光半導體元件封裝用熱固性樹脂組合物及其固化材料、以及利用其獲得的光半導體裝置的製作方法
2023-07-02 02:16:41 1
專利名稱：光半導體元件封裝用熱固性樹脂組合物及其固化材料、以及利用其獲得的光半導體裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種待用於封裝光半導體元件如發光元件和光接收傳感器的光半導體元件封裝用熱固性樹脂組合物，且涉及其固化材料和利用其獲得的光半導體裝置。
背景技術：
迄今，作為用於封裝光半導體元件如發光元件和光接收傳感器的樹脂組合物，需要作為樹脂封裝部分的所述組合物的固化產物具有透明性，這使得利用環氧樹脂如雙酚A 型環氧樹脂和固化劑如酸酐獲得的環氧樹脂組合物得到普遍使用。然而，近年來，在發光元件中亮度已得到提高，且光接收傳感器已普遍應用在車載應用中及作為藍光(註冊商標)磁碟兼容裝置用的拾取器。因此，已經需要比以前具有更高的耐熱變色性和耐光性的封裝用熱固性樹脂組合物。作為改進上述光半導體裝置用環氧樹脂組合物的耐熱性或耐光性的方法，迄今已經採用了如下方法提高利用多官能環氧樹脂獲得的固化材料的玻璃化轉變溫度(在下文中有時稱為「Tg」)的方法；及通過利用脂環族環氧樹脂的光吸收來抑制光劣化的方法(例如，參見專利文獻1和2)。另一方面，為了獲得比環氧樹脂更高的耐光性，作為高耐光性封裝樹脂，利用環氧改性的矽樹脂的光半導體用熱固性樹脂組合物，以及混合有環氧樹脂組合物和矽樹脂的複合封裝材料近來備受注目(例如，參見專利文獻3和4)。專利文獻1 JP-A-2002-226551專利文獻2 JP-A-2003-277473專利文獻3 JP-A-2002-324920專利文獻4 JP-A-2006-21376
發明內容
然而，通常，在如上為了改進耐熱性和耐光性而將多官能環氧樹脂或脂環族環氧樹脂與矽樹脂的混合物用作熱固性樹脂組合物的情況下，導致樹脂成形產物(固化材料) 的強度下降，從而使得存在如下擔心即例如，在通過用樹脂封裝而獲得的光半導體裝置的焊料回流或諸如溫度循環的試驗期間，在封裝樹脂(固化材料)中可能出現由於熱收縮而造成的裂紋形成的問題。鑑於這種情形而設計了本發明，且其目的是提供一種光半導體元件封裝用熱固性樹脂組合物及其固化材料、以及利用其的光半導體裝置，所述熱固性樹脂組合物抑制了在光半導體裝置的製造時樹脂裂紋的形成且低應力性和耐光性優異。即，本發明涉及如下項(1) (7)。(1) 一種光半導體元件封裝用熱固性樹脂組合物，所述熱固性樹脂組合物包含如下成分㈧ ⑶
(A)由如下通式(1)表示的含環氧基的矽氧烷化合物
權利要求
1. 一種光半導體元件封裝用熱固性樹脂組合物，所述熱固性樹脂組合物包含如下成分 (A) ⑶(A)由如下通式⑴表示的含環氧基的矽氧烷化合物其內部可以含有醚性或酯性氧原子，η是0 20的整數；(B)酸酐固化劑；(C)可熱縮合的有機矽氧烷；及(D)固化促進劑。
2.根據權利要求1的光半導體元件封裝用熱固性樹脂組合物，其除了含有所述成分 (A) ⑶之外，還含有如下成分(E)(E)不同於所述成分(A)的一個分子中具有兩個以上環氧基的環氧樹脂。
3.根據權利要求1的光半導體元件封裝用熱固性樹脂組合物，其中設定所述成分(B) 的含量，使得相對於全部熱固性樹脂組合物中的每一當量環氧基，所述成分(B)中酸酐基的量在0.5 1.5當量的範圍內。
4.根據權利要求1的光半導體元件封裝用熱固性樹脂組合物，其中所述成分(C)是由如下通式( 表示的聚有機矽氧烷Rm (OR1)nSiO(4-m-n) /2 (3)式中R是具有1 18個碳原子的取代或未取代的飽和一價烴基且R可以相同或不同， R1是氫原子或具有1 6個碳原子的烷基且R1可以相同或不同，m和η各自是0 3的整數。
5.一種光半導體元件封裝用熱固性樹脂組合物的固化材料，所述固化材料通過熱固化權利要求1所述的光半導體元件封裝用熱固性樹脂組合物而獲得。
6.一種光半導體裝置，其通過利用權利要求1所述的光半導體元件封裝用熱固性樹脂組合物來樹脂封裝光半導體元件而獲得。
7.一種光半導體裝置，其通過利用權利要求5所述的光半導體元件封裝用熱固性樹脂組合物的固化材料來樹脂封裝光半導體元件而獲得。
全文摘要
本發明涉及一種光半導體元件封裝用熱固性樹脂組合物及其固化材料、以及利用其獲得的光半導體裝置。所述熱固性樹脂組合物包含如下成分(A)～(D)(A)由如下通式(1)表示的含環氧基的矽氧烷化合物，式中R1是具有1～10個碳原子的一價烴基，R2是具有1～20個碳原子的二價烴基且其內部可以含有醚性或酯性氧原子，n是0～20的整數；(B)酸酐固化劑；(C)可熱縮合的有機矽氧烷；及(D)固化促進劑。
文檔編號C08G77/18GK102190776SQ20111004228
公開日2011年9月21日 申請日期2011年2月18日 優先權日2010年2月18日
發明者內田貴大, 後藤千裡, 野呂弘司 申請人:日東電工株式會社