覆晶薄膜壓合的方法

2023-10-08 08:16:19

專利名稱：覆晶薄膜壓合的方法
技術領域：
本發明涉及覆晶物件壓合的方法的相關技術領域，具體地說是一種覆晶薄膜壓合的方法。
背景技術：
傳統製作玻璃基板構裝模組包含玻璃覆晶壓合(chip on glass; COG)、薄膜覆晶壓合(chip on film; C0F)、以及連接至玻璃基板的外部引腳焊接(outer lead bonding; OLB)等方法。 其中薄膜覆晶壓合的製作過程包括一預壓程序、 一本壓程序及檢査程序，其中此製程使用一 壓接設備(以下稱COF壓接機)對一覆晶薄膜進行預壓程序，此壓接設備可先進行對位，接著， COF壓接機便對此覆晶薄膜進行本壓程序，使得此覆晶薄膜可被固定於玻璃基板上，才進行後 續之檢查程序。
而COF壓接機的工作原理是通過高溫及一定壓力下，使覆晶薄膜與玻璃基板之間的一導電 膠膜內的導電粒子露出，實現覆晶薄膜與玻璃基板的連接以及使覆晶薄膜上的線路與玻璃基 板的線路電氣相通。此外，當檢查程序檢查出覆晶薄膜上的線路與玻璃基板的線路於本壓程 序後產生偏移時，便依據其偏移值調整COF壓接機下一次壓合覆晶薄膜的壓接參數。
然而，上述傳統的檢查程序僅根據覆晶薄膜的偏移值作調整，卻無法根據覆晶薄膜預壓 前的寬度或者是覆晶薄膜因高溫壓合所導致膨脹延展的程度進行壓接參數的調整，如此，便 需投入大量人力進行調整，以降低不良位移所產生的產品不合格率。

發明內容
本發明的目的是在提供一種覆晶薄膜壓合的方法，根據覆晶薄膜的寬度來修正熱壓合機 臺壓合時的壓接參數組，以求降低覆晶薄膜所產生的產品不合格率，進而減少進行調整的人 力。
根據上述目的，本發明提供一種覆晶薄膜壓合的方法，根據不同的壓接參數組進行覆晶 薄膜與基板的熱壓合，包括以下歩驟(a)測量一第一覆晶薄膜的一第一寬度，並與一第一參 考範圍比較，得出一第一偏差值；(b)根據所述的第一偏差值選擇對應的一第一壓接參數組， 將所述的第一覆晶薄膜熱壓合至一第一基板上；(c)測量所述的第一覆晶薄膜於熱壓合後的 一第二寬度，並與一第二參考範圍比較，得出一第二偏差值；(d)測量一第二覆晶薄膜的一第 三寬度，並與所述的第一參考範圍比較，得出一第三偏差值；(e)根據所述的第二偏差值與第三偏差值選擇對應的一第二壓接參數組，將所述的第二覆晶薄膜熱壓合於第二基板上。
本發明的一較佳實施例中，所述的第一壓接參數組與第二壓接參數組至少包括熱壓合時 間、熱壓合溫度與熱壓合壓力的其中之一。
此較佳實施例於上述步驟(b)中，(l)當第一偏差值為O，則不調整第一壓接參數組的修正 設定；(2)當第一偏差值大於0，則降低第一壓接參數組的修正設定；反之(3)當第一偏差值小 於0，則提高第一壓接參數組的修正設定。
此較佳實施例於上述步驟(e)中，將第二偏差值乘上一第一權重，得到一加權後第二偏差 值，並將第三偏差值乘上一第二權重，得到一加權後第三偏差值，再根據加權後第二偏差值 與加權後第三偏差值選擇對應的第二壓接參數組。
當加權後第二偏差值與加權後第三偏差值相加之和為O，則不調整該第二壓接參數組的設 定；當加權後第二偏差值與加權後第三偏差值相加之和大於O,則降低第二壓接參數組的設定； 當該加權後第二偏差值與該加權後第三偏差值相加之和小於O，則提高該第二壓接參數組的設 定。
本發明的有益效果在於通過根據覆晶薄膜的寬度來修正熱壓合機臺壓合時的壓接參數 組，降低了覆晶薄膜所產生的產品不合格率，進而減少了進行調整的人力資源。


圖l為本發明的覆晶薄膜壓合的方法中較佳實施例的流程示意圖。
具體實施例方式
以下結合附圖及實施例對本發明作進一步描述。
一種覆晶薄膜壓合的方法，適用於一液晶顯示模組的製程中，應用一壓接設備，對一覆晶 薄膜(chip on film; COF)依序進行預壓程序(pre-bonding process)及本壓程序(main-bonding process),以將覆晶薄膜熱壓合於一玻璃基板上，並根據覆晶薄膜在預壓程序前或本壓程序後 的寬度來調整及修正壓接設備的壓接參數組，使壓接設備能準確地將覆晶薄膜熱壓合於玻璃 基板上，而壓接參數組至少包括熱壓合時間、熱壓合溫度與熱壓合壓力的其中之一。此方法 的一較佳實施例的流程如圖l所示，其詳細的流程描述如下
步驟(101)測量一第一覆晶薄膜的一第一寬度，並與一第一參考範圍比較，而得出一第 一偏差值
本步驟在對第一覆晶薄膜進行預壓程序前，先測量第一覆晶薄膜的第一寬度w，並將第一寬度W與一第一參考範圍(a b)加以比較，可計算而得出兩者間相差的第一偏差值。第一參考 範圍(a~b)可能是以往的經驗值(例如45土0.05微米)或廠商給的預設數值資料等，其中a、 b均為正數。
步驟(102)依據第一偏差值選擇對應的一第一壓接參數組，將第一覆晶薄膜熱壓合至一 第一基板上
本步驟依據第一偏差值所對應的壓接參數組對第一片覆晶薄膜進行本壓程序，將覆晶薄膜
熱壓合於第一基板(如玻璃基板)上，形成覆晶薄膜與第一基板的電氣導接。於此較佳實 施例中，選擇對應第一壓接參數組的依據為(1)當第一偏差值為0，即當第一寬度W落於第一參
考範圍(a b)中，則不調整第一壓接參數組的修正級別設定，例如，直接採用原熱壓合時間、 熱壓合溫度與或熱壓合壓力的值作為第一壓接參數組；(2)當第一偏差值大於0，即當第一寬度 W大於第一參考範圍的最大值b (第一偏差值Xl-W-bX)),則降低第一壓接參數組的設定，例 如至少調低熱壓合時間、熱壓合溫度與熱壓合壓力的其中之一；反之，(3)當第一偏差值小於0， 即第一寬度小於第一參考範圍(第一偏差值Xl-W-aO)的最小值，則提高第一壓接參數組的 設定，例如至少提高熱壓合時間、熱壓合溫度與熱壓合壓力的其中之一。
步驟(103)測量第一覆晶薄膜於熱壓合後的一第二寬度，並與一第二參考範圍比較，而
得出一第二偏差值
此步驟主要是進行檢查程序，並測量第一片覆晶薄膜熱壓合後的第二寬度，因為覆晶薄膜 於本壓程序的熱壓合後會延展而改變其寬度。並將此己壓合的第一片覆晶薄膜的第二寬度與
一第二參考範圍加以比較，計算兩者間相差的第二偏差值。這個第二參考範圍(A B)的數 值A(或B)可不同於第一參考範圍的a(或b),但概念與上述的第一參考範圍相同，第二參考範圍 可能是以往的經驗值(例如50土0.05微米)或廠商給的預設數值資料，其中A與B均為正數。 步驟(104)測量一第二覆晶薄膜的一第三寬度，並與第一參考範圍比較，而得出一第三 偏差值。
步驟(105)依據第二偏差值與第三偏差值選擇對應的一第二壓接參數組，將第二覆晶薄 膜熱壓合於第二基板上。
本步驟中，同時參考第二偏差值及第三偏差值來選擇對應的第二壓接參數組，並對第二覆 晶薄膜進行本壓程序，降低覆晶薄膜的產品不合格率。
此較佳實施例所選擇對應第二壓接參數組的依據為，先將第二偏差值乘上一第一權重，得 到一加權後第二偏差值，並將第三偏差值乘上一第二權重，得到一加權後第三偏差值，後依 據加權後第二偏差值與加權後第三偏差值選擇對應的一第二壓接參數組。需注意的是，使用者可依據當時的情形或者需求而分別決定本壓程序後延展覆晶薄膜寬度 或預壓程序前原始覆晶薄膜寬度的第一權重和第二權重，權重越高的代表希望以其作為決定 第二壓接參數組的主要依據，例如當第一權重與第二權重的比例為l: 10時，此時第三偏差值 為決定第二壓接參數組的較主要依據。
當加權後第二偏差值與加權後第三偏差值相加之和為O，則不調整該第二壓接參數組的設 定，直接採用預設的第二壓接參數組，第二壓接參數組例如熱壓合時間、熱壓合溫度或熱壓 合壓力的值等；當加權後第二偏差值與加權後第三偏差值相加之和大於O,則降低第二壓接參 數組的設定，例如至少調低熱壓合時間、熱壓合溫度與熱壓合壓力中的其中之一；當該加權 後第二偏差值與該加權後第三偏差值相加之和小於O，則提高該第二壓接參數組的設定，例如 至少調高熱壓合時間、熱壓合溫度與熱壓合壓力中的其中之一。第二壓接參數組的熱壓合時 間、熱壓合溫度與熱壓合壓力並無相關聯的關係，可根據實際狀況獨立地調整。
依此類推，藉由收集每一覆晶薄膜的預壓前的寬度，搭配上一片覆晶薄膜熱壓合後的寬度， 便可得到較精準修正的壓接參數組，即可控制本壓程序的穩定性，使得覆晶薄膜所產生位移 的偏差度可較現有技術來的更小，以降低產生覆晶薄膜熱壓合不合格機率。
本發明所揭露如上的各實施例，並非用以限定本發明，本領域的技術人員在不脫離本發 明的精祌和範圍內，可作各種更動與潤飾，因此本發明的保護範圍當以權利要求所界定的範 圍為準。
權利要求
1、覆晶薄膜壓合的方法，根據不同的壓接參數組進行覆晶薄膜與基板的熱壓合，其特徵在於包括以下步驟(a)測量一第一覆晶薄膜的一第一寬度，並與一第一參考範圍比較，得出一第一偏差值；(b)根據所述的第一偏差值選擇對應的一第一壓接參數組，將所述的第一覆晶薄膜熱壓合至一第一基板上；(c)測量所述的第一覆晶薄膜於熱壓合後的一第二寬度，並與一第二參考範圍比較，得出一第二偏差值；(d)測量一第二覆晶薄膜的一第三寬度，並與所述的第一參考範圍比較，得出一第三偏差值；(e)根據所述的第二偏差值與第三偏差值選擇對應的一第二壓接參數組，將所述的第二覆晶薄膜熱壓合於第二基板上。
2. 根據權利要求l所述的覆晶薄膜壓合的方法，其特徵在於所述的第一壓接參數組與 第二壓接參數組至少包括熱壓合時間、熱壓合溫度與熱壓合壓力的其中之一。
3. 根據權利要求2所述的覆晶薄膜壓合的方法，其特徵在於當所述的第一寬度介於第 一參考範圍中，所述的第一偏差值為0，則不調整所述的第一壓接參數組的設定。
4. 根據權利要求2所述的覆晶薄膜壓合的方法，其特徵在於當所述的第一寬度大於第 一參考範圍的最大值，所述的第一偏差值大於0，則降低所述的第一壓接參數組的設定。
5. 根據權利要求2所述的覆晶薄膜壓合的方法，其特徵在於當所述的第一寬度小於第 一參考範圍的最小值，所述的第一偏差值小於0，則提高所述的第一壓接參數組的設定。
6. 根據權利要求2所述的覆晶薄膜壓合的方法，其特徵在於所述的(e)步驟中，先將所 述的第二偏差值乘上一第一權重，得到一加權後第二偏差值，並將所述的第三偏差值乘上一 第二權重，得到一加權後第三偏差值，再根據所述的加權後第二偏差值與所述的加權後第三 偏差值選擇對應的一第二壓接參數組。
7. 根據權利要求6所述的覆晶薄膜壓合的方法，其特徵在於當所述的加權後第二偏差 值與所述的加權後第三偏差值相加之和為O，則不調整所述的第二壓接參數組的設定。
8. 根據權利要求6所述的覆晶薄膜壓合的方法，其特徵在於當所述的加權後第二偏差 值與所述的加權後第三偏差值相加之和大於O，則降低所述的第二壓接參數組的設定。
9. 根據權利要求6所述的覆晶薄膜壓合的方法，其特徵在於當所述的加權後第二偏差值與所述的加權後第三偏差值相加之和小於o，則提高所述的第二壓接參數組的設定。
全文摘要
本發明涉及一種覆晶薄膜壓合的方法，根據覆晶薄膜的寬度來選擇壓接參數組，以進行覆晶薄膜與基板的熱壓合，方法包括測量第一覆晶薄膜的第一寬度，並與一第一參考範圍比較，而得出一第一偏差值；根據第一偏差值選擇對應的第一壓接參數組，將第一覆晶薄膜熱壓合至一第一基板上；測量第一覆晶薄膜於熱壓合後的第二寬度，並與第二參考範圍比較，而得出第二偏差值；測量第二覆晶薄膜的第三寬度，並與第一參考範圍比較，而得出第三偏差值；根據第二偏差值與第三偏差值選擇對應的一第二壓接參數組，以及將第二覆晶薄膜熱壓合於第二基板上。本發明有效降低了覆晶薄膜所產生的產品不合格率，進而減少了進行調整的人力資源。
文檔編號G02F1/13GK101435933SQ20081020239
公開日2009年5月20日 申請日期2008年11月6日 優先權日2008年11月6日
發明者劉金華 申請人:達輝(上海)電子有限公司;友達光電股份有限公司