用於從基片上除去光致抗蝕劑和/或蝕刻殘留物的組合物及其應用的製作方法
2023-11-02 23:06:17 1
專利名稱：用於從基片上除去光致抗蝕劑和/或蝕刻殘留物的組合物及其應用的製作方法
背景技術：
在微電子結構的製造過程中涉及很多步驟。在集成電路的製造方案中，有時需要將半導體的不同表面選擇性地蝕刻。歷史上，在不同程度上，已經成功地使用了多種顯著不同類型蝕刻方法來選擇性地除去材料。此外，微電子結構內不同層的選擇性蝕刻被視為集成電路製造工藝中的關鍵決定性步驟。
對於導孔(via)、金屬線和溝槽形成期間的圖案(pattern)傳遞，反應性離子蝕刻(RIE)正不斷地成為所選擇的方法。例如，需要多層互聯線路後端的複雜半導體裝置例如高級DRAMS和微處理器利用RIE來產生導孔、金屬線和溝槽結構。通過絕緣夾層，導孔被用於提供矽、矽化物或金屬線路的一個電平與線路的下一個電平之間的接觸。金屬線是用作裝置互連的傳導結構。溝槽結構用於形成金屬線結構。導孔、金屬線和溝槽結構通常暴露出金屬和合金例如Al，Al和Cu合金，Cu，Ti，TiN，Ta，TaN，W，TiW，矽或矽化物，例如鎢、鈦或鈷的矽化物。RIE方法通常會留下殘留物(複合混合物)，所述殘留物可包括再濺射的氧化材料以及可能的有機材料，殘留物來自用於平版印刷限定導孔、金屬線和/或溝槽的光致抗蝕劑和抗反射塗層材料。
因此希望提供能夠除去殘留物例如殘留光致抗蝕劑和/或加工殘留物，例如由於使用等離子體和/或RIE的選擇性蝕刻所致的殘留物的選擇性清潔組合物和方法。此外，希望提供能夠除去殘留物例如光致抗蝕劑和蝕刻殘留物的選擇性清潔組合物和方法，相對於可能也暴露於清潔組合物的金屬、高κ絕緣材料、矽、矽化物和/或電平間絕緣材料，包括低κ絕緣材料，例如沉積的氧化物，這樣的組合物對於殘留物表現出高選擇性。希望提供與敏感性低κ膜例如HSQ、MSQ、FQx、黑金剛石和TEOS(四乙基矽酸酯)相容並且可以與這樣的膜一起使用的組合物。
發明概述本發明公開的組合物能夠從基片上選擇性地除去殘留物例如光致抗蝕劑和加工殘留物，同時不會在不需要程度上侵蝕可能也暴露於組合物的金屬、低κ和/或高κ絕緣材料。此外，本發明公開的組合物可表現出一些絕緣材料例如二氧化矽的極小蝕刻速度。
在一個方面，本發明提供了用於除去殘留物的組合物，所述組合物包含至少約50％重量的有機溶劑，其中至少約50％的包含在組合物中的有機溶劑是二醇醚；和至少約0.5％重量的季銨化合物。
在另一個方面，本發明組合物還可以包含輔助溶劑，包括至少一種二元醇和/或多元醇。在另一個方面，本發明組合物還包含水和任選腐蝕抑制劑。
本發明還公開了用於從基片上除去殘留物，包括光致抗蝕劑和/或蝕刻殘留物的方法，所述方法包括將基片與上述本發明組合物接觸。
實施本發明的各種最佳方式本發明組合物和方法都包括選擇性地除去殘留物，例如光致抗蝕劑和/或加工殘留物，例如通過蝕刻，特別是反應性離子蝕刻產生的殘留物。在涉及物品例如用於微電子裝置的基片的清洗方法中，欲除去的典型汙染物可包括例如有機化合物，如暴露的光致抗蝕劑材料、光致抗蝕劑殘留物、UV或X-射線硬化的光致抗蝕劑、含有C-F的聚合物、低和高分子量聚合物以及其它有機蝕刻殘留物；無機化合物，例如金屬氧化物、來自CMP漿液的陶瓷顆粒以及其它無機蝕刻殘留物；含有金屬的化合物，例如有機金屬殘留物和金屬有機化合物；離子和中性、輕和重無機(金屬)種類、含水和不溶性材料，包括通過加工例如平面化和蝕刻處理而產生的顆粒。在一個具體的實施方案中，所除去的殘留物是加工殘留物例如通過反應性離子蝕刻產生的殘留物。
此外，光致抗蝕劑和/或加工殘留物通常存在於還包括以下材料的物品中金屬，矽，矽酸鹽和/或夾層絕緣材料例如沉積的氧化矽和衍生化的氧化矽例如HSQ、MSQ、FOX、TEOX和Spin-On Glass，和/或高κ材料例如矽酸鉿、氧化鉿、鋇鍶鈦(BST)、Ta2O5和TiO2，其中光致抗蝕劑和/或殘留物和金屬、矽、矽化物、夾層絕緣材料和/或高κ材料都將與清潔組合物接觸。本發明所提供的組合物和方法能選擇性地除去殘留物，同時不顯著侵蝕金屬、矽、二氧化矽、夾層絕緣材料和/或高κ材料。在一個實施方案中，本發明組合物可適於包含敏感性低κ膜的結構。在一些實施方案中，基片可含有金屬，例如但不限於銅、銅合金、鈦、氮化鈦、鎢、鈦/鎢、鋁和/或鋁合金。本發明組合物可包含至少約50％重量的有機溶劑，其中至少約50％的包含在組合物中的有機溶劑是二醇醚；和至少約0.5％重量的季銨化合物。在一些實施方案中，組合物可包含約50％-約70％的二醇醚，或約50％-約60％的二醇醚。
二醇醚通常可以與水混溶，並且可包括二醇一(C1-C6)烷基醚和二醇二(C1-C6)醚，例如但不限於(C1-C20)烷二醇(C1-C6)烷基醚和(C1-C20)烷二醇二(C1-C6)烷基醚。
二醇醚的實例是乙二醇一甲醚、乙二醇一乙醚、乙二醇一丁醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、二甘醇一甲醚、二甘醇一乙醚、二甘醇一丙醚、二甘醇一異丙醚、二甘醇一丁醚、二甘醇一異丁醚、二甘醇一苄醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、三甘醇一甲醚、三甘醇二甲醚、丙二醇一甲醚、二甘醇甲乙醚、三甘醇一甲醚乙酸酯、乙二醇一乙醚乙酸酯、丙二醇一甲醚、丙二醇二甲醚、丙二醇一丁醚、丙二醇一丙醚、一縮二丙二醇一甲醚、一縮二丙二醇一丙醚、一縮二丙二醇一異丙醚、一縮二丙二醇一丁醚、一縮二丙二醇二異丙醚、二縮三丙二醇一甲醚、1-甲氧基-2-丁醇、2-甲氧基-1-丁醇、2-甲氧基-2-甲基丁醇、1，1-二甲氧基乙烷和2-(2-丁氧基乙氧基)乙醇。
二醇醚的更典型實例是丙二醇一甲醚、丙二醇一丙醚、二縮三丙二醇一甲醚和2-(2-丁氧基乙氧基)乙醇。
如上所述，本發明組合物還包括一種或多種季銨化合物。季銨化合物的實例包括低級烷基(例如(C1-C4))季銨化合物，並且包括氫氧化四甲基銨(TMAH)、氫氧化四乙基銨、氫氧化四丁基銨、氫氧化四丙基銨、氫氧化三甲基乙基銨、氫氧化(2-羥基乙基)三甲基銨、氫氧化(2-羥基乙基)三乙基銨、氫氧化(2-羥基乙基)三丙基銨和氫氧化(1-羥基丙基)三甲基銨。在一些實施方案中，將季銨化合物以游離鹼或氫氧化物的形式加到組合物中。季銨化合物的含量為約0.5％-15％。在一些實施方案中，本發明組合物可包含約0.5％-約5％或者約1％-約5％季銨化合物。
在一些實施方案中，本發明組合物可包含一種或多種輔助性有機溶劑。在這些實施方案中，有機溶劑可以與水混溶，並且包括二元醇和多元醇，例如二醇和多元醇，如(C2-C20)烷二醇和(C3-C20)烷三醇，環狀醇和取代的醇。這些輔助溶劑的具體實例是丙二醇、四氫呋喃甲醇，雙丙酮醇和1，4-環己烷二甲醇。在這些實施方案中，輔助有機助溶劑的含量為0.1％-約40％或0.1％-20％重量。
本發明組合物可任選包含最高達約40％重量的水或最高達約35％重量的水或最高達約10％重量的水。在其中向組合物內加入水的實施方案中，水是去離子水。
本發明組合物還可以任選包含最高達約20％重量或約0.2％-約19％重量的腐蝕抑制劑。腐蝕抑制劑的實例包括但不限於有機酸、有機酸鹽、兒茶酚、沒食子酸、苯並三唑(BZT)、間苯二酚、其它酚、酸或三唑類化合物，和更常用的羥基胺化合物或其酸式鹽。優選的羥基胺化合物是二乙基羥基胺和乳酸與檸檬酸及其鹽。在現有技術中，由於其能夠侵蝕，通常認為羥基胺化合物與銅不相容。然而，在本發明組合物中，它們令人驚奇地抑制銅腐蝕。
在一些實施方案中，本發明組合物可包括含氟化合物。含氟化合物可包括通式R1R2R3R4NF化合物，其中R1、R2、R3和R4分別獨立地為氫、醇基團、烷氧基、烷基及其混合物。這樣的化合物的實例是氟化銨、氟化四甲基銨和氟化四乙基銨。含氟化合物的其它實例包括氟硼酸、氫氟酸和膽鹼氟化物。在這些實施方案中，含氟化合物或其混合物以佔組合物總重量0.1％-約20％或者0.1％-10％的量存在。在一些實施方案中，將含氟化合物以氟化物鹽的形式加到本發明組合物中。
本發明組合物還包含一種或多種下列添加劑表面活性劑、螯合劑、化學調節劑、染料、殺生物劑和其它添加劑。某些代表性實例包括炔醇(非離子烷氧基化和/或自乳化炔二醇表面活性劑)及其衍生物、醇、季銨和二季銨、醯胺(包括非質子溶劑例如二甲基甲醯胺和二甲基乙醯胺)、烷基鏈烷醇胺(例如二乙醇乙基胺)和螯合劑例如β-二酮、β-酮亞胺、羧酸、基於蘋果酸和酒石酸的酯和二酯及其衍生物和叔胺、二叔胺和三叔胺。
本發明組合物與低κ膜，例如HSQ、(FOx)、MSQ、SiLK等，包括含有氟化物的那些相容。本發明製劑還在低溫下有效地剝離光致抗蝕劑，包括正性和負性光致抗蝕劑和等離子體蝕刻殘留物例如有機殘留物、有機金屬殘留物、無機殘留物、金屬氧化物或光致抗蝕劑複合物，同時對含有鋁、銅、鈦的基片的侵蝕力非常低。此外，本發明組合物與多種不同的高介電常數材料相容。
在製造期間，將光致抗蝕劑層塗布在基片上。使用光刻法，在光致抗蝕劑層上限定圖案。由此將加上圖案的光致抗蝕劑層進行等離子體蝕刻，這樣圖案就傳遞到基片上。在蝕刻階段產生了蝕刻殘留物。某些在本發明中使用的基片被灰化，某些沒有被灰化。當基片被灰化時，欲清除或剝離的主要殘留物是蝕刻劑殘留物。如果基片沒有被灰化，則欲清除或剝離的主要殘留物是蝕刻殘留物和光致抗蝕劑。
本發明組合物可用於在低溫除去蝕刻後蝕刻劑和灰分、有機和無機殘留物以及半導體基片，同時具有低侵蝕力。使用本發明組合物的剝離和清除方法一般這樣來進行在25℃至85℃範圍內的一個或多個溫度下將基片在剝離劑/清潔劑組合物內浸泡3分鐘至1小時。然而，本發明組合物可用於本領域已知的任何方法，所述方法使用清潔液來除去光致抗蝕劑、灰分或蝕刻殘留物和/或殘餘物。
提供以下非限制性實例來進一步舉例說明本發明。
在以下實施例中的光致抗蝕劑被施以一個如下所述的方法。
將正性光致抗蝕劑旋轉塗布在基片上。正性光致抗蝕劑包含重氮萘醌和酚醛清漆樹脂。塗布後，將光致抗蝕劑在約90℃烘焙約90秒。通過經由帶圖案的面模暴露於i-線(365nm)射線，然後展開來在光致抗蝕劑上限定圖案。然後通過等離子體蝕刻將圖案傳遞到基片上。
將負性光致抗蝕劑旋轉塗布在基片上。塗布後，將光致抗蝕劑在約90℃烘焙約90秒。通過經由帶圖案的面模暴露於深紫外線(248nm)，然後展開來在光致抗蝕劑上限定圖案。然後通過等離子體蝕刻將圖案傳遞到基片上。
本發明剝離劑和清潔劑組合物一般是通過將組分在容器中於室溫混合在一起直至所有固體溶解而製得的。含水剝離劑和清潔劑組合物的實例列在表I中。蝕刻速度數據和清潔數據的總結分別列在表II和III中。
在製造期間，將光致抗蝕劑層塗布在基片上。使用光刻法，在光致抗蝕劑層上限定圖案。由此將加上圖案的光致抗蝕劑層進行等離子體蝕刻，這樣圖案就傳遞到基片上。在蝕刻階段產生了蝕刻殘留物。某些在本發明中使用的基片被灰化，某些沒有被灰化。當基片被灰化時，欲清除的主要殘留物是蝕刻劑殘留物。如果基片沒有被灰化，則欲清除或剝離的主要殘留物是蝕刻殘留物和光致抗蝕劑。
表I中的所有實例都能非常有效地剝離和清除光致抗蝕劑、蝕刻劑和灰化殘留物。處理溫度通常為40℃或更低，每一實例可在成批的清潔處理、噴霧工具和單片工具中使用。
對於下表，除非另有說明，否則所有的量都是以重量百分比給出，剝去加至100％重量。金屬蝕刻速度是用CDE ResMap 273 Four PointProbe(E-M-DGLAB-007)測定的。將500ml測試溶液置於600ml燒杯中，攪拌，如果需要的話加熱至特定溫度。如果所測試的金屬是鈦，則開始時需要浸在磷酸中。使用CDE ResMap 273 Four Point Probe測定片的初始厚度。測定初始厚度之後，將測試片浸在測試溶液中。如果僅測試一個測試片，則向溶液中加入假片。5分鐘後，把測試片從測試溶液中取出來，用去離子水洗滌洗滌3分鐘，然後在氮氣下完全乾燥。如果使用負性剝離劑溶液，則在水洗之前，將測試片在溶劑例如DMAC或IPA(異丙醇)中進行3分鐘的中間洗滌。測定每一個片的厚度，如果需要的話，在測試片上重複進行該操作。
使用Nanospec AFT 181(E-M-DGLAB-0009)測定氧化物蝕刻速度。將200ml測試溶液置於250ml燒杯中，攪拌，如果需要的話加熱至特定溫度。將三個物品在欲測試的每個片上劃線。在每個片上標記的區域是將進行測定的區域。取每個片的初始測定值。初始測定之後，將片在測試溶液中浸泡5分鐘。如果含有溶液的燒杯中僅放置一個片，則在燒杯中放置一個假片。5分鐘後，將每個測試片用去離子水洗滌3分鐘，並在氮氣下乾燥。如果使用負性剝離劑溶液，則在水洗滌之前，使用DMAC、IPA或另一合適的溶劑來將測試片洗滌3分鐘。取在每個片上的劃線區域的測定值，並且如果需要的話，重複該操作。
表I樣本製劑
表I中使用的縮寫如下PGME丙二醇甲醚THFA四氫呋喃甲醇PG 丙二醇BEE 2-(2-丁氧基)乙醇PGPE丙二醇丙醚DEHA二羥基胺t-BA三丁基胺t-PGME 二縮三丙二醇一甲醚TMAH氫氧化四甲基銨TBAH氫氧化四丁基銨p-TSA 對甲苯磺酸MEA 乙醇胺TMAF氟化四甲基銨TEAH氫氧化四乙基銨TEA/p-TSA 對甲苯磺酸三乙醇銨MEA/p-TSA 對甲苯磺酸乙醇銨實施例A如表I所示，實施例A的組合物由92％重量的BEE、0.6％重量的TBAH、3.6％重量的去離子水、2.8％重量的p-TSA和1％重量的MEA組成。實施例A是用於從金屬線和導孔中除去蝕刻殘留物和光致抗蝕劑的清潔和剝離組合物。
實施例C實施例C的組合物由48％重量的THFA、5％重量的TMAH、30％重量的PGME、2.8％重量的p-TSA、1％重量的MEA和13.2％重量的去離子水組成。實施例C是用於從過渡金屬基片和高κ材料上除去蝕刻殘留物和光致抗蝕劑的清潔和剝離組合物。
實施例E實施例E的組合物由75％重量的PGME、5.5％重量的TBAH、2.8％重量的p-TSA、1％重量的MEA和13.2％重量的去離子水組成。實施例E是用於從過渡金屬基片和高κ材料上除去蝕刻殘留物和光致抗蝕劑的清潔和剝離組合物。
實施例H實施例H的組合物由69％重量的PGME、5.5％重量的TBAH、10％重量的DEHA、4％重量的p-TSA、1.4％重量的MEA和10.1％重量的去離子水組成。實施例H是用於從過渡金屬基片和高κ材料上除去蝕刻殘留物和光致抗蝕劑的清潔和剝離組合物。
實施例K實施例K的組合物由56％重量的PGPE、0.6％重量的TBAH、39％重量的t-PGME、3％重量的p-TSA、1％重量的MEA和0.4％重量的去離子水組成。實施例K是用於從過渡金屬基片和高κ材料上除去蝕刻殘留物和光致抗蝕劑的清潔和剝離組合物。
實施例N實施例N的組合物由66％重量的PGPE、5.5％重量的TMAH、10％重量的PG、3％重量的p-TSA、8％重量的DEHA、2％重量的乳酸和5.5％重量的去離子水組成。實施例N是用於從過渡金屬基片和高κ材料上除去蝕刻殘留物和光致抗蝕劑的清潔和剝離組合物。
實施例O實施例O的組合物由66％重量的PGPE、5.5％重量的TMAH、13％重量的PG、8％重量的DEHA、2％重量的乳酸和5.5％重量的去離子水組成。實施例O是用於從過渡金屬基片和高κ材料上除去蝕刻殘留物和光致抗蝕劑的清潔和剝離組合物。
實施例P實施例P的組合物由66％重量的PGPE、5.5％重量的TMAH、13％重量的PG、8％重量的DEHA、2％重量的乳酸和5.5％重量的去離子水組成。實施例P是用於從過渡金屬基片和高κ材料上除去蝕刻殘留物和光致抗蝕劑的清潔和剝離組合物。
實施例Q實施例Q的組合物由80％重量的t-PGME、1.1％重量的TBAH、10％重量的t-BA、6％重量的p-TSA、2％重量的MEA和0.9％重量的去離子水組成。實施例Q是用於從金屬線和導孔中除去蝕刻殘留物和光致抗蝕劑的清潔和剝離組合物。
實施例A1
實施例A1的組合物由57.6％重量的PGME、1.1％重量的TBAH、2.4％重量的對甲苯磺酸三乙醇銨、5％重量的DEHA、3％重量的間苯二酚和20.9％重量的去離子水組成。實施例A1是用於從金屬基片、低κ材料和高κ材料上除去蝕刻殘留物和光致抗蝕劑的清潔和剝離組合物。
實施例A2實施例A2的組合物由62.7％重量的PGME、1.6％重量的TEAH、1％重量的氟化四甲基銨、3％重量的乳酸和31.7％重量的去離子水組成。實施例A2是用於從金屬基片、低κ材料和高κ材料上除去蝕刻殘留物和光致抗蝕劑的清潔和剝離組合物。
實施例A5實施例A5的組合物由57％重量的PGME、6％重量的TMAH、4％重量的DEHA、2％重量的乳酸和31％重量的去離子水組成。實施例A5是用於從金屬基片、低κ材料和高κ材料上除去蝕刻殘留物和光致抗蝕劑的清潔和剝離組合物。
表II蝕刻速度數據的總結
表III清潔數據的總結
Nt＝未測試；Part.Corr.＝部分金屬腐蝕；Corr.＝金屬腐蝕；√＝部分清潔的；√＝完全清潔的；×＝未清潔的。
權利要求
1.用於除去殘留物的組合物，所述組合物包含a)至少約50％重量的有機溶劑，其中至少約50％的有機溶劑是二醇醚；和b)至少約0.5％重量的季銨化合物。
2.權利要求1的組合物，其中所述二醇醚包含二醇一(C1-C6)烷基醚。
3.權利要求1的組合物，其中所述二醇醚包含(C1-C20)烷二醇(C1-C6)烷基醚或(C1-C20)烷二醇二(C1-C6)烷基醚。
4.權利要求1的組合物，其中所述二醇醚選自乙二醇一甲醚、乙二醇一乙醚、乙二醇一丁醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、二甘醇一甲醚、二甘醇一乙醚、二甘醇一丙醚、二甘醇一異丙醚、二甘醇一丁醚、二甘醇一異丁醚、二甘醇一苄醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、三甘醇一甲醚、三甘醇二甲醚、丙二醇一甲醚、二甘醇甲乙醚、三甘醇一甲醚乙酸酯、乙二醇一乙醚乙酸酯、丙二醇一甲醚、丙二醇二甲醚、丙二醇一丁醚、丙二醇一丙醚、一縮二丙二醇一甲醚、一縮二丙二醇一丙醚、一縮二丙二醇一異丙醚、一縮二丙二醇一丁醚、一縮二丙二醇二異丙醚、二縮三丙二醇一甲醚、1-甲氧基-2-丁醇、2-甲氧基-1-丁醇、2-甲氧基-2-甲基丁醇、1，1-二甲氧基乙烷和2-(2-丁氧基乙氧基)乙醇。
5.權利要求1的組合物，其中所述二醇醚選自丙二醇一甲醚、丙二醇一丙醚、二縮三丙二醇一甲醚和2-(2-丁氧基乙氧基)乙醇。
6.權利要求1的組合物，其中所述季銨化合物包含C1-C4季銨化合物。
7.權利要求1的組合物，其中所述季銨化合物選自氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、氫氧化四丙基銨、氫氧化四丁基銨、氫氧化三甲基乙基銨、氫氧化(2-羥基乙基)三甲基銨、氫氧化(2-羥基乙基)三乙基銨、氫氧化(2-羥基乙基)三丙基銨和氫氧化(1-羥基丙基)三甲基銨。
8.權利要求1的組合物，其中所述季銨化合物包含氫氧化四甲基銨。
9.權利要求1的組合物，其中所述二醇醚的量為組合物重量的至少50％。
10.權利要求1的組合物，其中所述二醇醚的量為組合物重量的約50％-約70％。
11.權利要求1的組合物，其中所述二醇醚的量為組合物重量的約50％-約60％。
12.權利要求1的組合物，其中所述季銨化合物的量為組合物重量的約0.5％-約15％。
13.權利要求12的組合物，其中所述季銨化合物的量為組合物重量的約0.5％-約5％。
14.權利要求1的組合物，其中所述組合物還包含輔助有機溶劑。
15.權利要求14的組合物，其中所述輔助有機溶劑包含C2-C20烷二醇和C3-C20烷三醇。
16.權利要求14的組合物，其中所述輔助有機溶劑包含丙二醇。
17.權利要求16的組合物，其中丙二醇的量為約0.1％-約40％重量。
18.權利要求1的組合物，其中所述組合物不含有含氟化合物。
19.權利要求1的組合物，其中所述組合物含有含氟化合物。
20.權利要求1的組合物，其中所述組合物還包含最高達約40％重量的水。
21.權利要求1的組合物，其中所述組合物還包含最高達約20％重量的腐蝕抑制劑。
22.權利要求21的組合物，其中所述腐蝕抑制劑包含羥基胺、其酸式鹽；有機酸、其鹽；及其混合物。
23.權利要求21的組合物，其中所述腐蝕抑制劑包含羥基胺。
24.權利要求23的組合物，其中所述羥基胺包含二乙基羥基胺。
25.用於將光致抗蝕劑或蝕刻殘留物或二者從基片上除去的方法，其中所述方法包括將所述基片與所述組合物接觸，所述組合物包含a)至少約50％重量的有機溶劑，其中至少約50％的有機溶劑是二醇醚；和b)至少約0.5％重量的季銨化合物。
26.權利要求25的方法，其中所述基片還包括選自下列的材料金屬、矽、矽酸鹽、夾層絕緣材料和高κ絕緣材料。
27.用於限定圖案的方法，其中所述方法包括將光致抗蝕劑層塗布在基片上，使用光刻法在光致抗蝕劑層上限定圖案，將圖案傳遞到基片上，通過將基片與組合物接觸來將光致抗蝕劑或蝕刻殘留物或二者從基片上除去，所述組合物包含a)至少約50％重量的有機溶劑，其中至少約50％的有機溶劑是二醇醚；和b)至少約0.5％重量的季銨化合物。
28.權利要求27的方法，其中所述光致抗蝕劑是正性光致抗蝕劑。
29.權利要求27的方法，其中所述光致抗蝕劑是負性光致抗蝕劑。
全文摘要
含有一些有機溶劑和季銨化合物的組合物能夠將殘留物例如光致抗蝕劑和/或蝕刻殘留物從物品上除去，其中所述有機溶劑包含至少505重量的二醇醚。
文檔編號H01L21/02GK1724626SQ20051008754
公開日2006年1月25日 申請日期2005年7月22日 優先權日2004年7月22日
發明者M·I·埃格貝, D·G·詹寧斯 申請人:氣體產品與化學公司