紅外線檢測裝置的製作方法
2023-10-05 09:37:44
專利名稱：紅外線檢測裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種紅外線檢測裝置，尤其是關於測輻射熱儀、熱電堆、焦電傳感器、二極體方式及雙金屬方式等熱式紅外線檢測裝置。
背景技術：
作為測輻射熱儀、熱電堆、焦電傳感器、二極體方式及雙金屬方式等熱型紅外線檢測裝置，公知有例如，記載在專利文獻1中的裝置。在該文獻中所記載的紅外線檢測裝置構造為，在形成於矽基板上的受光部的前面，具有空隙地配置紅外線受光窗，受光窗在包圍受光部的範圍的結合面上與基板氣密地結合從而固定，並使空隙的內部為真空。
但是，上述紅外線檢測裝置問題在於，在向其它裝置安裝時，易受機械衝擊的影響，尤其是多存在，與矽基板及外部電極連接的導線等因衝擊而斷線或受損的情況，並常發生安裝工序不良。因此，在安裝紅外線檢測裝置時，必須加以細心注意，而成為使工序生產率降低的原因。
專利文獻1日本專利公開平09-243449號公報發明內容有鑑於上述問題，本發明的目的在於，提供一種承受機械衝擊強，並對各種用途的安裝容易可行的紅外線檢測裝置。
本發明的紅外線檢測裝置，其特徵在於，具有紅外線檢測晶片，在矽基板上，形成有紅外線受光部和與其連接的信號輸入輸出端子；受光窗晶片，固定於該紅外線檢測晶片的受光側，並使信號輸入輸出端子露出，同時，形成收容受光部的密閉空間，並至少使檢測對象的紅外線透過；基座部件，具有用於搭載紅外線檢測晶片的搭載面，並在該搭載面的附近設置有內部引線端子；焊接線，電連接信號輸入輸出端子和內部引線端子；以及覆蓋部件，注入樹脂並使其硬化，以使至少信號輸入輸出端子、內部引線端子和焊接線進入其內部，並且，覆蓋受光窗晶片的側面的至少紅外線檢測晶片側。
根據本發明，由於將焊接線等容易受到機械衝擊的部分收容在覆蓋部件的內部，因此，紅外線檢測裝置耐衝擊性提高，可以容易且確實地實施向各種裝置的安裝。並且，利用覆蓋部件覆蓋矽基板的側面，使矽基板的熱容量增加，且遮斷可能從矽基板的側面進入的熱影響，所以，溫度的變動減小，可使紅外線檢測裝置中作為傳感器的靈敏度增大。並且，假如在用角錐型套爪(collet)拾取本發明的紅外線檢測裝置時，通過使套爪的吸引部與紅外線檢測裝置的覆蓋部件接觸，而吸引部不直接接觸受光窗晶片的上面，因此，防止因與吸引部的接觸而導致的損壞，有助於工序生產率的提高。
在本發明的紅外線檢測裝置中，可以在紅外線檢測晶片和受光窗晶片之間，以包圍密閉空間的方式間隔有隔離物。如此，因隔離物所具有的厚度而使紅外線檢測晶片與受光窗晶片之間的密閉空間成為大容積，紅外線受光部的隔熱性提升，因此，可使紅外線檢測裝置的靈敏度提高。另外，在成為覆蓋部件的樹脂的注入工序中，隔離物有阻止其流入的作用，在樹脂邊收縮邊硬化時，可以通過拉緊紅外線檢測晶片與受光窗晶片而提高密封性。
另外，在本發明的紅外線檢測裝置中，在受光窗晶片中的密閉空間側的表面優選，形成有凹部。如此，可確保密閉空間的容量更大，由於紅外線受光部的隔熱性進一步提高，可以進一步使紅外線檢測裝置的靈敏度提高。並且，在無隔離物或無法使隔離物提高的情況下，可以確保密閉空間，因此，可抑制靈敏度的降低。
另外，在本發明的紅外線檢測裝置中，基座部件優選包含基板部和壁板部而構成，其中，基板部在上面具有搭載面，壁板部形成為豎立設置在該基板部上，並且頂面超過受光窗晶片的上面。如此，通過設置超過受光窗晶片的上面的壁板部，例如，用平套爪拾取本發明的紅外線檢測裝置時，吸引部的先端部與紅外線檢測裝置的壁板部的頂部接觸，而不直接與受光窗晶片的上面接觸。因此，防止因與吸引部接觸所導致的損壞，可以有助於工序生產率的提高。
而且，在本發明的紅外線檢測裝置中，優選內部引線端子，與設置在基座部件的下面的外部引線端子相電連接。如此，由於在基座部件的下面設置有外部引線端子，因此可以容易且確實地實施向電路基板等的安裝。
發明效果根據本發明，可提供一種抗機械衝擊強，容易且確實地進行各種用途的安裝的紅外線檢測裝置。
圖1是表示第1實施方式的紅外線檢測裝置的構成的剖面圖。
圖2是從紅外線入射側觀看第1實施方式的紅外線檢測裝置的說明圖。
圖3是表示第1實施方式的紅外線檢測裝置的製造方法的說明圖。
圖4是表示第1實施方式的紅外線檢測裝置與安裝套爪的位置關係的說明圖。
圖5是表示第2實施方式的紅外線檢測裝置的構成的剖面圖。
圖6是表示第3實施方式的紅外線檢測裝置的構成的剖面圖。
圖7是表示第3實施方式的紅外線檢測裝置的製造方法的說明圖。
圖8是表示第3實施方式的紅外線檢測裝置與安裝套爪的位置關係的說明圖。
符號說明1、50、60...紅外線檢測裝置10、52...基座部件11、56...基板部12、54...內部引線端子13...搭載面14...壁板部20...紅外線檢測晶片21...矽基板23...紅外線受光部25...信號輸入輸出端子30、62...受光窗晶片34、61...密閉空間
36...隔離物38...焊接線40、58...覆蓋部件42...外部引線端子63...凹部具體實施方式
下面，參照附圖對本發明的優選實施方式的熱電堆方式的紅外線檢測裝置進行詳細說明。並且，在說明中，在同一或同等的構成要件中，使用同一符號，並省略重複說明。
圖1是表示第1實施方式的紅外線檢測裝置的構成的剖面圖，圖2是從紅外線入射側觀看紅外線檢測裝置的說明圖。如圖1和圖2所示，紅外線檢測裝置1具有形成收容該裝置的主要的功能部分的外圍器的基座部件10；搭載在構成基座部件10的基板部11的搭載面13上的、用於檢測紅外線的紅外線檢測晶片20；與設置在紅外線檢測晶片20上部，用於使紅外線透過的受光窗晶片30；連接紅外線檢測晶片20的端子和基座部件10的端子的焊接線38。而且，在本實施方式的特徵為，直到距受光窗晶片30的上表面規定距離的下側覆蓋有使樹脂硬化的覆蓋部件40，焊接線38進入其內部。
基座部件10具有矩形且平板形狀的基板部11和壁板部14，其中，基板部11具有上部開口的凹狀空間，並且位於基座部件10的下部具有用於搭載紅外線檢測晶片20的搭載面13；壁板部14包圍搭載面13而豎立設置為周緣的縱向2邊和橫向2邊。在基板部11的搭載面13的附近，設置有焊盤型(land type)的內部引線端子12，該內部引線端子12與貫通基板部11的導電部15連接，該導電部15與設置在基座部件10的底面(搭載面13的反面)的外部引線端子42電連接。因此，經由焊接線38及導電部15，使外部引線端子42與紅外線檢測晶片20電連接，可以將紅外線檢測裝置1容易且確實地安裝在電路基板等(未圖示)上。而且，在基座部件10中，使用對樹脂硬化時的放熱承受能力強的FR-4、FR-5、G-10等玻璃環氧(glass epoxy，以玻璃纖維薄片為芯材的環氧樹脂)基板，但是，不僅限於此，也可以使用其它有機基板或陶瓷基板等。
紅外線檢測晶片20，搭載在設定為基座部件10的基板部11上面的搭載面13上，作為矽基板21的基材，具有紅外線受光部23、信號輸入輸出端子25、和形成空洞部24的隔膜(diaphragm)部22。具體來說，如圖1所示，在矽基板21的上面的中央，形成有細薄的隔膜部22。在矽基板21的上面的周緣部，為了取出由紅外線受光部23得到的電輸出信號，而設置有以鋁配線等電連接的信號輸入輸出端子(電極焊墊)25。
在此，對隔膜部22及空洞部24的形成方法進行說明。首先，在矽基板21的上面形成由與空洞部24為同一尺寸的多晶矽(polysilicon)構成的犧牲層(未圖示)，在其上形成成為隔膜部22的薄膜。在該薄膜上設置在對犧牲層進行蝕刻時所使用的蝕刻孔(未圖示)。由該蝕刻孔，浸透例如，氫氧化鉀溶液等的蝕刻液，對犧牲層各向同性地進行蝕刻，之後，利用各向異性蝕刻除去矽基板21。在該除去部上形成有用於熱分離的如倒梯形金字塔的空洞部24。覆蓋空洞部24的上面的薄膜部分成為隔膜部22。而且，空洞部24用於使紅外線受光部23與下面熱絕緣，為真空狀態或充滿不活潑氣體。
矽基板21，優選由(100)面方位的單晶矽基板形成。如此，使矽基板21的上面為(100)面，由於作為紅外線入射方向的垂直方向容易蝕刻，所以，可以容易地形成空洞部24。而且，形成空洞部24的方法、形狀並不限定於此，只要可以形成所期望的隔膜部22，藉由等向性蝕刻的方法，即，也可以使用(100)面晶圓以外的面方位晶圓(wafer)或SOI晶圓。
另外，在紅外線受光部23上設置有多個串聯連接的熱電偶的溫接點部(未圖示)。熱電偶為利用如下原理的溫度傳感器，即，將兩種金屬串聯連接並製作兩個結合點，當在這兩個接合點(溫接點與冷接點)之間產生溫度差時，伴隨其溫度差而產生溫差電動勢(thermalelectromotive force)「熱電效應(Seebeck effect)」。雖未圖示，但在本實施方式中，多晶矽和鋁分別形成溫接點(測溫接點)和冷接點(基準接點)，溫接點配置在隔膜部22上，冷接點配置在矽基板21上，並測量它們之間的熱起電動勢。
受光窗晶片30，具有與紅外線檢測晶片20相比更小的矩形的平板形狀，位於紅外線檢測晶片20的受光側(上側)，並使信號輸入輸出端子25露出。雖未圖示，但信號輸入輸出端子25，以鋁等的電氣配線在密閉空間34側電連接。另外，優選使位於隔離物36中的電氣配線的上面和下面電絕緣。經由隔離物36而固定在紅外線檢測晶片20上的受光窗晶片30的上面30a，與壁板部14的頂面14a相比較低。隔著隔離物36，使紅外線檢測晶片20和受光窗晶片30相向，由此形成收容有紅外線受光部23的密閉空間34。
密閉空間34，作為所謂斷熱層而發揮作用，使空洞通過紅外線檢測晶片20的空洞部24與隔膜部22形成的蝕刻孔進行連結，通過包圍紅外線受光部23而形成熱分離構造，使紅外線受光部23內部的熱電偶的靈敏度提升，而提高紅外線受光部23的熱解析度。而且，為了使紅外線受光部23與周圍熱絕緣，密閉空間34與紅外線檢測晶片20的空洞部24為大致同壓力，呈真空狀態或充滿不活潑氣體。
隔離物36在成為覆蓋部件40的樹脂的注入工序中，發揮阻止樹脂流入密閉空間34的作用，利用被注入的樹脂收縮硬化而可取得提高密封性的效果。隔離物36的材質可以是，環氧、丙烯酸、氨基甲酸酯、聚醯亞胺等樹脂系，或派瑞克斯(pyrex，註冊商標)及低融點玻璃等玻璃材料，或氧化鋁(alumina)及氮化鋁等陶瓷，鋁及金、鎳、矽化鎢等金屬或合金，或者，金錫等焊接材料。而且，作為隔離物36而使用焊接材料時，可以在矽基板21和受光窗晶片30的兩面預先形成金屬膜，這樣密封性良好。另外，為了保證隔離物36的高度，也可以是隔離物材料的疊層。
另外，受光窗晶片30，為了發揮使包含檢測對象的紅外線的頻帶的光透過的功能，優選由透過波長帶為1.5～20μm的優異的矽材料等形成。進一步，優選在受光窗晶片30的兩表面30a和30b上，設置紅外線反射防止膜32，可減低紅外線的反射損失並提高紅外線檢測裝置1對紅外線的靈敏度。反射防止膜32，利用公知的蒸著法、濺鍍法、熱氧化法等而可容易地形成。而且，代替紅外線反射防止膜32，也可以設置選擇地透過規定波長的紅外線的紅外線過濾膜。
如圖1所示，焊接線38，跨接在從紅外線檢測晶片20的上面(被受光窗晶片30覆蓋的部分的外側面)露出的信號輸入輸出端子25，和設置在基座部件10的基板部11的上面的內部引線端子12之間，並使它們電連接。在作為外圍器的基座部件10所形成的空間的內部，直到距受光窗晶片30的上面30a規定距離(在本實施方式中，與受光窗晶片30的上面30a相比，向下0.2mm)的下側，填滿硬化後的樹脂。因此，例如，為金的細線的焊接線38，由於使它們連接的信號輸入輸出端子25和內部引線端子12進入到覆蓋部件的內部，因此，對機械性弱的部分利用覆蓋部件40進行保護，而提高耐衝擊性及耐振性等。另外，由於作為紅外線檢測晶片20的基材的矽基板21的上而(被受光窗晶片30覆蓋的部分的外側面)和受光窗晶片30的側面的下側部分成為被覆蓋部件40覆蓋的狀態，因此，不僅可提高耐衝擊性及耐振性等，該覆蓋部件40還可以實質上增大紅外線檢測晶片20的熱容量，且具有遮斷來自外界的熱影響的效果。
在覆蓋部件40中所使用的樹脂可以是，矽樹脂(silicone)、環氧、丙烯酸、氨基甲酸酯等的樹脂類，或它們的複合材料填料，顏色可以是透明或也可以加入顏色。圖2是使用透明的樹脂情況下的圖。
下面，使用圖3對第1實施方式的紅外線檢測裝置1的製造方法進行說明。該製造方法的特徵在於，利用切割鋸刀(Dicing Saw)等切斷成小方塊，由此得到單個的紅外線檢測裝置1。
首先，如圖3(a)所示，預先準備形成有內部引線端子12、外部引線端子42和連接它們的導電部15的基座部件陣列板100。在該陣列板100的上面，設置有縱橫分別以規定間隔交叉豎立設置的壁102，由此，排列隔開的多個的空間(收容紅外線檢測晶片20和受光窗晶片30的空間，以下，稱收容空間)。包圍排列在該基座部件陣列板100的各凹部的壁102，在切斷各個紅外線檢測裝置1時，成為壁板部14。在隔開的收容空間中，將預先製作的紅外線檢測晶片20、隔離物36和受光窗晶片30的接合體44，配置在搭載面13的規定位置並利用粘合劑等使其固定。接著，利用焊接線38連接固定在各收容空間內的紅外線檢測晶片20的信號輸入輸出端子25，和基座部件10的內部引線端子12。
接著，在各收容空間內注入矽樹脂(參照圖3(b))。此時，注入矽樹脂至低於上面30a的位置(在本實施方式中，從受光窗晶片30的上面30a向下0.2mm)，並且不使其流到受光窗晶片30的上面30a。
通過放置、加熱、紫外線照射等的方法使注入的矽樹脂硬化後，如圖3(c)所示，沿著壁板部14的排列方向的中心線，在縱、橫方向上分別切斷。由此，可得到如圖1與圖2所示的晶片形狀的紅外線檢測裝置1。而且，為了容易切斷，可沿著壁板部14的中心線，預先加入切入口及細縫等。
利用上述製造方法製造的本實施方式的紅外線檢測裝置1，可發揮以下的作用及效果。
首先，由於使焊接線38等的容易受到機械衝擊的部分，進入覆蓋部件40的內部，因此成為被保護的狀態。由此，紅外線檢測裝置1耐衝擊性提高，可容易且確實的實施向各種裝置的安裝。並且，由於內部引線端子12經由導電部15與外部引線端子42電連接，因此容易進行向各電路基板等的安裝。
接著，對本實施方式的紅外線檢測裝置1的動作進行說明。當從受光窗晶片30的上面30a側照射作為檢測對象的紅外線時，經由密閉空間34而被紅外線受光部23吸收。紅外線受光部23與入射紅外線量相對應地溫度上升，與該溫度上升同時，隔膜部22的溫度也上升。因此，在隔膜部22和矽基板21之間產生溫度差，該溫度差表示在紅外線受光部23內部的熱電偶的溫接點和矽基板21上的熱電偶的冷接點上。利用熱電效應，在溫接點與冷接點之間發生電動勢，使該電壓經由與紅外線受光部23連接的信號輸入輸出端子25、焊接線38、基座部件10的內部引線端子12、導電部15、外部引線端子42，施加到外部的測量電路(未圖示)上，並進行測量。由此，檢測入射到受光窗晶片30的紅外線量。
本實施方式的紅外線檢測裝置1，使形成有冷接點的矽基板21，由覆蓋部件40覆蓋，因此熱量不易從矽基板21散失，使其成為擁有多的熱容量，可以使在矽基板21上的溫度變動穩定。另外，因僅隔離物36的厚度，使紅外線檢測晶片20與受光窗晶片之間30的密閉空間34成為大容積量，即，因從紅外線受光部23向受光窗晶片30的熱傳導所致的放熱被遮斷，紅外線受光部23的絕熱性升高。因此，可提高使紅外線變換成熱的熱交換率，並可使作為紅外線檢測裝置1的傳感器的靈敏度增大。
另外，如圖4所示，本發明的紅外線檢測裝置1，由於壁板部14的頂面14a具有超過受光窗晶片30的上面30a的構造，因此，在利用平套爪(collet)110拾取紅外線檢測裝置1並向其他裝置進行安裝時，成為平套爪110的前端面110a與壁板部14的頂面14a相接觸，而並不直接與受光窗晶片的上面接觸。所以，因與平套爪110的接觸而導致的損壞，可有助於提高工序生產率。
圖5是表示第2實施方式的紅外線檢測裝置的構成的剖面圖。本實施方式的紅外線檢測裝置60與第1實施方式的不同點在於，在受光窗晶片62中的密閉空間61側的表面，在與紅外線受光部23相對的區域上，利用蝕刻等形成向上方的凹部63。對於其它構成，由於具有與第1實施方式相同的構造，所以省略說明。並且，由於第2實施方式的紅外線檢測裝置60的製造方法與第1實施方式的製造方法相同，所以省略說明。
根據本實施方式，與上述第1實施方式相同，紅外線檢測裝置60的耐衝擊性提高，可容易且確實地實施向各種裝置的安裝。另外，由於被覆蓋部件40覆蓋，因此，可以使矽基板21擁有多的熱容量，並可以使矽基板21上的溫度的變動穩定。進一步，本實施方式由於上述特徵構造，可以確保密閉空間61的容量更大。因此，紅外線受光部23變得更加容易絕熱，可進一步提高靈敏度。另外，在具有凹部63的受光窗晶片62與紅外線檢測晶片20直接結合而沒有隔離物36的情況下，以及在無法使隔離物36升高的情況下，也可確保密閉空間61，並可抑制紅外線檢測裝置60的靈敏度的下降。
而且，在本實施方式中，凹部63形成為一個，但是不限於此，也可以形成多個的凹部63。另外，在本實施方式中，凹部63形成在與紅外線受光部23相對的區域，但是，也可以形成在與紅外線受光部23相對的區域以外的區域。
圖6是表示第3實施方式的紅外線檢測裝置的構成的剖面圖。如該圖所示，第3實施方式的紅外線檢測裝置50，基本上與上述第1實施方式的紅外線檢測裝置1的構造相同，但是，基座部件52的構造不同。
即，基座部件52不具有壁板部，代替上述第1實施方式中的內部引線端子12、外部引線端子42和連接它們的導電部15，具有貫通基板部56，直接導通基板部56的上下兩表面的內部引線端子54。內部引線端子54，具有表面安裝的方式的「匚」字狀與反「匚」字狀，並成為相向地與基板部56的兩端部嵌合的狀態。直到距受光窗晶片30的上面30a規定距離(在本實施方式中，與受光窗晶片30的上面30a相比，向下0.2mm)的下側，由覆蓋部件58填滿。覆蓋部件58，在相對光的入射方向的垂直方向上，從基座部件52的內部引線端子54突出至外側。並且，在該突出部分的下面固定有薄膜64。
接著，對第3實施方式的紅外線檢測裝置50的製造方法進行。首先，如圖7(a)所示，預先準備形成有貫通基板部56的內部引線端子54形成的基座部件基材130，在周圍設置外框(未圖示)以包圍基座部件基材130，而形成收容空間。在該收容空間中，將預先製作的紅外線檢測晶片20、隔離物36和受光窗晶片30的接合體44，配置在搭載面13的規定位置上，並通過粘合等使其固定。接著，利用焊接線38連接各接合體44的信號輸入輸出端子25和基座部件52的內部引線端子54。如圖7(a)所示，粘合薄膜64，以從搭載面13側覆蓋形成在基座部件52鄰接的內部引線端子54之間的開口部65。
接著，在收容空間內注入矽樹脂(參照圖7(b))。此時，注入矽樹脂至低於上面30a的位置(在本實施方式中，從受光窗晶片30的上面30a向下0.2mm)，並且不使其流到受光窗晶片30的上面30a。另外，由於開口部65被薄膜64封住，因此，樹脂不會流入開口部65中。通過放置、加熱、紫外線照射等的方法使注入的矽樹脂硬化後，如圖7(c)所示，沿著開口部65的中心，在縱、橫方向上分別切斷。由此，可取得如圖6所示的晶片形狀的紅外線檢測裝置50。
在本實施方式中，可得到與上述第1實施方式相同的結果。即，紅外線檢測裝置50耐衝擊性提高，可容易且確實地實施向各種裝置的安裝，同時，可增加作為傳感器的靈敏度。另外，本實施方式由於具有上述特徵的構成，因此，如圖8所示，在以角錐型套爪拾取本發明的紅外線檢測裝置50並向其它裝置安裝時，角錐型套爪120通過接觸紅外線檢測裝置50的覆蓋部件58，而使角錐型套爪120不直接接觸受光窗晶片30的上面30a，因此，防止因與角錐型套爪120接觸所導致的損壞，可提高工序生產率。
而且，本發明並不限定於上述實施方式。例如，在本實施方式中，使內部引線端子為焊盤型，但是，也可以是針型(pin type)的。
另外，在上述各實施方式，使紅外線檢測裝置為熱電堆並對其進行說明，但是，也可以使用測輻射熱儀、焦電傳感器、二極體方式及雙金屬方式等，在此情況下，可以取得與上述各實施方式同樣的結果。
權利要求
1.一種紅外線檢測裝置，其特徵在於，具有紅外線檢測晶片，在矽基板上，形成有紅外線受光部和與其連接的信號輸入輸出端子；受光窗晶片，固定於該紅外線檢測晶片的受光側，並使所述信號輸入輸出端子露出，同時，形成收容所述受光部的密閉空間，並至少使檢測對象的紅外線透過；基座部件，具有用於搭載所述紅外線檢測晶片的搭載面，並在該搭載面的附近設置有內部引線端子；焊接線，電連接所述信號輸入輸出端子和所述內部引線端子；以及覆蓋部件，注入樹脂並使其硬化，以使至少所述信號輸入輸出端子、所述內部引線端子和所述焊接線進入其內部，並且，覆蓋所述受光窗晶片的側面的至少所述紅外線檢測晶片側。
2.如權利要求1所述的紅外線檢測裝置，其特徵在於，在所述紅外線檢測晶片和所述受光窗晶片之間，以包圍所述密閉空間的方式間隔有隔離物。
3.如權利要求1或2所述的紅外線檢測裝置，其特徵在於，在所述受光窗晶片中的所述密閉空間側的表面，形成有凹部。
4.如權利要求1～3中任何一項所述的紅外線檢測裝置，其特徵在於，所述基座部件包含基板部和壁板部；其中，所述基板部在上面具有所述搭載面，所述壁板部形成為豎立設置在該基板部上，並且項面超過所述受光窗晶片的上面。
5.如權利要求1～4中任何一項所述的紅外線檢測裝置，其特徵在於，所述內部引線端子，與設置在所述基座部件的下面的外部引線端子相電連接。
全文摘要
本發明的目的在於提供一種抗機械衝擊強，容易且確實進行各種用途的安裝的紅外線檢測裝置。紅外線檢測裝置(1)具有位於下部的基座部件(10)；與搭載在基座部件(10)上的、用於檢測紅外線的紅外線檢測晶片(20)；位於紅外線檢測晶片(20)上部，用於使紅外線透過的受光窗晶片(30)；連接紅外線檢測晶片(20)的端子、基座部件(10)的端子的焊接線(38)；在從受光窗晶片(30)的上面(30a)至規定距離的下側，覆蓋覆蓋部件(40)。受光窗晶片(30)，隔著隔離物(36)，而形成收容紅外線檢測晶片(2)0和紅外線受光部(23)的密閉空間(34)。
文檔編號H01L35/32GK101065648SQ20058004035
公開日2007年10月31日 申請日期2005年11月17日 優先權日2004年11月24日
發明者柴山勝己 申請人:浜松光子學株式會社