加熱熔罐和包括該加熱熔罐的沉積裝置的製作方法
2023-05-10 14:02:46
專利名稱：加熱熔罐和包括該加熱熔罐的沉積裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種加熱熔罐，該加熱熔罐的沉積速率均勻、沉積重複率高。本發明也涉及一種在沉積工藝中採用該加熱熔罐的沉積裝置。
背景技術：
由於場致發光顯示裝置視角廣、對比度高且響應速度快，所以預計其將成為下一代的發射顯示裝置。
根據形成場致發光顯示裝置中的發射層(EML)的材料，場致發光顯示裝置分為有機發光顯示裝置或無機發光顯示裝置。與無機發光顯示裝置相比，有機發光顯示裝置更亮，且具有更高的驅動電壓和更快的響應速度。有機發光顯示裝置也可以顯示彩色圖像。
有機發光二極體(OLED)是有機發光顯示裝置。OLED包括位於彼此面對的兩個電極之間的內層。該內層可以是空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、EML、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)，但不限於此。這些層被認為是有機薄膜。
可在沉積裝置中採用沉積法來在襯底上形成有機薄膜比如HIL、HTL、EML、ETL、EIL等以製造OLED。在典型的沉積法中，將容器的內部壓力減小到10-6至10-7託之間。該容器包括面對襯底的加熱熔罐。將有機材料注入到該加熱熔罐，隨後，有機材料被蒸發或升華從而沉積到襯底上。
有機材料必須具有均勻的沉積速率和優良的可重複性，使其能被均勻地沉積在襯底上，從而使有機發光顯示裝置能夠在整個屏幕上再現均勻的圖像。由陶瓷製成的加熱熔罐不具有均勻的沉積速率和優良的可重複性。
發明內容
本發明提供了一種具有均勻的沉積速率和優良的可重複性的加熱熔罐。本發明也涉及一種在沉積工藝中採用該加熱熔罐的沉積裝置。
將在以下的描述中提出本發明的另外的方面，且部分從描述中將是明顯的，或者可以從本發明的實施中得知。
本發明公開了一種沉積裝置的加熱熔罐，包括主體，由鈦製成，具有內腔和開口，內腔用於容納要被沉積的材料，開口用於噴射所述要被沉積的材料；導線，用於加熱主體；絕緣體，用於使主體與導線絕緣。
本發明還公開了一種沉積裝置，包括支撐件，支撐其上形成有沉積膜的襯底；加熱熔罐，面對襯底，用於噴射要被沉積的材料。所述加熱熔罐包括鈦主體，具有內腔和開口，內腔用於容納要被沉積的材料，開口用於噴射所述要被沉積的材料；導線，用於加熱主體；絕緣體，用於使主體與導線絕緣。
應該理解，上面的總體描述和下面的詳細描述都是示例性和解釋性的，其意在提供對如權利要求的本發明提供進一步的解釋。
附圖提供了對本發明的進一步解釋且併入本說明書中構成說明書的一部分，其示出了本發明的實施例，和描述一起用來解釋本發明的原理。
圖1是示意性地示出根據本發明的示例性實施例的沉積裝置的加熱熔罐的分解透視圖。
圖2是示意性地示出圖1的沉積裝置的加熱熔罐的透視圖。
圖3是示意性地示出包括在根據本發明的示例性實施例的沉積裝置的加熱熔罐中的主體的更改。
圖4是示意性地示出根據本發明的示例性實施例的沉積裝置的加熱熔罐的更改的透視圖。
圖5是示意性地示出根據本發明的示例性實施例的沉積裝置的加熱熔罐的分解透視圖。
圖6是示意性地示出圖5的沉積裝置的加熱熔罐的透視圖。
圖7是示意性地示出根據本發明的示例性實施例的沉積裝置的加熱熔罐的分解透視圖。
圖8是示意性地示出圖7的沉積裝置的加熱熔罐的透視圖。
圖9是示意性地示出根據本發明的示例性實施例的沉積裝置的透視圖。
具體實施例方式
沉積裝置的加熱熔罐包括鈦主體，具有內腔和開口，內腔用於容納要被沉積的材料，開口用於噴射要被沉積的材料；導線，用於加熱該主體；絕緣體，用於使主體與導線絕緣。本發明也涉及一種在沉積工藝中採用該加熱熔罐的沉積裝置。
加熱熔罐和沉積裝置允許有機膜或金屬膜以均勻的沉積速率沉積並且沉積的重複率高。此外，有機膜或金屬膜以均勻的沉積速率和優良可重複性沉積，從而使得顯示裝置能夠在整個屏幕上再現均勻的圖像。
以下參照示出了本發明實施例的附圖來對本發明進行更全面地描述。然而，本發明可在許多不同的形式來實施，並不應該被理解為受限於這裡提出的實施例。提供這些實施例使得本公開更徹底，這些實施例將本發明的範圍全面地傳達給本領域的技術人員。在附圖中，為了描述清楚，會把層和區域的尺寸及相對尺寸誇大。
應該理解，當稱組件比如層、膜、區域或襯底在另一個組件之上時，該組件可以直接在其他組件上或者可存在插入組件。對比地，當稱一個組件直接在另一個組件上時，就不存在插入組件。
圖1是示意性地示出根據本發明實施例的沉積裝置的加熱熔罐的分解透視圖。圖2是示意性地示出圖1的沉積裝置的加熱熔罐的透視圖。圖3是示意性地示出包括在根據本發明實施例的沉積裝置的加熱熔罐中的主體的更改的透視圖。圖4是示意性地示出根據本發明實施例的沉積裝置的加熱熔罐的更改的透視圖。
參照圖1和圖2，加熱熔罐包括主體110，由鈦製成，具有內腔和開口110c，內腔用於容納要被沉積的材料，開口用於噴射要被沉積的材料；導線120，用於加熱主體110；絕緣體130，用於使主體110和導線120絕緣。主體110可包括溫度傳感器比如熱電偶，用於測量在主體110底部的材料的溫度。
加熱熔罐還包括圓柱形支撐件140。該支撐件140可具有各種其他的形狀。
主體110還包括突出150，該突出150用於將主體110支撐在支撐件140的上部。如圖1中或圖3中所示的突出150可為任意形狀，可為複數或單數。包括在加熱熔罐中的導線120沿著支撐件140的內壁和外壁從支撐件140的頂部向下延伸形成多個「U」形。可選擇地，導線可布置為任意形狀或構造。
因為加熱功率的變化引起的鈦主體的內部溫度變化小於引起的傳統陶瓷主體內部溫度變化，所以主體110由鈦代替陶瓷來製成。
下面的表1表示當沉積裝置將施加到主體的加熱功率從15％提高到20％時，由陶瓷製成的主體的內壁和外壁的溫度變化。
表1
表1示出當加熱功率提高5％時，陶瓷主體的內壁和外壁的溫度都升高大約100℃。
下面的表2表示當沉積裝置將施加到主體的功率從19％提高到29％時，由鈦製成的主體110的內壁和外壁的溫度變化。
表2
表2示出了當加熱功率提高10％時，鈦主體110的內壁和外壁的溫度都升高大約80～90℃。
加熱功率的變化導致了主體的內壁和外壁的溫度變化。因為主體的內壁和外壁的溫度變化使沉積速率變化很大，所以，所不期望的是，較小的加熱功率的變化引起主體的內壁和外壁的溫度的大變化。沉積速率的變化使得不能沉積厚度均勻的薄膜。
如表1和表2中所示，當加熱功率提高5％時，陶瓷主體的內壁和外壁的溫度都升高大約100℃，而當加熱功率提高10％時，鈦主體110的內壁和外壁的溫度身高大約80～90℃。與陶瓷主體相比，鈦主體對加熱功率的變化比較不敏感。因此，包括鈦主體110的加熱熔罐與包括陶瓷主體的加熱熔罐相比具有更均勻的沉積速率，沉積的薄膜厚度均勻。
導線120由高電阻的導電材料製成，該導線中有電流流過並相應地產生熱來加熱主體110。因為鈦和陶瓷不同，它是導電材料，所以導線120和鈦主體110必須絕緣。因此，為了使主體110與導線120絕緣，如圖1和圖2中所示，在支撐件140和主體110的突出150之間或在突出150和導線120之間設置絕緣體130。絕緣體130可由任意絕緣材料製成。在示例性實施例中，具有優良耐熱性的陶瓷可用來形成絕緣體130。
因為熔罐對加熱功率的變化比較不敏感，所以本示例性實施例中的鈦主體110和絕緣體130使沉積裝置的熔罐具有均勻的沉積速率和優良的可重複性。
圖5示意性地示出根據本發明實施例的沉積裝置的加熱熔罐的分解透視圖。圖6示意性地示出圖5中的沉積裝置的加熱熔罐的透視圖。
參照圖5和圖6，加熱熔罐包括主體210，由鈦製成，具有內腔和開口210c，內腔用於容納要被沉積的材料，開口用於噴射要被沉積的材料；導線220，用於加熱主體210；絕緣體230，用於使得主體210與導線220絕緣。主體210可包括溫度傳感器比如熱電偶，用於測量在主體210底部的材料的溫度。
加熱熔罐還包括圓柱形支撐件240。該支撐件可具有各種其他形狀。主體210還包括突出250，用於將主體210支撐在支撐件240的上部。如圖5中所示的突出250可為任意形狀，可為複數或單數。
在示例性實施例中，導線220在支撐件240中為線圖形。如圖5中所示，導線220部分地連接到支撐件240的外部，並必須與主體210絕緣。在沉積工藝過程中，必須防止主體210和導線220的接觸。
為了使導電的鈦主體210與導線220絕緣，絕緣體230必須設置在支撐件240和主體210的突出250之間，或在突出250和導線220之間。
本示例性實施例的鈦主體210和絕緣體230使得沉積裝置的熔罐具有均勻的沉積速率和優良的可重複性。
圖7是示意性地示出根據本發明的示例性實施例的沉積裝置的加熱熔罐的分解透視圖。圖8是示意性地示出圖7的沉積裝置的加熱熔罐的透視圖。
參照圖7，加熱熔罐包括鈦主體310，具有內腔和開口310c，內腔用於容納要被沉積的材料，開口用於噴射要被沉積的材料；導線320，用於加熱主體310；絕緣體330，用於使主體310與導線320絕緣。主體310可包括溫度傳感器比如熱電偶，用於測量在主體310底部的材料的溫度。
加熱熔罐還包括支撐件340。主體310還包括突出350，用於將主體310支撐在支撐件340的上部。包括在加熱熔罐中的導線320沿著支撐件340的內壁和外壁從支撐件340的頂部向下延伸形成多個「U」形。
主體310包括有開口310c的蓋310b和有內腔的主體單元310a。蓋310b可包括輔助導線(未示出)，用於防止材料沉積在開口310c周圍。蓋310b和開口310c提高了主體310內部的材料的壓力。
用於利用支撐件340來支撐主體310的突出350可包含在主體310的主體單元310a中，或如圖8中所示包含在蓋310b中。
因為加熱功率的變化引起的鈦主體的內部溫度的變化比在傳統的陶瓷主體中發生的內部溫度的變化小，所以主體310由鈦代替陶瓷來製成。
鈦主體310、絕緣體330、主體單元310a和蓋310b使得製造的沉積裝置的加熱熔罐可具有均勻的沉積速率、優良的可重複性且要被沉積的材料的噴射壓力提高。
圖9是示意性地示出根據本發明的示例性實施例的沉積裝置的透視圖。
參照圖9，本發明的沉積裝置包括容器411，具有用於支撐襯底400的襯底支撐件412；沉積掩模413，在襯底400上，用於使沉積在襯底400上的材料形成狹縫的圖案；加熱熔罐420，面對襯底400，沉積掩模413位於襯底400和加熱熔罐420之間。
襯底支撐件412支撐襯底400的角，但不限於此。襯底支撐件412還可包括防止襯底400由於自身的重量而偏斜的工具，且包括使沉積掩模413緊靠襯底400的工具。
加熱熔罐的數量可為單數或複數。多個加熱熔罐420可線形排列或輪轉排列。加熱熔罐420的排列不限於圖9中示出的示例性實施例。
本領域的技術人員應該清楚，在不脫離本發明的精神和範圍的情況下可對本發明進行各種更改和變形。因此，本發明意在覆蓋落入權利要求及其等同物的範圍內的本發明的更改和變形。
本申請要求2004年11月5日提交的第10-2004-0089650號韓國專利申請的優先權和利益，其通過各種目的的引用包含於此，好像完全在這裡提出一樣。
權利要求
1.一種加熱熔罐，包括主體，由鈦製成；導線，能夠加熱所述主體；絕緣體，能夠使所述主體與所述導線絕緣，其中，所述主體還包括內腔和開口，所述內腔能夠容納要被沉積的材料，所述開口能夠噴射所述要被沉積的材料。
2.如權利要求1所述的加熱熔罐，其中，所述絕緣體由陶瓷製成。
3.如權利要求1所述的加熱熔罐，還包括能夠支撐所述主體的支撐件。
4.如權利要求3所述的加熱熔罐，其中，所述支撐件為圓柱形，其中，所述導線在所述支撐件中，其中，所述導線沿著所述支撐件的內壁和外壁從所述支撐件的頂部向下延伸形成多個「U」形。
5.如權利要求3所述的加熱熔罐，其中，所述支撐件為圓柱形，其中，所述導線在所述支撐件中，其中，所述導線沿著所述支撐件的內壁從所述支撐件的頂部延伸。
6.如權利要求3所述的加熱熔罐，其中，所述支撐件為圓柱形，其中，所述導線在所述支撐件中，其中，所述導線為線圈形。
7.如權利要求3所述的加熱熔罐，其中，所述主體還包括能夠支撐所述主體的突出，其中，所述突出通過接觸所述支撐件的上部來支撐所述主體。
8.如權利要求7所述的加熱熔罐，其中，所述絕緣體位於所述突出和所述支撐件之間，或位於所述突出和所述導線之間。
9.如權利要求1所述的加熱熔罐，其中，所述主體還包括具有開口的蓋。
10.一種沉積裝置，包括支撐件，支撐其上形成有沉積膜的襯底；加熱熔罐，面對所述襯底，所述加熱熔罐能夠將要被沉積的材料噴射到所述襯底上，其中，所述加熱熔罐包括主體，由鈦製成；導線，能夠加熱所述主體；絕緣體，能夠使所述主體與所述導線絕緣，其中，所述主體還包括內腔和開口，所述內腔能夠容納要被沉積的材料，所述開口能夠噴射所述要被沉積的材料。
11.如權利要求10所述的沉積裝置，其中，所述絕緣體由陶瓷製成。
12.如權利要求10所述的沉積裝置，還包括能夠支撐所述主體的支撐件。
13.如權利要求12所述的沉積裝置，其中，所述支撐件為圓柱形，其中，所述導線在所述支撐件中，其中，所述導線沿著所述支撐件的內壁和外壁從所述支撐件的頂部向下延伸形成多個「U」形。
14.如權利要求12所述的沉積裝置，其中，所述支撐件為圓柱形，其中，所述導線在所述支撐件中，其中，所述導線沿著所述支撐件的內壁從所述支撐件的頂部延伸。
15.如權利要求12所述的沉積裝置，其中，所述支撐件為圓柱形，其中，所述導線在所述支撐件中，其中，所述導線為線圈形。
16.如權利要求12所述的沉積裝置，其中，所述主體還包括能夠支撐所述主體的突出，其中，所述突出通過接觸所述支撐件的上部來支撐所述主體。
17.如權利要求16所述的沉積裝置，其中，所述絕緣體位於所述突出和所述支撐件之間，或位於所述突出和所述導線之間。
18.如權利要求10所述的沉積裝置，其中，所述主體還包括具有開口的蓋。
全文摘要
本發明提供了一種加熱熔罐和一種沉積裝置，加熱熔罐具有均勻的沉積速率和優良的可重複性。該沉積裝置的加熱熔罐包括鈦主體，具有內腔和開口，內腔用於容納要被沉積的材料，開口用於噴射要被沉積的材料；導線，用於加熱主體；絕緣體，用於使主體與導線絕緣。
文檔編號C23C14/12GK1769514SQ20051011735
公開日2006年5月10日 申請日期2005年11月3日 優先權日2004年11月5日
發明者柳承潤, 柳景泰, 馬成樂 申請人:三星Sdi株式會社