一種波導環形器的製作方法

2023-05-13 06:34:56

專利名稱：一種波導環形器的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及波導環形器。
背景技術：
高功率環形器 是一種實現微波信號單向環行的三埠、四埠或多埠微波鐵氧體器件，利用環形器可實現微波網絡的雙工、去耦、保護和匹配功能。高功率環形器主要應用於雷達天饋系統中，在天線發射一接收系統中起匹配、環行、雙工的作用。通常具有損耗高、寬帶小、相位一致性差等不足之處。

實用新型內容本實用新型要解決的技術問題在於克服現有技術的上述不足，提供一種寬頻帶、高功率、小相位一致性的波導環形器。為解決上述技術問題，本實用新型提供了以下技術方案一種波導環形器，其特徵在於包括I個魔T、1個非互易差相移器、I個3dB定向耦合器、I個負載、I片吸收體、I個差相移腔體、第一蓋板、第二蓋板、第一永磁體組、第二永磁體組、多個旋磁鐵氧體樣品和密封圈。其中魔T、非互易差相移器和3dB定向耦合器依次連接；魔T具有第一埠和第四埠 ；3dB定向耦合器具有第二埠和第三埠 ；所述第一埠與第四埠相互垂直；所述吸收體緊貼於所述負載的腔體內，並與第四埠相連接；所述多個旋磁鐵氧體樣品對稱置於所述差相移腔體內部，所述第一永磁體組設置在第一蓋板和差相移腔體的第一外壁之間，所述第二永磁體組設置在第二蓋板和差相移腔體的與第一外壁相對的第二外壁之間；優選的，所述第一永磁體組和所述第二永磁體組對稱設置；優選的，所述第一永磁體組和所述第二永磁體組分別均包括多個永磁體片；優選的，採用螺釘將永磁體組固定在蓋板和差相移腔體的相應外壁之間；優選的，所述第一埠、第二埠和第三埠中均放置有密封圈；優選的，所述魔T具有通道一和通道二 ；優選的，所述3dB定向耦合器具有通道五和通道六；優選的，所述非互易差相移器具有通道三和通道四通道；優選的，所述第四埠連接負載端，用於吸收反射回的大功率信號。與現有技術相比，本實用新型的有益效果是由於本實用新型中，四埠波導環形器帶寬擴展性能可達整個X波段的60%，能承受300KW的峰值功率容量、20KW的平均功率容量及同批次產品相位一致性小於0. 5°，具有損耗低、寬帶高、相位一致性好等有益效果。

圖I為本實用新型波導環形器的外部結構示意圖；[0018]圖2為本實用新型中魔T腔體的立體結構示意圖；圖3為本實用新型中魔T的剖面圖示意圖；圖4為本實用新型中魔T腔體的另一立體結構示意圖；圖5為本實用新型中非互易差相移器腔體的立體結構示意圖；圖6為本實用新型中非互易差相移器腔體的另一立體結構示意圖7為本實用新型中非互易差相移器腔體的剖視圖；圖8為本實用新型中3dB定向耦合器腔體的結構示意圖；圖9為本實用新型中3dB定向耦合器腔體的剖視圖。
具體實施方式
以下結合附圖和具體實施方式
對本實用新型作進一步的說明。本實用新型的實施方式不限於以下實施例，在不脫離本實用新型宗旨的前提下做出的各種變化均屬於本實用新型的保護範圍之內。如圖I至圖9所示，本實用新型一種波導環形器，包括I個魔Tl、I個非互易差相移器2、I個3dB定向稱合器3、I個負載4、I片吸收體5、I個差相移腔體6、第一蓋板7_1、第二蓋板7-2、第一永磁體組、第二永磁體組、多個旋磁鐵氧體樣品9和密封圈10。其中魔Tl、非互易差相移器2和3dB定向耦合器3依次連接；魔Tl具有第一埠 A和第四埠 D ;3dB定向耦合器3具有第二埠 B和第三埠 C ;所述第一埠 A與第四埠 D相互垂直900 ；所述吸收體5緊貼於所述負載4的腔體內，並與第四埠 D相連接；所述多個旋磁鐵氧體樣品9對稱置於所述差相移腔體6內部，所述第一永磁體組設置在第一蓋板7-1和差相移腔體6的第一外壁之間，所述第二永磁體組設置在第二蓋板7-2和差相移腔體6的與第一外壁相對的第二外壁之間；優選的，所述第一永磁體組和所述第二永磁體組對稱設置；優選的，所述第一永磁體組8-1、8-2、8-3、8_4，所述第二永磁體組包括多個永磁體片 8-5、8-6、8-7、8-8 ；優選的，採用螺釘將永磁體組固定在蓋板和差相移腔體6的相應外壁之間；優選的，所述第一埠 A、第二埠 B和第三埠 C中均放置有密封圈10 ；優選的，所述魔Tl具有通道一 11和通道二 12 ；優選的，所述3dB定向稱合器3具有通道五15和通道六16 ；優選的，所述非互易差相移器2具有通道三13和通道四通道四14 ；優選的，所述第四埠 D連接負載端，用於吸收反射回的大功率信號。採用此波導環形器可實現微波信號的環行，其方向為第一埠 A—第二埠 B —第四埠 D —第二埠 C —第一埠 A,並能實現所需/[目號。本實用新型並不局限於前述的具體實施方式
。本實用新型擴展到任何在本說明書中披露的新特徵或任何新的組合，以及披露的任一新的方法或過程的步驟或任何新的組
口 o
權利要求1.ー種波導環形器，其特徵在幹包括I個魔τ (I)、I個非互易差相移器(2)、1個3dB定向I禹合器(3)、1個負載(4)、1片吸收體(5)、1個差相移腔體(6)、第一蓋板(7-1)、第二蓋板(7-2)、第一永磁體組(8-1、8-2、8-3、8-4)、第二永磁體組(8-5、8-6、8-7、8-8)、多個旋磁鐵氧體樣品(9)和密封圈(10); 其中魔T(l)、非互易差相移器(2)和3dB定向耦合器(3)依次連接；魔T(I)具有第一端ロ(A)和第四端ロ(D) ;3dB定向耦合器(3)具有第二端ロ(B)和第三端ロ(C);所述第一端ロ(A)與第四端ロ(D)相互垂直900 ； 所述吸收體(5)緊貼於所述負載(4)的腔體內，並與第四端ロ(D)相連接；所述多個旋磁鐵氧體樣品(9)對稱置於所述差相移腔體(6)內部，所述第一永磁體組(8-1、8-2、8-3、8-4)設置在第一蓋板(7-1)和差相移腔體(6)的第一外壁之間,所述第二永磁體組(8-5、8-6、8_7、8_8)設置在第二蓋板(7-2)和差相移腔體(6)的與第一外壁相對的第二外壁之間。
2.如權利要求I所述的波導環形器，其特徵在於所述第一永磁體組(8-1、8-2、8-3、8-4)和所述第二永磁體組(8-5、8-6、8-7、8-8)對稱設置。
3.如權利要求I所述的波導環形器，其特徵在於所述第一永磁體組(8-1、8-2、8-3、8-4)和所述第二永磁體組(8-5、8-6、8-7、8-8)分別均包括多個永磁體片。
4.如權利要求I所述的波導環形器，其特徵在於採用螺釘將永磁體組固定在蓋板和差相移腔體(6)的相應外壁之間。
5.如權利要求I所述的波導環形器，其特徵在於所述第一端ロ(A)、第二端ロ(B)和第三端ロ(C)中均放置有密封圈(10)。
6.如權利要求I所述的波導環形器，其特徵在幹所述魔T(I)具有通道一(I I)和通道ニ(12)。
7.如權利要求I所述的波導環形器，其特徵在於所述3dB定向耦合器(3)具有通道五(15)和通道六(16)。
8.如權利要求I所述的波導環形器，其特徵在幹所述非互易差相移器(2)具有通道三(13)和通道四(14)通道。
9.如權利要求I所述的波導環形器，其特徵在於所述第四端ロD連接負載端，用於吸收反射回的大功率信號。
專利摘要本實用新型涉及一種波導環形器，其特徵在於包括1個魔T、1個非互易差相移器、1個3dB定向耦合器、1個負載、1片吸收體、1個差相移腔體、第一蓋板、第二蓋板、第一永磁體組、第二永磁體組、多個旋磁鐵氧體樣品和密封圈；其中魔T、非互易差相移器和3dB定向耦合器依次連接；魔T具有第一埠和第四埠；3dB定向耦合器具有第二埠和第三埠；所述第一埠與第四埠相互垂直，具有損耗低、寬帶高、相位一致性好等有益效果。
文檔編號H01P1/397GK202444044SQ201220025449
公開日2012年9月19日 申請日期2012年1月19日 優先權日2012年1月19日
發明者劉峰, 吳啟滿, 許誠昕 申請人:成都信息工程學院