鈉燈電子觸發器及雙向二極矽閘流管的製作方法

2023-05-04 02:49:21

專利名稱：鈉燈電子觸發器及雙向二極矽閘流管的製作方法
技術領域：
本發明涉及了一種鈉燈電子觸發器及雙向二極矽閘流管。
現有的鈉燈電子觸發器，其電路大都由電容器、電感線圈、觸發二極體、矽閘流管及電阻等元器件組成。電路元器件多，成本高，可靠性差。所採用的雙向矽閘流管是用矽單晶片製成的NPNPN五層三極體，這種器件的正向及反向的主電流-電壓特性基本相同，因而正向及反向具有基本相同的開關性能。在控制極上加任一極性的脈衝(相對於主電極)都可使器件通導。
本發明推出的雙向二極矽閘流管是用矽單晶片製成的NPNPN五層結構的二極體，這種器件具有正反向基本相同的開關性能，主要用於交流電路中。靠疊加高於器件轉拆電壓的脈衝電壓觸發器件通導。因無控制極可簡化電路。本發明推出的鈉燈電子觸發器，其電路不採用觸發二極體和矽閘流管，而採用雙向二極閘流管，電子元器件少，成本低，可靠性高。
本發明的技術方案是雙向二極矽閘流管是在N型矽單晶片襯底上用擴散方法，採用臺-平面工藝和縱向全平面工藝，形成NPNPN五層結構的二極體，電極採用Al-Nl-Sn三層金屬化結構。鈉燈電子觸發器其電路是一個由雙向二極矽閘流管、電感線圈、電容器串並聯組成的二端網路。二端分別接在鈉燈的正負極上。
下面結合附圖進一步詳細描述


圖1是雙向二極矽閘流管臺平面基本結構圖。
圖2是雙向二極矽閘流管縱向全平面基本結構圖。
圖3是雙向二極矽閘流管符號圖。
圖4是雙向二極矽閘流管伏安特性圖。
圖5是鈉燈電子觸發器電原理圖。
參照圖1、圖2，雙向二極矽閘流管是在N型矽單晶片襯底上用擴散的方法採用臺平面工藝結構如圖1，或採用縱向全平面工藝結構如圖2，形成NPNPN五層結構的二極體。電極採用Al-Nl-Sn三層金屬化結構。參照圖4這種器件具有正反向基本相同的開關性能。主要用於交流電路中，靠疊加高於器件轉折電壓的脈衝電壓觸發器件通導。參照圖5鈉燈電子觸發器其電路由電感線圈L1與電容器C1串聯後與雙向二極矽閘流管GB並聯，然後再與電感線圈L2電容器C2串聯組成二端網路，L1、L2繞在同一磁芯上。兩端接在鈉燈的正負極上。當220伏的交流市電經鎮流器與鈉燈交通，同時市電電流(電流為正時)經電感線圈L1L2給電容器C1C2充電，當C1上的電壓高於雙向二極矽閘管GB的轉折電壓時，雙向二極矽閘流管GB導通，電容器C1通過電線圈L1、雙向二極閘流管GB放電，因為電感線圈L2與L1繞在同一磁芯上，所以在電感線圈L2上產生一個2000-4000伏的高壓加在鈉燈的正負極上，觸發了鈉燈。當電流為負時，電流通過電容器C2、C1，電感線圈L1L2給電容器C2C1充電，當電容器C1上的電壓高於雙向二機矽閘流管GB的轉折電壓時，GB導通。同理電感線圈L2產生一個高壓觸發鈉燈。鈉燈觸發後，鈉燈電子觸發器停止工作。
權利要求
1.雙向二極矽閘流管是在N型矽單晶片襯底上用擴散的方法，採用臺平面工藝結構或採用縱向全平面工藝結構形成NPNPN五層結構的二極體，電極採用AI-NI-Sn三層金屬化結構，鈉燈電子觸發器其電路由電感線圈L1與電容器C1串聯後與雙向二極體並聯，然後再與電感線圈L2、電容器C2串聯組成二端網絡，兩端接在鈉燈的正負極上。
2.根據權利要求1所述的觸發器及矽閘流管，其特徵是電感線圈L1L2繞在同一磁芯上。
全文摘要
本發明公開一種雙向二極矽流管和一種納燈電子觸發器。雙向二極閘流管是用矽單晶片製成的NPNPN五層結構的二極體，用於交流電路中因無控制極可簡化電路。鈉燈電子觸發器其電路採用了電感線圈、電容器、雙向二極閘流管串並聯而成。電路簡單，成本低，可靠性高。
文檔編號H05B41/16GK1065159SQ9210734
公開日1992年10月7日 申請日期1992年3月24日 優先權日1992年3月24日
發明者靜炳信 申請人:徐州半導體廠