退色帶校正系統的製作方法
2023-08-07 03:08:41 1
專利名稱：退色帶校正系統的製作方法
技術領域：
本發明一般涉及聚焦罩型陰極射線管的領域，特別涉及消除與這樣的聚焦罩型陰極射線管有關的退色帶。
例如電視接收機或計算機或視頻顯示終端等的視頻顯示裝置中，陰極射線管(CRT)包括通常用高強度玻璃製備的真空外殼。該外殼包括大體扁平的或略呈曲形的面板，以及漏鬥形錐體和延伸的頸部。面板的內側支撐著螢光屏。
彩色CRT中，使用多支電子槍以及具有許多有不同發光顏色特性的螢光粉區的螢光屏。當電子束轟擊螢光屏時，由此發射可見光。選色結構插在電子槍和螢光屏之間，使各電子槍的電子束僅轟擊相關類型的彩色發光螢光粉。
一種這樣的結構是蔭罩。蔭罩為帶有大量小孔的薄鋼板，為使電子撞擊螢光屏，電子必須在其路徑上穿過這些小孔。蔭罩起濾光器的作用，即僅僅以適當角度射入蔭罩的那些電子，才能穿過其小孔，在適當的位置轟擊螢光屏。
蔭罩的一個缺點是它只透過約20％，簡單地說，由CRT電子槍發射的電子中僅20％的電子最終穿過蔭罩小孔轟擊在螢光屏上。其餘的電子被蔭罩吸收，在那裡將能量消耗為熱量。蔭罩理論上的最大透過率約33％，典型的透過率約等於18％。
本領域中已知幾種增加選色結構透過率、同時仍保證穿過選色結構的電子僅激勵螢光屏上相關種類的彩色發光螢光粉的技術。一種這樣的技術使用兩層聚焦罩選色結構，在選色結構的各孔中限定四極靜電透鏡。按照包括四極透鏡的靜電場的相對大小和極性，各四極透鏡對穿過四極透鏡的電子束沿一個橫向方向聚焦，並沿在靶子上與該橫方向正交的方向使它們散焦。使用聚焦罩結構使得電子透過率超過約60％，聚焦罩結構理論上的最大透過率接近1。
已經成功地構造了聚焦罩型CRT，但是已發現了嚴重的工作缺陷。具體地說，發現實驗的聚焦罩型CRT出現了異常，最好稱其為退色帶，它沿屏水平地延伸。這些退色帶很頻繁地產生，會顯著地損害使用聚焦罩型選色裝置的CRT的實用性。
在本發明所述第一方案的電路中，這樣的退色帶被確定為是由於聚焦罩結構中的剩餘磁化引起的電子束誤著屏或圖像重合不良造成的。
在本發明所述第二方案的電路中，已發現聚焦罩結構中的剩餘磁化是由於在聚焦罩結構的第一和第二層之間的瞬間短路或擊穿事件引起的局部電流造成的。這些擊穿事件可由俘獲在CRT中的導電微粒突然引發。
在本發明所述第三方案的電路中，退色帶校正電路對聚焦罩消磁，迅速地消除退色帶，使視頻裝置的觀眾不能覺察到擊穿事件的影響。
一種用於消除在具有聚焦罩結構的陰極射線管中的退色帶的電路包括檢測在聚焦罩結構中發生的擊穿事件的擊穿檢測電路和響應於擊穿檢測電路、用於對聚焦罩結構進行消磁的消磁電路。
消磁電路可具有拓樸諧振。消磁電路可包括諧振電容器，電容器的充電可延遲在擊穿事件測出後的消磁。
另一種用於消除在具有聚焦罩結構的陰極射線管中的退色帶的裝置包括檢測在聚焦罩結構中發生的擊穿事件的擊穿檢測電路；與擊穿檢測電路耦接的消磁控制電路；和響應於消磁控制電路、用於對聚焦罩結構進行消磁的消磁電路。擊穿檢測電路根據檢測的擊穿事件可觸發消磁控制電路。擊穿檢測電路將大致具有脈衝形狀的波形提供給消磁控制電路。
消磁控制電路可延遲消磁，至在擊穿事件檢測之後陰極射線管屏的隨後的下一消隱產生時才進行消磁。消隱可響應於加給陰極射線管的視頻信號的垂直消隱脈衝。
消磁控制電路可包括存儲指示擊穿事件發生的信息的信息存儲裝置；將消隱脈衝耦合給裝置的耦合裝置；將存儲裝置中的信息與消隱脈衝進行比較的裝置；和響應於比較裝置的觸發裝置。觸發裝置可包括設計為非再觸發工作模式的單穩態多諧振蕩器電路。比較裝置能夠在檢測擊穿事件之後跟隨的下一個消隱脈衝發生期間進行消磁，消隱脈衝可以是垂直消隱脈衝。
又一種用於消除在具有聚焦罩結構的陰極射線管中的退色帶的裝置包括存儲指示擊穿事件發生的信息的信息存儲裝置；將消隱脈衝耦合給裝置的耦合裝置；將來自存儲裝置中的信息與消隱脈衝進行比較的第一裝置；響應於比較裝置的觸發裝置；響應於第一裝置產生脈衝波形的裝置；將存儲裝置中的信息與脈衝波形進行比較的第二裝置；和響應於觸發裝置、用於對聚焦罩結構進行消磁的消磁電路。
第二裝置可在脈衝波形持續期間延遲聚焦罩結構的消磁。產生裝置包括設計為非再觸發工作模式的單穩態多諧振蕩器電路。
根據下列結合附圖的說明，將明了本發明的上述和其它的特徵和優點，附圖中相同的參考標號代表相同的部分。
圖1描述一種常規聚焦罩型選色結構。
圖2-5用於說明在聚焦罩選色結構中的擊穿事件。
圖6示出本發明所述電路的退色帶校正系統的方框圖。
圖7-8示出圖6方框中的組成部分的概略性代表。
圖9示出現有技術的諧振消磁電路。
圖10用於說明圖9中的消磁電路的工作。
圖1中示意性地示出聚焦罩結構100。聚焦罩可包括為垂直取向的金屬絞合線20的第一層10，各金屬絞合線20可具有約10密耳的寬度和約2密耳的厚度。這些絞合線可由鐵磁性材料例如退火AK鋼或坡莫合金構成。該典型的聚焦罩結構還可包括為水平取向的金屬線40的第二層30，各金屬線30可有約1密耳的直徑。通過匯流條(未示出)將這兩層中的每一層中的導體在其端部系扎在一起。電容器C代表在兩層聚焦罩結構之間的固有電容。排列垂直的絞合線30和水平的金屬線40，提供具有例如水平尺寸約20密耳和垂直尺寸約15密耳的矩形聚焦罩小孔50。
垂直導體20和水平導體40互為參照地施加典型值為幾百至1000V以上的DC偏置電壓，從而實現四極聚焦作用。例如，為了引導透過的電子到達垂直螢光條上，沿水平方向聚焦電子束，如圖1所示，水平金屬線40必須具有相對於垂直絞合線20的正極性。加到有具體的幾何形狀的CRT的該偏置電壓取決於一般在20KV＝30KV範圍的陽極電壓。適當的聚焦罩裝置使垂直絞合線20與陽極相連，並對水平金屬線40加附加的正偏置電壓。
垂直絞合線20和水平金屬線40可用真空兼容的電絕緣體60、例如厚度為約3密耳的玻璃熔料分隔開。絕緣體60設置成使其對入射的電子束來說是不可見的，這樣設置的優點是可避免絕緣體充電效應，幹擾四極透鏡的正常工作。
對退色帶特性的研究已形成了關健的認識，這些帶的產生是由於聚焦罩結構的剩餘磁化引起的圖像重合不良。並且，已發現局部的瞬間短路事件或擊穿事件是剩餘磁化的重要起因。
這種擊穿事件可例如由在CRT中包含的雜質引起。眾所周知，商業批量生產的CRT有規律地以導電微粒的典型形式、例如鋁片或石墨或鐵微粒顯示某一些雜質量。退色帶異常現象的檢查表明，CRT中的這些導電微粒在引起退色帶的擊穿事件中起重要作用。
根據實驗研究，普遍認為，優良結構的聚焦罩型CRT經受在本文中任可地方所述的擊穿事件從每幾分鐘出現一次到每幾百小時出現一次的範圍內。在例如運輸期間的機械振動很可能碰撞出鬆散的微粒，並由此增加聚焦罩結構中擊穿事件發生的可能性。並且，在CRT正常工作期間產生的靜電力也可能碰撞出鬆散粘附的微粒。因而可合理地預料到在CRT的規定壽命期間產生導致退色帶的擊穿事件。
參照圖2-5可理解擊穿事件與退色之間的關係。參照圖2，假定在A點發生擊穿事件，在那裡表示導電微粒使水平金屬線40』和垂直絞合線20』短路。用電阻R代表限定擊穿事件的短路電路，使用R表明，引起擊穿事件的導電微粒雖然小但有與此相關的某一有限電阻。
可約等於4A的橫流過絞合線的電流，流過受影響的水平金屬線40』和電阻R進入受影響的垂直絞合線20』。最有可能是由於歐姆加熱使導電微粒燃燒，所以在約幾秒鐘以後，橫流過絞合線的電流停止流動。還有，用於第一和第二層10和30的偏置電路阻抗足夠高，從而阻止幾安培的電流流過，橫流過絞合線的電流的主要動力是存儲於聚焦罩電容中的能量。一旦該能量耗盡，橫流過絞合線的電流就不得不停止。在擊穿事件期間，聚焦罩100的溫度升高不明顯。
橫流過絞合線的電流的流動產生圍繞水平金屬線40』的磁場H。在離水平金屬線40』最近的垂直絞合線20的那些點，磁場H的強度約等於3000A/M。在傳導的水平金屬線40』附近的某一點，磁場H的強度與從該指定點到離水平金屬線40』最近點間的半徑距離成反比。
正如從圖3的觀察中可知，磁場H在垂直絞合線20中產生磁通密度B1。圖3(a)示H該優選的可用於形成垂直絞合線20的鐵磁性材料、本例中為退火AK鋼的B-H曲線。如圖2所示，在絞合線20』兩側的絞合線20具有極性互為相反的磁場。
返回到圖3(a)的退火AK鋼，在A點上下約150密耳的距離內，橫流過絞合線的電流在絞合線20中感應的磁通密度B1在約10000高斯至約20000高斯的範圍內。
一旦橫流過絞合線的電流停止，如表示退火AK鋼的圖4(a)和表示坡莫合金的圖4(b)所示，在垂直絞合線20的這些飽合區內保留了約一半的磁通密度B1。這樣，垂直絞合線20現在是有效的棒形磁鐵，如圖5所示，從垂直絞合線20發出磁通密度B2，發散入周圍空間。在離水平金屬線40』約10密耳的距離內磁通密度B2的大小約50高斯。在約150密耳的距離處，該磁通密度大小下降約3高斯。在作為例子的有約等於675密耳Q間隔的聚焦罩型CRT中，這種磁通密度分布例如產生約60微米的最大圖像不重合或誤著屏。
顯而易見，消除退色帶的方法是消除雜質。可是，儘管良好的製造過程能顯著地減少雜質數量，但眾所周知，商業上批量生產的CRT有規律地顯示某些雜質量。因而，如果由於製造工藝需要在無雜質條件下製造聚焦罩，則其成本將顯著地、也許是過高地增加。
圖6中以方框圖形式示出以退色帶校正系統200的形式消除退色帶的一種較好的方法。聚焦罩100的第一層10連接到其值約20KV-30KV的陽極電壓。第二層30耦接偏置電源210。偏置電源210可為常規設計，但它最好足夠大，若發生擊穿事件能迅速地在第一和第二層10、30之間分別存儲適當的偏置電壓。
擊穿檢測電路220通過讀出在偏置電源210的工作點的突然改變，迅速地測出聚焦罩100中的擊穿事件。例如，擊穿檢測電路220可構造為能讀出由偏置電源210提供的電壓突然減小或從偏置電源210流出的電流的突然增加。一旦測出擊穿事件，消磁控制電路230通過消磁電路270啟動聚焦罩100的消磁。
圖7中示出目前較好的擊穿檢測電路220實施例的示意圖。讀出裝置262與偏置電源210串聯連接並與全波整流器227連接。除完成讀出功能外，讀出裝置262還有效地提供高壓陽極和低壓檢測電路220之間的電絕緣。
讀出裝置262可以幾種方式實現，圖7A-7C示出了其中的一些方法。在擊穿檢測器220的優選實施例中，如圖7A所示，讀出裝置為電流變壓器T1。具有約4匝的初級繞組221由在聚焦罩100的第二層30偏置中使用的高壓金屬線222構成。這種金屬線一般可應用到約35KV的電壓。次級繞組223例如可有200匝24AWG金屬線。本領域的技術人員按照具體的擊穿檢測電路220的實施例對變壓器T1的要求，可改變初級和次級的匝數，即匝數比。
用如圖7B所示的電壓變壓器T2實現的等效的另一種方式讀出裝置262，讀出在聚焦罩100的兩層10和30之間偏離正常電壓的隨機偏差，從而識別由偏置電源210流出的起動電流。例如，發生擊穿事件時，偏置電源210的輸出短路，偏置電源210提供起動電流。但是，因偏置電源210的輸出短路，偏置電源210的輸出電壓突然下降，所以指示發生了擊穿事件。
變壓器T2的初級繞組263由在聚焦罩100的第二層30的偏置中使用的高壓金屬線222構成。本領域的技術人員按照擊穿檢測電路220的具體實施例對變壓器T2的要求，可分別改變變壓器T2的初級繞組263和次級繞組264的匝數，即匝數比。
變壓器T1和T2的初級和次級繞組可繞在環形磁芯上，例如產品號為A-438281-2和由Arno1d Engineering公司製造的環形磁芯。圖7A和7B中所示實施例中使用的環形磁芯是一個實例，並不是不能使用其它幾何形狀的磁芯。
參見圖7C，也可用光隔離器265實現讀出裝置262。顯然，本領域的技術人員都將理解在圖7A-7C中所示的讀出裝置262的構成僅僅是示範性的，並不意味著其它構成不能用於文中所述的發明中。
在例行工作中，聚焦罩100不出現擊穿事件。參見圖7，在這樣的例行工作期間，電晶體Q1處於非導通或截止(0FF)狀態。電晶體R1將電壓Vcc耦合給例如產品號為CD4098B的第一單穩態多諧振蕩器225的後沿觸發輸入224。多諧振蕩器225的反相輸出226在這樣的例行工作期間保持著邏輯」高」狀態。
在聚焦罩100中發生擊穿事件時，橫流過絞合線的電流將由聚焦罩電容器和偏置電源210供給。隨著橫流過絞合線的電流流過初級繞組221，在次級繞組223感應次級電流ISEC。次級電流ISEC的大小等於橫流過絞合線的電流和變壓器T1的初級-次級匝數比之乘積。
次級電流ISEC經全波整流器227整流之後，流過可調電阻R2和電感L1，以驅動電晶體Q1。初調電阻R2，使擊穿檢測電路220能區別由正常出現的脈動電壓和電流產生的擊穿事件。
因此，電晶體Q1導通或處於ON狀態，將基準電位，例如地電位耦合給多諧振蕩器的後沿觸發輸入224。本領域的技術人員應該理解，可用其它電子器件例如合適構形的運算放大電路或比較電路，代替電晶體Q1，以提供這樣的耦合。
在輸入224，從Vcc到地電位的躍遷觸發多諧振蕩器225，在反相輸出226提供反相脈衝228。脈衝228可具有約等於Vcc的峰-峰值。適當選擇電阻R4和電容器C5來設置脈衝228的脈衝寬度。在擊穿檢測電路220的該實施例中，脈衝228具有約等於50微秒的脈衝寬度。
擊穿檢測電路220的電阻R6將脈衝228耦合給在圖8中所示的消磁控制電路230。圖8的開關S1和S2提供用於消磁控制電路230的人工消磁能力。在圖8中所設置的開關能自動地消磁。
見圖8，反向脈衝228由二極體D5和電阻R13耦合給NAND門233的輸入231和232。在整個消磁控制電路230中使用的NAND門的產品號為CD4093B。
因此，NAND門233的輸出為邏輯」高」，即供給產品號為CD4013的D型觸發器235的SET輸入234。由於在輸入234上的邏輯」高」，觸發235的非反相輸出236也是邏輯」高」。
輸出236耦合NAND門240的輸入237。NAND門240的另一輸入238一般在聚焦罩100的例行工作期間為邏輯」高」，這將在本文的隨後部分中詳細說明。因此，NAND門240的輸出239為邏輯」低」，它的出現表明擊穿事件已經發生。該邏輯」低」耦合到D型觸發器244的數據輸入241。
因在時鐘輸入243，觸發脈衝正向躍遷，在數據輸入241的邏輯」低」將轉送給觸發器244的反相輸出242。在消磁控制電路230的該實施例中，由視頻顯示裝置的垂直消隱脈衝246有效地導出觸發脈衝245，使該消磁工作延遲到在檢測擊穿事件之後的下一個垂直消隱周期。這使退色帶的校正不規則，而不會打擾視頻裝置的觀眾。當然，本領域的普通技術人員可適當地修改，或者，甚至刪除，在檢測擊穿事件後立即有效消磁用的消磁控制電路230。
在垂直回掃期間，垂直消隱脈衝246降低到低於基準電位例如地電位的約4.5V的電壓電平。通過光隔離器248或任何其它適合使垂直偏轉電路與消磁控制電路230隔離的裝置，垂直消隱脈衝246可與反相緩衝器247耦合。反相緩衝器247提供可具有約12V的峰-峰值和其脈衝寬度約等於1毫秒的垂直消隱周期的正向觸發脈衝245。
一旦觸發脈衝245供給雙穩態多諧振蕩器244的時鐘輸入243，在反相輸出242就出現邏輯」高」，並耦合給NAND門252的輸入249。在NAND門252的另一輸入250提供觸發脈衝245。由反相緩衝器253使在輸出251上產生的邏輯」低」反相，對緩衝器253的輸出254上產生的躍遷邏輯」高」觸發以非再觸髮結構連接的單穩態多諧振蕩器255。
當多諧振蕩器255被緩衝器253觸發時，為提供邏輯」高」，反相輸出257被反相緩衝器258和259反相到達邏輯」低」。適當地選擇電阻R12和電容器C13來設置該邏輯」高」的持續時間。在本實施例中，該邏輯」高」的持續時間約等於垂直消隱周期或約1毫秒。緩衝器258和259的輸出耦合給由示於圖9中的消磁電路270的電阻R7和R8構成的分壓器。
參見圖9，將緩衝器258和259輸出的邏輯」高」供給分壓器R7、R8，引起電晶體Q2導通或為ON狀態。從而，24V的電壓觸發半導體開關元件Q3的柵極，接著，如圖10所示，在諧振感應器L2和諧振電容器C6之間按阻尼振蕩方式流過消磁電流IDG，以使聚焦罩結構退磁。
再參見圖8和9，在聚焦罩100正常工作期間諧振電容器C6完全充電至例如890V DC的電壓，NAND門240的輸入238具有邏輯」高」水平。但是，在聚焦罩100消磁期間，消磁電流IDG流過消磁電路270，跨接在諧振電容器C6上的電壓Vc減至電壓以下。一旦消磁工作完成，電容器C6充電至下一消磁工作的正常電壓。
如果檢出擊穿事件，就試圖進行消磁工作，如果電壓Vc低於其正常值，聚焦罩100將不能被適當地消磁。這種情況可能發生，例如，若檢出擊穿事件同時消磁工作也已在進行。
消磁控制電路230有利於將消磁工作延至諧振電容器C6被完全充電為止的能力。因此，一旦檢出擊穿事件啟動消磁工作，那麼，儘管檢出了擊穿事件，但直到在諧振電容器C6被完全充電之後的第一垂直消隱時限，才能啟動消磁工作。單穩態多諧振蕩器256的前沿觸發輸入260耦合給單穩態多諧振蕩器255的相應輸入。當多諧振蕩器255被緩衝器253的輸出254的正向躍遷觸發時，開始消磁，多諧振蕩器256很可能被觸發，並由多諧振蕩器256的反相輸出261將邏輯」低」提供給NAND門240的輸入238。直到多諧振蕩器256的輸出261在NAND門240的輸入238提供了邏輯」高」，才能啟動消磁工作。這在多諧振蕩器256第一次觸發後按預定時間發生。通過適當地選擇電阻R14和電容器C2來設置預定時間間隔。
顯然，儘管藉助具體實施例已描述了本發明，但本領域的技術人員還可對所披露的實施例進行改進和修改，而不會偏離本發明的實質。例如，本領域的技術人員應理解在檢測電路220和消磁控制電路230中完成的功能可由微處理器和有關的電路完成。因此，應理解，所附權利要求欲覆蓋由概述和實例所自然導出的所有改變。
權利要求
1.一種用於消除在具有聚焦罩結構的陰極射線管中的退色帶的裝置，所述裝置包括檢測在所述聚焦罩結構中發生的擊穿事件的擊穿檢測電路和響應於所述擊穿檢測電路、用於對所述聚焦罩結構進行消磁的消磁電路。
2.根據權利要求1的裝置，其特徵在於，所述消磁電路具有拓樸諧振。
3.根據權利要求1的裝置，其特徵在於，所述消磁電路包括諧振電容器，所述電容器的充電延遲在所述擊穿事件測出後的所述消磁。
4.根據權利要求1的裝置，其特徵在於還包括根據檢出的擊穿事件、選擇對所述聚焦罩結構進行自動消磁或人工消磁的第一開關裝置；和啟動人工消磁的第二開關裝置。
5.一種用於消除在具有聚焦罩結構的陰極射線管中的退色帶的裝置，所述裝置包括檢測在所述聚焦罩結構中發生的擊穿事件的擊穿檢測電路與所述擊穿檢測電路耦接的消磁控制電路；和響應於所述消磁控制電路、用於對所述聚焦罩結構進行消磁的消磁電路。
6.根據權利要求5的裝置，其特徵在於，所述擊穿檢測電路根據檢測的所述擊穿事件觸發所述消磁控制電路。
7.根據權利要求6的裝置，其特徵在於，所述擊穿檢測電路將波形提供給所述消磁控制電路。
8.根據權利要求7的裝置，其特徵在於，所述波形大致具有脈衝形狀。
9.根據權利要求6的裝置，其特徵在於，所述消磁控制電路延遲至在檢測的所述擊穿事件之後所述陰極射線管屏的隨後的下一消隱產生時才進行消磁。
10.根據權利要求9的裝置，其特徵在於，所述消隱響應於加給所述陰極射線管的視頻信號的垂直消隱脈衝。
11.根據權利要求5的裝置，其特徵在於所述消磁控制電路包括存儲指示擊穿事件發生的信息的裝置；將消隱脈衝耦合給所述電路的裝置；將所述存儲裝置中的所述信息與所述消隱脈衝進行比較的裝置；和響應於所述比較裝置的觸發裝置。
12.根據權利要求11的裝置，其特徵在於，所述觸發裝置包括單穩態多諧振蕩器電路。
13.根據權利要求12的裝置，其特徵在於，所述多諧振蕩器電路設計為非再觸發工作模式。
14.根據權利要求11的裝置，其特徵在於，在檢測所述擊穿事件之後跟隨的下一個消隱脈衝發生期間，所述比較裝置能夠進行消磁。
15.根據權利要求14的裝置，其特徵在於，所述消隱脈衝為垂直消隱脈衝。
16.一種用於消除在具有聚焦罩結構的陰極射線管中的退色帶的裝置，所述裝置包括存儲指示擊穿事件發生的信息的裝置；將消隱脈衝耦合給所述電路的裝置；將所述存儲裝置中的所述信息與所述消隱脈衝進行比較的第一裝置；響應於所述比較裝置的觸發裝置；響應於所述第一裝置產生脈衝波形的裝置；將所述存儲裝置中的所述信息與所述脈衝波形進行比較的第二裝置；和響應於所述觸發裝置、用於對所述聚焦罩結構進行消磁的消磁電路。
17.根據權利要求16的裝置，其特徵在於，所述第二裝置在所述脈衝波形持續期間延遲所述聚焦罩結構的消磁。
18.根據權利要求16的裝置，其特徵在於，所述產生裝置包括單穩態多諧振蕩器電路。
19.根據權利要求18的裝置，其特徵在於，所述多諧振蕩器電路設計為非再觸發工作模式。
全文摘要
陰極射線管可使用聚焦罩選色結構。聚焦罩結構。聚焦罩結構易發生局部的、瞬間短路事件或擊穿事件。可由在陰極射線管內的自由導電微粒引起這些事件,並在聚焦罩的第一和第二層之間產生短路。由於擊穿事件導致橫流過絞合線的電流使聚焦罩的絞合線磁化,幹擾在陰極射線管屏上的視頻圖像,因此不希望出現擊穿事件。在檢測擊穿事件之後跟隨的下一個垂直消隱周期內啟動快速的消磁工作。
文檔編號G09G1/00GK1183629SQ97118570
公開日1998年6月3日 申請日期1997年8月22日 優先權日1996年8月22日
發明者I·戈羅, R·皮裡, J·A·霍爾扎普勒, R·W·諾斯克爾, P·庫克澤爾 申請人:湯姆森消費電子有限公司