具有銅布線的聚醯亞胺膜的製備方法

2023-09-21 04:44:20 3

專利名稱：具有銅布線的聚醯亞胺膜的製備方法
技術領域：
本發明涉及一種藉助於相減法或半-添加法、通過使用載體伴隨銅箔層 壓的聚醯亞胺膜製備具有優異的金屬-鍍敷例如鍍錫性質的銅-布線聚醯亞 胺膜的方法。
背景技術：
通常，其中將載體伴隨銅箔層壓到聚醯亞胺膜上的載體伴隨銅箔層壓 聚醯亞胺膜已經被廣泛地用於高-性能電子裝置，具體地為，具有高-密度 布線並且由於它們的細薄以及重量輕的優異性質而適於尺寸和重量減小
的柔性布線基板和IC載體帶。
專利文獻1公開了一種通過其中使金屬箔位於粘合劑膜的至少一側的
半-添加法製備覆金屬的層壓體的方法，所述方法至少包括下列步驟通過 保護膜，將具有粘合劑層的粘合劑膜和具有剝離層的金屬箔在至少一對金 屬輥之間熱層壓，使得金屬箔接觸粘合劑膜的粘合劑層，所述粘合劑層在 絕緣膜的至少一側上，包含熱塑性聚醯亞胺；從通過熱層壓得到的層壓體 剝離所述保護膜；以及從金屬箔剝離所述剝離層。
專利文獻2公開了一種覆銅層壓體，其包括厚度為1至8 pm的銅箔、 含有作為主要組分的熱塑性聚醯亞胺樹脂的粘合劑層，以及耐熱性膜，並 且所述覆銅層壓體通過包括下列步驟的方法製備在耐熱性膜上形成粘合 劑層；在粘合劑層的表面上放置伴載銅箔；在得到的層壓體上施加熱量和 壓力，以使層壓體中的粘合劑層粘附到載體伴隨銅箔；以及將載體剝離。
專利文獻目錄
專利文獻l:日本公開專利申請2005-254,632 專利文獻2:日本公開專利申請2002-316,38
發明內容
本發明要解決的問題
例如，通過相減法或半-添加法，使用載體伴隨銅箔層壓聚醯亞胺膜制 備銅-布線聚醯亞胺膜，其中，載體伴隨銅箔被層壓到聚醯亞胺膜上。然而， 在銅-布線聚醯亞胺膜，即，其中使用載體伴隨銅箔層壓聚醯亞胺膜、通過 相減法或半-添加法蝕刻銅膜來形成銅精細布線的情況下，在銅布線的至少 一個部分上進行金屬鍍敷例如鍍錫以後，可能在通過移除銅箔而顯現的聚 醯亞胺表面上發生金屬-鍍敷物質的反常沉積。
本發明的目的是提供一種製備銅-布線聚醯亞胺膜的方法，所述銅-布 線聚醯亞胺膜具有使用載體伴隨銅箔層壓的聚醯亞胺膜、通過相減法或半 -添加法蝕刻銅箔而形成的精細銅布線，並且在電絕緣性質上得以改善，所 述方法抑制了在銅布線的至少一個部分上進行金屬鍍敷例如鍍錫以後的 金屬-鍍敷物質的反常沉積。
解決問題的手段
本發明的第一方面涉及一種通過相減法由載體伴隨銅箔層壓的聚醯亞 胺膜製備銅-布線聚醯亞胺膜的方法，所述方法至少包括下列步驟
1) 從載體伴隨銅箔層壓的聚醯亞胺膜剝離載體箔；
2) 任選地，在銅箔上鍍銅；
3) 在銅箔的上表面上形成防蝕層(etching resist layer);
4) 在布線圖案中進行曝光；
5) 將除意欲形成布線圖案的部分以外的防蝕層顯影並移除；
6) 將除意欲形成布線圖案的部分以外的銅箔通過蝕刻移除；
7) 通過剝離移除防蝕層；和
8) 用蝕刻溶液清洗，所述蝕刻溶液能夠移除選自Ni、 Cr、 Co、 Zn、 Sn 和Mo中的至少一種金屬或包含這些金屬中的至少一種的合金。
本發明的第二方面涉及一種通過半-添加法由載體伴隨銅箔層壓的聚 醯亞胺膜製備銅-布線聚醯亞胺膜的方法，所述方法至少包括下列步驟
1) 從載體伴隨銅箔層壓的聚醯亞胺膜剝離載體箔；
2) 任選地，通過蝕刻使銅箔變薄；3) 在銅箔的上表面上形成耐鍍敷層(plating-resist layer);
4) 在布線圖案中進行曝光；
5) 將耐鍍敷層的意欲形成布線圖案的部分顯影並移除；
6) 在銅箔的裸露部分上鍍銅；
7) 通過剝離移除銅箔上的耐鍍敷層；
8) 通過閃-蝕亥'J(flash-etching)將耐鍍敷層的被移除的銅箔的部分去除， 以使聚醯亞胺裸露；和
9) 用蝕刻溶液清洗，所述蝕刻溶液能夠移除選自Ni、 Cr、 Co、 Zn、 Sn 和Mo中的至少一種金屬或包含這些金屬中的至少一種的合金。
以下說明根據本發明的優選實施方案。可以結合許多這些實施方案。
1) 在載體伴隨銅箔層壓的聚醯亞胺膜中，用選自Ni、 Cr、 Co、 Zn、 Sn 和Mo中的至少一種金屬或包含這些金屬中的至少一種的合金，表面-處理 載體伴隨銅箔的表面(以下，將用於銅箔表面的表面-處理的金屬稱為表面 處理金屬)，並且將該表面層壓到聚醯亞胺膜。
2) 蝕刻溶液是酸性蝕刻溶液。
3) 蝕刻溶液是用於Ni-Cr合金的刻蝕劑(Ni-Cr種子層去除劑(Ni-Cr seed layer remover))。
4) 在聚醯亞胺膜中，在(高)耐熱性聚醯亞胺層的至少一側上層壓熱壓-粘合性聚醯亞胺層，並且在載體伴隨銅箔層壓聚醯亞胺膜中，銅箔的表面 -處理的面被層壓在聚醯亞胺膜的熱壓-粘合性聚醯亞胺層上。優選地，在 聚醯亞胺膜中，熱壓-粘合性聚醯亞胺層被層壓在高耐熱聚醯亞胺層的至少 一側上，並且在載體伴隨銅箔層壓的聚醯亞胺膜中，銅箔的表面-處理的面 通過加熱或壓力被層壓在聚醯亞胺膜的熱壓-粘合性聚醯亞胺層上。
5) 在銅-布線聚醯亞胺膜中，在聚醯亞胺膜的至少一側上形成間距不大 於80pm的銅布線。
6) 在清洗步驟以後，對所述銅-布線的至少一部分進行金屬-鍍敷。 另外，本發明的另一個方面涉及通過上述製備方法製備的銅-布線聚醯
亞胺膜。
發明效果根據本發明製備的銅-布線聚醯亞胺膜能夠在用金屬例如錫鍍敷銅布 線的至少一部分時，防止或抑制鍍敷金屬在通過蝕刻移除了銅布線之間的 銅箔的聚醯亞胺膜表面上，或在鄰近銅布線的聚醯亞胺膜的表面部位上的 反常沉積。因此，蝕刻以後的基板生成物的電絕緣性質和外觀得以改善。
根據本發明製備的銅-布線聚醯亞胺膜能夠通過蝕刻銅膜來形成間距
為40 pm以下和間距為50 pm以下的精細布線，並且可以得到具有布線的 高-密度柔性布線基板、組合電路基板(built-up circuit substrate)和IC載體帶。
附圖簡述


圖1是示出銅-布線聚醯亞胺膜的製備方法的實例的工藝流程圖，所述 製備方法使用載體伴隨銅箔層壓的聚醯亞胺膜，通過相減法進行。
圖2是示出銅-布線聚醯亞胺膜的製備方法的實例的工藝流程圖，所述 製備方法使用載體伴隨銅箔層壓的聚醯亞胺膜，通過半-添加法進行。
圖3是根據本發明的實施例1中的鍍錫的銅-布線聚醯亞胺膜的表面的 圖像，該圖像是通過金相學顯微鏡得到的。
圖4是根據本發明的比較例1中的鍍錫的銅-布線聚醯亞胺膜的表面的 圖像，該圖像是通過金相學顯微鏡得到的。
附圖標記的說明
1:載體伴隨銅箔層壓的聚醯亞胺膜 2:聚醯亞胺膜
3:載體伴隨銅箔
4:銅箔
5:載體
6， 10:鍍銅.
7， 17:光致抗蝕劑層
8:在移除銅箔以後顯現的聚醯亞胺膜表面 9:金屬鍍敷 21:鍍錫銅布線22:通過移除銅箔的聚醯亞胺膜表面 23:鍍錫的反常沉積部位
24:通過移除銅箔的鍍錫銅布線和聚醯亞胺膜表面之間的邊界
實施本發明的最佳方式
圖1—顯示了通過相減法、使用載體伴隨銅箔層壓的聚醯亞胺膜製備銅
布線的聚醯亞胺膜的方法的一個實施方案，而且，以步驟(a)至步驟(h)的順
序顯示了鍍敷的銅布線聚醯亞胺膜的製備方法。
在步驟(a)，如圖l(a)中所示，提供用於製備根據本發明的銅布線聚醯 亞胺膜的載體伴隨銅箔層壓的聚醯亞胺膜1。載體伴隨銅箔層壓的聚醯亞 胺膜1具有聚醯亞胺膜2和載體伴隨銅箔3的層壓體結構。載體伴隨銅箔 3具有銅箔4和載體箔5的層壓體結構。
在步驟(b)，如圖l(b)中所示，將載體箔5從載體伴隨銅箔層壓的聚醯 亞胺膜1剝離，然後在步驟(c)，如圖l(c)中所示，對銅箔層壓聚醯亞胺膜 的銅箔的上部進行鍍銅6。在步驟(d)，如圖l(d)中所示，在銅箔層壓聚醯 亞胺膜的鍍銅層6的上部形成光致抗蝕劑7。在步驟(e)，如圖l(e)中所示， 將光致抗蝕劑暴露於使用布線圖案的掩模的光，並且除布線圖案的部分以 外，進行顯影和移除。於是，除布線圖案部位的部分以外的鍍銅層是裸露 的。
在步驟(f)，如圖l(f)中所示，通過蝕刻將經過顯影和移除光致抗蝕劑7 以及銅箔而顯現的鍍銅層(此部分是沒有變為布線圖案的部分)移除。然後 在步驟(g)，如圖l(g)中所示，移除鍍銅層上部的光致抗蝕劑7，並且用蝕 刻溶液清洗已經移除了銅箔的聚醯亞胺膜表面8，所述蝕刻溶液能夠移除 選自Ni、 Cr、 Co、 Zn、 Sn和Mo中的至少一種金屬或包含這些金屬中的 至少一種的合金。
另外在步驟(h)，如圖l(h)中所示，通過在銅-布線聚醯亞胺膜的銅布線 的至少一部分上鍍錫並且形成鍍錫層9，以製備鍍銅-布線聚醯亞胺膜。
圖2顯示了通過半-添加法、使用載體伴隨銅箔層壓的聚醯亞胺膜製備 銅布線的聚醯亞胺膜的方法的一個實施方案，而且，以步驟(a)至步驟(i) 的順序顯示鍍銅布線聚醯亞胺膜的製備方法。在步驟(a)，如圖2(a)所示，提供用於製備根據本發明的銅布線聚醯亞
胺膜的載體伴隨銅箔層壓的聚醯亞胺膜1。載體伴隨銅箔層壓的聚醯亞胺
膜1具有聚醯亞胺膜2和載體伴隨銅箔3的層壓體結構。載體伴隨銅箔3 具有銅箔4和載體箔5的層壓體結構。
在步驟(b)，如圖2(b)中所示，將載體箔5從載體伴隨銅箔層壓的聚醯 亞胺膜1剝離，然後在步驟(c)，如圖2(c)中所示，進行蝕刻，以使銅箔層 壓聚醯亞胺的銅箔更薄(半蝕刻)。然後在步驟(d)，如圖2(d)中所示，在銅 箔層壓聚醯亞胺膜的銅箔的上部形成光致抗蝕劑層17，然後在步驟(e)， 如圖2(e)所示，將光致抗蝕劑層暴露於使用布線圖案的掩模的光，並且將 形成布線圖案處的光致抗蝕劑的部分顯影並移除，於是要成為布線圖案部 位的銅箔被裸露。
然後在步驟(f)，如圖2(f)中所示，在銅箔的上部形成鍍銅層10，該銅 箔是在移除光致抗蝕劑層17以後顯現的布線圖案。在步驟(g)，如圖2(g) 中所示，將殘留在銅箔上的光致抗蝕劑層17移除。
然後在步驟(h)，如圖2(h)中所示，通過閃-蝕刻移除沒有成為布線圖案 的銅箔部位。隨後，用蝕刻溶液清洗移除了銅箔以後的裸露的聚醯亞胺膜 表面8，所述蝕刻溶液能夠移除選自Ni、 Cr、 Co、 Zn、 Sn和Mo中的至
少一種金屬或包括這些金屬中的至少一種的合金。
另外在步驟(i)，如圖2(i)中所示，通過在銅-布線聚醯亞胺膜的銅布線 的至少一個部分上鍍錫並且形成鍍錫層9，製備鍍敷的銅-布線聚醯亞胺膜。
在以上相減和半-添加法的各個步驟中，在需要時可以進行圖l(c)的鍍 銅步驟，並且例如，在銅箔薄時，優選進行鍍銅步驟。另外，在需要時可 以進行圖2(c)中的銅箔的膜-薄化步驟，並且例如，在銅箔厚時，優選進行 銅箔的膜-薄化步驟。確定銅箔是薄或是厚可以取決於它的應用目的。
在圖l(d)和圖2(d)中，光致抗蝕劑層可以是負性和正性，並且可以是 液體形式和膜形式。典型地，通過熱層壓負性幹膜-型抗蝕劑，或塗敷並幹 燥液體-型抗蝕劑，在銅箔上形成光致抗蝕劑。在負性的情況下，未曝光的 部位被移除；備選地，在正性的情況下，曝光部位通過顯影被移除。使用 幹膜-型抗蝕劑，可以容易地得到更厚的抗蝕劑。例如，將旭化成化學工業公司(Asahi Chemical Industry)生產的SPG-152和日立化成(Hitachi Kasei)生 產的RY-3215舉例為負性幹膜-型光致抗蝕劑。
對於使圖l(e)和圖2(e)中的光致抗蝕劑層顯影並移除的方法，可以適 當地選擇用於顯影並移除光致抗蝕劑層的已知化學品。例如，光致抗蝕劑 層可以通過噴塗碳酸鈉水溶液(1%等)等來顯影並移除。
對於圖1(c)和圖2(f)中的鍍銅步驟，可以適當地選擇己知的鍍敷條件。 例如，銅層是通過下列方法形成的用酸等清洗銅箔的裸露部位，並且在 典型包含作為主要形成成分的硫酸銅的溶液中，在銅箔作為陰極電極的情 況下，在O.l至10A/dn^的電流密度進行電解鍍銅。例如.，在已知的方法 中，加入180至240 g/1的硫酸銅、45至60 g/1的硫酸以及20至80 g/1的 氯離子，並且加入作為添加劑的硫脲、糊精或硫脲和糖蜜。
在圖2(h)的閃蝕刻步驟中，通過用閃蝕刻溶液浸漬或噴塗來移除銅布 線圖案部分以外的裸露薄膜銅。作為閃蝕刻溶液，可以使用眾所周知的閃 蝕刻溶液，並且其實例包括其中將過氧化氫與硫酸混合的溶液，或包含作 為主要組分的稀氯化鐵的水溶液，並且例如，由荏原電產(Ebam Densan) 生產的FE-830和由旭電化工業株式會社(Asahi Denka Kogyo)生產的 AD-305E。儘管在此，在移除薄銅箔時，電路部分(布線)的銅溶解，但是 沒有形成實質的缺陷，因為移除銅箔所必需的蝕刻量小。
對於圖2(c)中的銅箔的半蝕刻，可以適當地使用眾所周知的方法。例 如，存在的可以使用的方法是，其中，將銅箔層壓聚醯亞胺膜浸漬到眾所 周知的半蝕刻溶液中，或將該溶液噴塗在膜上，以進一步使銅箔變薄。至 於半蝕刻溶液，可以使用眾所周知的半蝕刻溶液，並且其實例包括其中將 過氧化氫與硫酸混合的溶液，或含有作為主要組分的過硫酸鈉水溶液的那 些溶液，並且例如，由荏原優吉萊特(Ebara-Udylite)生產的DP-200和由旭 電化工業株式會社(Asahi Denka Kogyo)生產的ADEKATEC CAP。
對於圖l(f)的銅-蝕刻，可以適當地使用眾所周知的銅-蝕刻溶液，並且 其實例包括鐵氰化鉀水溶液、氯化鐵水溶液、氯化銅水溶液、過硫酸銨水 溶液、過硫酸鈉水溶液、過氧化氫溶液、氫氟酸水溶液以及這些的組合。
本發明的特徵在於圖l(g)和圖2(h)中所示的使用蝕刻溶液的清洗步 驟。已經描述，所使用的蝕刻溶液可以是那些能夠移除選自Ni、 Cr、 Co、Zn、Sn和Mo中的至少一種金屬或包含這些金屬中的至少一種的合金的溶
液。為了粗糙化處理、防-腐蝕處理、耐熱性處理、耐化學性處理等，通常
用選自Ni、 Cr、 Co、 Zn、 Sn和Mo中的至少一種金屬或包含這些金屬中 的至少一種的合金(以下，將用於表面處理的金屬稱為表面-處理金屬)對載 體伴隨銅箔進行表面處理，因而，這些金屬存在於金屬箔表面上。本發明 意欲在清洗步驟中將通過通常的蝕刻而潛在地殘留在聚醯亞胺膜表面上 的表面-處理金屬。
因此，在根據本發明的清洗步驟中使用的蝕刻溶液是能夠移除表面-處理金屬的那些溶液，並且優選是能夠以比銅更快的速率移除表面-處理金 屬的蝕刻溶液。作為用於清洗的具體方法，例舉的是通過浸漬或噴塗處理 的清洗方法。另外，清洗條件可以是用於減少表面-處理金屬的條件，所述 表面-處理金屬用於對通過移除銅箔而顯現的聚醯亞胺膜表面上的銅箔的 表面處理，並且它優選在30至6(TC、在0.1至10分鐘的範圍內進行。
作為用於清洗的蝕刻溶液，可以使用但不限於眾所周知的蝕刻溶液， 例如Ni蝕刻溶液、Cr蝕刻溶液、Co蝕刻溶液、Zn蝕刻溶液、Sn蝕刻溶 液、Mo蝕刻溶液、Ni-Cr蝕刻溶液或酸性蝕刻溶液，只要該蝕刻溶液能夠 主要地移除表面-處理金屬即可，但是並不限於這些。
作為蝕刻溶液，可以使用用於Ni-Cr合金的蝕刻劑(Ni-Cr種層去除劑)， 並且其實例包括眾所周知的蝕刻溶液，例如由Meltex生產的MELSTRIP NC-3901、由旭電化工業株式會社(Asahi Denka Kogyo)生產的ADEKA REMOVER NR-135以及由Nihon Kagaku Sangyo生產的FLICKER-MH。 例如，還可以使用包含鹽酸的酸性蝕刻溶液以及包含鐵氰化鉀或高錳酸鉀 的鹼性蝕刻溶液。
具體地，當對銅布線的至少一部分進行鍍敷例如鍍錫時，在聚醯亞胺 膜的裸露表面上或在聚醯亞胺膜的裸露表面接觸銅布線的部位上不發生 或可以抑制鍍敷金屬例如鍍錫的反常沉積，並且改善電絕緣性質。此外， 使用粘合劑例如環氧樹脂和ACF的粘合性得以改善。
銅布線優選以不大於80pm的間距、以不大於50)nm的間距、以不大 於40(im的間距、以不大於30pm的間距、以不大於20 pm的間距，或以 不大於15 pm的間距形成。接著，顯示使用在其兩側上具有載體的聚醯亞胺膜層壓的銅箔，通過 半-添加法形成電路的方法的具體實例。在將至少一側上的載體箔剝離之前 或之後，在雙側層壓板的情況下，使用例如UV-YAG雷射同時移除兩側上
銅箔以及聚醯亞胺膜的一部分，從而形成透孔或盲導孔(blindviahole)。備 選地，預先通過蝕刻等移除要打孔的聚醯亞胺膜位置上的銅箔，然後可以 通過輻照二氧化碳雷射來移除聚醯亞胺膜，從而形成盲孔(blindvia)，或可 以通過衝孔或鑽孔來形成在兩側之間穿透的孔。如果需要，在形成孔之前 或之後，通過將覆銅層壓板浸漬到己知的半-蝕刻溶液中，或通過由噴塗裝 置噴塗該液體，使薄的銅箔進一步變薄。作為半蝕刻溶液，例如提出了其 中將過氧化氫與硫酸混合的那些溶液，或包含作為主要成分的過硫酸鈉水 溶液的那些溶液，並且例如，舉例的是由荏原優吉萊特(Ebam-Udylite)生產 的DP-200和由旭電化工業株式會社(Asahi Denka Kogyo)生產的ADEKA TECCAP。同時通過圖案-鍍敷法形成布線，以及通過使用電解-鍍敷法的 穿過孔的電連接形成過孔(via)的步驟可以通過例如如下方面進行例如(i) 通過使用鈀-錫膠體催化劑形成鈀-錫膜的所謂的DPS(直接鍍敷系統)法在 透孔或盲孔中形成導電膜，(ii)在銅箔的兩側上層壓光-性幹膜鍍敷-抗蝕劑 (photo-type dry film plating-resist), (iii)曝光於通過布線圖案的掩模的光，(iv) 噴塗1%的碳酸鈉水溶液等並且顯影，以移除處於要成為布線圖案的部位 以及處於要成為導電連接孔的部位的鍍敷-抗蝕劑層，(v)用酸等清洗銅箔 的裸露部位，和(vi)在銅箔作為陰極電極的情況下，在O.l至10 A/dn^的 電流密度進行電解鍍銅。因而，在孔中以及在兩側的電路部位上形成銅層。 這裡，可以將由荏原優吉萊特(Ebam-Udylite)製造的RISERTRON DPS系 統示例為DPS步驟。這裡，使用包含作為主要試劑的單乙醇胺的水溶液的 表面處理產生了容易吸附鈀-錫膠體催化劑的狀態。隨後，用軟-蝕刻溶液 移除通過處理而具有易於吸附性質的薄銅箔的表面，以抑制鈀-錫膜在銅箔 表面上的形成，並且保證銅箔表面和電解鍍敷的粘合強度。它被浸漬到氯 化鈉、鹽酸等中。在這些步驟以後，在包括浸漬到鈀-錫膠體液體中的活化 步驟中形成Pd-Sn膜。在含有碳酸鈉、碳酸鉀和銅離子的鹼性促進劑浴， 以及含有硫酸的酸性促進劑浴中的最後活化過程中，可以向用於活化的鹼 性促進劑浴中加入還原劑。可以加入的還原劑的實例包括例如醛，如甲醛、乙醛、丙醛和苯甲醛，以及兒茶酚、間苯二酚、抗壞血酸等。加入還 原劑的鹼性促進劑浴優選包含碳酸鈉、碳酸鉀和銅離子。通過已經所述的 方法，可以得到由Pd-Sn組成的低電阻膜。作為上述幹膜，可以包括負-
性抗蝕劑和正-性抗蝕劑，並且例如，將旭化成化學工業公司(Asahi Chemical Industry)生產的SPG-152和由日立化成(Hitachi Kasei)生產的 RY-3215例舉為負-性鍍敷-抗蝕劑。作為電解鍍銅，存在的方法是，例如 加入180至240 g/1的硫酸銅、45至60 g/1的硫酸和20至80 g/1的氯離子， 以及作為添加劑的硫脲、糊精或硫脲和糖蜜。然後，在通過噴塗2%的氫 氧化鈉水溶液以剝離並移除鍍敷-抗蝕劑層以後，通過浸漬到閃蝕刻溶液 中，或噴塗閃蝕刻溶液，將銅布線圖案部分被移除以外的裸露薄膜銅移除。 作為閃蝕刻溶液，例如，示例的是其中將過氧化氫與硫酸混合的那些溶液， 或包含作為主要成分的稀氯化鐵的水溶液，並且例如舉例的有由荏原電產 (Ebara Densan)生產的FE-830以及由旭電化工業株式會社(Asahi Denka Kogyo)生產的AD-305E。儘管在此，在移除薄銅箔時，電路部分的銅也溶 解，但是沒有實質的問題，因為用於移除銅箔所必需的蝕刻量小。隨後， 通過浸漬到化學液體中，或用化學液體的噴塗處理移除表面-處理金屬(例 如，以層的形式存在)，從而得到電路板。作為用於移除表面-處理金屬的 上述化學液體，例如示例的有由Nihon Kagaku Sangyo生產的 FLICKER-MH和由旭電化工業株式會社(Asahi Denka Kogyo)生產的 ADEKA REMOVER NR-13 5 。
然後，顯示使用在其兩側上具有載體的聚醯亞胺膜層壓銅箔，通過相 減法形成電路的方法的具體實例。在剝離至少一側上的載體箔之前或之 後，通過使用例如UV-YAG雷射同時移除兩側上的銅箔以及聚醯亞胺膜的 一部分，從而在雙側層壓板的情況下形成透孔或盲導孔，或在多層板的情 況下形成盲導孔。備選地，預先通過蝕刻等移除要打孔的聚醯亞胺膜位置 上的銅箔，然後可以通過輻照二氧化碳雷射來移除聚醯亞胺膜，從而形成 盲孔(blindvia)，或可以通過衝孔或鑽孔來形成在兩側之間穿透的孔。形成 孔之後，同時通過圖案-鍍敷法使薄銅箔變厚，以及通過使用電解-鍍敷法 的穿過孔的電連接形成過孔(via)的步驟可以通過例如如下方面進行例如 (i)通過使用鈀-錫膠體催化劑形成鈀-錫膜的所謂的DPS(直接鍍敷系統)法在透孔中形成導電膜，和(ii)典型地，在包含作為主要組分的硫酸銅的溶液 中，在銅箔作為陰極電極的情況下，在O.l至10A/dl^的電流密度進行電 解鍍銅。因而，在兩側上以及在孔中進行了銅-增厚。這裡，可以將由
Ebara-Udylite製造的RISERTRON DPS系統示例為DPS步驟。這裡，使
用包含作為主要試劑的單乙醇胺的水溶液的表面處理產生了容易吸附鈀-錫膠體催化劑的狀態。隨後，用軟-蝕刻溶液將通過處理而具有易於吸附性
質的薄銅箔的表面移除，以抑制鈀-錫膜在銅箔表面上的形成，並且保證銅 箔表面和電解鍍敷的粘合強度。將其浸漬到氯化鈉、鹽酸等中。在這些步 驟以後，在包括浸漬到鈀-錫膠體液體中的活化步驟中，形成Pd-Sn膜。在 含有碳酸鈉、碳酸鉀和銅離子的鹼性促進劑浴，以及含有硫酸的酸性促進 劑浴中的最後活化過程中，可以向用於活化的鹼性促進劑浴中加入還原 劑。可以加入的還原劑的實例包括例如醛，如甲醛、乙醛、丙醛和苯甲 醛，以及兒茶酚、間苯二酚、抗壞血酸等。加入還原劑的鹼性促進劑浴優 選包含碳酸鈉、碳酸鉀和銅離子。通過已經所述的方法，可以得到由Pd-Sn 組成的低電阻膜。然後，在銅箔上形成光性抗蝕劑，並且將其曝光於通過 布線圖案的掩膜的光，噴塗1%的碳酸鈉水溶液等並且顯影，以移除在除 要成為布線圖案的部位以外的部位上的抗蝕劑層，並且使銅層裸露。以上 提及的光性抗蝕劑典型地通過熱層壓負-性幹膜-型抗蝕劑，或塗覆和乾燥 正-性液體-型抗蝕劑而在銅箔上形成的。在負-性的情況下，曝光的部位在 顯影過程中保留，另一方面，在正-性的情況下，未曝光的部位在顯影過程 中保留。作為負-性幹膜-型抗蝕劑，可以使用由旭化成化學工業公司(Asahi Chemical Industry)生產的SPG-152和由日立化成(Hitachi Kasei)生產的 RY-3215等。然後，典型地用氯化鐵溶液將銅箔的裸露部位蝕刻並移除， 以形成布線圖案。然後，在通過噴塗2%的氫氧化鈉水溶液等移除抗蝕劑 層以後，通過浸漬到化學液體中，或用化學液體的噴塗處理來移除表面-處理金屬(例如，以層的形式存在)，從而得到電路板。作為用於移除表面-處理金屬的以上提及的化學液體，例如示例為由Nihon Kagaku Sangyo生 產的FLICKER-MH和由旭電化工業株式會社(Asahi Denka Kogyo)生產的 ADEKA REMOVER NR-135。
對於載體伴隨銅箔，如以上巳經描述的，用選自Ni、 Cr、 Co、 Zn、Sn和Mo中的至少一種金屬或包含這些金屬中的至少一種的合金，對要層
壓到聚醯亞胺膜上的至少一側進行表面-處理，例如粗糙化處理、防-腐蝕 處理、耐熱性處理或耐化學性處理。此外，表面優選經矽烷-偶聯處理。 載體伴隨銅箔沒有特別限制，但是優選地，可以使用的那些是厚度不
大於100(im、優選O.l至100pm，特別是1至100 pm的銅、銅合金等， 例如電解銅箔、軋制銅箔。對層壓到聚醯亞胺上的銅箔的表面粗糙度沒有 具體限制。
載體箔的材料沒有具體限制，並且只要它們可以粘貼到銅箔例如極薄 銅箔，並且起加強和保護該極薄銅箔的作用，以及可以容易地從該銅箔剝 離，就可以使用。例如，可以使用鋁箔、銅箔、具有金屬-塗布表面的樹脂 箔等。載體箔的厚度沒有具體限制，只要它們可以加強薄的銅箔，就可以 使用，並且通常可以優選使用15至200 pm的厚度。可以使用保護箔(載 體箔)，使得其平面地粘貼到極-薄金屬箔，例如極-薄銅箔。在伴載電解銅 箔的情況下，由於銅組分被電沉積在載體箔表面上以形成電解銅箔，因此 載體箔需要至少具有傳導性。
可以使用的載體箔是移動穿過一系列的製備步驟，並且與銅箔層保持 接合，至少直至銅箔層壓聚醯亞胺膜的製備完成，以及有利於處理的那些 載體箔。可以使用的載體箔，可以在將載體箔-伴隨的銅箔層壓到聚醯亞胺 箔以後，通過剝離移除，或可以在將載體箔-伴隨的銅箔層壓到聚醯亞胺箔 以後，通過蝕刻移除。
對於聚醯亞胺膜，它的線性膨脹係數(50至200。C)優選接近於被層壓 到聚醯亞胺膜上的銅箔的熱膨脹係數，並且聚醯亞胺膜的熱膨脹係數優選 為0.5><10'5 cm/cm/'C。如果將其熱收縮因子不大於0.05%的聚 醯亞胺膜用於該聚醯亞胺膜，則它由於小的熱-變形而被優選。對於聚醯亞 胺膜，它可以以單層、層壓有兩個以上層的多層膜以及片的形式來使用。 對於聚醯亞胺膜，可以優選使用具有優異耐熱性和電絕緣性的聚醯亞胺 膜。
聚醯亞胺膜的厚度沒有具體限制，但是它優選可以在這樣的範圍內， 該範圍使得可以沒有任何問題地與載體箔-伴隨銅箔的層壓，可以進行製備 和處理，並且可以充分地支撐銅箔。優選地，它為l至500 pm、更優選2至300 (im、進一步優選5至200 fim、更優選7至175 (im、特別優選8至 100 (im。
作為這裡使用的聚醯亞胺膜，可以在基底的至少一側上通過例如電暈 放電處理、等離子體處理、化學粗糙化處理、物理粗糙化處理等，以處理 基底表面。
聚醯亞胺膜可以通過己知的方法製備，並且例如，對於單層聚醯亞胺
膜，可以利用下列方法
方法(l)，將作為聚醯亞胺前體的聚(醯胺酸)的溶液流延或塗敷在載體 上並且使它醯亞胺化，
方法(2)，將聚醯亞胺溶液流延或塗敷在載體上，然後在必要時將其加熱。
對於兩個以上的層的聚醯亞胺膜，可以利用下列方法-
方法(3)，將作為聚醯亞胺前體的聚(醯胺酸)的溶液流延或塗敷在載體 上，此外將用於第二或隨後層的作為聚醯亞胺前體的聚(醯胺酸)的溶液， 繼續流延或塗敷在流延或塗敷於載體上的先前聚(醯胺酸)層的上表面上， 並且使它們醯亞胺化，
方法(4)，將作為聚醯亞胺前體並且用於兩個以上的層的聚(醯胺酸)的 溶液同時流延或塗敷在載體上並且使它們醯亞胺化，
方法(5)，將聚醯亞胺溶液流延或塗敷在載體上，此外將用於第二或隨 後層的聚醯亞胺溶液，繼續流延或塗敷在流延或塗敷於載體上的先前聚醯 亞胺層的上表面上，並且在必要時將它們加熱，
方法(6)，將用於兩個以上的層的聚醯亞胺溶液同時流延或塗敷在載體 上並且在必要時將它們加熱，
方法(7)，直接或通過粘合劑將兩種以上的通過上述方法(1)至(6)得到的
聚醯亞胺膜層壓。
在載體伴隨銅箔和聚醯亞胺膜進行層壓時，可以使用加熱機、壓縮機 或熱壓機，並且優選地，取決於要使用的材料而適當選擇加熱或壓縮條件。 儘管製備方法沒有具體限制，只要可進行連續或間歇層壓即可，但是它優 選通過使用輥層壓或雙-皮帶壓機等連續進行。
作為載體伴隨銅箔層壓的聚醯亞胺膜的製備方法的實施方案，示例了下列方法。
1) 將相當長的載體伴隨銅箔、相當長的聚醯亞胺膜以及相當長的載體 伴隨銅箔以此順序堆疊為3層，並且在需要時，在外部堆疊另外的保護膜， 並且將它們供給到壓縮-粘合機中。在此方法中，在最接近引入到機器中之 前的生產線中，優選通過使用預-加熱機例如熱-空氣鼓風機或紅外加熱機，
在約150至25(TC，特別是在高於150。C並且250。C以下的溫度，預加熱它 們約2至120秒。
2) 通過使用一對壓縮-粘合輥或雙-皮帶按壓機，將載體伴隨銅箔/聚醯 亞胺膜/載體伴隨銅箔的這三層在壓力下熱粘合，其中，壓縮-粘合輥或雙-皮帶壓機的加熱和壓縮-粘合區中的溫度在比聚醯亞胺的玻璃化轉變溫度 高2(TC以上並且低於40(TC的範圍內，特別在比該玻璃化轉變溫度高30 °C以上並且低於400°C的範圍內。
3) 特別地，在雙-皮帶壓機的情況下，在冷卻區，將層壓體在被按壓的 同時連續冷卻至比聚醯亞胺的玻璃化轉變溫度低2(TC以上，特別是低30 x:以上的溫度，以完成層壓，並且將其以巻的形式重繞。因而，可以製備 巻-形式的雙側載體伴隨銅箔層壓的聚醯亞胺膜。
這裡使用的聚醯亞胺膜具有熱壓-粘合性性質，並且具有兩個以上的 層，S卩，在耐熱性聚醯亞胺層(Sl)的至少一側上的熱壓-粘合性聚醯亞胺層 (S2)。作為多層聚醯亞胺膜的層構造的實例，示例的是S2/S1、 S2/S1/S2、 S2/S1/S2/S1、 S2/S1/S2/S1/S2等。
在具有熱壓-粘合性性質的聚醯亞胺膜中，可以適當地選擇耐熱性聚醯
亞胺層(S1)和熱壓-粘合性聚醯亞胺(S2)的厚度，並且熱壓-粘合性聚醯亞胺 膜的上-表面層的熱壓-粘合性聚醯亞胺(S2)的厚度在0.5至10 ,、優選1 至7jim、更優選2至5 pm的範圍內。通過在耐熱性聚醯亞胺層(S1)的兩 側上形成具有幾乎相同厚度的熱壓-粘合性聚醯亞胺層(S2)，可以減少蜷 曲。
在具有熱壓-粘合性性質的聚醯亞胺膜中，可以從具有下列性質中的至 少一種的那些、或具有下列性質中的至少兩種的那些(S卩，l)和2)、 l)和 3)或2)和3)的組合}，特別是從具有全部下列性質的那些中選擇用於耐熱 性聚醯亞胺層(S1層)的耐熱性聚醯亞胺。1) 在單獨聚醯亞胺膜的情況下，玻璃化轉變溫度為30(TC以上，優選
33(TC以上，並且進一步優選地，玻璃化轉變溫度是不可檢測的。
2) 在單獨聚醯亞胺膜的情況下，線性膨脹係數(50至200。C)(MD)接近 於層壓在聚醯亞胺膜上的金屬箔例如銅箔的熱膨脹係數，並且在使用銅箔 作為金屬箔時，聚醯亞胺膜的熱膨脹係數優選為5xlO-s至28xl(T、m/cm/ X:，更優選為9xl(r6至20xl(r6cm/cmrC，進一步優選為12xl(T6至18xl(T6 cm/cm/。C o
3) 在單獨聚醯亞胺膜的情況下，拉伸模量(MD， ASTM-D882)為300 kg/mm2以上，優選為500 kg/mm2以上，進一步優選為700 kg/mm2以上。
作為在具有熱壓-粘合性性質的聚醯亞胺膜中的耐熱性聚醯亞胺層 (Sl)，可以使用由酸組分和二胺組分的組合所製備的這種聚醯亞胺，所述 酸組分主要包含3,3',4，4'-聯苯四羧酸二酐(s-BPDA)、均苯四酸二酐(PMDA) 和3,3',4,4'-二苯酮四羧酸二酐(BTDA)，所述二胺組分主要包含對苯二胺 (PPD)和4，4'-二氨基二苯基醚(DADE)。優選的實例列出如下。
(1) 由3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(s-BPDA)和對苯二胺(PPD)以及任選的 4,4'-二氨基二苯基醚(DADE)製備的聚醯亞胺。在此情況下，PPD/DADE 的比率(摩爾比)優選為100/0至85/15。
(2) 由3，3',4,4'-聯苯四羧酸二酐、均苯四酸二酐、對苯二胺和4,4'-二氨 基二苯基醚製備的聚醯亞胺。在此情況下，BPDA/PMDA的比率優選為 15/85至85/15，而PPD/DADE的比率優選為90/10至10/90。
(3) 由均苯四酸二酐、對苯二胺和4,4'-二氨基二苯基醚製備的聚醯亞 胺。在此情況下，DADE/PPD的比率優選為90/10至10/90。
(4) 由3，3',4，4'-二苯酮四羧酸二酐(BTDA)、均苯四酸二酐和4，4'-二氨基 二苯基醚製備的聚醯亞胺。在此情況下，在酸二酐中的BTDA/PMDA的 比率優選為20/80至90/10，而二胺中的PPD/DADE的比率優選為30〃0 至90/10。
用於耐熱性聚醯亞胺層(S1層)的耐熱性聚醯亞胺的合成通過任何方法 實現，例如無規聚合或嵌段聚合，或者包括將預先合成的兩種聚(醯胺酸) 的溶液結合以及在反應條件下混合以產生均勻溶液的方法。
在耐熱聚醯亞胺的合成中，通過使用上述各種組分，將幾乎等克分子量的二胺組分和二酐在有機溶劑中反應，從而產生聚(醯胺酸)溶液(它可以 被部分地醯亞胺化，只要保持均勻溶液狀態即可)。
可以使用其它的四羧酸二酐或二胺，對這兩者的種類和量進行選擇， 以使不降低耐熱性聚醯亞胺的性質。
另一方面，用於熱壓-粘合性聚醯亞胺層(S2)的熱壓-粘合性聚醯亞胺是
對金屬箔具有熱壓-粘合性性質的聚醯亞胺1)，優選地，通過在不低於熱
壓-粘合性聚醯亞胺(S2)的玻璃化轉變溫度並且不高於40(TC的溫度下，與 金屬箔層壓而被熱壓-粘合性。
此外，熱壓-粘合性聚醯亞胺層(S2)的熱壓-粘合性聚醯亞胺優選具有下 列性質中的至少一種。
2) 熱壓-粘合性聚醯亞胺(S2)在金屬箔和聚醯亞胺(S2)之間具有的剝離 強度為0.7N/mm以上，並且在15(TC熱處理168小時以後，剝離強度的保 留為90%以上，進一步為95%以上，特別是100%以上。
3) 它的玻璃化轉變溫度為130至33(TC。
4) 它的拉伸模量是100至700 Kg/mm2。
5) 它的線性膨脹係數(50至20(TC)(MD)是13至30xl(T6 cm/cm/°C 。 熱壓-粘合性聚醯亞胺層(S2)的熱壓-粘合性聚醯亞胺可以選自己知的
熱塑性聚醯亞胺。例如，可以使用由酸組分和二胺組分製備的聚醯亞胺， 所述酸組分包括選自酸二酐例如2,3，3',4'-聯苯四羧酸二酐(a-BPDA)、 3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(s-BPDA)、均苯四酸二酐(PMDA)、 3，3',4,4'-二苯 酮四羧酸二酐(BTDA)、 3,3'，4，4'-二苯碸四羧酸二酐、4,4'-氧二鄰苯二甲酸 二酐(ODPA)、對-亞苯基二(l，2，4-苯三酸單酯酐)、3,3',4,4'-二苯甲酸乙二醇
酯四羧酸二酐中的至少一種，優選將它們作為主要組分包含，並且
所述二胺組分在它的主鏈中具有至少3個苯環，包括選自二胺例如1,4-二(4-氨基苯氧基)苯、1，3-二(4-氨基苯氧基)苯、1,3-二(3-氨基苯氧基)苯、 2,2-二[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-二[4-(3-氨基苯氧基)苯基]丙烷、二 [4-(4_氨基苯氧基)苯基]碸、二[4-(3-氨基苯氧基)苯基]碸中的至少一種，優 選將它們作為主要組分包含，並且在必要時，進一步包含在其主鏈中具有 一個或兩個苯環的二胺組分。
優選在這裡使用的熱壓-粘合性聚醯亞胺是優選由酸組分和二胺組分製備的聚醯亞胺，所述酸組分由選自2,3,3',4'-聯苯四羧酸二酐(a-BPDA)、 3，3'，4，4'-聯苯四羧酸二酐(s-BPDA)、均苯四酸二酐(PMDA)和3，3'，4,4'-二苯 酮四羧酸二酐(BTDA)，而所述二胺組分選自1,4-二(4-氨基苯氧基)苯、1,3-二(4-氨基苯氧基)苯、1,3-二(3-氨基苯氧基)苯和2,2-二[4-(4-氨基苯氧基) 苯基]丙烷。必要時，可以包含在其主鏈中具有一個或兩個苯環的二胺組分 以及除以上所述以外的二胺和酸組分。 —
特別優選的是從包含80摩爾％以上的1,3-二(4-氨基苯氧基)苯(以下， 可以稱為TPER)的二胺組分以及3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐和2,3,3',4'-聯苯 四羧酸二酐(以下，可以稱為a-BPDA)製備的那些聚醯亞胺。在此情況下， s-BPDA/a-BPDA優選為100/0至5/95，並且，可以由其它的四羧酸二酐例 如2,2-二(3，4-二羧基苯基)丙烷酸二酐、2，3,6,7-萘(n叩htaren)四羧酸二酐等 以不使熱壓-粘合性聚醯亞胺的性質劣化的量代替。
熱壓-粘合性聚醯亞胺可以通過這樣的方法製備，在所述方法中，在不 高於IO(TC，特別是20至6(TC的溫度下，使各種上述組分和另外的其它 四羧酸二酐以及其它的二胺在有機溶劑中反應，以產生聚(醯胺酸)溶液， 然後將此聚(醯胺酸)溶液用作塗料液體，形成塗料液體的膜，並且將溶劑 從膜蒸發，以及同時使聚(醯胺酸)被醯亞胺-環化(imide-cydized)。備選地， 熱壓-粘合性聚醯亞胺的有機溶劑溶液可以通過下面的方法得到在150 至25(TC加熱上述製備的聚(醯胺酸)溶液，或在15(TC以下加入醯亞胺化 劑，特別是在15至50。C反應，隨後，在醯亞胺化以後使溶劑蒸發，或隨 後在不良溶劑中沉澱，以產生粉末，並且將該粉末溶解在有機溶液中。
為了得到熱壓-粘合性聚醯亞胺，二胺的量(按氨基的摩爾計)對酸酐的 總摩爾(按四酸二酐和二羧酸酐的酸酐基團的總摩爾計)的比率優選為0.95 至l.O，特別是0.98至1.0，它們中，特別是0.99至1.0。當使用二羧酸酐 時，它們按四酸二酐對酸酐基團的摩爾的比率的量為0.55以下，因而各個 組分都可以被反應。
當在熱壓-粘合性聚醯亞胺的生產中所得到的聚(醯胺酸)的分子量低 時，可能降低對層壓體中的金屬箔的粘合強度。
另外，為了限制聚(醯胺酸)的凝膠化，在聚(醯胺酸)的聚合中，可以在 0.01至1%的固體(聚合物)的範圍內加入磷-基穩定劑，例如亞磷酸三苯酯、磷酸三苯酯等。另外，為了促進醯亞胺化，可以向塗料液體中加入鹼性有機化合物。 例如，可以以聚(醯胺酸)的0.05至10重量％、特別是O.l至2重量％的比例使用咪唑、2-咪唑、1，2-二甲基咪唑、2-苯基咪唑、苯並咪唑、異喹啉、取代的吡啶等。由於這些在相對低的溫度下可以形成聚醯亞胺膜，因此可 以使用這些以避免不充分的醯亞胺化。另外，為了穩定粘合強度，可以向 用於聚醯亞胺的聚(醯胺酸)溶液中加入有機鋁化合物、無機鋁化合物或有機錫化合物。例如，可以以按鋁金屬計的1 ppm以上，特別是1至1000 ppm， 將氫氧化鋁、三乙醯丙酮化鋁等加入到聚(醯胺酸)中。至於用於由酸組分和二胺組分製備聚(醯胺酸)的有機溶劑，對於耐熱 性聚醯亞胺和熱壓-粘合性聚醯亞胺，示例的是N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N，N-二乙基乙醯胺、二甲亞碸、六甲 基磷醯胺、N-甲基已內醯胺、甲酚。這些有機溶劑可以單獨或兩種以上一 起使用。對於耐熱性聚醯亞胺和熱壓-粘合性聚醯亞胺，為了封住它們的終端， 可以使用二羧酸酐，例如鄰苯二甲酸酐及其取代產物、六氫鄰苯二甲酸酐 及其取代產物、琥珀酸酐及其取代產物等，特別是鄰苯二甲酸酐。具有熱壓-粘合性性質的聚醯亞胺膜可以優選通過方法(i)或(ii)得到，即(i) 通過共擠出-流延膜形成方法(也簡稱為多-層擠出)，將耐熱性聚醯亞 胺(S1)的塗料液體和熱壓-粘合性聚醯亞胺(S2)的塗料液體層壓、乾燥並醯亞胺化，以產生多-層聚醯亞胺膜，或(ii) 將耐熱性聚醯亞胺(Sl)的塗料液體流延在載體上，並且乾燥，以產 生自-支撐膜(凝膠膜)，接著，在它的一側或兩側上塗敷熱壓-粘合性聚醯亞 胺(S2)的塗料液體，並且乾燥和醯亞胺化，以產生多-層聚醯亞胺膜。對於共擠出方法，可以使用在日本公開專利公布H03-180343(日本 Kokoku專利公布H07-102661)中描述的方法。示出在兩側上具有熱壓-粘合性性質的三-層聚醯亞胺膜的製備的實施 方案。通過三-層共擠出方法，將聚醯亞胺(S1)的聚(醯胺酸)溶液和聚醯亞 胺(S2)的聚(醯胺酸)供給到三-層擠出模製模頭，使得耐熱性聚醯亞胺層(S1層)的厚度為4至45 pm，並且在兩側的熱壓-粘合性聚醯亞胺層(S2層)的 厚度總計為3至10 |_im;以及，將其流延在載體上，而且這是流延和塗敷 在平滑的載體表面例如無瑕疵的鏡面和無瑕疵的皮帶表面上的，並且在 100至20(TC下，以半-固化狀態或在半-固化之前的乾燥狀態得到自-支撐 膜形式的聚醯亞胺膜A。對於自-支撐膜形式的聚醯亞胺膜A，如果在高於20(TC的溫度處理流 延膜，則在具有熱壓-粘合性性質的聚醯亞胺膜的製備過程中趨於產生一些 缺陷，例如粘合性降低。此半-固化狀態或在半-固化之前的狀態是指通過 加熱和/或化學醯亞胺化的自-支撐狀態。將所得到的自-支撐膜形式的聚醯亞胺膜A在不低於聚醯亞銜S2)的玻 璃化轉變溫度以及不高於劣化-發生溫度的溫度，優選為250至42(TC的溫 度(通過表面溫度計測量的表面溫度)加熱(優選在此溫度加熱0.1至60分 鍾)，並且乾燥和醯亞胺化。從而製備出在耐熱性聚醯亞胺層(S1層)的兩側 上具有熱壓-粘合性聚醯亞胺層(S2層)的聚醯亞胺膜。在所得到的自-支撐膜形式的聚醯亞胺膜A中，溶劑和生成的水優選 保持在約25至60質量％，特別優選30至50質量％。當將自-支撐膜加熱 到乾燥溫度時，優選將其加熱相對短的時期，例如優選加熱速率不低於10 。C/分鐘。在乾燥時，通過增加施加到自-支撐膜的張力，可以減小最終得 到的聚醯亞胺膜A的線性膨脹係數。然後，在以上提及的乾燥步驟之後，在通過至少與自-支撐膜一起連續 或間歇移動的固定裝置固定自-支撐膜的一對側邊緣的條件下，在高於乾燥 溫度的高溫，優選在200至550'C的範圍內，特別優選在300至50(TC的 範圍內，連續或間歇乾燥並且熱處理自-支撐膜，並且優選進行1至100 分鐘，特別是1至10分鐘。可以通過以下方法形成在兩側上具有熱壓-粘 合性性質的聚醯亞胺膜從自-支撐膜充分移除溶劑等，並且同時，使構成 該膜的聚合物充分醯亞胺化，使得由有機溶劑和產生的水組成的揮發性組 分的含量不大於1重量％。沿連續或間歇供給的固化膜的縱向兩側，這裡優選使用的自-支撐膜的 固定裝置裝備有一對皮帶或鏈，所述皮帶或鏈具有處於均勻間隔的許多銷 釘或夾具，並且該固定裝置在使該對皮帶或鏈隨膜的移動而連續或間歇移動的同時，能夠固定膜。另外，以上固化膜的固定裝置可以能夠以在整個 寬度或縱向上的合適拉伸比或收縮比(特別地，優選約0.5至5%的拉伸或 收縮比)使在熱處理下的膜拉伸或收縮。通過在低張力或沒有張力下，優選在不高於4N、特別優選不高於3N 的張力下，在100至400。C的溫度，將在兩側上具有熱壓-粘合性性質的聚 醯亞胺膜再次熱-處理，並且優選進行O.l至30分鐘，可以得到具有特別 優異的尺寸穩定性的在兩側上具有熱壓-粘合性性質的聚醯亞胺膜。另外， 可以通過適當的己知方法，將這樣製備的在兩側上具有熱壓-粘合性性質的 相當長的聚醯亞胺膜以巻的形式重繞。當將載體伴隨銅箔與在高耐熱性聚醯亞胺層的至少一側上層壓有熱壓 -粘合性聚醯亞胺層的聚醯亞胺膜層壓時，可以使用加熱機、壓縮機或熱壓 機，並且優選地，取決於待使用的材料而適當選擇加熱或壓縮的條件。盡 管制備方法沒有特別限制，只要能夠使用連續或間歇層壓即可，但是優選 通過使用輥層壓或雙-皮帶壓機等連續進行。優選通過使用以上提及的在其兩側或一側上形成有熱壓-粘合性聚醯 亞胺層(S2層)的聚醯亞胺膜，通過層壓銅箔的表面-處理側面，可以製備出 載體伴隨銅箔層壓的聚醯亞胺膜。作為載體伴隨銅箔層壓的聚醯亞胺膜的製備方法的一個實施方案，示 例下列方法。1) 將相當長的載體伴隨銅箔、相當長的具有熱壓-粘合性性質的聚醯亞 胺膜以及相當長的載體伴隨銅箔以此順序堆疊，此外，在需要時，在外部 堆疊保護膜，並且將它們供給到熱壓機。在此方法中，優選通過使用預-加熱機例如熱-空氣鼓風機或紅外加熱機，在最接近引入到機器中之前的生 產線中，優選將它們在約150至25(TC，特別是在高於15(TC並且25(TC以 下的溫度，預_加熱約2至120秒。2) 通過使用一對壓縮-粘合輥或雙-皮帶壓機，將載體伴隨銅箔/聚醯亞胺膜/載體伴隨銅箔的這三層在壓力下熱粘合，其中，壓縮-粘合輥或雙-皮 帶壓機的加熱和壓縮-粘合區中的溫度在比聚醯亞胺(S2)的玻璃化轉變溫 度高2CTC以上並且低於400°C ，特別是比該玻璃化轉變溫度高30°C以上並 且低於400"C的範圍內。3)特別地，在雙-皮帶壓機的情況下，在冷卻區，將層壓體被按壓的同時連續冷卻至比聚醯亞胺(S2)的玻璃化轉變溫度低20°C以上，特別是低30 。c以上的溫度，以完成層壓，並且將其以巻的形式重繞。因而，可以製備巻-形式的雙側載體伴隨銅箔層壓的聚醯亞胺膜。在此製備方法中，熱壓-粘合之前的聚醯亞胺膜的預-加熱有效地防止 了缺陷外觀的產生，所述缺陷外觀是層壓體在熱壓-粘合之後發泡而引起 的，或當在電子電路的形成過程中，浸漬於焊料浴中時，由於聚醯亞胺所 包含的溼氣所致的發泡而引起的。從而，可以防止生產收率的降低。雙-皮帶壓機在施加壓力的同時可以進行加熱至高溫和進行冷卻，並且 使用載熱體的流體靜力學類型是優選的。在雙側載體伴隨銅箔層壓的聚醯 亞胺膜的製備中，通過使用雙-皮帶壓機，在壓力下的熱壓-粘合和冷卻，以lm/分鐘以上的牽引速率，優選地進行層壓。這樣得到的雙側載體伴隨 銅箔層壓的聚醯亞胺膜是連續長的，並且具有約400mm以上，特別是約 500 mm以上的寬度，以及高的粘合強度(金屬箔和聚醯亞胺層的剝離強度 為0.7N/mm以上，而且在150。C下熱處理並且進行168小時以後，剝離強 度的保留率為90%以上)，以及還具有良好的外觀，從而基本上沒有觀察 到褶皺。在本發明中，為了大規模製備具有良好外觀的雙側載體伴隨銅箔層壓 的聚醯亞胺膜，同時供給具有熱壓-粘合性性質的聚醯亞胺膜與銅箔的一種 以上的組合，在處於兩側的上-表面層和皮帶之間放置保護片 (protector)(即，兩片保護片)，並且優選在壓力下通過熱壓-粘合和冷卻將這 些粘合和層壓在一起。對於保護片，它的材料的使用沒有特別限制，只要 它是非-熱壓-粘合性的並且具有良好的表面平滑度即可，並且其優選實例 包括厚度為約5至125 ^m的金屬箔，特別是銅箔、無瑕疵的箔、鋁箔， 以及高耐性熱聚醯亞胺膜(由宇部興產(Ube Industries)生產的Upilex、由 DuPont-TORAY生產的Kapton H)等。作為銅-布線聚醯亞胺膜，還可以使用具有上述的在其至少一側通過粘 合劑層壓有銅箔的表面處理面的耐熱性聚醯亞胺(Sl)的那些銅-布線聚醯 亞胺膜。在銅-布線聚醯亞胺膜中，當耐熱聚醯亞胺(S1)和金屬箔通過粘合 劑層壓時，該粘合劑可以是熱固性或熱塑性的。熱固性粘合劑的實例包括環氧樹脂、NBR-酚-基樹脂、酚-丁醛-基樹脂、環氧-NBR-基樹脂、環氧-酚-基樹脂、環氧-尼龍-基樹脂、環氧-聚酯-基樹脂、環氧-壓克力(acryl)-基 樹脂、壓克力-基樹脂、聚醯胺-環氧-酚-基樹脂、聚醯亞胺-基樹脂、聚醯 亞胺矽氧垸-環氧樹脂，而熱塑性粘合劑的實例包括聚醯胺-基樹脂、聚酯-基樹脂、聚醯亞胺-基粘合劑、聚醯亞胺矽氧烷-基粘合劑。具體地，可以 優選使用聚醯亞胺粘合劑、聚醯亞胺矽氧烷-環氧粘合劑、環氧樹脂粘合劑。
在各種電子裝置，例如計算機、終端機、電話、通信裝置、測量控制 機、照相機、鐘錶、汽車、辦公用品、家居電子用品、飛機儀器、醫療器 械的領域中，蝕刻並清洗的銅-布線聚醯亞胺膜以及其中銅箔布線的至少一 個部分被鍍敷的銅-布線聚醯亞胺膜，可以用作柔性布線電路基板、組合電 路基板或IC載體帶基板。
在本發明中，據推測，鍍敷反常性被抑制，因為在銅箔被移除以後所 顯現的聚醯亞胺膜表面上所存在的表面處理金屬被移除。
實施例
將通過參考下列實施例，更具體地描述本發明。然而，本發明不限於 這些實施例。
根據以下方法進行物理性質評價。
1) 聚醯亞胺膜的玻璃化轉變溫度(Tg):從通過動態粘彈性方法(拉伸法；
頻率6.28拉德(rad)/秒；溫度上升速率10。C/分鐘)的峰tan3值測定。
2) 聚醯亞胺膜的線性膨脹係數(50至20(TC):通過TMA法(拉伸法； 溫度上升速率5。C/分鐘)測定在20至20(TC的平均線性膨脹係數。
3) 金屬箔層壓聚醯亞胺膜(如所製備的)的剝離強度，聚醯亞胺膜和粘合 帶(adhesion tape)的剝離強度根據JIS-C6471，製備在相同試驗方法所限 定的寬度為3 mm的引線(lead)，並且對於各自來自巻內部側和巻外部側的 金屬的9個試件，以50 mm/分鐘的十字頭速度(crosshead speed)測量90° 剝離強度。對於聚醯亞胺膜和銅箔層壓聚醯亞胺膜，它的剝離強度是9個 值的平均值。對於聚醯亞胺膜和粘合劑片的層壓體，它的剝離強度是3個 值的平均值。如果金屬箔的厚度小於5pm，則將它電鍍至20pm的厚度， 並且進行測量。(巻內部是指再巻繞的金屬箔層壓聚醯亞胺膜的內側的剝離強度，而巻外部是指再巻繞的金屬箔層壓聚醯亞胺膜的外側的剝離強度。)4) 金屬箔層壓聚醯亞胺膜的剝離強度(在15(TC加熱並且進行168小時以後)根據JIS-C6471，製備在相同試驗方法所限定的寬度為3 mm的引 線，並且在將3個試件放置在150。C的空氣循環恆溫爐中並且達168小時 以後，以50 mm/分鐘的十字頭速度測量90°剝離強度。剝離強度是3個值 的平均值。如果金屬箔的厚度小於5 (im，則將它電鍍至20 (im的厚度， 並且進行測量。在15(TC熱處理並且進行168小時以後的剝離強度的保留率是根據以 下數值公式(l)計算的。(巻內部是指再巻繞的金屬箔層壓聚醯亞胺膜的內 側的剝離強度，而巻外部是指再巻繞的金屬箔層壓聚醯亞胺膜的外側的剝 離強度。)X(%) = Z/YxlOO (1) (X是在150。C熱處理並且進行168小時以後的剝離強度的保留率，Y 是在加熱之前的剝離強度，並且Z是在15(TC熱處理並且進行168小時以後的剝離強度。)5) 聚醯亞胺膜的絕緣擊穿電壓根據ASTM-D149測定(絕緣擊穿時的 電壓是通過以1000V/秒的速率升高電壓而測量的)。在聚醯亞胺的厚度最 高50(im時，它是在空氣中測量的，而當厚度為50pm或更厚時，它是在 油中測量的。6) 金屬箔層壓聚醯亞胺膜的布線間(Inter-wiring)的絕緣電阻、體積電 阻根據JIS-C6471測定。7) 聚醯亞胺膜的力學性質-拉伸強度根據ASTM-D882測定(十字頭速度50mm/分鐘)。 -伸長百分比根據ASTM-D882測定(十字頭速度50 mm/分鐘)。 -拉伸模量根據ASTM-D882測定(十字頭速度5 mm/分鐘)。參考例1:聚醯亞胺S1的製備將對-苯二胺(PPD)和3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(s-BPDA)以1000:998的 摩爾比加入到N-甲基-2-吡咯垸酮中，使得單體濃度為18%(重量％，以下相同)，然後使混合物在5(TC反應3小時。得到的聚(醯胺酸)溶液在25°C 的溶液粘度為約1680泊。
參考例2:聚醯亞胺S2的製備
將1，3-二(4-氨基苯氧基)苯(TPE-R)、 2，3,3'，4'-聯苯四羧酸二酐(a-BPDA) 和3，3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(s-BPDA)以1000:200:800的摩爾比加入到N-甲基-2-吡咯烷酮中，使得單體濃度為18%，並且進一步以相對於單體的 0.5重量。/。加入磷酸三苯酯，然後使混合物在4(TC反應3小時。得到的聚(醯 胺酸)溶液在25'C的溶液粘度為約1680泊。
參考例3:聚醯亞胺膜A1的製備
通過使用安置有3層擠出模頭(多支管類型的模頭)的膜-形成裝置，在 改變3層擠出模頭的厚度的同時，將從參考例1和2得到的聚(醯胺酸)溶 液流延在金屬載體上，並且在14(TC的熱空氣下連續乾燥以後，剝離，形 成自-支撐膜。在從載體剝離此自-支撐膜以後，通過在加熱爐中逐漸從150 C加熱到45(rC，以移除溶劑，並且進行醯亞胺化，以及將得到的長的3 層聚醯亞胺膜巻繞到輥上。
評價所得到的3層聚醯亞胺膜(S2/S1/S2)的性質。
-厚度模式(pattern): 4 [am/4 |am (總計25 pm)
-S2層的玻璃化轉變溫度240°C， Sl層的玻璃化轉變溫度34(TC以 上，沒有檢測到確切的溫度。
-線性膨脹係數(50至200°(:): MD19ppm/。C， TD17ppm/。C
-力學性質
1) 拉伸強度MD， TD 520MPa
2) 伸長率MD， TD 100%
3) 拉伸模量MD， TD7100MPa
-電性質
1) 擊穿電壓7.2 kV
2) 介電常數(1 GHz): 3.20
3) 介電正切(Dielectrictangent)(1 GHz): 0.0047實施例l:使用載體伴隨銅箔，通過半-添加法形成電路的方法
將由Nippon Denkai生產的巻起的載體伴隨銅箔(YSNAP-3B:載體厚 度18 (im，薄的銅箔3 pm)、在參考例3中得到的聚醯亞胺膜A1(S2/S1/S2 的三層結構)和UpilexS(由宇部興產(Ube Industries)生產，聚醯亞胺膜， 25pm)層壓，提供到加熱區(最高加熱溫度330°C)，然後提供到冷卻區(最 低冷卻溫度18(TC)，其中，所述聚醯亞胺膜A1在最接近雙-帶壓機之前 的生產線中，通過在20(TC的熱空氣預-加熱30秒。因而，在3.9MPa的 壓縮-粘合壓力和2分鐘的壓縮-粘合時間的情況下，層壓連續地完成了熱 壓-粘合和冷卻，然後將其巻繞在巻繞輥上，以形成巻起的聚醯亞胺膜(寬 度540 mm，長度1000 m)，其中載體伴隨銅箔已經被層壓在一側上。
用Ni-Cr種子層去除劑清洗
從巻起的一側載體伴隨銅箔層壓的聚醯亞胺膜切下10.5x25 cm的矩 形樣品，並且將載體箔剝去。
使用由Ebara-Udylite生產的DP-200作為半蝕刻溶液，在25。C浸漬已 被剝去載體箔的銅箔層壓聚醯亞胺膜的銅箔，並且進行3分鐘，從而使得 銅箔的厚度變為1 pm。
在ll(TC，通過熱輥將幹膜-型負性光致抗蝕劑(由旭化成化學工業公司 (Asahi Chemical Industry)生產的SPG-152)層壓在半-蝕刻處理的銅箔上之 後，使除欲形成電路(布線圖案)的部分以外的部位曝光，並且將未曝光的 抗蝕劑用2%的碳酸鈉水溶液噴塗-顯影並且移除，以及在將薄銅箔的裸露 部位脫脂和酸-清洗以後，在以銅箔作為陰極電極的硫酸銅浴中、在25°C 於2 A/dm2的電流密度下進行電解鍍銅30分鐘，進行厚度為10 pm的鍍銅 的圖案-鍍敷。隨後，在通過在42'C，用2%的氫氧化鈉水溶液噴塗-處理 15秒以剝去抗蝕劑層以後，通過在3(TC用閃蝕刻溶液(由旭電化工業株式 會社(Asahi DenkaKogyo)生產的AD-305E)噴塗-處理20秒，將在不必要部 位中的銅箔移除。將此樣品在4 5 °C浸入到作為Ni-Cr種層去除劑的由Nikm Kagaku Sangyo所生產的FLICKER-MH中達5分鐘，然後使用由SHIPLEY 生產的Tinposit LT-34H，在80。C下將銅-布線鍍錫4分鐘。銅布線的間距為30 jim。
關於鍍錫的銅布線以及在鍍錫的銅-布線聚醯亞胺膜的銅布線之間移 除了銅箔的聚醯亞胺膜表面，得到了圖3中所示的金相學顯微鏡(透鏡放 大倍數500倍)的圖像。從圖3可知，在銅布線之間移除了銅箔的聚醯亞 胺表面是乾淨的，並且沒有檢測到由於在銅布線與其中銅布線之間的銅箔 被移除的聚醯亞胺的接合部位(即，邊界)或在銅布線之間的銅箔被移除的 聚醯亞胺表面上進行鍍錫而發生的反常金屬沉積。
用Ni-Cr種子層去除劑清洗並且其中蝕刻並移除了銅的聚醯亞胺膜是 通過下列方法得到的從巻起的一側銅箔層壓的聚醯亞胺膜切下尺寸為 10x10 cm的樣品；將切下的樣品浸漬到作為銅-蝕刻溶液的氯化鐵溶液(室 溫)中達20分鐘；在完全蝕刻並且移除銅箔以後，用水清洗；然後浸漬到 作為Ni-Cr種子層去除劑的FLICKER-MH (由Nihon Kagaku Sangyo Corporation生產)(溫度30'C)達20分鐘；用水清洗；進一步浸漬到5重量 %的NaOH水溶液(溫度50'C)達1分鐘；以及浸漬到3體積％的鹽酸水 溶液(室溫約2(TC)中達30秒。
實施例2..使用載體伴隨銅箔，通過相減法形成電路的方法 使用從實施例1得到的巻起的一側載體伴隨銅箔層壓的聚醯亞胺膜， 切下10.5和25 cm的矩形樣品，並且將載體箔剝去。在對層壓在聚醯亞胺 膜上的銅箔進行脫脂和酸-清洗之後，在以銅箔作為陰極電極的硫酸銅浴 中、在25"C於2 A/dr^的電流密度下進行電解鍍銅30分鐘。使得銅的總 厚度變為9pm。在11(TC，通過熱輥將幹膜-型負性光致抗蝕劑(由旭化成 化學工業公司(Asahi Chemical Industry)生產的UFG-072)層壓在鍍銅上以 後，使欲形成電路的部位曝光，並且將未曝光的抗蝕劑用1%的碳酸鈉水 溶液在3(TC噴塗-顯影並且移除，歷時20秒，以及在5(TC，用氯化鐵溶液 噴塗-蝕刻鍍銅以及銅箔的裸露部位15秒，以形成電路部分(間距為40 , 的布線圖案)。隨後，在42。C，通過用2%的氫氧化鈉水溶液噴塗-處理15 秒，以剝去抗蝕劑以後，將樣品在45。C浸漬到作為Ni-Cr種子層去除劑的 由Nihon Kagaku Sangyo生產的FLICKER-MH中達5分鐘，然後使用由 SHIPLEY製造的Tinposit LT-34H在8(TC下將銅-布線鍍錫4分鐘。使用金相學顯微鏡(透鏡放大倍數500倍)，以與實施例l類似的方式 觀察鍍錫銅布線，以及觀察所得到的鍍錫銅-布線聚醯亞胺膜的銅布線之間 移除了銅箔的聚醯亞胺膜表面。
如同實施例1 一樣，在銅布線之間移除了銅箔的聚醯亞胺表面是乾淨 的，並且視覺檢査沒有檢測到由於在銅布線與其中在銅布線之間的銅箔被 移除的聚醯亞胺的接合部位(即，邊界)或在銅布線之間的銅箔被移除的聚 醯亞胺表面上鍍錫而發生的反常金屬沉積。
比較例1
在實施例1中，在銅-蝕刻並且移除以後，省略了使用Ni-Cr種子層去
除劑的銅布線聚醯亞胺膜的清洗步驟。這樣製備出銅-布線聚醯亞胺膜。關 於鍍錫的銅布線以及在所得到的鍍錫的銅-布線聚醯亞胺膜的銅布線之間
移除了銅箔的聚醯亞胺膜表面，通過金相學顯微鏡得到了圖4中所示的圖 像(測量放大倍數500倍)。從圖4可知，檢測到由於在銅布線與在銅布
線之間的銅箔被移除的聚醯亞胺的接合部位(即，邊界)或在銅布線之間的 銅箔被移除的聚醯亞胺表面上的鍍錫而發生的反常金屬沉積。
比較例2
在實施例2中，在銅-蝕刻並且移除以後，省略了使用Ni-Cr種子層去 除劑的銅-蝕刻並移除的銅布線的聚醯亞胺膜的清洗步驟。這樣製備出銅-布線聚醯亞胺膜。進行鍍錫，並且在所得到的鍍錫的銅布線的聚醯亞胺膜 中，使用金相學顯微鏡(透鏡放大倍數500倍)觀察銅-布線以及在銅布線 之間移除了銅箔的聚醯亞胺膜的表面。
如同比較例1 一樣，檢測到由於在銅布線與在銅布線之間的銅箔被移 除的聚醯亞胺的接合部位(即，邊界)上的鍍錫而發生的大量的反常金屬沉 積。
在圖3和圖4中，對由附圖標記24表示的鍍錫銅布線的邊界部分以及 移除了銅的聚醯亞胺膜的表面的觀察顯示，在圖3中，該部分是線性的， 並且通常完成鍍敷；在圖4中，幾乎檢測不到線性部分，並且它具有不規 則的形狀，這表示通常還沒有完成鍍敷。
權利要求
1.一種通過相減法，由載體伴隨銅箔層壓的聚醯亞胺膜製備銅-布線聚醯亞胺膜的方法，所述方法至少包括下列步驟1)從所述載體伴隨銅箔層壓的聚醯亞胺膜剝離所述載體箔；2)任選地，在所述銅箔上鍍銅；3)在所述銅箔的上表面上形成防蝕層；4)在布線圖案中進行曝光；5)將除意欲形成所述布線圖案的部分以外的所述防蝕層顯影並移除；6)將除意欲形成所述布線圖案的部分以外的所述銅箔通過蝕刻移除；7)通過剝離移除所述防蝕層；和8)用蝕刻溶液清洗，所述蝕刻溶液能夠移除選自Ni、Cr、Co、Zn、Sn和Mo中的至少一種金屬或包含這些金屬中的至少一種的合金。
2. —種通過半-添加法，由載體伴隨銅箔層壓的聚醯亞胺膜製備銅-布 線聚醯亞胺膜的方法，所述方法至少包括下列步驟1) 從所述載體伴隨銅箔層壓的聚醯亞胺膜剝離所述載體箔；2) 任選地，通過蝕刻使所述銅箔變薄；3) 在所述銅箔的上表面上形成耐鍍敷層；4) 在布線圖案中進行曝光；5) 將所述耐鍍敷層的意欲形成所述布線圖案的部分顯影並移除；6) 在所述銅箔的裸露部分上鍍銅；7) 通過剝離移除所述銅箔上的所述耐鍍敷層；8) 通過閃-蝕刻將所述耐鍍敷層的被移除的銅箔的部分移除，以使所述 聚醯亞胺裸露；和9) 用蝕刻溶液清洗，所述蝕刻溶液能夠移除選自Ni、 Cr、 Co、 Zn、 Sn 和Mo中的至少一種金屬或包含這些金屬中的至少一種的合金。
3. 根據權利要求1或2所述的製備銅-布線聚醯亞胺膜的方法，其中 在所述載體伴隨銅箔層壓的聚醯亞胺膜中，用選自Ni、 Cr、 Co、 Zn、 Sn 和Mo中的至少一種金屬或包含這些金屬中的至少一種的合金對所述載體伴隨銅箔的表面進行表面-處理；所述表面被層壓到所述聚醯亞胺膜。
4. 根據權利要求1至3中任一項所述的製備銅-布線聚醯亞胺膜的方 法，其中所述蝕刻溶液能夠以比銅更快的速率移除選自Ni、 Cr、 Co、 Zn、 Sn和Mo中的至少一種金屬或包含這些金屬中的至少一種的合金。
5. 根據權利要求1至4中任一項所述的製備銅-布線聚醯亞胺膜的方 法，其中所述刻蝕溶液是酸性蝕刻溶液。
6. 根據權利要求1至4中任一項所述的製備銅-布線聚醯亞胺膜的方 法，其中所述蝕刻溶液是用於Ni-Cr合金的蝕刻劑。
7. 根據權利要求3所述的製備銅-布線聚醯亞胺膜的方法，其中在所 述聚醯亞胺膜中，熱壓-粘合性聚醯亞胺層被層壓在耐熱性聚醯亞胺層的至 少一側上，和其中，在所述載體伴隨銅箔層壓的聚醯亞胺膜中，所述銅箔的表面-處理的面被層壓在所述聚醯亞胺膜的所述熱壓-粘合性聚醯亞胺層上。
8. 根據權利要求3所述的製備銅-布線聚醯亞胺膜的方法，其中在所 述聚醯亞胺膜中，熱壓-粘合性聚醯亞胺層被層壓在耐熱性聚醯亞胺層的至 少一側上，和其中在所述載體伴隨銅箔層壓的聚醯亞胺膜中，通過熱和壓力，將所 述銅箔的所述表面-處理的面層壓在所述聚醯亞胺膜的所述熱壓-粘合性聚 醯亞胺層上。
9. 根據權利要求1至8中任一項所述的製備銅-布線聚醯亞胺膜的方 法，所述方法還包括在用所述蝕刻溶液清洗之後，在所述銅-布線的至少 一部分上鍍敷金屬的步驟。
10. 通過根據權利要求1至9中任一項所述的方法製備的銅-布線聚醯亞胺膜。
全文摘要
一種通過相減法或半-添加法，由其上具有載體的覆銅箔聚醯亞胺膜製備具有銅-布線的聚醯亞胺膜的方法。通過用蝕刻溶液清洗由於蝕刻銅箔而暴露的聚醯亞胺表面，所述蝕刻溶液能夠主要移除用於銅箔的表面處理的選自Ni、Cr、Co、Zn、Sn和Mo中的至少一種金屬或包含這些金屬中的至少一種的合金。由於這樣，當銅布線用錫電鍍時，電鍍組分被抑制反常沉積。
文檔編號H05K3/06GK101322447SQ20068004542
公開日2008年12月10日 申請日期2006年10月13日 優先權日2005年10月14日
發明者下川裕人, 橫澤伊裕, 番場啟太, 飯泉暢 申請人:宇部興產株式會社