液晶顯示器及其薄膜電晶體基板的製造方法
2023-11-03 20:37:42 5
專利名稱：液晶顯示器及其薄膜電晶體基板的製造方法
技術領域：
本發明涉及一種液晶顯示器及其薄膜電晶體基板的製造方法。
背景技術：
為達極小化及降低電力消耗，而推出的平面面板顯示裝置如液晶顯示器、等離子體顯示面板(PDP；Plasma Display Panel)、場致發光顯示器(ELD；Electroluminescent Display)及真空發光顯示器(VFD；Vacuum FluorescentDisplay)。在這些平面面板顯示裝置中，由於畫質佳及電力消耗低，因此儘管有許多不同的缺點，液晶顯示器的研發活動仍最為活躍。
不同於現有的單塊電晶體(monolithic transistor)形成於一半導體基材中，薄膜電晶體以堆積數層薄膜於一基材上製造而成。因此薄膜電晶體具有較單塊電晶體簡單及容易製造的結構。故，薄膜電晶體已被廣泛地使用於例如作為大尺寸電子裝置(如液晶顯示器)的開關元件上。
為了使薄膜電晶體液晶顯示器的影像具有一致性，寫入操作中由數據線施以的信號電壓必須在另一信號接收前的一特定時間內保持固定。因此，為增進顯示器的影像品質，一般在每個像素區域會設有一儲存電容元件(storagecapacitor)。
圖1所示為一現有薄膜電晶體液晶顯示器的一像素配置圖(pixel layout)。如圖所示，多條柵極線2與數據線5呈矩陣排列形成在基板1上。像素區域指兩相鄰柵極線以及兩相鄰數據線所圍的區域。每一個像素區域設有一像素電極4，其藉由一漏極7與一半導體層3連接。該半導體層3形成在該柵極線2上並藉由一源極6與數據線5連接。此外，每一個像素區域設有一獨立配線的電容電極10，其與柵極線2平行。該電容電極10一般以不透光的導電金屬例如鋁、鉻、鉭或鉬形成，因而會造成開口率(aperture ratio)(亦即可透光區域的比例)下降。
此外，像素電極4被設計為儘量靠近數據線5以獲得優選的開口率。然而，當像素電極4的邊緣太接近數據線5時將導致電容耦合(capacitivecoupling)(亦即串擾(crosstalk))的問題而使得顯示器像素會有一部分呈現變暗(darkened)。
為了使液晶顯示器彩色化，一般設有一彩色濾光片基板(未示於圖中)。該彩色濾光片基板上設有一光遮蔽陣列(例如遮光層(BM))、彩色濾光片用來顯示彩色以及一透明電極作為一共同電極(common electrode)。由於該彩色濾光片基板與前述基板1很難完全對準，因此為避免對位不準導致的漏光，該遮光層通常需要與像素電極重疊一特定距離以作為工藝裕度(processwindow)，因此該遮光層一般會設計得較寬；然而，這將造成液晶顯示器開口率下降。
發明內容
因此，本發明的主要目的是提供一種具有新穎儲存電容結構的液晶顯示器，其可克服或至少改善前述現有技術的問題。
根據本發明的液晶顯示器，其主要包含一液晶層夾設於第一及第二基板之間，以及多條柵極線(gate line)與數據線(data line)設於該第一基板。該多條柵極線與數據線配置形成多個矩陣排列的像素區域。該每一個像素區域設有一像素電極、一電容電極以及一薄膜電晶體。該像素電極具有靠近數據線的第一邊以及靠近柵極線的第二邊。該薄膜電晶體的漏極有一部份沿該像素電極的第一邊或第二邊延伸且重疊相對應的電容電極。該漏極延伸部的長度優選大致與該像素電極的相對應第二邊長度相同。
該第二基板一般設有一光遮蔽陣列例如遮光層(BM)，多個彩色濾光片以及一共同電極。該第一基板稱為薄膜電晶體基板，而該第二基板稱為彩色濾光基板因為其設有彩色濾光片。
根據本發明的薄膜電晶體的漏極延伸部與該像素電極一起作為該電容電極的相反電極，藉此可提供額外的儲存電容。
根據本發明的電容電極可呈「U」字形且具有一中央部份以及兩側部分，該兩側部分藉由該中央部份互相連接。該「U」字形電容電極的兩側部分分別重疊該像素電極的第一邊，用以作為一輔助光遮蔽層。因此，根據本發明彩色濾光基板上的遮光層可以設計得較窄以有效增加液晶顯示器開口率，而利用本發明的「U」字形電容電極的兩側部分來遮蔽對位不準所可能導致的漏光。根據本發明的漏極的延伸部可呈「U」字形且重疊該電容電極的該中央部分以及該兩側部分。
此外，根據本發明的電容電極亦可呈環狀且具有兩連接部份以及兩側部分，該兩側部分藉由該兩連接部份互相連接，每個環狀電容電極的該兩側部分分別重疊該像素電極的第一邊。在此實施例中，該漏極的延伸部可呈「U」字形且重疊該電容電極的該兩側部分以及該兩連接部份之一。
此外，根據本發明的電容電極亦可呈倒「U」字形，且該漏極的延伸部亦呈倒「U」字形且彼此重疊。
在根據本發明的液晶顯示器中，該漏極延伸部以及該像素電極與該電容電極形成一第一儲存電容單元。此外，該每一個像素區域中的柵極線與柵電極優選各有一部份與相鄰像素區域中的像素電極的相對應第二邊重疊，藉此該柵極線以與柵電極重疊該像素電極的部分與該像素電極形成一第二儲存電容單元而進一步提供額外的儲存電容。
本發明另提供一種用以製造薄膜電晶體面板的方法，其包含下列步驟(a)形成一具有柵極線與電容電極的第一金屬圖案於一絕緣基板上；(b)沉積一柵絕緣層覆蓋該第一金屬圖案；(c)形成一半導體圖案於該柵絕緣層之上；(d)形成一具有源極、漏極與數據線的第二金屬圖案於該半導體圖案以與柵絕緣層上，該漏極有一部份沿該柵極線或數據線的方向延伸且重疊該電容電極的中央部份；(e)形成一護層覆蓋該半導體圖案及第二金屬圖案；(f)在該護層中形成多個通孔；及(g)形成多個像素電極於該護層上，每一個像素電極經由該通孔之一與該漏極電連接。
為了讓本發明的上述和其它目的、特徵、和優點能更明顯，下文特舉本發明優選實施例，並配合附圖，作詳細說明如下。
圖1現有薄膜電晶體液晶顯示器的像素配置圖(pixel layout)；圖2-4根據本發明一實施例的液晶顯示器的像素配置圖(pixel layout)；圖5根據本發明另一實施例的液晶顯示器的像素配置圖(pixel layout)；圖6根據本發明另一實施例的液晶顯示器的像素配置圖(pixel layout)；圖7根據本發明另一實施例的液晶顯示器的像素配置圖(pixel layout)；圖8根據本發明另一實施例的液晶顯示器的像素配置圖(pixel layout)；以及圖9根據本發明另一實施例的液晶顯示器的像素配置圖(pixel layout)。
附圖標記說明1 基板2 柵極線3 半導體層4 像素電極5 數據線 6 源極7 漏極10電容電極12柵極線 12a 柵電極15數據線 15a 源極22像素電極22a 第一邊22b 第二邊 24電容電極24a 側部分 24b 中央部份24c 連接部分24d 中央部份25連接部分26薄膜電晶體28半導體層30漏極30a 延伸部 32連接部40遮光層具體實施方式
雖然本發明可表現為不同形式的實施例，但附圖所示者及於下文中說明者為本發明的優選實施例，並請了解本文所揭示者考量為本發明的一範例，且並非意圖用以將本發明限制於圖示及/或所描述的特定實施例中。
圖2-4所示為根據本發明一實施例的液晶顯示器的像素配置圖(pixellayout)。根據本發明的液晶顯示器主要包含一液晶層(未示於圖中)密封於一第一基板與一第二基板之間。如圖所示，多條柵極線12與數據線15呈矩陣排列設在該第一基板上。該多條柵極線12與數據線15配置形成多個矩陣排列的像素區域，這些柵極線12以及數據線15藉由一柵絕緣層而彼此絕緣。像素區域指兩相鄰柵極線12以及兩相鄰數據線15所圍的區域。每一個像素區域設有一像素電極22(在圖2及圖3中該像素電極22以陰影覆蓋用以幫助了解)、一電容電極24以及一薄膜電晶體26。該像素電極22具有大致平行於數據線15的第一邊22a以及大致平行於柵極線12的第二邊22b。
該薄膜電晶體26包含一由柵極線12延伸的柵電極12a、一半導體層28、一由數據線15延伸的源極15a及一漏極30。每一像素區域內設有一連接部32用以電連接該漏極30與像素電極22。該連接部32可包含一通孔，該通孔的連接可利用形成像素電極22的導電層(例如銦錫氧化物(ITO))。當掃描信號輸入柵極線12時，薄膜電晶體26將被打開而將影像信號(data signal)送入像素電極22。
參見圖4，該第二基板上設有一光遮蔽陣列例如遮光層(BM)40(未示於圖2及圖3中，而在圖4中該遮光層40以陰影覆蓋用以幫助了解)、彩色濾光片用來顯示彩色(未示於圖中)以及一透明電極例如銦錫氧化物(ITO)電極(未示於圖中)作為一共同電極(common electrode)。一般而言，該第一基板稱為薄膜電晶體基板，而該第二基板稱為彩色濾光基板因為其設有彩色濾光片。
請參照圖2，在此實施例中每個電容電極24呈「U」字形且具有兩側部分24a藉由一中央部份24b互相連接。該電容電極24的兩側部分24a分別重疊該像素電極22的第一邊22a，而中央部分24b沿該像素電極22相對應的第二邊22b延伸。該電容電極24一般與柵極線12與柵電極12a一起由一柵極金屬層圖案化而成。
由於柵極金屬層一般以不透光的導電金屬例如鋁、鉻、鉭或鉬形成，因此該電容電極24的兩側部分24a可作為一輔助光遮蔽層而用來遮蔽基板在實際量產時因對位誤差所導致的漏光。此外，藉由將該遮光層40與該電容電極24的兩側部分24a重疊一定距離以作為工藝裕度(process window)，根據本發明第二基板上的遮光層40在該電容電極24的兩側部分24a可以設計得較窄。因此，參見圖4，在該電容電極24的兩側部分24a的可透光區域的寬度A比未設置電容電極的可透光區域區域的寬度B大，因此根據本發明的電容電極24的設置可有效增加液晶顯示器開口率，以有效增加透光率以提升光的利用率。
如圖3所示，每個電容電極24利用連接部分25與相鄰近的電容電極連接而大致平行於該柵極線12左右延伸。電容電極24與柵極線12相隔一特定距離並且被獨立驅動。
請再參照圖2，該薄膜電晶體26的漏極30有一延伸部30a沿該像素電極22的相對應第二邊22b延伸且該漏極延伸部30a的長度大致與該像素電極22的相對應第二邊22b長度相同。由於該漏極30以連接部32電連接至像素電極22，使得該漏極延伸部30a可與像素電極22一起作為該電容電極24的相反電極(counter electrode)，藉此可提供額外的儲存電容。
在根據本發明的液晶顯示器中，該漏極延伸部30a以及該像素電極22與該電容電極24形成一第一儲存電容單元。因此，該每一個像素區域中的柵極線12與柵電極12a優選各有一部份與相鄰像素區域中的像素電極22的相對應第二邊22b重疊，除了藉此該柵極線以與柵電極重疊該像素電極的部分與該像素電極形成一第二儲存電容單元而進一步提供額外的儲存電容之外，由於柵極金屬層如前述一般以不透光的導電金屬形成，因此該柵極線12與該電容電極24的中央部份24b可作為一輔助光遮蔽層，以輔助在該像素電極22的第二邊22b所需的遮光區域，是以，根據本發明第二基板上的遮光層40在該像素電極22的第二邊22b可以設計得較窄。此外，漏極一般雖然以不透光的導電金屬形成，本發明的漏極30的該延伸部30a由於與該電容電極24的中央部份24b相重疊(亦即該延伸部30a與該中央部份24b會垂直投影在基板平面上相同的區域)，因此除了可提供額外的儲存電容，也不會因為延伸部30a而增加額外的遮光面積，還可有效增加液晶顯示器開口率。因此根據本發明的電容電極24的中央部份24b的配置可有效增加液晶顯示器開口率，以有效增加透光率以提升光的利用率。
圖5所示為根據本發明另一實施例的液晶顯示器的像素配置圖(pixellayout)。除了該漏極延伸部30a大致呈「U」字形且重疊該電容電極24的該中央部分24b以及該兩側部分24a之外，圖5所示的液晶顯示器大致與第2-4圖所示的液晶顯示器相同。
圖6所示為根據本發明另一實施例的液晶顯示器的像素配置圖(pixellayout)。除了該電容電極24呈環狀且其具有兩側部分24a藉由兩連接部份24c互相連接之外，圖6所示的液晶顯示器大致與第2-4圖所示的液晶顯示器相同。
圖7所示為根據本發明另一實施例的液晶顯示器的像素配置圖(pixellayout)。除了該漏極延伸部30a大致呈「U」字形且重疊該電容電極24的該兩側部分24a以及相對應連接部份24c之外，圖7所示的液晶顯示器大致與圖6所示的液晶顯示器相同。
圖8所示為根據本發明另一實施例的液晶顯示器的像素配置圖(pixellayout)。除了該漏極延伸部30a大致呈環狀且重疊該電容電極24的該兩側部分24a以及兩連接部份24c之外，圖8所示的液晶顯示器大致與圖6所示的液晶顯示器相同。
圖9所示為根據本發明另一實施例的液晶顯示器的像素配置圖(pixellayout)。除了該電容電極24以及該漏極延伸部30a大致呈倒「U」字形且彼此重疊之外，圖9所示的液晶顯示器大致與圖5所示的液晶顯示器相同。該電容電極24具有兩側部分24a藉由一中央部份24d互相連接。
雖然該每一個像素區域中的柵極線12與柵電極12a優選各有一部份與相鄰像素區域中的像素電極22的相對應第二邊22b重疊(如第2-8圖所示)以提供額外的儲存電容，但是在電容值足夠的情況下(一般為液晶電容最少為電容電極的電容的0.8倍～1倍或以上)，也可以如圖9所示的實施例一般不必重疊。此外在靠近柵極部分由於電容電極可設計成如圖6-8所示的環狀或如圖9所示的倒「U」字形，因此該電容電極24的連接部份24c(參見第6-8圖)或中央部份24d(參見圖9)可作為一輔助光遮蔽層，以輔助在該像素電極22的第二邊22b所需的遮光區域。因此，當像素電極22的相對應第二邊22b不需與相鄰像素區域中的柵極線12與柵電極12a重疊時，其可以設計成位於環型電極的中間。
根據本發明的薄膜電晶體面板(第一基板)製造方法將參照圖2描述於下。首先，將一第一金屬層濺鍍於一透明基板上(例如一透明玻璃基板)直到具有一預先設定厚度。該第一金屬層可能為單層或多層的遮光金屬層，其材質優選為鉻(Cr)、鋁(Al)、鉬(Mo)或鋁釹合金(AlNd)。在本實施例中其為兩層結構，下層為鋁釹合金，上層為鉬，皆利用濺鍍(Sputter)工藝。接著將該第一金屬層利用一微影工藝圖案化而形成一第一金屬圖案，其包含前述的柵極線12與電容電極24。
然後，將一絕緣層沉積於具有柵極線12與電容電極24的基板的全部表面上，以形成一柵絕緣層(未示於圖中)。在本實施例中其材質為氮化矽(SiNx)，且利用等離子體增強化學氣相沉積(Plasma-enhanced ChemicalVapor Deposition)工藝。
接著，將一半導體層形成於柵絕緣層上，半導體層一般包含一非晶矽層以及一歐姆接觸層(ohmic contact layer)例如不純物摻雜層(例如n+摻雜非晶矽層)。
在利用一微影工藝將半導體層圖案化之後，將一第二金屬層形成於柵絕緣層以及半導體層圖案的全部表面上，直到形成一預先設定厚度。該第二金屬層可能為單層或多層，其材質優選為鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)、鋁(Al)、矽化鉬(MoSi2)、矽化鈦(TiSi2)、矽化鉭(TaSi2)、矽化鎢(WSi2)、矽化鋁(AlSi)、鋁銅合金(AlCu)、鋁鉛合金(AlPd)、鋁釹合金(AlNd)或氮化鉬(MoN)。在本實施例中其為三層結構，下層為氮化鉬，中層為鋁，上層為氮化鉬，皆利用濺鍍(Sputter)工藝形成。接著，利用一微影工藝將第二金屬層圖案化而形成一第二金屬圖案，其包含前述的數據線15、源極15a以及漏極30。
將一護層(passivation layer)(例如氮化矽層，未示於圖中)形成於上述構造的全部的表面上，直到一預先設定厚度。在本實施例中其材質為氮化矽(SiNx)，且利用等離子體增強化學氣相沉積工藝。接著，利用一微影工藝在該護層中形成多個通孔，使漏極30部分裸露出來。在具有護層的結構的整個表面上形成一作為導電層的銦錫氧化物層之後(ITO layer)，利用一微影工藝圖案化ITO層(步驟311)，藉此形成多個像素電極22於該護層上。每一個像素電極22經由該通孔之一與該漏極30電連接。
由於液晶顯示器需要有優選的顯示亮度而同時又要節省能源消耗，因此開口率越高越好。在根據本發明的液晶顯示器中，該漏極延伸部以及第二儲存電容單元所提供額外的儲存電容使得電容電極可以被縮小而仍可獲得預先設定的儲存電容。由於電容電極一般以不透光的導電金屬例如鋁、鉻、鉭或鉬形成，因此本發明的設計可進一步增加液晶顯示器開口率。
雖然本發明已以前述優選實施例揭示，然其並非用以限定本發明，任何本領域內的技術人員，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作各種的更動與修改。因此本發明的保護範圍以所附權利要求所界定的為準。
權利要求
1.一種液晶顯示器，其包含一第一基板及一第二基板；一液晶層夾設於該第一及第二基板之間；多條柵極線(gate line)與數據線(data line)設於該第一基板上，該多條柵極線與數據線配置形成多個矩陣排列的像素區域，該每一個像素區域為兩相鄰柵極線以及兩相鄰數據線所界定；該每一個像素區域設有一像素電極，該像素電極具有靠近數據線的第一邊以及靠近柵極線的第二邊；多個電容電極，其分別設於相對應的像素區域；該每一個像素區域設有一薄膜電晶體，該薄膜電晶體包含一柵電極、一半導體層以及源/漏極，該漏極有一部份沿該像素電極的第一邊或第二邊延伸且重疊相對應的電容電極，其中該漏極延伸部與該像素電極一起作為該電容電極的相反電極。
2.依權利要求1的液晶顯示器，其中該漏極延伸部以及該像素電極與該電容電極形成一第一儲存電容單元，且該每一個像素區域中的柵極線與柵電極各有一部份與相鄰像素區域中的像素電極的相對應第二邊重疊，藉此該柵極線以與柵電極重疊該像素電極的部分與該像素電極形成一第二儲存電容單元。
3.依權利要求1的液晶顯示器，其中該電容電極呈「U」字形且其具有一中央部份以及兩側部分，該兩側部分藉由該中央部份互相連接，每個該些「U」字形電容電極的該兩側部分分別重疊該像素電極的第一邊，每個該些「U」字形電容電極的該中央部分沿該像素電極相對應的第二邊延伸。
4.依權利要求3的液晶顯示器，其中該漏極延伸部沿該像素電極的相對應第二邊延伸且重疊每個「U」字形電容電極的該中央部份。
5.依權利要求4的液晶顯示器，其中該漏極延伸部的長度大致與該像素電極的相對應第二邊長度相同。
6.依權利要求3的液晶顯示器，其中該漏極的延伸部大致呈「U」字形且重疊該電容電極的該中央部分以及該兩側部分。
7.依權利要求1的液晶顯示器，其中該電容電極呈環狀且其具有兩連接部份以及兩側部分，該兩側部分藉由該兩連接部份互相連接，每個環狀電容電極的該兩側部分分別重疊該像素電極的第一邊。
8.依權利要求7的液晶顯示器，其中該漏極延伸部沿該像素電極的相對應第二邊延伸且重疊每個「U」字形電容電極的相對應連接部份。
9.依權利要求8的液晶顯示器，其中該漏極延伸部的長度大致與該像素電極的相對應第二邊長度相同。
10.依權利要求7的液晶顯示器，其中該漏極的延伸部大致呈「U」字形且重疊該電容電極的該兩側部分以及該兩連接部份之一。
11.依權利要求7的液晶顯示器，其中該漏極的延伸部大致呈環狀且重疊該電容電極的該兩側部分以及該兩連接部份。
12.依權利要求1的液晶顯示器，其中該電容電極呈倒「U」字形且其具有一中央部份以及兩側部分，該兩側部分藉由該中央部份互相連接，每個該些倒「U」字形電容電極的該兩側部分分別重疊該像素電極的第一邊。
13.依權利要求12的液晶顯示器，其中該漏極的延伸部大致呈倒「U」字形且重疊該倒「U」字形電容電極的該中央部份以及該兩側部分。
14.一種用以製造薄膜電晶體面板的方法，其包含下列步驟形成一具有柵極線與電容電極的第一金屬圖案於一絕緣基板上；沉積一柵絕緣層覆蓋該第一金屬圖案；形成一半導體圖案於該柵絕緣層的上；形成一具有源極、漏極與數據線的第二金屬圖案於該半導體圖案以與柵絕緣層上，該漏極有一部份沿該柵極線或該數據線的方向延伸且重疊該電容電極；形成一護層覆蓋該半導體圖案及第二金屬圖案；在該護層中形成多個通孔；及形成多個像素電極於該護層上，每一像素電極經由該通孔之一與該漏極電連接，每一個像素電極具有靠近數據線的第一邊及靠近柵極線的第二邊。
15.依權利要求14的用以製造薄膜電晶體面板的方法，其中該漏極延伸部以及該像素電極與該電容電極形成一第一儲存電容單元，且該柵極線有一部份與相鄰的像素電極的相對應第二邊重疊，藉此該柵極線以與柵電極重疊該像素電極的部分與該像素電極形成一第二儲存電容單元。
16.依權利要求14的用以製造薄膜電晶體面板的方法，其中該電容電極呈「U」字形且其具有一中央部份以及兩側部分，該兩側部分藉由該中央部份互相連接，每個該些「U」字形電容電極的該兩側部分分別重疊該像素電極的第一邊，每個該些「U」字形電容電極的該中央部分沿該像素電極相對應的第二邊延伸。
17.依權利要求16的用以製造薄膜電晶體面板的方法，其中該漏極延伸部沿該像素電極的相對應第二邊延伸且重疊每個「U」字形電容電極的該中央部份。
18.依權利要求14的用以製造薄膜電晶體面板的方法，其中該漏極延伸部的長度大致與該像素電極的第二邊長度相同。
19.依權利要求16的用以製造薄膜電晶體面板的方法，其中該漏極的延伸部大致呈「U」字形且重疊該電容電極的該中央部分以及該兩側部分。
20.依權利要求14的用以製造薄膜電晶體面板的方法，其中該電容電極呈環狀且其具有兩連接部份以及兩側部分，該兩側部分藉由該兩連接部份互相連接，每個該些環狀電容電極的該兩側部分分別重疊該像素電極的第一邊。
21.依權利要求20的用以製造薄膜電晶體面板的方法，其中該漏極延伸部沿該像素電極的相對應第二邊延伸且重疊每個「U」字形電容電極的相對應連接部份。
22.依權利要求21的用以製造薄膜電晶體面板的方法，其中該漏極延伸部的長度大致與該像素電極的相對應第二邊長度相同。
23.依權利要求20的用以製造薄膜電晶體面板的方法，其中該漏極的延伸部大致呈「U」字形且重疊該電容電極的該兩側部分及該兩連接部份之一。
24.依權利要求20的用以製造薄膜電晶體面板的方法，其中該漏極的延伸部大致呈環狀且重疊該電容電極的該兩側部分以及該兩連接部份。
25.依權利要求14的用以製造薄膜電晶體面板的方法，其中該電容電極呈倒「U」字形且其具有一中央部份以及兩側部分，該兩側部分藉由該中央部份互相連接，每個該些倒「U」字形電容電極的該兩側部分分別重疊該像素電極的第一邊。
26.依權利要求25的用以製造薄膜電晶體面板的方法，其中該漏極的延伸部大致呈倒「U」字形且重疊該倒「U」字形電容電極的該中央部份以及該兩側部分。
全文摘要
一種液晶顯示器主要包含一液晶層夾設於一彩色濾光片基板以及一薄膜電晶體基板之間。該薄膜電晶體基板包含多條柵極線與數據線配置形成多個矩陣排列的像素區域。該每一個像素區域設有一像素電極、一電容電極以及一薄膜電晶體。該像素電極具有靠近數據線的第一邊以及靠近柵極線的第二邊。該薄膜電晶體的漏極有一部份沿該像素電極的第一邊或第二邊延伸且重疊相對應的電容電極。
文檔編號H01L29/786GK1873509SQ200510074800
公開日2006年12月6日 申請日期2005年6月3日 優先權日2005年6月3日
發明者高毓謙, 鍾朝鈞 申請人:奇美電子股份有限公司