離子注入機非均勻磁場邊緣特性校正器的製作方法

2023-04-24 17:16:46

專利名稱：離子注入機非均勻磁場邊緣特性校正器的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種磁場邊緣特性校正設備，尤其涉及一種離子注入機非均勻磁場邊緣特性校正器。
背景技術：
隨著半導體特徵線寬的不斷縮小，在半導體工藝過程中的離子注入工藝中，對注入參雜時的各項注入參數的要求也越來越高，其中一項對靜電掃描產生的掃描束的束平行度提出了很高要求，在採用非均勻磁場對束的角度進行校正時，由於邊緣磁場的影響，會降低束角度校正的效果。

發明內容
本發明新型是為了儘量減少邊緣磁場的影響，採用了一種非均勻磁場邊緣校正技術，保證了束角度校正器的校正效果。本發明主要是在非均勻磁場的邊緣磁場外層，有意的產生另一非均勻磁場，其非均勻分布的規律和原非均勻磁場相反，磁場方向相反，而其邊緣磁場特性相近，因此兩者疊加後的邊緣磁場較原非均勻磁場就有很大的改善，更加接近理想設計的邊緣分布。
本實用新型通過以下技術方案實現離子注入機非均勻磁場邊緣特性校正器包括非均勻磁場入口上校正磁極，非均勻磁場入口下校正磁極，非均勻磁場出口下校正磁極，非均勻磁場出口上校正磁極，非均勻磁場上磁極，非均勻磁場下磁極，非均勻磁場上勵磁線圈，非均勻磁場磁軛，非均勻磁場下勵磁線圈。
其中非均勻磁場磁軛上螺釘連接有非均勻磁場上磁極和非均勻磁場下磁極，兩磁極的之間在豎直方向的距離由裡往外逐漸增大，產生所需的角度校正非均勻磁場；非均勻磁場上磁極上側螺釘連接非均勻磁場上勵磁線圈，非均勻磁場下磁極下側螺釘連接非均勻磁場下勵磁線圈；非均勻磁場入口上校正磁極螺釘連接在非均勻磁場入口上側，非均勻磁場入口下校正磁極螺釘連接在非均勻磁場入口下側，兩磁極的之間在豎直方向的距離由外往裡逐漸增大，在入口產生入口邊緣磁場的校正磁場；非均勻磁場出口上校正磁極螺釘連接在非均勻磁場出口上側，非均勻磁場出口下校正磁極螺釘連接在非均勻磁場出口下側，兩磁極的之間在豎直方向的距離由外往裡逐漸增大，在出口產生出口邊緣磁場的校正磁場。
本實用新型具有如下顯著特點1.校正所需非均勻磁場由外加的磁軛迴路產生；2.校正所需非均勻磁場無需外加勵磁組件，直接取自原非均勻磁場。


圖1為本實用新型的原理結構圖。
其中1-非均勻磁場入口上校正磁極
2-非均勻磁場入口下校正磁極3-非均勻磁場出口下校正磁極4-非均勻磁場出口上校正磁極5-非均勻磁場的上磁極6-非均勻磁場的下磁極7-非均勻磁場的上勵磁線圈8-原非均勻磁場的磁軛9-非均勻磁場的下勵磁線圈。
10-非均勻磁場入口11-非均勻磁場出口具體實施方式
以下結合附圖和具體實施例對本實用新型作進一步介紹，但不作為對本實用新型的限定。
如圖1所示，離子注入機非均勻磁場邊緣特性校正器包括非均勻磁場入口上校正磁極1，非均勻磁場入口下校正磁極2，非均勻磁場出口下校正磁極3，非均勻磁場出口上校正磁極4，非均勻磁場上磁極5，非均勻磁場下磁極6，非均勻磁場上勵磁線圈7，非均勻磁場磁軛8，非均勻磁場下勵磁線圈9。
其中非均勻磁場磁軛8上螺釘連接有非均勻磁場上磁極5和非均勻磁場下磁極6，兩磁極的之間在豎直方向的距離由裡往外逐漸增大，產生所需的角度校正非均勻磁場；非均勻磁場上磁極5上側螺釘連接非均勻磁場上勵磁線圈7，非均勻磁場下磁極6下側螺釘連接非均勻磁場下勵磁線圈9；非均勻磁場入口上校正磁極1螺釘連接在非均勻磁場入口10上側，非均勻磁場入口下校正磁極2螺釘連接在非均勻磁場入口10下側，兩磁極的之間在豎直方向的距離由外往裡逐漸增大，在入口產生入口邊緣磁場的校正磁場；非均勻磁場出口上校正磁極3螺釘連接在非均勻磁場出口11上側，非均勻磁場出口下校正磁極4螺釘連接在非均勻磁場出口11下側，兩磁極的之間在豎直方向的距離由外往裡逐漸增大，在出口產生出口邊緣磁場的校正磁場。
本發明新型的特定實施例已對本實用新型的內容做了詳盡說明。對本領域一般技術人員而言，在不背離本實用新型精神的前提下對它所做的任何顯而易見的改動，都構成對本發明新型專利的侵犯，將承擔相應的法律責任。
權利要求1.一種離子注入機非均勻磁場邊緣特性校正器，包括非均勻磁場上磁極，非均勻磁場下磁極，非均勻磁場上勵磁線圈，非均勻磁場磁軛，非均勻磁場下勵磁線圈，其特徵在於還包括非均勻磁場入口上校正磁極，非均勻磁場入口下校正磁極，非均勻磁場出口下校正磁極，非均勻磁場出口上校正磁極，其中非均勻磁場磁軛上螺釘連接有非均勻磁場上磁極和非均勻磁場下磁極，兩磁極的之間在豎直方向的距離由裡往外逐漸增大；非均勻磁場上磁極上側螺釘連接非均勻磁場上勵磁線圈，非均勻磁場下磁極下側螺釘連接非均勻磁場下勵磁線圈；非均勻磁場入口上校正磁極螺釘連接在非均勻磁場入口上側，非均勻磁場入口下校正磁極螺釘連接在非均勻磁場入口下側，兩磁極的之間在豎直方向的距離由外往裡逐漸增大；非均勻磁場出口上校正磁極螺釘連接在非均勻磁場出口上側，非均勻磁場出口下校正磁極螺釘連接在非均勻磁場出口下側，兩磁極的之間在豎直方向的距離由外往裡逐漸增大。
專利摘要本實用新型公開了一種離子注入機非均勻磁場邊緣特性校正器，包括非均勻磁場入口上校正磁極，非均勻磁場入口下校正磁極，非均勻磁場出口下校正磁極，非均勻磁場出口上校正磁極，非均勻磁場上磁極，非均勻磁場下磁極，非均勻磁場上勵磁線圈，非均勻磁場磁軛，非均勻磁場下勵磁線圈。非均勻磁場的邊緣磁場外層，產生另一非均勻磁場，其非均勻分布的規律和原非均勻磁場相反，磁場方向相反，而其邊緣磁場特性相近，因此兩者疊加後的邊緣磁場較原非均勻磁場就有很大的改善，更加接近理想設計的邊緣分布。
文檔編號H01L21/265GK2906907SQ20052014250
公開日2007年5月30日 申請日期2005年12月5日 優先權日2005年12月5日
發明者唐景庭, 伍三忠, 郭健輝, 彭立波, 王迪平, 孫勇, 許波濤, 易文杰, 姚志丹, 孫雪平, 謝均宇 申請人:北京中科信電子裝備有限公司