連接用焊盤的製造方法

2023-06-10 15:31:11 2

專利名稱：連接用焊盤的製造方法
技術領域：
本發明涉及一種連接用焊盤的製造方法，具體而言，涉及一種半導體元件收納用的封裝中的連接用焊盤的製造方法。
背景技術：
專利文獻1及專利文獻2公示了內裝有MEMS元件及IC晶片的半導體裝置，這些半導體裝置具有以覆蓋封裝內部的幾乎整體的方式形成的電磁屏蔽用的導電層。另外，在專利文獻1中，由具有凹部的蓋和基板構成封裝，在蓋的凹部內安裝有MEMS元件。作為在上述那樣的蓋的內側面形成連接用焊盤、例如用於連接接合線的獨立的接合用焊盤的方法，使用例如圖1(a) (d)所示的方法。在如圖1所示的方法中，使用上表面形成有凹部202的圖1(a)那樣的蓋201。首先，如圖1(b)所示，在凹部202的內表面及蓋201的上表面形成有金屬膜203。其次，通過光刻技術對金屬膜203進行構圖，如圖1(c)及(d)所示，在規定區域設置連接用焊盤204， 同時，在其之外的大致整個面形成電磁屏蔽用的導電層205。但是，在該方法中，由於使用光刻技術對金屬膜203進行構圖，因而在該工序中需要光致抗蝕劑的塗敷工序、光致抗蝕劑的曝光工序、光致抗蝕劑的構圖工序、光致抗蝕劑的蝕刻工序、光致抗蝕劑的剝離工序等。另外，為了使連接用焊盤204與導電層205之間的絕緣可靠，而在圖1(c)及(d)的工序之後，在連接用焊盤204和導電層205之間必須將絕緣材料埋入蓋201露出的區域。其結果是，在如圖1所示的方法中，使連接用焊盤204的製作工序變得複雜，造成高成本。另外，作為製作連接用焊盤的其它方法，有如圖2所示的方法。在如圖2所示的方法中，如圖2(a)所示，在成形為平板狀的蓋201的上表面形成金屬膜203。然後，如圖2(b) 所示，使用光刻技術對金屬膜203進行構圖，在蓋201的上表面形成連接用焊盤204和導電層205。另外，如圖2 (c)所示，對導電層205和蓋201進行研磨而在蓋201上設置凹部202。在該方法中，如圖2(b)所示，為了對金屬膜203進行構圖並形成連接用焊盤204 而需要光刻技術。另外，在形成凹部202之後還需要在凹部202內形成導電層，因此，需要設置用於保護連接用焊盤204的保護膜。另外，該情況下為了使連接用焊盤204和導電層 205的絕緣可靠，而必須將絕緣材料埋入其間。其結果是，在圖2所示的方法中，也會使工序變得複雜，造成高成本。專利文獻1 美國專利申請公報第2008/(^83988號說明書(US 2008/0283988A1)專利文獻2 美國專利申請公報第2007/00588 號說明書(US 2008/0058826A1)

發明內容
本發明是鑑於上述的技術課題而提出的，其目的在於，提供一種在半導體裝置的封裝等中能合理且可廉價地製作連接用焊盤的連接用焊盤的製造方法。本發明的連接用焊盤的製造方法，其特徵在於，具備第一工序，以包圍要形成連接用焊盤的區域的方式在所述基材的表面突設絕緣性部件；第二工序，以覆蓋所述絕緣性部件的方式在所述基材的表面形成導電層；第三工序，除去覆蓋所述絕緣性部件的所述導電層，使所述絕緣性部件遍及全周從所述導電層露出，在由所述絕緣性部件包圍的區域形成由所述導電層構成的連接用焊盤。在本發明中，若在基材上形成導電層之前在基材的表面形成絕緣性部件，則只要除去該導電層而使絕緣性部件露出就可製作獨立的連接用焊盤。因此，不需要使用光刻技術而構圖導電層，而可以通過簡單的工序製作連接用焊盤，可廉價製作連接用焊盤。而且， 由於在連接用焊盤和其外側的導電層之間埋有絕緣性部件，因而使連接用焊盤的絕緣性變得良好。本發明的連接用焊盤的製造方法中，在第一工序中，所述絕緣性部件可以與所述基材一起一體形成，或者所述絕緣性部件可以通過在所述基材的表面附加絕緣性材料而形成。將絕緣性材料和基材進行一體成形的方法在基材也是由絕緣性材料構成的情況下有效，從降低成本上來說是非常有利的。另外，在基材上附加絕緣性材料而形成絕緣性部件的方法具有通用性，在基材由難以成形的材料構成的情況下也可使用。另外，在所述第二工序中，若在基材的表面經由由絕緣性材料構成的覆蓋膜而設置導電層，則也可以使用具有導電性的基材例如金屬制的基材。在本發明的連接用焊盤的製造方法中，也可以是，在所述第三工序中，以不到達與所述絕緣性部件鄰接的區域的所述導電層表面的方式除去覆蓋所述絕緣性部件的所述導電層。根據這樣的實施方式，由於使連接用焊盤的邊緣變高，因而在使用導電性粘接劑及焊錫進行連接用焊盤的接合的情況下，不容易使導電性粘接劑及焊錫溢出到連接用焊盤之外，進而可防止與其外的導電層接觸。另外，在第三工序中，也可以將覆蓋所述絕緣性部件的所述導電層與所述絕緣性部件一起除去直至與所述絕緣性部件鄰接的區域的所述導電層。根據這樣的實施方式，由於連接用焊盤的部分變得平坦，因而容易進行引線接合。另外，在第三工序中，作為除去所述導電層的方法，也可以使用機械加工。作為該機械加工，可使用例如切削加工、磨削加工或者研磨加工。根據這些方法，與蝕刻及雷射加工等相比可通過簡單且廉價的方法使絕緣性材料露出。在由所述絕緣性部件包圍的區域的外側的所述導電層為電磁屏蔽用的情況下，由於不需要除去連接用焊盤之外的導電層，因而在該情況下，本發明的連接用焊盤的製造方法特別有效。作為本發明的連接用焊盤的製造方法的其它實施方式，所述基材具備凹部，在所述第一工序中，所述絕緣性部件在所述凹部的外側的區域形成於所述基材的表面，在所述第二工序中，所述導電層形成於含有所述凹部的內表面的所述基材的整個表面。在基材具有凹部的情況下，根據這樣的實施方式，也不需要如圖2的現有例那樣之後在凹部內設置導電層。本發明的連接用焊盤的製造方法的再其它實施方式中，所述基材為構成用於收納半導體元件的封裝的至少一部分的部件，因此，作為收納半導體元件的封裝的製造方法有用。另外，本發明中的用於解決所述課題的方法的特徵在於，將以上說明的構成要素進行適當組合，本發明可根據這樣的構成要素的組合而進行更多的變更。


圖1(a) (d)是說明現有的連接用焊盤的製造方法的概略剖面圖或者俯視圖；圖2(a) (C)是說明現有的連接用焊盤的其它製造方法的概略剖面圖；圖3是表示本發明的第一實施方式的半導體裝置的剖面圖；圖4(a)是用於本發明的第一實施方式的半導體裝置的蓋的俯視圖，圖4(b)是用於本發明的第一實施方式的半導體裝置的封裝用基板的俯視圖；圖5(a) (e)是表示第一實施方式的半導體裝置的製造工序的概略剖面圖；圖6 (a) (C)是表示第一實施方式的半導體裝置的製造工序的概略剖面圖，是表示圖5(e)後續的工序；圖7(a) (d)是表示第一實施方式的半導體裝置的製造工序的概略剖面圖，是表示圖6(a) (c)後續的工序；圖8(a) (C)是表示製作接合用焊盤的情況的立體圖；圖9是表示本發明第二實施方式的半導體裝置的剖面圖；圖10(a) (C)是表示第二實施方式的半導體裝置的概略剖面圖；圖11(a) (c)是表示第二實施方式的半導體裝置的製造工序的概略剖面圖，是表示圖10(c)後續的工序；圖12是表示本發明的第三實施方式的半導體裝置的剖面圖13(a) (e)是表示第三實施方式的半導體裝置的製造工序的概略剖面圖14是表示第四實施方式的半導體裝置的剖面圖15(a) (f)是表示第四實施方式的半導體裝置的製造工序的概略剖面圖。
附圖標記說明
41、71、81、91、101 半導體裝置
42 傳感器
43:電路元件
44 蓋
45 基板
46 凹部
47 導電層
48 接合用焊盤
49 絕緣部
50,51 接合線
52 輸入輸出配線
53 連接焊盤部
56、57 導電性部件
68a 豎立部
72 切口部
83 外部連接端子
具體實施例方式下面，參照

本發明的最佳實施方式。但是，本發明並不限於以下的實施方式，在不超出本發明宗旨的範圍內可進行各種設計變更。(第一實施方式)下面，參照圖3 圖8說明本發明的第一實施方式。半導體裝置41為在由蓋44(基材)和基板45構成的封裝內收納有傳感器42和電路元件43的裝置，在第一實施方式的半導體裝置41中，蓋44使用覆銅層疊板。圖3是本發明第一實施方式的半導體裝置41的剖面圖。圖4(a)是安裝有傳感器42和電路元件43的蓋44的俯視圖，圖4(b)是塗敷有導電性部件56、57的基板45的仰視圖。另外，附圖中在基板45的下表面安裝有蓋44，但這表示製造工序，在使用狀態下半導體裝置41可以是任意方向。如圖3及圖4(a)所示，蓋44具備做成用於收納傳感器42及電路元件43的箱狀的凹部46。該蓋44如在製造方法中後述，由開設有貫通孔的覆銅層疊板和底面基板構成。 凹部46的底面被堵塞，上面開口。在凹部46的底面、側壁面及凹部46的外部的蓋44的上表面大致整體形成有電磁屏蔽用的導電層47。另外，在凹部46的外部即蓋44的上表面，在凹部46的附近形成有多個接合用焊盤48 (連接用焊盤)。導電層47及接合用焊盤48由金屬膜形成，但是，接合用焊盤48的周圍從導電層47分離，通過將光致抗蝕劑等絕緣材料構成的絕緣部49框狀地埋入到接合用焊盤48的周圍，從而使各接合用焊盤48和導電層47 彼此絕緣。傳感器42為MEMS話筒等MEMS元件，電路元件43為IC晶片及ASIC等元件。傳感器42和電路元件42收納於凹部46內，各自的下表面通過粘接劑被固定於凹部46的底面。設於傳感器42的上面的端子和設於電路元件43的上面的端子通過接合線50進行連接。另外，在設於電路元件43的上面的端子上連接有接合線51的一端，接合線51的另一端與接合用焊盤48接合。另外，在圖4(a)中，在電路元件43的附近配置有接合用焊盤48， 而在傳感器42和接合用焊盤48之間也用接合線連接的情況下，也可以在傳感器42附近適當設置接合用焊盤48。如圖3及圖4(b)所示，基板45由多層配線基板構成，在基板45內設有用於信號輸入輸出用的輸入輸出配線52。在基板45的下表面，與接合用焊盤48對置地設有連接焊盤部53，在除去連接焊盤部53及其周圍的幾乎整個面上設有電磁屏蔽用的接地電極層54。 連接焊盤部53及接地電極層M由金屬膜形成，連接焊盤部53的周圍與接地電極層M分離。在除去連接焊盤部53及接地電極層M的外周部的區域，接地電極層M的下表面被抗焊料劑覆蓋，在連接焊盤部53和接地電極層M之間也埋有抗焊料劑55。另外，連接焊盤部 53分別與基板45內的輸入輸出配線52導通。如圖3所示，基板45疊置於蓋44的上表面，通過導電性粘接劑及焊錫等導電材料 56使相對的接合用焊盤48和連接焊盤部53彼此之間接合。另外，在接地電極層M的基板外周部從抗焊料劑陽露出的區域通過導電性粘接劑及焊錫等導電性部件57與導電層47 的外周部接合。因此，電路元件43通過接合線51和導電性部件56等與輸入輸出配線52 連接。另外，由於導電層47通過導電性部件57與接地電極層M導通，因而通過將接地電極層M連接於接地電位而對半導體裝置41的內部進行電磁屏蔽。
(製造方法)接著，參照圖5(a) (e)、圖6(a) (c)及圖7(a) (d)說明上述半導體裝置 41的製造工序。圖5 (a)所示的是蓋44的原材料，為上下兩面粘貼有銅箔62a、62b的例如雙層覆銅層疊板61。如圖5(b)所示，其上表面的銅箔6 通過蝕刻除去要形成接合用焊盤 48的區域的周圍而形成分離槽64，在要形成接合用焊盤48的區域形成有凸臺(τ· 〃，>
K )63。其次，在覆銅層疊板61的上表面塗敷光致抗蝕劑，使用光刻技術以只在分離槽64 局部保留光致抗蝕劑的方式構圖光致抗蝕劑。其結果是，如圖5(c)所示，利用硬化後的光致抗蝕劑在凸臺63的周圍突框狀地形成絕緣部49。其後，如圖5(d)所示，使用除根機及鑽頭，與成為凹部46的區域相一致地在覆銅層疊板61上開設貫通孔65。而且，通過雙面粘貼帶67在整個覆銅層疊板61的下面粘貼底面基板66，通過底面基板66堵塞貫通孔65的下面，在覆銅層疊板61上形成凹部46。另外，底面基板66不限於硬質基板，也可以是具有耐熱性的帶或片。另外，作為在覆銅層疊板61上形成凹部46的方法，可以是如下的方法，S卩，在使用除根機及鑽頭對覆銅層疊板61進行切削加工時，在貫通至覆銅層疊板61的下面之前結束加工。但是，為了既要使保留的底面變薄而對凹部46進行加工，又要使形成的凹部46的底面平滑，則需要高精度的加工機。與此相對，在覆銅層疊板61上開設貫通孔65之後，根據粘貼底面基板66的方法，可以簡單地控制凹部46的深度及底面的厚度。另外，由於底面基板66的表面成為凹部46的底面，因而還容易使凹部46的底面變得平滑。這樣，在將底面基板66粘貼於覆銅層疊板61而形成凹部46之後，如圖5 (e)所示， 通過蒸鍍、濺射等方法在凹部46的內表面及覆銅層疊板61的整個上表面形成金屬膜69。由於絕緣部49的高度大於銅箔6 的厚度，因而如圖6(b)所示，覆蓋絕緣部49的金屬膜68隆起得比周圍高。接著，如圖6(a)所示，在絕緣部49之上用切割機69將隆起的金屬膜68水平切斷，或者用研磨機進行研磨而使絕緣部49的上表面露出。此時，如圖6 (c) 所示，通過將絕緣部49的部分不切削得平坦而是保留比周圍突出，在絕緣部49的兩側面形成金屬膜68的豎立部68b。當這樣除去覆蓋在絕緣部49的上表面的金屬膜69而使絕緣部49的上表面露出時，如圖7 (a)所示，將由絕緣部49包圍的區域的金屬膜68設為接合用焊盤48，將此外的區域設為電磁屏蔽用的導電層47。而且，由於絕緣部49及其兩側面的金屬膜68向上突出，因而在用導電性部件56、57接合蓋44和基板45時，可防止對接合用焊盤48和連接焊盤部53 進行接合的導電性部件56及對導電層47和接地電極層M進行接合的導電性部件57越過絕緣部49而流出，從而防止電路短路。這樣完成蓋44後，如圖7(b)所示，將傳感器42和電路元件43收納於凹部46內並將底面粘接固定，用接合線50將傳感器42和電路元件43連接，再用接合線51將電路元件43和接合用焊盤48連接。其後，在另外製作的如圖4(b)那樣的基板45的下表面外周部塗敷導電性部件57， 同時，在連接焊盤部53上塗敷導電性部件56，如圖7 (c)那樣將該基板45疊置於蓋44之上，如圖7 (d)那樣用導電性部件56將接合用焊盤48和連接焊盤部53接合，用導電性部件 57將導電層47和接地電極層M接合。圖8(a) (c)是示意性表示在上述半導體裝置41的製造工序(圖5 圖7)中製作接合用焊盤48和導電層47的工序的圖。圖8 (a)表示在蓋44的表面框狀形成絕緣部 49的情況，與圖5(c)相對應。另外，圖8(b)表示用金屬膜68覆蓋絕緣部49的狀態，與圖 5(e)相對應。圖8(c)表示削去覆蓋絕緣部49的金屬膜68的狀態，與圖7(a)相對應。在本發明的方法中，也可以預先用金屬膜68覆蓋設置成框狀的絕緣部49，用切割機等對該金屬膜68中覆蓋絕緣部49的上表面的部分(及絕緣部49)進行切削或者研磨而只是使絕緣部49露出，不需要如現有技術那樣為了構圖金屬膜68而使用光刻技術。另外，由於在接合用焊盤48的製作工序，在接合用焊盤48和導電層47之間埋有絕緣部49，因此，不需要後面在接合用焊盤48和導電層47之間埋設絕緣材料。因此，可通過簡單的工序廉價地製作接合用焊盤48。另外，若如該實施方式那樣保留絕緣部49的部分突出，則接合用焊盤48的邊緣變高，導電性部件難以流出，進而可防止由導電性部件引起的短路。(第二實施方式)本發明第二實施方式的半導體裝置81為使用成形品的蓋44的實施方式。圖9是表示該半導體裝置81的剖面圖。蓋44為由非導電性樹脂構成的樹脂成形品，其上表面成形有凹部46。該蓋44的凹部內表面及上表面形成有電磁屏蔽用的導電層47及接合用焊盤 48。在凹部46內的底面安裝有傳感器42及電路元件43，電路元件43和接合用焊盤48之間通過接合線51連接。封裝用的基板45由多層配線基板構成，在基板45內設有電磁屏蔽用的接地電極層M，在基板45的上表面設有作為信號輸入輸出裝置的外部連接端子83。另外，在基板45 的下表面以與接合用焊盤48對置的方式設有經由通孔85與外部連接端子83導通的連接焊盤部53，經由通孔86與接地電極層M導通的接地電極82被設於外周部。基板45疊置於蓋44的上表面，連接接合線51的接合用焊盤48通過導電性部件 56與連接焊盤部53連接，導電層47通過導電性部件57與接地電極82連接。(製造方法)圖10(a) (c)及圖11(a) (c)是表示第二實施方式的半導體裝置81的製造工序的概略剖面圖。參照這些圖說明半導體裝置81的製造工序。圖10(a)所表示的是由非導電性樹脂成形的蓋44，其上表面凹設有箱狀的凹部 46，在凹部46的外部以包圍要形成接合用焊盤48的區域的方式設有框狀突起88。如圖 10 (b)所示，在該蓋44的凹部46內表面整體及凹部46之外的整個上表面，通過實施電鍍金屬而形成有金屬膜68。其次，如圖10(c)所示，通過切割機69及研磨機削去框狀突起88， 在框狀突起88突出的區域局部地除去金屬膜68而使蓋44露出。其結果是，如圖11(a)所示，在被框狀突起88包圍的區域形成有獨立的接合用焊盤48，在此外的區域形成有導電層 47。另外，接合用焊盤48的周圍與導電層47分離，通過在有框狀突起88的部位露出的蓋 44使接合用焊盤48和導電層47彼此絕緣。其後，如圖11(b)所示，將傳感器42及電路元件43收納於凹部46內並用粘接劑固定，用接合線50將傳感器42和電路元件43連接。另外，通過接合線51將電路元件43 和接合用焊盤48連接。接著，將基板45疊置於蓋44上，通過導電性粘接劑及焊錫等導電性部件56將接合用焊盤48和連接焊盤部53連接，通過導電性部件及焊錫等導電性部件57將導電層47
8和接地電極82的外周部彼此連接。在該實施方式中，由於接合用焊盤48平坦，因而在接合用焊盤48的引線接合時， 不會使卡具對接合用焊盤48造成影響，易於進行引線接合。(第三實施方式)本發明第三實施方式的半導體裝置91為使用了由導電性樹脂及金屬構成的成形品的蓋44的實施方式。圖12是該半導體裝置91的剖面圖。蓋44為導電性樹脂或者金屬制的成形品，其上表面形成有凹部46。該蓋44的凹部內表面及上表面被絕緣膜92覆蓋，其上形成有電磁屏蔽用的導電層47和接合用焊盤48。在凹部46內的底面，在導電層47上安裝有傳感器42及電路元件43，電路元件43和接合用焊盤48之間通過接合線51連接。封裝用的基板45由多層配線基板構成，在基板45內設有電磁屏蔽用的接地電極層M，在基板45的上表面設有作為信號輸入輸出裝置的外部連接端子83。另外，在基板45 的下表面以與接合用焊盤48對置的方式設有經由通孔85與外部連接端子83導通的連接焊盤部53。基板45疊置於蓋44的上表面，連接接合線51的接合用焊盤48通過導電性部件 56與連接焊盤部53連接。(製造方法)圖13(a) (e)是表示第三實施方式的半導體裝置91的製造工序的概略剖面圖。 參照這些圖說明半導體裝置91的製造工序。圖13(a)表示的是由導電性樹脂及金屬材料成形的蓋44，在其上表面凹設有凹部 46，在凹部46的外部以包圍要形成接合用焊盤48的區域的方式設有框狀突起88。如圖 13(b)所示，用絕緣膜92覆蓋該蓋44的凹部46內表面整體及凹部46之外的整個上表面， 在絕緣膜92之上形成有金屬膜68。接著，如圖13(c)所示，通過切割機及研磨機削去框狀突起88，使框狀突起88的上表面從金屬膜68中露出。其結果是，在由框狀突起88包圍的區域形成有接合用焊盤48，在此之外的區域形成有導電層47。另外，接合用焊盤48通過絕緣膜92與導電層47及蓋44絕緣。其後，如圖13(d)所示，將傳感器42及電路元件43收納於凹部46內並用粘接劑固定，用接合線50將傳感器42和電路元件43連接。另外，通過接合線51將電路元件43 和接合用焊盤48連接。接著，將基板45疊置於蓋44之上，通過導電性粘接劑及焊錫等導電性部件56將接合用焊盤48和連接焊盤部53連接。(第四實施方式)圖14是表示本發明第四實施方式的半導體裝置101的剖面圖。第四實施方式的半導體裝置101在蓋44上使用了金屬板。在該半導體裝置101中，使用對銅板及鋁板等金屬板進行彎曲加工而形成凹部46 的蓋44。該蓋44的凹部內表面及上表面被絕緣膜92覆蓋，在其上形成有電磁屏蔽用的導電層47和接合用焊盤48，接合用焊盤48和導電層47之間由絕緣部49進行絕緣。在凹部 46內的底面，在導電層47上安裝有傳感器42及電路元件43，電路元件43和接合用焊盤48 之間用接合線51接合。封裝用基板45由多層配線基板構成，在基板45內設有電磁屏蔽用的接地電極層M，在基板45的上表面設有作為信號輸入輸出裝置的外部連接端子83。另外，在基板45的下表面設有與外部連接端子83導通的連接焊盤部53和與基板45導通的接地電極層82。(製造方法)圖15(a) (f)是表示第四實施方式的半導體裝置的製造工序的概略剖面圖。參照圖15說明半導體裝置101的製造方法。圖15 (a)表示的是在銅板及鋁板等金屬板102的表面形成絕緣膜92，且其上形成絕緣層103。絕緣膜92和絕緣層103可以是同種材料，但優選蝕刻特性不同的材料。如圖15(b)所示，對絕緣部49進行蝕刻，以包圍要設置接合用焊盤48的區域的方式框狀地構圖。另外，除去絕緣膜92的外周部而使金屬板102的外周部露出。接著，如圖 15 (c)所示，從絕緣膜92及絕緣部49上在金屬板102的整體上塗敷導電材料而形成導電膜 104。另外，如圖15 (d)所示，通過切割機及研磨機局部削去覆蓋絕緣部49的導電膜104，使絕緣部49的上表面從導電膜104露出。其結果是，通過導電膜104而在被絕緣部49包圍的區域形成接合用焊盤48，在此之外的區域形成導電層47。其後，如圖15 (e)所示，對金屬板102進行彎曲加工使其彎曲，形成具備凹部46的蓋44。其次，如圖15(f)所示，在凹部46內收納傳感器42及電路元件43並通過粘接劑進行固定，用接合線50連接傳感器42和電路元件43。另外，通過接合線51連接電路元件43 和接合用焊盤48。最後，將基板45疊置於蓋44之上，用導電性部件56連接接合用焊盤48 和連接焊盤部53，另外，用導電性部件57連接導電層47和接地電極82而得到如圖14那樣的半導體裝置101。
權利要求
1.一種連接用焊盤的製造方法，其特徵在於，具備第一工序，以包圍要形成連接用焊盤的區域的方式在所述基材的表面突設絕緣性部件；第二工序，以覆蓋所述絕緣性部件的方式在所述基材的表面形成導電層； 第三工序，除去覆蓋所述絕緣性部件的所述導電層，使所述絕緣性部件遍及全周從所述導電層露出，在由所述絕緣性部件包圍的區域形成由所述導電層構成的連接用焊盤。
2.如權利要求1所述的連接用焊盤的製造方法，其特徵在於，在所述第一工序中，所述絕緣性部件通過在所述基材的表面附加絕緣性材料而形成。
3.如權利要求1所述的連接用焊盤的製造方法，其特徵在於，在所述第一工序中，所述絕緣性部件與所述基材一起一體成形。
4.如權利要求1所述的連接用焊盤的製造方法，其特徵在於，在所述第二工序中，在具有導電性的基材的表面經由由絕緣性材料構成的覆蓋膜而設置有所述導電層。
5.如權利要求1所述的連接用焊盤的製造方法，其特徵在於，在所述第三工序中，覆蓋所述絕緣性部件的所述導電層以不到達與所述絕緣性部件鄰接的區域的所述導電層表面的方式被除去。
6.如權利要求1所述的連接用焊盤的製造方法，其特徵在於，在所述第三工序中，覆蓋所述絕緣性部件的所述導電層與所述絕緣性部件一起被除去至與所述絕緣性部件鄰接的區域的所述導電層表面。
7.如權利要求1所述的連接用焊盤的製造方法，其特徵在於，在所述第三工序中，所述導電層通過機械加工而被除去。
8.如權利要求1所述的連接用焊盤的製造方法，其特徵在於，由所述絕緣性部件包圍的區域的外側的所述導電層為電磁屏蔽用。
9.如權利要求1所述的連接用焊盤的製造方法，其特徵在於， 所述基材具備凹部，在所述第一工序中，所述絕緣性部件在所述凹部的外側的區域形成於所述基材的表在所述第二工序中，所述導電層形成於含有所述凹部的內表面的所述基材的整個表
10.如權利要求1所述的連接用焊盤的製造方法，其特徵在於，所述基材為構成用於收納半導體元件的封裝的至少一部分的部件。
全文摘要
一種連接用焊盤的製造方法，以包圍要形成接合用焊盤(48)的區域的方式，在蓋(44)的上表面框狀地突設絕緣部(49)。接著，以覆蓋絕緣部(49)的方式在蓋(44)的整個上表面形成金屬膜(68)。其後，利用切割機等切削覆蓋絕緣部(49)的金屬膜(68)，使絕緣部(49)遍及全周從金屬膜(68)露出，形成獨立於由絕緣部(49)包圍的區域的接合用焊盤(48)。絕緣部(49)的外側的金屬膜(68)成為電磁屏蔽用的導電層(47)。
文檔編號H01L21/60GK102194720SQ201010570948
公開日2011年9月21日 申請日期2010年12月2日 優先權日2010年3月3日
發明者前川智史, 大野和幸, 鞍谷直人 申請人:歐姆龍株式會社