一種提升數字VR電流偵測精度的裝置及方法與流程
2023-09-27 06:40:35 1
本發明屬於電流偵測領域，具體涉及一種提升數字vr電流偵測精度的裝置及方法。
背景技術：
數字vr，數字電壓調節器。
伺服器主板對性能要求很高，其中電源的高性能是主板高性能的基礎。開關電源的高性能體現在很多方面，比如輸出電壓的精度、輸出電流的精度、以及電路保護等方面等等。
以輸出電流的精度為例，此部分在cpu端的要求尤為重要，cpu會根據vr偵測的電流大小，來決定其工作的核數，頻率等，所以電流就與cpu的性能有了直接的聯繫，如果電流偵測不準確，則直接影響cpu的表現，對於量產的主板來說，如果cpu的電流偵測不準，勢必導致主板的表現千差萬別，性能的一致性很差，所以電流偵測的精度是非常重要的。
目前數字vr所採用的電流偵測的方法主要有兩種，1、mosfet的導通阻抗rds（on）方式2、通過輸出電感的直流阻抗（dcr）的方式。由於mosfet直接由vr的廠商提供，其又集成在晶片中，通過集成電路內部的校準電路，以及ic出場校準已經可以達到比較高的精度，所以本發明所採用的是通過輸出電感的直流阻抗的方式提高電流偵測的精度。
針對上述電流偵測精度的重要性，提供一種提升數字vr電流偵測精度的裝置及方法，是非常有必要的。
技術實現要素：
本發明的目的在於，針對上述電流偵測精度的重要性，提供一種提升數字vr電流偵測精度的裝置及方法，以解決上述技術問題。
為實現上述目的，本發明給出以下技術方案：
一種提升數字vr電流偵測精度的裝置，包括數字vr晶片，電感，電阻，第一電容，第二電容，電子負載，顯示模塊；
數字vr晶片包括通信端，輸出電壓端，電流正調節端isence+，電流負調節端isence-；
電感包括電壓輸入端，電壓輸出端；
數字vr晶片的通信端連接顯示模塊，數字vr晶片的輸出電壓端連接電感的電壓輸入端和電阻的一端，電阻的另一端連接第一電容的正極和數字vr晶片的電流正調節端isence+，第一電容的負極連接電感的電壓輸出端、第二電容的正極、數字vr晶片的電流負調節端isence-和電子負載的一端，第二電容的負極連接電子負載的另一端並接地；
數字vr晶片包括電流寄存單元和補償寄存單元。
進一步地，顯示模塊與數字vr晶片通過系統管理總線smbus連接。
進一步地，顯示模塊包括計算機。
進一步地，一種使用上述裝置的提升數字vr電流偵測精度的方法，包括如下步驟：
步驟1.連接電子負載到裝置；
步驟2.數字vr晶片上電，使電感的電壓輸出端輸出電壓為vout；
步驟3.選定電子負載，使拉載直流電流值為i1；
步驟4.顯示模塊通過數據管理總線讀取電流寄存單元的值，與i1做比較；
步驟5.調整補償寄存單元，補償電流寄存單元與i1的差值，完成校準；
步驟6.保存補償寄存器的最終調整值。
進一步地，步驟6後還包括：
步驟7.再次斷電後上電，重複步驟2-4，確保補償寄存單元保存成功。
進一步地，拉載直流電流值i1為10a。
本發明的有益效果在於：
本發明通過在生產線生產主板完成後，增加一項校準的步驟，通過設定電子負載拉載值，與數字vr電流寄存器偵測到的電流值對比，誤差通過補償寄存器來消除，保證電流偵測的準確性，從而達到提升電流偵測精度的目的，使vr主板上的vr的電流偵測的一致性更好，保證主板性能的一致性。
此外，本發明設計原理可靠，結構簡單，具有非常廣泛的應用前景。
由此可見，本發明與現有技術相比，具有突出的實質性特點和顯著的進步，其實施的有益效果也是顯而易見的。
附圖說明
圖1為本發明的裝置的連接示意圖；
圖2為本發明的方法流程圖；
圖3為本發明在產線生產主板的流程；
其中，1-數字vr晶片；1.1-補償寄存單元；1.2-電流寄存單元；1.3-數字vr晶片的通信端；1.4-數字vr晶片的輸出電壓端；1.5-數字vr晶片的電流正調節端isence+；1.6-數字vr晶片的電流負調節端isence-；2-電感；2.1-電感的電壓輸入端；2.2-電壓輸出端；3-電阻；4-第一電容；5-第二電容；6-電子負載；7-顯示模塊。
具體實施方式：
為使得本發明的目的、特徵、優點能夠更加的明顯和易懂，下面將結合本發明具體實施例中的附圖，對本發明中的技術方案進行清楚、完整地描述。
如圖1所示，本發明提供一種提升數字vr電流偵測精度的裝置，包括數字vr晶片1，電感2，電阻3，第一電容4，第二電容5，電子負載6，顯示模塊7；
數字vr晶片1包括通信端1.3，輸出電壓端1.4，電流正調節端isence+1.5，電流負調節端isence-1.6；
電感2包括電壓輸入端2.1，電壓輸出端2.2；
數字vr晶片1的通信端1.3連接顯示模塊7，數字vr晶片1的輸出電壓端1.4連接電感2的電壓輸入端2.1和電阻3的一端，電阻3的另一端連接第一電容4的正極和數字vr晶片1的電流正調節端isence+1.5，第一電容4的負極連接電感的2電壓輸出端2.2、第二電容5的正極、數字vr晶片1的電流負調節端isence-1.6和電子負載6的一端，第二電容5的負極連接電子負載6的另一端並接地；顯示模塊與數字vr晶片通過系統管理總線smbus連接；顯示模塊可採用計算機；
數字vr晶片1包括電流寄存單元1.1和補償寄存單元1.2。
當滿足：電感2的電感量/電感2的直流電阻值=電阻3的電阻值*第一電容4的電容量，則數字vr晶片1的電流正調節端isence+1.5與數字vr晶片的電流負調節端isence-1.6的電壓差就等於電感2的直流電阻兩端的電壓，數字vr再通過電感2的直流電阻兩端的電壓除以電感2的直流電阻值就得到通過電感2的電流，但是由於電感2的直流電阻自身的一致性所限，這個種電流偵測精度需要校準才能達到比較理想的效果，其中，電感2的直流電阻為線圈的阻值。
如圖2所示，一種使用上述裝置的提升數字vr電流偵測精度的方法，包括如下步驟：
步驟1.連接電子負載到裝置；
步驟2.數字vr晶片上電，使電感的電壓輸出端輸出電壓為vout；
步驟3.選定電子負載，使拉載直流電流值為10a；
步驟4.顯示模塊通過數據管理總線讀取電流寄存單元的值，與10a做比較；
步驟5.調整補償寄存單元，補償電流寄存單元與10a的差值，完成校準；
步驟6.保存補償寄存器的最終調整值；
步驟7.再次斷電後上電，重複步驟2-4，確保補償寄存單元保存成功。
如圖3所述為產線生產主板的一般流程，在test工站加入一項電流精度的校準過程。
本發明的實施例是說明性的，而非限定性的，上述實施例只是幫助理解本發明，因此本發明不限於具體實施方式中所述的實施例，凡是由本領域技術人員根據本發明的技術方案得出的其他的具體實施方式，同樣屬於本發明保護的範圍。