發光裝置及投影儀的製作方法

2023-09-13 15:24:50

專利名稱：發光裝置及投影儀的製作方法
技術領域：
本發明涉及發光裝置及投影儀。
背景技術：
現已知有如下的發光裝置在基板上形成由III族氮化物半導體構成的發光層， 從外部注入電流，在發光層內使電子與空穴複合而發光。在這樣的發光裝置中，有時會在發光層與基板之間產生應變。特別是，在使用了 InGaN作為發光層且使用了與^iGaN不同的材料(例如GaN)作為基板的情況下，會在兩者之間產生晶格不匹配，因該晶格不匹配而使應變變大。一旦產生這樣的應變，就會對發光層施加由壓電效應造成的電場(壓電電場)， 從而使電子與空穴的發光複合概率顯著地降低。作為解決上述的問題的方法，例如有如下的方法，S卩，如專利文獻1中記載的那樣，將III族氮化物半導體製成微細柱狀晶體結構，以緩解在發光層與基板之間產生的應變。專利文獻1日本特開2008-169060號公報但是，在專利文獻1所記載的技術中，由於微細柱狀晶體結構的側面是露出的，因此有時會產生與側面附近的缺陷或雜質相伴的非發光複合，使發光效率降低的情況。

發明內容
本發明的以下幾個實施方式的目的之一在於，提供一種發光效率高的發光裝置。 另外，本發明的以下幾個實施方式的目的之一在於，提供一種具有上述發光裝置的投影儀。本發明的發光裝置，包括第一層，其具有第一面；第二層，其具有與上述第一面對置的第二面；及結構體，其被上述第一面和上述第二面夾持，上述結構體具有第一微細壁狀構件、第二微細壁狀構件和半導體構件，上述第一微細壁狀構件及上述第二微細壁狀構件具有第三層，其與上述第一面鄰接；第四層，其與上述第二面鄰接；及第五層，其被上述第三層和上述第四層夾持，上述半導體構件被上述第一微細壁狀構件和上述第二微細壁狀構件夾持，上述第一層及上述第二層的材質為GaN，上述第三層、上述第四層、上述第五層及上述半導體構件的材質為hxGai_xN(0 < χ < 1)，上述第五層的χ的值比上述第三層的χ的值、上述第四層的χ的值及上述半導體構件的X的值大，上述第五層是產生光並且傳導光的層，
上述第三層及上述第四層是傳導在上述第五層中產生的光的層，上述第一層及上述第二層是抑制在上述第五層中產生的光的洩漏的層。根據這樣的發光裝置，在第一微細壁狀構件與第二微細壁狀構件之間形成有半導體構件。由此，就可以抑制在第一微細壁狀構件及第二微細壁狀構件的側面的非發光複合。 所以，在這樣的發光裝置中，可以在緩解在基板與結構體之間產生的應變，並且獲得高發光效率。反過來說，如果不形成這樣的半導體構件，而將微細壁狀構件的側面露出，則會產生與該側面附近的缺陷或雜質相伴的非發光複合，從而會有發光效率降低的情況。此外，根據這樣的發光裝置，半導體構件的材質為InGaN，第一微細壁狀構件及第二微細壁狀構件的材質例如也為^GaN。由此，與在第一微細壁狀構件及第二微細壁狀構件之間形成例如由氧化矽或聚醯亞胺構成的絕緣構件的情況相比，可以使第一微細壁狀構件及第二微細壁狀構件與半導體構件的熱膨脹係數接近。所以，在這樣的發光裝置中，例如即使因電流注入而放熱，也可以減小因熱膨脹而對結構體施加的應力，可以抑制由應力造成的發光效率的降低或壽命的降低。本發明的發光裝置，包括第一層，其具有第一面；第二層，其具有與上述第一面對置的第二面；及結構體，其被上述第一面和上述第二面夾持，上述結構體具有第一微細壁狀構件、第二微細壁狀構件和半導體構件，上述第一微細壁狀構件及上述第二微細壁狀構件具有第三層，其與上述第一面鄰接；第四層，其與上述第二面鄰接；及第五層，其被上述第三層和上述第四層夾持，上述半導體構件被上述第一微細壁狀構件和上述第二微細壁狀構件夾持，上述第一層及上述第二層的材質為AWaN，上述第三層及上述第四層的材質為GaN，上述第五層及上述半導體構件的材質為LxGi^xN(0 < χ < 1)，上述第五層的χ的值比上述半導體構件的χ的值大，上述第五層是產生光並且傳導光的層，上述第三層及上述第四層是傳導在上述第五層中產生的光的層，上述第一層及上述第二層是抑制在上述第五層中產生的光的洩漏的層。根據這樣的發光裝置，同樣地可以獲得高發光效率。在本發明的發光裝置中，上述半導體構件還可以形成於上述第一微細壁狀構件的與上述第二微細壁狀構件側相反的相反一側、以及上述第二微細壁狀構件的與上述第一微細壁狀構件側相反的一側。根據這樣的發光裝置，可以進一步抑制在第一微細壁狀構件及第二微細壁狀構件的側面的非發光複合，從而可以獲得更高的發光效率。在本發明的發光裝置中，還可以包括還包括第六層，該第六層以將射出在上述第五層中產生的光的出射面覆蓋的方式形成，上述第六層是抑制在上述第五層中產生的光的反射的層，
上述第一微細壁狀構件的有效折射率與上述半導體構件的有效折射率的差為 0.01以下，上述第二微細壁狀構件的有效折射率與上述半導體構件的有效折射率的差為 0. 01以下。根據這樣的發光裝置，可以以將第一端面及第二端面覆蓋的方式形成防反射層。 這樣，就可以減小成為出射面的端面的反射率。由此，就可以不使光在端面間發生多重反射。其結果是，可以抑制端面間的雷射振蕩。此外，在這樣的發光裝置中可以是，第一微細壁狀構件及第二微細壁狀構件的有效折射率與半導體構件的有效折射率之差為0.01以下。 雖然詳情後述，然而這樣就可以抑制在活性層中產生的光在第一微細壁狀構件與半導體構件的界面、以及第二微細壁狀構件與半導體構件的界面中被反射。所以，可以不使之在第一微細壁狀構件與半導體構件的界面、以及第二微細壁狀構件與半導體構件的界面間發生多重反射。其結果是，可以抑制雷射振蕩。本發明的發光裝置中可以是，上述第一微細壁狀構件的有效折射率與上述半導體構件的有效折射率相同，上述第二微細壁狀構件的有效折射率與上述半導體構件的有效折射率相同。根據這樣的發光裝置，可以可靠地抑制雷射振蕩。本發明的發光裝置中可以是，上述第五層的χ的值為0.4以上0.6以下。根據這樣的發光裝置，可以射出綠色的光。本發明的發光裝置中可以是，上述結構體具有第三面，其與上述第一面及上述第二面連接；及第四面，其與上述第一面及上述第二面連接，並與上述第三面對置，上述結構體的一部分形成為波導路徑，從上述第一面的垂線方向俯視上述波導路徑時，上述波導路徑以與上述第一微細壁狀構件及上述第二微細壁狀構件交叉的方式被從上述第三面設置到上述第四面。根據這樣的發光裝置，可以獲得高發光效率。本發明的發光裝置中可以是，還包括第一電極，其與上述第一層電連接；第二電極，其與上述第二層電連接；及第七層，其被形成於上述第二層與上述第二電極之間，上述結構體具有第三面，其與上述第一面及上述第二面連接；及第四面，其與上述第一面及上述第二面連接，並與上述第三面對置，上述第七層與上述第二電極進行歐姆接觸，從上述第一面的垂線方向俯視上述第七層與上述第二電極的接觸面時，上述第七層與上述第二電極的接觸面以與上述第一微細壁狀構件及上述第二微細壁狀構件交叉的方式被從上述第三面設置到上述第四面。根據這樣的發光裝置，可以利用第七層來減小第二電極的接觸電阻。
本發明的發光裝置中可以是，上述第三層被摻雜為第一導電型，上述第四層被摻雜為第二導電型，上述半導體構件未被摻雜。根據這樣的發光裝置，可以使注入載流子(電子及空穴)避開半導體構件流入微細壁狀構件。本發明的發光裝置可以是超輻射發光二極體。根據這樣的發光裝置，可以抑制雷射振蕩，在作為投影儀等圖像投影裝置、圖像顯示裝置的光源使用的情況下，可以減少散斑噪聲。本發明的投影儀包括本發明的發光裝置、光調製裝置，其根據圖像信息調製從上述發光裝置中射出的光；及投射裝置，其投射由上述光調製裝置形成的圖像。根據這樣的投影儀，可以獲得高發光效率。


圖1是示意性地表示本實施方式的發光裝置的立體圖。圖2是示意性地表示本實施方式的發光裝置的俯視圖。圖3是示意性地表示本實施方式的發光裝置的剖面圖。圖4是示意性地表示本實施方式的發光裝置的製造工序的立體圖。圖5是示意性地表示本實施方式的發光裝置的製造工序的立體圖。圖6是示意性地表示本實施方式的發光裝置的製造工序的立體圖。圖7是示意性地表示本實施方式的發光裝置的製造工序的立體圖。圖8是示意性地表示本實施方式的發光裝置的製造工序的立體圖。圖9是示意性地表示本實施方式的變形例的發光裝置的剖面圖。圖10是示意性地表示本實施方式的發光裝置的實驗例中所用的模型的圖。圖11是表示本實施方式的發光裝置的實驗例的結果的曲線圖。圖12是表示本實施方式的發光裝置的實驗例的結果的曲線圖。圖13是示意性地表示本實施方式的投影儀的圖。圖中符號說明100發光裝置，102基板，104第一包層，104a上面，106第二包層， 106b下面，107接觸層，107a接觸面，108柱狀部，109絕緣構件，110結構體，IlOa第一側面， IlOb第二側面，IlOc第三側面，IlOd第四側面，111微細壁狀構件，112第一微細壁狀構件， 113第二微細壁狀構件，114第一引導層，115活性層，116第二引導層，118半導體構件，119 波導路徑，119a第一端面，119b第二端面，120第一電極，122第二電極，130防反射層，200 發光裝置，700投影儀，702均勻化光學系統，70 全息透鏡，702b場透鏡，704液晶光閥，706 正交二向色稜鏡，708投射透鏡，710屏幕。
具體實施例方式下面，邊參照附圖邊對本發明的優選的實施方式進行說明。
1.發光裝置首先，邊參照附圖邊對本實施方式的發光裝置進行說明。圖1是示意性地表示本實施方式的發光裝置100的立體圖。圖2是示意性地表示本實施方式的發光裝置100的俯視圖。圖3是示意性地表示本實施方式的發光裝置100的圖2的III-III線剖面圖。而且， 在圖1中，為了方便起見，省略了第二電極122及第六層130的圖示。另外，為了方便起見， 在圖2中，省略了第二層106、絕緣部109及第二電極122的圖示。下面，作為一個例子，對發光裝置100為超輻射發光二極體(Super Luminescent Diode，以下也稱作「SLD」)的情況進行說明。SLD與半導體雷射器不同，可以通過抑制諧振器的形成來抑制雷射振蕩。由此，在作為投影儀等圖像投影裝置或圖像顯示裝置的光源使用的情況下，可以減少散斑噪聲。發光裝置100如圖1 圖3所示，包括第一層104(以下也稱作「第一包層104」)、 第二層106(以下也稱作「第二包層106」)、結構體110。此外，發光裝置100還可以包括基板102、第六層130(以下也稱作「防反射層130」)、第七層107(以下也稱作「接觸層107」)、 絕緣構件109、第一電極120、第二電極122。作為基板102，例如可以使用第一導電型(例如η型)的GaN基板、或在藍寶石基板上形成了 η型的GaN層的GaN模板基板。第一包層104形成於基板102上。作為第一包層104，例如可以使用η型的GaN 層。而且，雖然未圖示，然而也可以在基板102與第一包層104之間形成緩衝層。作為緩衝層，例如可以使用η型的GaN層。緩衝層可以提高形成於其上方的層的結晶性。結構體110形成於第一包層104上。在結構體110上，形成第二包層106。由此也可以說，結構體110被第一包層104的第一面l(Ma(以下也稱作「上面l(Ma」)和與上面 10 對置的第二包層106的第二面106a (以下也稱作「下面106a」)夾持。結構體110的形狀例如為長方體(包括立方體的情況)。結構體110可以如圖2 所示，具有相互對置的第三面(以下也稱作「第一側面110a」)及第四面(以下也稱作「第二側面110b」)、將第一側面IlOa與第二側面IlOb連接的第三側面IlOc及第四側面110d。 第一側面IlOa如圖1所示，也可以稱作將上面10 與下面106a連接的面。同樣地，結構體110的側面110b、110c、IlOd也可以稱作將第一包層104的上面10 與第二包層106的下面106a連接的面。而且，也可以說結構體110的第一側面IlOa的垂線P與第一包層104的上面10 的垂線(未圖示)交叉。同樣，也可以說結構體Iio的側面110b、110c、110d的各自的垂線 (未圖示)與第一包層104的上面10 的垂線交叉。結構體110具有微細壁狀構件111和半導體構件118。微細壁狀構件111被形成於第一包層104上。可以形成多個微細壁狀構件111，其數目沒有特別限定。在圖1所示的例子中，微細壁狀構件111具有相對於第一包層104的上面10 直立的壁狀的形狀(板狀的形狀)。如圖2所示，從上面10 的垂線方向觀看(俯視)發光裝置100，微細壁狀構件111被從第三側面IlOc開始設置到第四側面110d。在圖2所示的例子中，微細壁狀構件 111的平面形狀為長方形，微細壁狀構件111與第三側面IlOc的垂線Q平行地從第三側面 IlOc設置到第四側面110d。雖然未圖示，然而微細壁狀構件111的平面形狀也可以是平行四邊形，也可以相對於垂線Q傾斜地從第三側面IlOc設置到第四側面110d。另外，雖然在圖2所示的例子中，多個微細壁狀構件111的平面形狀彼此相同，但是也可以彼此不同。如果微細壁狀構件111的寬度方向的邊的大小(例如垂線P方向的邊的大小)為數百nm以下，則長度方向的邊的大小(例如垂線Q方向的邊的大小)、高度(例如與垂線 P及垂線Q正交的方向的大小)就沒有特別限定。但是，寬度方向及長度方向的邊的大小越小，則緩解對結構體110施加的應變的效果就越大。特別是，寬度方向的邊的大小最好為 250nm以下。像這樣，由於微細壁狀構件111的寬度方向的邊的大小為納米單位，因此也可以將微細壁狀構件111稱作「納米牆111」。在微細壁狀構件111的晶係為六方晶系的情況下，微細壁狀構件111的長度方向也可以是六方晶系的a軸方向。微細壁狀構件111如圖1及圖3所示，具有第三層114(以下也稱作「第一引導層 114」)、第四層116(以下也稱作「第二引導層116」)、包含第五層(以下也稱作「阱層」)的活性層115。第一引導層114被形成於第一包層104上。也可以說，第一引導層114與第一包層104的上面10 鄰接。作為第一引導層114，例如可以使用η型的InGaN層。活性層115形成於第一引導層114上。也可以說，活性層115被第一引導層114 和第二引導層116夾持。活性層115例如具有將由阱層和阻擋層構成的量子阱結構重疊了 3次的多重量子阱(MQW)結構。阱層的材質例如為Ina5Giia5N,阻擋層的材質例如為 Inai5G^l85I阱層及阻擋層的厚度例如為數nm到IOnm左右。第二引導層116形成於活性層115上。也可以說，第二引導層116與第二包層106 的下面106a鄰接。作為第二引導層116，例如可以使用第二導電型(例如ρ型)WhGaN 層。第一引導層114及第二引導層116的厚度比阱層及阻擋層的厚度大，例如為數十nm到數百nm左右。半導體構件118被形成於第一包層104上。雖然在圖2所示的例子中，半導體構件118的平面形狀是與微細壁狀構件111的平面形狀相同的長方形，然而沒有特別限定，例如也可以平行四邊形。另外，雖然在圖2所示的例子中，多個半導體構件118的平面形狀彼此相同，然而也可以彼此不同。微細壁狀構件111與半導體構件118如圖2所示，被從第一側面IlOa朝向第二側面IlOb交替地配置。即，在多個微細壁狀構件111中的鄰接的第一微細壁狀構件112與第二微細壁狀構件113之間形成半導體構件118。此外，半導體構件118還形成於第一微細壁狀構件112的與第二微細壁狀構件113相反的一側(第二側面IlOb側)、以及第二微細壁狀構件113的與第一微細壁狀構件112相反的一側(第一側面IlOa側)。鄰接的微細壁狀構件111及半導體構件118例如彼此相接。微細壁狀構件111與半導體構件118也可以被以一定的周期配置。也可以說，按照將多個微細壁狀構件111之間填充的方式形成半導體構件118。也可以說，結構體110中的微細壁狀構件111以外的部分是半導體構件118。半導體構件118的材質例如可以是未被摻雜的hGaN。通過不對半導體構件118 進行摻雜，而對構成微細壁狀構件111的第一引導層114和第二引導層116如前所述地摻雜，就可以使注入載流子(電子及空穴)避開半導體構件118，流入到微細壁狀構件111。活性層115的一部分、引導層114、116的一部分以及半導體構件118的一部分如圖2及圖3所示，可以構成波導路徑119。活性層115(阱層)可以產生光，該光可以在波導路徑119內傳播。波導路徑119在如圖2所示俯視時，被與第一微細壁狀構件112及第二微細壁狀構件113交叉地從第一側面IlOa設置到第二側面110b。即，連結被設於第一側面IlOa中的波導路徑119的第一端面119a的中心和被設於第二側面IlOb中的波導路徑119的第二端面119b的中心的假想直線R與第一微細壁狀構件112及第二微細壁狀構件113交叉。在圖2所示的例子中，波導路徑119相對於垂線P被傾斜地從第一側面IlOa設置到第二側面110b。除此以外，再通過進行後述的半導體構件118的折射率的設計，就可以使光在第一端面119a與第二端面119b之間不發生多重反射。其結果是，可以抑制第一端面 119a與第二端面119b之間的雷射振蕩。而且，雖然未圖示，然而也可以設置多條波導路徑 119。波導路徑119如後所述，可以通過利用柱狀部108的平面形狀，在平面方向(例如與活性層115的厚度方向正交的方向)上賦予有效折射率差而形成。另外，波導路徑119也可以如後所述，通過利用接觸層107與第二電極122接觸的接觸面107a的平面形狀決定電流路徑而形成。防反射層130是覆蓋波導路徑119的第一端面119a和第二端面119b而形成的。 也可以覆蓋結構體110的第一側面IlOa和第二側面IlOb的全面而形成防反射層130。防反射層130可以抑制在活性層115中產生的光的反射。即，可以利用防反射層130，將端面 119a、119b的反射率設為0%或與之接近的值。這樣，就可以從端面119a、119b (也可以稱作出射面119a、119b)中高效地射出光。雖然在圖2所示的例子中，防反射層130覆蓋第一端面119a及第二端面119b的雙方，然而也可以僅將第一端面119a覆蓋，第二端面119b也可以由反射層覆蓋。這樣，在活性層115中產生的光的一部分在第二端面119b中被反射後，可以從第一端面119a中射出。作為防反射層130及反射層，例如可以使用Al2O3層、TiN層、TW2層、SiON層、SiN層、 SiO2層、Ta2O3層或層疊它們的多層膜等。第二包層106被形成於結構體110上。作為第二包層106，例如可以使用ρ型的
GaN 層。例如，利用ρ型的第二包層106、未摻雜雜質的活性層115以及η型的第一包層 104，來構成PIN 二極體。如上所述，可以將包層104、106的材質設為GaN，將活性層115、引導層114、116以及半導體構件118的材質設為InxGai_xN(0 < χ < 1)。這樣，就可以將包層104、106設為與活性層115、引導層114、116以及半導體構件118相比禁帶寬度大而折射率小的層。此外， 可以使構成活性層115的阱層的χ的值(相對於( 的h的值)比引導層114、116的χ的值大。這樣，就可以將引導層114、116設為與阱層相比禁帶寬度大、折射率小的層。此外， 半導體構件118的χ的值優選比引導層114、116的χ的值大，比阱層115的χ的值小。這樣，就可以抑制在活性層115中產生的光在半導體構件118中被吸收的情況。而且，通過將阱層的材質設為LxGi^xN(0. 4 ^ χ ^ 0. 6)，就可以使活性層115產生綠色的光。所以，發光裝置100就可以射出綠色的光。另外，只要確保上述各層的折射率的大小關係，則在以上述的材質作為主成分的各層104、106、114、116中，作為副成分也可以混入Al等。S卩，也可以將包層104、106的材質設為AKiaN，將引導層114、116的材質設為InAKiaN。另外，只要確保上述各層的折射率的大小關係，則也可以將包層104、106的材質設為AKkiN，將引導層114、116的材質設為GaN。另外，例如也可以將包層104、106設為由AlGaN層和GaN層構成的超晶格結構，將引導層 114、116的材質設為GaN或MGaN。利用如上所述的各層的材質，可以使活性層115(阱層)產生光，具有將光放大的功能。此外，活性層115還具有傳導光的功能。引導層114、116具有傳導在活性層115中產生的光的功能。包層104、106具有將注入載流子(電子及空穴)以及密封光而抑制洩漏的功能。半導體構件118雖然具有傳導光的功能，然而從注入載流子避開半導體構件118 而進行流動的方面考慮，與引導層114、116功能不同。更具體來說，發光裝置100在向第一電極120與第二電極122之間施加PIN 二極體的正向偏置電壓時，電子及空穴就會避開半導體構件118從引導層114、116注入到活性層115，在活性層115中的構成波導路徑119的部分發生電子與空穴的複合。利用該複合產生發光。以該產生的光為起點，連鎖地發生受激輻射，在波導路徑119的活性層115內光的強度被放大。例如，可以將在波導路徑119的活性層115中產生的光的一部分交替地通過構成波導路徑119的微細壁狀構件111及半導體構件118，從第一端面119a中作為出射光射出。同樣地，可以將在波導路徑119的活性層115中產生的光的一部分交替地通過構成波導路徑119的微細壁狀構件111及半導體構件118，從第二端面119b中作為出射光射出。而且，雖然在圖1及圖2所示的例子中，端面119a、119b被設於半導體構件118中，然而也可以設於微細壁狀構件111中。微細壁狀構件111的有效折射率(形成有微細壁狀構件111的部分的垂直剖面的有效折射率)與半導體構件118的有效折射率(形成有半導體構件118的部分的垂直剖面的有效折射率)的差優選為0.01以下。即，優選第一微細壁狀構件112的有效折射率與半導體構件118的有效折射率的差為0. 01以下，第二微細壁狀構件113的有效折射率與半導體構件118的有效折射率的差為0. 01以下。雖然詳情後述，然而這樣就可以抑制在活性層 115中產生的光在構成波導路徑119的微細壁狀構件111與半導體構件118的界面中被反射。所以，例如就可以不使之在第一微細壁狀構件112與半導體構件118的界面、第二微細壁狀構件113與半導體構件118的界面之間發生多重反射。其結果是，可以抑制微細壁狀構件111與半導體構件118的界面間的雷射振蕩。而且，如果將E設為電場，將Z設為活性層115的厚度方向(第一包層104的垂線方向)，則可以將有效折射率η如下式(1)所示地表示。
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_ η - [Jn(Z) E 2dZ ]/[f |E|2dZ ]…式⑴
-OO-OO接觸層107如圖1及圖3所示，被形成於第二包層106上。作為接觸層107，例如可以使用P型的GaN層。接觸層107可以與第二電極122進行歐姆接觸。這樣，就可以減少第二電極122的接觸電阻。而且，雖然未圖示，然而也可以在第二包層106與接觸層107之間，形成蝕刻阻擋層或載流子阻擋層。蝕刻阻擋層可以提高脊的深度(絕緣構件109的厚度)的精度。載流子阻擋層可以減小電子與空穴的遷移率的差別。接觸層107與第二包層106的一部分可以構成柱狀部108。形成了柱狀部108的部分如後所述，與未形成柱狀部108的部分相比可以增大上述的有效折射率。這樣，通過在平面方向上密封光，就可以構成波導路徑119。即，可以利用柱狀部108的平面形狀，決定波導路徑119的平面形狀。如後所述，在接觸層107上形成有第二電極122。該接觸層107 的與第二電極122接觸的接觸面107a的平面形狀也可以與柱狀部108的平面形狀，即波導路徑119的平面形狀相同。也就是說，接觸面107a也可以與波導路徑119相同，如圖2所示，從第一側面IlOa到第二側面IlOb為止與第一微細壁狀構件112及第二微細壁狀構件 113交叉。另外，利用該柱狀部108，如後所述，也可以防止電流沿平面方向擴散(通過將電流沿平面方向密封)，決定電極120、122間的電流路徑。而且，雖然未圖示，然而也可以使柱狀部108的側面傾斜。絕緣構件109如圖1及圖3所示，被設於第二包層106上，且被設於柱狀部108的側方。絕緣構件109可以與柱狀部108的側面相接。絕緣構件109的上面如圖3所示，例如與接觸層107的上面連續。作為絕緣構件109的材質，例如可以舉出SiN、Si02、聚醯亞胺等。在作為絕緣構件109使用了這些材料的情況下，電極120、122間的電流可以避開絕緣構件109，流過由絕緣構件109夾持的柱狀部108。絕緣構件109可以具有比活性層115及引導層114、116的折射率小的折射率。該情況下，形成了絕緣構件109的部分的垂直剖面的有效折射率就會比未形成絕緣構件109的部分，即形成了柱狀部108的部分的垂直剖面的有效折射率小。這樣，就可以在平面方向中，將光有效地密封在波導路徑119內。而且， 雖然未圖示，然而也可以不設置絕緣構件109。也可以將絕緣構件109解釋為空氣。第一電極120形成於基板102下的整面中。第一電極120可以與同該第一電極 120進行歐姆接觸的層(圖示的例子中是基板10 相接。第一電極120藉助基板102與第一包層104電連接。第一電極120是用於驅動發光裝置100的一方的電極。作為第一電極 120，例如可以使用從基板102側起依次層疊了 Ti層、Al層、Au層的材料等。而且，也可以在第一包層104與基板102之間，設置第二接觸層(未圖示)，利用乾式蝕刻等使該第二接觸層露出，將第一電極120設於第二接觸層上。這樣，就可以獲得單面電極結構。該方式在如下的情況下特別有效，即，像在藍寶石基板上生長了 GaN層後的GaN 模板基板那樣，基板102的一部分是絕緣性的。第二電極122被形成於接觸層107上。此外，第二電極122也可以如圖3所示，被設於絕緣構件109上。第二電極122藉助接觸層107與第二包層106電連接。第二電極122 是用於驅動發光裝置100的另一方電極。作為第二電極122，例如可以使用從接觸層107側起依次層疊了 M層、Pd層、Au層的材料等。如上所述的發光裝置100例如可以適用於投影儀、顯示器、照明裝置、計測裝置等的光源中。本實施方式的發光裝置100例如具有以下的特徵。根據發光裝置100，在第一微細壁狀構件112與第二微細壁狀構件113之間形成半導體構件118。由此，就可以抑制在構成波導路徑9的第一微細壁狀構件112及第二微細壁狀構件113的側面的非發光複合。所以，在發光裝置100中，可以在緩解在基板102與結構體110之間產生的應變，且獲得高發光效率。例如，如果微細壁狀構件的側面露出，則會產生與該側面附近的缺陷或雜質相伴的非發光複合，從而會有發光效率降低的情況。此外，在發光裝置100中，半導體構件118的材質為InGaN，微細壁狀構件112、113 的材質例如為hGaN。由此，與在微細壁狀構件112、113之間形成例如由氧化矽或聚醯亞胺構成的絕緣構件的情況相比，可以使微細壁狀構件112、113與半導體構件118的熱膨脹係數接近。所以，在發光裝置100中，即使例如因電流注入而放熱，也可以減小因熱膨脹而對結構體110施加的應力，可以抑制由應力造成的發光效率的降低或壽命的降低。這一點對於活性層115的材質為InGaN、引導層114、116的材質為GaN也是相同的。根據發光裝置100，半導體構件118還可以被形成於第一微細壁狀構件112的與第二微細壁狀構件113相反的一側(第二側面IlOb側)、以及第二微細壁狀構件113的與第一微細壁狀構件112相反的一側(第一側面IlOa側)。由此，就可以進一步抑制微細壁狀構件112、113的側面的非發光複合。根據發光裝置100，可以按照將波導路徑119的第一端面119a及第二端面119b覆蓋的方式形成防反射層130。這樣，就可以減小成為出射面的端面119a、119b的反射率。此外，在發光裝置100中，可以使微細壁狀構件112、113的有效折射率與半導體構件118的有效折射率的差為0. 01以下。雖然詳情後述，然而這樣就可以抑制在活性層115中產生的光在微細壁狀構件112、113與半導體構件118的界面中被反射。所以，可以使光在微細壁狀構件112、113與半導體構件118的界面之間不發生多重反射。其結果是，可以抑制微細壁狀構件112、113與半導體構件118的界面間的雷射振蕩。另外，由於可以減小端面119a、119b 的反射率，因此在端面119a、119b間，也可以使光不發生多重反射。其結果是，也可以抑制端面119a、119b間的雷射振蕩。根據以上說明，在發光裝置100中，可以抑制雷射振蕩，發光裝置100可以是超輻射發光二極體。所以，發光裝置100可以抑制雷射振蕩，在作為投影儀等圖像投影裝置或圖像顯示裝置的光源使用的情況下，可以減少散斑噪聲。根據發光裝置100，構成活性層115的阱層的材質可以是 InxGa1^xN(0. 4彡χ彡0. 6)。這樣，發光裝置100就可以射出綠色的光。根據發光裝置100，可以不對半導體構件118進行摻雜，而對構成微細壁狀構件 111的第一引導層114和第二引導層116進行摻雜。這樣，注入載流子就可以避開半導體構件118，流入到微細壁狀構件111。2.發光裝置的製造方法下面，邊參照附圖邊對本實施方式的發光裝置的製造方法進行說明。圖4 圖8 是示意性地表示本實施方式的發光裝置100的製造工序的立體圖。如圖4所示，在基板102上，依次外延生長第一包層104、第一引導層114、活性層 115及第二引導層116。作為使之外延生長的方法，例如可以使用MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法、MBE (Molecular Beam Epitaxy)法。如圖5所示，對第二引導層116、活性層115及第一引導層114進行圖案處理，形成微細壁狀構件111。圖案處理例如使用光刻技術及蝕刻技術來進行。在圖示的例子中，圖案處理是按照使第一包層104的上面10 的一部分露出的方式進行的。如圖6所示，在被露出的第一包層104的上面10 上，且在微細壁狀構件111的側方，形成半導體構件118。這樣，就可以形成結構體110。半導體構件118例如按照使半導體構件118的上面與微細壁狀構件111的上面連續的方式形成。半導體構件118例如可以利用基於MOCVD法的橫向生長(Epitaxial Lateral Overgrowth ；EL0)來形成。作為半導體構件118的材質的InGaN的橫向(例如與活性層115的厚度方向正交的方向)的生長與層疊方向(例如活性層115的厚度方向)的生長相比極快，可以比較容易地將微細壁狀構件111之間填充。具體來說，即使鄰接的微細壁狀構件111之間的距離為數十nm 數百 nm，通過利用橫向生長形成半導體構件118，與CVD(Chemical Vapor Deposition)法或濺射法等相比，也可以更為容易並且沒有間隙地填入半導體構件118。此外，通過利用橫向生長形成半導體構件118，可以使半導體構件118的結晶性提高。如圖7所示，在結構體110上，依次外延生長第二包層106及接觸層107。作為使之外延生長的方法，例如可以使用MOCVD法、MBE法。如圖8所示，至少對接觸層107及第二包層106進行圖案處理，形成柱狀部108。 圖案處理例如可以使用光刻技術及蝕刻技術來進行。圖示的例子中，圖案處理是按照不使結構體110的上面露出的方式進行的。如圖1所示，以覆蓋柱狀部108的側面的方式形成絕緣構件109。具體來說，首先， 例如利用CVD法、塗布法等，在第二包層106的上方(包括接觸層107上)形成絕緣層(未圖示)。然後，例如使用蝕刻技術等，使接觸層107的上面露出。利用以上的工序，可以形成絕緣構件109。如圖3所示，在接觸層107及絕緣構件109上形成第二電極122。第二電極122例如可以利用真空蒸鍍法形成。然後，在基板102的下面下形成第一電極120。第一電極120例如可以利用真空蒸鍍法形成。而且，第一電極120及第二電極122的形成順序沒有特別限定。如圖2所示，在結構體110的第一側面IlOa及第二側面IlOb形成防反射層130。 防反射層130例如可以利用CVD法、濺射法、離子輔助蒸鍍(Ion Assisted Depostion)法等形成。利用以上的工序，可以製造發光裝置100。根據發光裝置100的製造方法，可以製造發光效率高的發光裝置100。3.發光裝置的變形例下面，邊參照附圖，邊對本實施方式的變形例的發光裝置進行說明。圖9是示意性地表示本實施方式的發光裝置200的剖面圖，是與圖3對應的圖。下面，在本實施方式的變形例的發光裝置200中，對於具有與本實施方式的發光裝置100的構成構件相同的功能的構件，使用相同的符號，省略其詳細的說明。在發光裝置100的例子中，如圖3所示，針對在形成有絕緣構件109的區域、和未形成絕緣構件109的區域，即形成柱狀部108的區域設置折射率差而將光密封的折射率波導型進行了說明。與之不同，發光裝置200是未形成柱狀部108而在平面方向沒有設置折射率差的增益波導型。即，在發光裝置200中，如圖9所示，接觸層107及第二包層106不構成柱狀部，因而也不會有在柱狀部的側方形成絕緣構件109的情況。發光裝置200中，絕緣構件109形成於成為波導路徑119的部分的上方以外的接觸層107上。也就是說，絕緣構件109在成為波導路徑119的部分的上方具有開口部，在該開口部中將接觸層107的上面露出。第二電極122形成於該露出的接觸層107上及絕緣構件109上。在圖示的例子中，利用第二電極122與接觸層107接觸的接觸面107a的平面形狀，來決定電極120、122間的電流路徑，其結果是，決定了波導路徑119的平面形狀。所以，第二電極122與接觸層107的接觸面107a 的平面形狀成為與波導路徑119相同的平面形狀。而且，雖然未圖示，然而第二電極122也可以不形成於絕緣構件109上，而僅形成于波導路徑119的上方的接觸層107上。根據發光裝置200，與發光裝置100相同，可以獲得高發光效率。4.發光裝置的實驗例下面，邊參照附圖邊對本實施方式的發光裝置的實驗例進行說明。具體來說， 對將本實施方式的發光裝置100模型化了的模型M的模擬進行說明。模擬是利用二維 FDTD(Finite Difference Time Domain)法進行的。4.1.模型M的構成圖10是示意性地表示本實施方式的發光裝置100的模型M的圖。在模型M中，將基板102的材質設為GaN (折射率2. 54)。將第一包層104的材質設為GaN (折射率2. M、厚度 IOOOnm)。將第一引導層114的材質設為Inai5G^1.85N(折射率3. 0、厚度IOOnm)。將活性層 115設為由Ina5Giia5N阱層(折射率3. 4、厚度4. Onm)和Inai5Giia85N阻擋層(折射率3. 0、厚度10. Onm)構成的二重量子阱(DQff)結構。將第二引導層116的材質設為In0.15Ga0.85N( ff 射率3. 0、厚度IOOnm)。將第一包層106的材質設為GaN(折射率2. M、厚度IOOOnm)。將接觸層107的材質設為GaN (折射率2. M、厚度30nm)。模型M的形狀如圖10所示，與圖1中記載的發光裝置100的平行於圖2的垂線P 並且與包含柱狀部108的剖面的形狀相同。即，如果是發光裝置100，則採用形成有柱狀部 108的部分的垂直於基板的上面及第一側面的剖面的形狀。如果是發光裝置200，則是與垂直於基板的上面及第一側面的任意的剖面形狀相同的形狀。也就是說，在模型M中，也可以說例如圖2所示的發光裝置100的波導路徑119相對於第一側面IlOa垂直地延伸。在模型M中，不採取發光裝置100的波導路徑方向的剖面是因為，直接地因產生多重反射而形成雷射振蕩的可能性最高的光的傳播方向是垂直於微細壁狀構件111的長度方向的方向。在模型M中，活性層115及引導層114、116是傳導光的部分。在模型M中，將厚度 T111= λ/(4ηηι)的微細壁狀構件111沿X軸方向周期性地配置。而且，λ是活性層115所產生的光的波長，nm是微細壁狀構件111的有效折射率。將模型M的在X軸方向的長度設為無限大。即，在模型M中，在X軸方向，以λΛ4ηηι)周期無限地重複微細壁狀構件111。 但是，在模型M中，由於在微細壁狀構件111的外側另外還設有包層，因此上述的式(1)的積分範圍並非從-⑴到⑴，而需要設為從引導層114的下面到引導層116的上面。另外，由此算出的nm也是近似的值，實際上，以模擬結果為基礎而求出Ii111，厚度T111也需要重新變更，反覆計算至收斂為止。在模型M中，通過將半導體構件118的材質設為InxGai_xN (0 < χ < 1)，並使χ的值變化，而使半導體構件118的有效折射率ηη8每次變化0. 01來進行分析。將該半導體構件 118的厚度T111設為T111= λΛ4η118)。而且，Ii118是半導體構件118的有效折射率。此外， 採用在X軸方向上以Tm+T118= λ/(4ηιη) + λ/(4η118)的周期無限地重複該微細壁狀構件 111及半導體構件118的條件而進行了分析。更準確地說，應用了如下的邊界條件(Bloch 的邊界條件)，即，雖然計算區域本身是單一周期，然而在計算區域的X方向的兩端，在周期結構中沿X方向，也就是微細壁狀構件111的寬度方向，以某個傳播常數無限地傳播。在模型M中，使構成微細壁狀構件111的活性層115中產生光，分析了在結構體 110內傳播或諧振的光的頻率成分。為了方便起見，認為所產生的光在活性層115內未得到增 ο
4.2.模擬結果圖11及圖12是表示模擬結果的曲線圖，是表示作為Bloch的邊界條件應用了布拉格反射的條件(相當於布裡淵區的端的條件)時的傳播光及諧振光的波長譜圖的圖。已知在應用這樣的條件的情況下，如果存在能夠引起多重反射的反射波段，則會顯現出2個諧振峰。這些諧振峰顯示出微細壁狀構件111與半導體構件118的界面間的 DFB(distributed feedback)振蕩。而且，這些峰之間的波段是反射波段。在圖11中，給出 n118為3. 00及3. 02時的波長譜圖。圖12中，給出nn8為3. 03及3. 05時的波長譜圖。根據圖11及圖12可以看出，除Ii118為3. 02的情況以外，都顯現出2個峰。微細壁狀構件111與半導體構件118的界面的折射率差越大、反射率越大，則這兩個峰的間隔，即反射波段就越大。根據圖11可以認為，由於僅在η118為3. 02的情況下，反射波段消失，因此在該情況下有效折射率差Δη為0. 01以下。即，可知微細壁狀構件111的有效折射率rim 約為3. 02。也就是說，可以說，如果微細壁狀構件111的有效折射率Ii111與半導體構件118 的有效折射率η118相同，則可以可靠地防止微細壁狀構件111與半導體構件118的振蕩。 實際上，有效折射率Ii111是通過進行這樣的計算而算出的，以它為基礎重新設定上述的厚度 T111,再次進行模擬，反覆進行直至Ii111的值(即厚度T111的值也)收斂為止。圖11及圖12 所示的模擬結果是該收斂後的結果。即，是設為周期！^^= λ/(4ηιη) = λ/(4X3. 02)時的計算結果。如圖12所示，Δη為0. 01時(η118為3. 03時)，2個峰的間隔，即反射波段十分的小，可以說是能夠充分地抑制微細壁狀構件111與半導體構件118的界面間的振蕩的程度。 另外，將η118設為3. 03,3. 05，可以看到，越是增大Δη，則2個峰間隔，即反射波段就越大。根據以上說明可知，為了在模型M中抑制振蕩，Δη優選為0.01以下。而且，在模型M中，如上所述，將微細壁狀構件111的厚度設為T111 = λ/(4ηηι), 將半導體構件118的厚度設為Tn8 = λ/(^118)，形成無限的周期結構，將光的傳播方向也設為與微細壁狀構件111的長度方向正交。這些條件是最容易引起振蕩的條件。所以，發光裝置100及發光裝置200中，如果滿足Δ η為0. 01以下的條件，則無論微細壁狀構件111 的厚度及周期如何，都可以具有充分地抑制振蕩的效果。5.投影儀下面，對本實施方式的投影儀700進行說明。圖13是示意性地表示投影儀700的圖。而且，在圖13中，為了方便起見，省略了構成投影儀700的殼體。投影儀700具有本發明的發光裝置。以下，針對作為本發明的發光裝置使用了發光裝置100的例子進行說明。投影儀700可以具有分別射出紅色光、綠色光、藍色光的紅色光源(發光裝置)100R、綠色光源(發光裝置)100G、藍色光源(發光裝置)100Β。它們當中，至少100G是上述的發光裝置100。投影儀700具備分別與圖像信息對應地調製從光源100R、100G、100Β中射出的光的透過型的液晶光閥(光調製裝置)704R、704G、704B ；將由液晶光閥704R、704G、704B形成的像放大並向屏幕(顯示面)710投射的投射透鏡(投射裝置)708。另外，投影儀700可以具備將從液晶光閥704R、704G、704B中射出的光合成並導向投射透鏡708的正交二向色稜鏡(色光合成機構)706。此外，投影儀700為了使從光源100R、100G、100B中射出的光的照度分布均勻化，在各光源100R、100G、100B的光路下遊側，設有均勻化光學系統702R、702G、702B，以利用它們將照度分布均勻化了的光，將液晶光閥704R、704G、704B照明。均勻化光學系統702R、 702G.702B例如由全息透鏡70 及場透鏡702b構成。利用各液晶光閥704R、704G、704B調製了的3種色光射入到正交二向色稜鏡706。 該稜鏡是將4個直角稜鏡貼合而形成的，在其內面以十字形配置有反射紅色光的電介質多層膜和反射藍色光的電介質多層膜。利用這些電介質多層膜合成3種色光，形成顯示彩色圖像的光。此後，被合成的光由作為投射光學系統的投射透鏡706投射到屏幕710上，顯示出放大了的圖像。根據投影儀700，可以具有發光效率高的綠色光源100G。所以，作為投影儀700整體來說，也可以具有高發光效率。而且，雖然在上述的例子中，作為光調製裝置使用了透過型的液晶光閥，然而也可以使用液晶以外的光閥，還可以使用反射型的光閥。作為這樣的光閥，例如可以舉出反射型的液晶光閥、數字微鏡設備(Digital Micromirror Device)。另外，投射光學系統的構成可以根據所用的光閥的種類適當地變更。另外，即使是作為如下的掃描型的圖像顯示裝置(投影儀)的光源裝置，即，具有作為通過使來自光源的光在屏幕上掃描而在顯示面中顯示所需的大小的圖像的圖像形成裝置的掃描機構，也可以使用光源100R、100G、100B。而且，上述的實施方式及變形例只是一個例子，並不一定限定於它們。例如，也可以將各實施方式及各變形例適當地組合。雖然如上所述地對本發明的實施方式進行了詳細說明，然而對於本領域技術人員來說可以很容易地理解，在實質上不脫離本發明的新事項及效果的情況下可以進行很多變形。所以，這樣的變形全都包含於本發明的範圍中。
權利要求
1.一種發光裝置，其特徵在於，包括第一層，其具有第一面；第二層，其具有與所述第一面對置的第二面；及結構體，其被所述第一面和所述第二面夾持，所述結構體具有第一微細壁狀構件、第二微細壁狀構件和半導體構件， 所述第一微細壁狀構件及所述第二微細壁狀構件具有 第三層，其與所述第一面鄰接； 第四層，其與所述第二面鄰接；及第五層，其被所述第三層和所述第四層夾持，所述半導體構件被所述第一微細壁狀構件和所述第二微細壁狀構件夾持， 所述第一層及所述第二層的材質為GaN，所述第三層、所述第四層、所述第五層及所述半導體構件的材質為Inx(iai_xN，其中，0 < χ < 1，所述第五層的χ的值比所述第三層的χ的值、所述第四層的χ的值及所述半導體構件的χ的值大，所述第五層是產生光並且傳導光的層，所述第三層及所述第四層是傳導在所述第五層中產生的光的層， 所述第一層及所述第二層是抑制在所述第五層中產生的光的洩漏的層。
2.一種發光裝置，其特徵在於，包括第一層，其具有第一面；第二層，其具有與所述第一面對置的第二面；及結構體，其被所述第一面和所述第二面夾持，所述結構體具有第一微細壁狀構件、第二微細壁狀構件和半導體構件， 所述第一微細壁狀構件及所述第二微細壁狀構件具有 第三層，其與所述第一面鄰接； 第四層，其與所述第二面鄰接；及第五層，其被所述第三層和所述第四層夾持，所述半導體構件被所述第一微細壁狀構件和所述第二微細壁狀構件夾持， 所述第一層及所述第二層的材質為AWaN， 所述第三層及所述第四層的材質為GaN，所述第五層及所述半導體構件的材質為MxGi^xN,其中，0 < χ < 1， 所述第五層的χ的值比所述半導體構件的χ的值大， 所述第五層是產生光並且傳導光的層，所述第三層及所述第四層是傳導在所述第五層中產生的光的層， 所述第一層及所述第二層是抑制在所述第五層中產生的光的洩漏的層。
3.根據權利要求1所述的發光裝置，其特徵在於，所述半導體構件還形成於所述第一微細壁狀構件的與所述第二微細壁狀構件側相反的一側以及所述第二微細壁狀構件的與所述第一微細壁狀構件側相反的一側。
4.根據權利要求1所述的發光裝置，其特徵在於，還包括第六層，該第六層以將射出在所述第五層中產生的光的出射面覆蓋的方式形成，所述第六層是抑制在所述第五層中產生的光的反射的層，所述第一微細壁狀構件的有效折射率與所述半導體構件的有效折射率的差為0. 01以下，所述第二微細壁狀構件的有效折射率與所述半導體構件的有效折射率的差為0.01以下。
5.根據權利要求4所述的發光裝置，其特徵在於，所述第一微細壁狀構件的有效折射率與所述半導體構件的有效折射率相同， 所述第二微細壁狀構件的有效折射率與所述半導體構件的有效折射率相同。
6.根據權利要求1所述的發光裝置，其特徵在於， 所述第五層的χ的值為0. 4以上0. 6以下。
7.根據權利要求1所述的發光裝置，其特徵在於， 所述結構體具有第三面，其與所述第一面及所述第二面連接；及第四面，其與所述第一面及所述第二面連接，並與所述第三面對置，所述結構體的一部分形成為波導路徑，從所述第一面的垂線方向俯視所述波導路徑時，所述波導路徑以與所述第一微細壁狀構件及所述第二微細壁狀構件交叉的方式被從所述第三面設置到所述第四面。
8.根據權利要求1所述的發光裝置，其特徵在於，還包括 第一電極，其與所述第一層電連接；第二電極，其與所述第二層電連接；及第七層，其被形成於所述第二層與所述第二電極之間，所述結構體具有第三面，其與所述第一面及所述第二面連接；及第四面，其與所述第一面及所述第二面連接，並與所述第三面對置，所述第七層與所述第二電極進行歐姆接觸，從所述第一面的垂線方向俯視所述第七層與所述第二電極的接觸面時，所述第七層與所述第二電極的接觸面以與所述第一微細壁狀構件及所述第二微細壁狀構件交叉的方式被從所述第三面設置到所述第四面。
9.根據權利要求1所述的發光裝置，其特徵在於， 所述第三層被摻雜為第一導電型，所述第四層被摻雜為第二導電型， 所述半導體構件未被摻雜。
10.一種發光裝置，其特徵在於，具有 第一層；多個壁狀構件，其具有沿著所述第一層的面內方向伸長的長方形形狀，並且在所述第一層上沿著與所述長方形形狀的長度方向垂直的方向排列；半導體構件，其由InxGahN構成，被設於所述多個壁狀構件之間，其中，0 < χ < 1 ；及第二層，其位於所述多個壁狀構件和所述半導體構件之上，所述壁狀構件是通過在與所述第一層的面內方向垂直的方向上層疊第一波導層、發光層和第二波導層而構成的，所述發光層是產生光的層，由^iyGivyN構成，其中，0 < χ < y < 1， 所述第一波導層及第二波導層是傳導在所述發光層中產生的光的層， 所述第一層及所述第二層是抑制在所述發光層中產生的光的洩漏的層。
11. 一種投影儀，其特徵在於，包括 權利要求1所述的發光裝置；光調製裝置，其根據圖像信息調製從所述發光裝置中射出的光；及投射裝置，其投射由所述光調製裝置形成的圖像。
全文摘要
本發明涉及發光裝置及投影儀，該發光裝置包括第一層、第二層及由所述第一層和所述第二層夾持的結構體，所述結構體具有第一微細壁狀構件、第二微細壁狀構件及由該第一微細構件和第二微細構件夾持的半導體構件，所述第一及第二微細壁狀構件具有第三層、第四層及由該第三層和第四層夾持的第五層，所述第五層是產生光並且傳導光的層，所述第三層及所述第四層是傳導在所述第五層中產生的光的層，所述第一層及所述第二層是抑制在所述第五層中產生的光的洩漏的層。
文檔編號H01L33/12GK102290507SQ20111015110
公開日2011年12月21日 申請日期2011年5月26日 優先權日2010年6月11日
發明者望月理光 申請人:精工愛普生株式會社