試墊230a，走線區域200b2中具有多條走線230b，其中每條走線230b與對應的一個測試墊230a連接。

圖3是圖2中一條走線的A-A向的剖面圖。

參照圖3，走線230b包括：依次在基板210上且位於對應的走線區域200b2中的第一金屬層231、第一絕緣層232、第一鈍化層233、第二絕緣層234、第二鈍化層235及透明電極層236。應當理解的是，其他走線230b的結構與圖3所示的走線230b的結構相同。

圖4是圖2中一個測試墊的B-B向的剖面圖。

參照圖4，測試墊230a包括：依次在基板210上且位於對應的測試墊區域200b1中的第一金屬層231、第一絕緣層232、第一鈍化層233、第二絕緣層234、第二鈍化層235及透明電極層236；其中，位於測試墊區域200b1中的透明電極層236依次穿過第二鈍化層235、第二絕緣層234、第一鈍化層233及第一絕緣層232，以與位於測試墊區域200b1的第一金屬層231接觸。應當理解的是，其他測試墊230a的結構與圖4所示的測試墊230a的結構相同。

位於測試墊區域200b1的第一金屬層231與位於走線區域200b2的第一金屬層231連接；位於測試墊區域200b1的第一絕緣層232與位於走線區域200b2的第一絕緣層232連接；位於測試墊區域200b1的第一鈍化層233與位於走線區域200b2的第一鈍化層233連接；位於測試墊區域200b1的第二絕緣層234與位於走線區域200b2的第二絕緣層234連接；位於測試墊區域200b1的第二鈍化層235與位於走線區域200b2的第二鈍化層235連接；位於測試墊區域200b1的透明電極層236與位於走線區域200b2的透明電極層236連接。

也就是說，走線230b和測試墊230a同時形成，並且二者與薄膜電晶體220同時形成。具體地，測試墊230a和走線230b的第一金屬層231與薄膜電晶體220的柵極金屬層由同種材料同時形成，測試墊230a和走線230b的第一絕緣層232與薄膜電晶體220的柵極絕緣層由同種材料同時形成，測試墊230a和走線230b的第一鈍化層233與薄膜電晶體220的第一鈍化層由同種材料同時形成，測試墊230a和走線230b的第二絕緣層234與薄膜電晶體220的PFA層或者COA層由同種材料同時形成，測試墊230a和走線230b的第二鈍化層235與薄膜電晶體220的第二鈍化層由同種材料同時形成，測試墊230a和走線230b的透明電極層236與薄膜電晶體220的像素電極層由同種材料同時形成。

綜上，在本實施例的走線230b的結構中，將第二金屬層(即薄膜電晶體220的源漏極金屬層)省去，而採用像素電極層與第一金屬層跨接。由於像素電極層與第一金屬層之間的膜層較多，二者之間距離較大，這樣可以增加擊穿的閾值電壓，且可以降低寄生電容，從而降低靜電放電的發生機率。

以下對走線230b和測試墊230a的製作過程進行詳細說明。圖5是根據本發明的實施例的陣列基板的走線和測試墊的製作方法的流程圖。

參照圖3至圖5，根據本發明的實施例的陣列基板的走線和測試墊的製作方法包括：

S510：在基板210上形成位於走線區域200b2和測試墊區域200b1中的第一金屬層231。該第一金屬層231與薄膜電晶體220的柵極金屬層由同種材料同時形成。

S520：在第一金屬層231上形成位於走線區域200b2和測試墊區域200b1中的第一絕緣層232。該第一絕緣層232與薄膜電晶體220的柵極絕緣層由同種材料同時形成。

S530：在第一絕緣層232上形成位於走線區域200b2和測試墊區域200b1中的第一鈍化層233。該第一鈍化層233與薄膜電晶體220的第一鈍化層由同種材料同時形成。

S540：在第一鈍化層233上形成位於走線區域200b2和測試墊區域200b1中的第二絕緣層234。該第二絕緣層234與薄膜電晶體220的PFA層或者COA層由同種材料同時形成。

S550：在第二絕緣層234上形成位於走線區域200b2和測試墊區域200b1中的第二鈍化層235。該第二鈍化層235與薄膜電晶體220的第二鈍化層由同種材料同時形成。

S560：在位於測試墊區域200b1中的第二鈍化層235、第二絕緣層234、第一鈍化層233及第一絕緣層232中形成暴露出位於測試墊區域200b1中的第一金屬層231的通孔237。

S570：在第二鈍化層235上形成位於走線區域200b2和測試墊區域200b1中的透明電極層236；其中位於測試墊區域200b1的透明電極層236通過該通孔237與暴露出的第一金屬層231接觸。該透明電極層236與薄膜電晶體220的像素電極層由同種材料同時形成。

雖然已經參照特定實施例示出並描述了本發明，但是本領域的技術人員將理解：在不脫離由權利要求及其等同物限定的本發明的精神和範圍的情況下，可在此進行形式和細節上的各種變化。