外延片生產用罩的製作方法
2023-05-20 06:43:31 2
專利名稱：外延片生產用罩的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種外延片生產用罩。
背景技術：
外延片的生產方法，是在襯底上生長單晶矽薄膜。化學氣相法生產外延片時，使氣 態的矽單晶沉積在襯底表面。單晶矽的沉積是在石英罩內進行。如圖1所示為一種石英罩 的結構示意圖，其包括長方體的罩體1，包括上罩板11。罩體1設置有進口 12和出口(圖 中未示出)。如圖2所示為上罩板的正視圖及其缺點分析圖。由於罩體1的各罩板均與上 罩板11相同，其側面13為垂直於氣體流向的直面，圖中向右的箭頭表示氣體入射流向。因 此，在氣體吹至上罩板11的側面13時，受側面13的阻擋，入射氣流發生變向，一部分向上， 一部分向下，一部分回彈至與入射方向相反。無論朝哪個方向變向，均對生產帶來不利影 響。向上反射的部分，無法進入罩體內，造成浪費；向下及回彈的部分，會擾亂其它氣體的流 向，造成氣體分布的不均勻，降低了外延片的生產質量。
實用新型內容本實用新型的目的是為了克服現有技術中的不足，提供一種可減小浪費的外延片
生產用罩。為實現以上目的，本實用新型通過以下技術方案實現外延片生產用罩，包括罩體，罩體設置有反應腔，所述罩體設置有進口，進口與反 應腔相通，其特徵在於，所述罩體包括罩板，至少一塊罩板在進口處設置有斜面。優選地是，所述的斜面自罩板端部向罩體內部延伸。優選地是，所述罩體包括上罩板和下罩板，所述上罩板和下罩板在罩體進口處均 設置有斜面。優選地是，所述上罩板的斜面自上罩板端部向罩體內部延伸，斜面的延長面與下 罩板相交；所述下罩板的斜面自下罩板端部向罩體內部延伸，斜面的延長面與上罩板相交。優選地是，所述的罩體由上罩板、左罩板、下罩板和右罩板依次連接而成。優選地是，所述罩體設置有出口。本實用新型中的外延片生產用罩，可對射向罩體的氣流導向，既能避免浪費，又可 以確保進入罩體的氣體均勻，可確保襯底表面沉積的單晶薄膜均勻，提高外延片的生產質量。
圖1為現有技術中的外延片生產用罩結構示意圖；圖2為現有技術中的外延片生產用罩的缺點分析圖；圖3為本實用新型中的外延片生產用罩結構示意圖；圖4為圖3的A-A剖視3[0016]圖5為本實用新型的工作原理分析圖。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型進行詳細的描述如圖3、圖4所示，外延片生產用罩，包括罩體2，所述的罩體2由上罩板21、左罩 板22、下罩板23和右罩板24依次連接而成為長方體形狀。罩體2設置反應腔(圖中未示 出)和有進口 25，進口 25與反應腔相通。上罩板21在罩體進口 25處設置有斜面211。上罩板21的斜面211自上罩板端部 向罩體2內部延伸，斜面211的延長面與下罩板23相交。下罩板23在罩體進口 25處設置有斜面231。所述下罩板23的斜面231自下罩板 端部向罩體2內部延伸，斜面231的延長面與上罩板21相交。罩體2設置有出口(圖中未示出)。使用時，襯底放置在反應腔內，氣態的單晶矽自罩體2的進口 25進入反應腔內。 如圖5所示，圖中的箭頭表示氣流方向。氣體射向罩體2時，上罩板21的斜面211和下罩 板23的斜面231均可對入射氣流導向，使其流向罩體的反應腔內，而不會向其它方向反射 造成浪費。變向的入射氣流也不會阻擋入射氣流，不會擾亂入射氣流的分布，因此可確保沉 積在襯底的單晶薄膜厚度均勻。本實用新型中的實施例僅用於對本實用新型進行說明，並不構成對權利要求範圍 的限制，本領域內技術人員可以想到的其他實質上等同的替代，均在本實用新型保護範圍 內。
權利要求外延片生產用罩，包括罩體，罩體設置有反應腔，所述罩體設置有進口，進口與反應腔相通，其特徵在於，所述罩體包括罩板，至少一塊罩板在進口處設置有斜面。
2.根據權利要求1所述的外延片生產用罩，其特徵在於，所述的斜面自罩板端部向罩 體內部延伸。
3.根據權利要求1所述的外延片生產用罩，其特徵在於，所述罩體包括上罩板和下罩 板，所述上罩板和下罩板在罩體進口處均設置有斜面。
4.根據權利要求1所述的外延片生產用罩，其特徵在於，所述上罩板的斜面自上罩板 端部向罩體內部延伸，斜面的延長面與下罩板相交；所述下罩板的斜面自下罩板端部向罩 體內部延伸，斜面的延長面與上罩板相交。
5.根據權利要求4所述的外延片生產用罩，其特徵在於，所述的罩體由上罩板、左罩 板、下罩板和右罩板依次連接而成。
6.根據權利要求1所述的外延片生產用罩，其特徵在於，所述罩體設置有出口。
專利摘要本實用新型公開了一種外延片生產用罩，包括罩體，罩體設置有反應腔，所述罩體設置有進口，進口與反應腔相通，其特徵在於，所述罩體包括罩板，至少一塊罩板在進口處設置有斜面。本實用新型中的外延片生產用罩，可對射向罩體的氣流導向，既能避免浪費，又可以確保進入罩體的氣體均勻，可確保襯底表面沉積的單晶薄膜均勻，提高外延片的生產質量。
文檔編號C30B29/06GK201753371SQ20102024654
公開日2011年3月2日 申請日期2010年7月1日 優先權日2010年7月1日
發明者樓琦江 申請人:上海晶盟矽材料有限公司