透明導電性薄膜以及具備其的觸摸面板的製作方法

2023-10-07 10:14:44 3

專利名稱：：透明導電性薄膜以及具備其的觸摸面板的製作方法
技術領域：
：本發明涉及一種在可見光線區域具有透明性而且在薄膜基材上經由底塗層設置透明導電體層的透明導電性薄膜及其製造方法。進而，還涉及具備該透明導電性薄膜的觸摸面板。本發明的透明導電性薄膜除了被用作液晶顯示器、電致發光顯示器等顯示器方式或觸摸面板等中的透明電極以外，還被用於透明物品的防靜電幹擾或電磁波屏蔽等。本發明的透明導電性薄膜特別優選用於觸摸面板用途中。其中，優選用於靜電電容結合方式的觸摸面板用途。
背景技術：
：利用位置檢測的方法不同，觸摸面板包括光學方式、超聲波方式、靜電電容方式、電阻膜方式等。電阻膜方式的觸摸面板的透明導電性薄膜與帶透明導電體層玻璃經由間隔件對置配置，成為在透明導電性薄膜中流電流來計測帶透明導電體層玻璃中的電壓的結構。另一方面，靜電電容方式的觸摸面板的特徵在於，以在基材上具有透明導電層的結構為基本結構，沒有可動部分，具有高耐久性、高透過率，所以適用於車輛用途等中。在所述觸摸面板中，例如提出了在透明的薄膜基材的單面，從所述薄膜基材的一側，依次形成第一底塗層、第二底塗層以及透明導電體層的透明導電性薄膜(專利文獻1)。專利文獻1特開2002-3^301號公報
發明內容所述透明導電性薄膜有時圖案化透明導電體層。但是，明確化了圖案化透明導電體層的圖案部與非圖案化部的差異，作為顯示元件的外觀變差。特別是在靜電電容結合方式的觸摸面板中，由於透明導電體層被用於入射表面側，所以在已圖案化透明導電體層的情況下，作為顯示元件的外觀也需要為良好。本發明的目的在於提供一種透明導電體層已被圖案化而且外觀良好的透明導電性薄膜及其製造方法。另外，其目的還在於提供一種具備該透明導電性薄膜的觸摸面板。本發明人等為了解決所述課題而進行潛心研究，結果發現通過採用下述結構可以實現所述目的，以至完成本發明。S卩，本發明涉及一種透明導電性薄膜，其是在透明的薄膜基材的單面或兩面經由至少一層底塗層具有透明導電體層的透明導電性薄膜，其特徵在於，所述透明導電體層已被圖案化，而且在不具有所述透明導電體層的非圖案部具有所述至少一層底塗層。在所述透明導電性薄膜中，在至少具有兩層底塗層的情況下，優選至少離透明的薄膜基材最遠的底塗層與透明導電體層同樣地被圖案化。在所述透明導電性薄膜中，在至少具有兩層底塗層的情況下，優選至少離透明的薄膜基材最遠的底塗層由無機物形成。由無機物形成的底塗層優選為SiO2膜。在所述透明導電性薄膜中，從透明的薄膜基材開始第一層的底塗層優選由有機物形成。在所述透明導電性薄膜中，透明導電體層的折射率與底塗層的折射率的差優選為0.1以上。在所述透明導電性薄膜中，在已被圖案化的透明導電體層經由兩層底塗層設置的情況下，優選從透明的薄膜基材開始第一層的底塗層的折射率(η)為1.51.7，厚度(d)100220nm,從透明的薄膜基材開始第二層的底塗層的折射率(η)為1.41.5，厚度(d)2080nm,透明導電體層的折射率(η)為1.92.1，厚度(d)為1530nm，所述各層的光學厚度(nXd)的總合為2085Mnm。另外，優選已被圖案化的透明導電體層和兩層底塗層的所述光學厚度的總合與非圖案部的底塗層的光學厚度的差(And)為40130nm。作為本發明的透明導電性薄膜，以在至少單面配置所述已被圖案化的透明導電體層的方式，可以使用經由透明的粘合劑層至少疊層兩片所述透明導電性薄膜的透明導電性薄膜。另外，作為本發明的透明導電性薄膜，以在單面配置所述已被圖案化的透明導電體層的方式，可以使用在所述透明導電性薄膜的單面經由透明的粘合劑層貼合透明基體的透明導電性薄膜。所述透明導電性薄膜可以優選用於觸摸面板。作為觸摸面板，優選靜電電容結合方式的觸摸面板。另外，本發明還涉及一種透明導電性薄膜的製造方法，其是所述透明導電性薄膜的製造方法，其特徵在於，具有配製在透明的薄膜基材的單面或兩面經由至少一層底塗層具有透明導電體層的透明導電性薄膜的工序；以及利用酸蝕刻所述透明導電體層從而圖案化的工序。在所述製造方法中，在底塗層至少具有兩層的情況下，在利用酸蝕刻透明導電體層從而圖案化的工序之後，至少具有利用鹼蝕刻離透明的薄膜基材最遠的底塗層的工序。在所述透明導電性薄膜的製造方法中，在圖案化透明導電體層的工序之後，可以具有退火處理已被圖案化的透明導電體層從而使其結晶化的工序。另外，本發明還涉及一種特徵在於具備所述透明導電性薄膜的觸摸面板。在透明導電性薄膜中，在圖案化設置透明導電體層的情況下，在圖案部和非圖案部的反射率差的作用下，圖案間變得明確化，外觀被損壞。在本發明的透明導電性薄膜中，雖然圖案化透明導電體層，但在非圖案部設置底塗層，可以將圖案部與非圖案部的反射率差抑制為較小，可以消除圖案間的明確化引起的不良情形，外觀變好。另外，通過在非圖案部設置底塗層，薄膜基材不會成為露出的狀態，可以抑制薄膜基材中的寡聚物的發生，從外觀的點出發，為良好。另外，通過在非圖案部設置底塗層，已被圖案化的透明導電體層的彼此之間被絕緣化，利用已被圖案化的透明導電體層，透明導電性薄膜的使用方式被擴大。這種透明導電性薄膜被優選用於觸摸面板。特別優選用於靜電電容結合方式的觸摸面板。圖1是表示本發明的一個實施方式中的透明導電性薄膜的剖面圖。圖2是表示本發明的一個實施方式中的透明導電性薄膜的剖面圖。圖3是表示本發明的一個實施方式中的透明導電性薄膜的剖面圖。圖4是表示比較例1中的透明導電性薄膜的剖面圖。圖5是表示本發明的一個實施方式中的透明導電性薄膜的剖面圖。圖6是表示本發明的一個實施方式中的透明導電性薄膜的剖面圖。圖7是表示本發明的一個實施方式中的透明導電性薄膜的剖面圖。圖8是表示本發明的一個實施方式中的透明導電性薄膜的剖面圖。圖9是表示本發明的一個實施方式中的透明導電性薄膜的剖面圖。圖10是表示本發明的一個實施方式中的透明導電性薄膜的剖面圖。圖11是表示本發明的一個實施方式中的透明導電性薄膜的剖面圖。圖12是表示本發明的一個實施方式中的透明導電性薄膜的剖面圖。圖13是表示本發明的透明導電性薄膜的圖案的一例的俯視圖。圖中，1-薄膜基材，2-底塗層，3-透明導電體層，4-粘合劑層，5-透明基體，6-硬塗層，a-圖案部，b-非圖案部。具體實施例方式以下參照圖說明本發明的實施方式。圖1是表示本發明的透明導電性薄膜的一例的剖面圖。圖1的透明導電性薄膜在透明的薄膜基材1的單面經由底塗層2具有透明導電體層3。透明導電體層3被圖案化。其中，在各圖中，透明導電體層3被圖案化是指具有透明導電體層3的圖案部a和沒有透明導電體層3的非圖案部b。另外，在所述非圖案部b具有所述底塗層2。圖2、3是有兩層底塗層2的情況。在圖2、3中，從透明的薄膜基材1側依次設置底塗層21、22。圖2是在非圖案部b具有底塗層21、22的情況。圖3中，離透明的薄膜基材1最遠的底塗層22與透明導電體層3同樣地被圖案化。在圖3中，在非圖案部b具有底塗層21。S卩，有兩層底塗層2的情況下，在非圖案部b從透明的薄膜基材1側開始至少具有第一層底塗層21。在圖2、3中，例示了兩層底塗層2的情況，但底塗層2也可以為三層以上。即使有三層以上底塗層的情況下，在非圖案部b也至少具有從透明的薄膜基材1側開始第一層底塗層21。第一層的上側底塗層可以被圖案化或不被圖案化。至少具有兩層底塗層2的情況下，優選將圖案部a和非圖案部b的反射率差控制為較小。特別是在至少具有兩層底塗層2的情況下，為了將圖案部a和非圖案部b的反射率差控制為較小，優選離透明的薄膜基材最遠的底塗層(如圖3，具有兩層底塗層2的情況下，為底塗層22)與透明導電體層3同樣地被圖案化。此外，圖4是在透明的薄膜基材1的單面不經由底塗層2而具有已被圖案化的透明導電體層3的情況。圖5也表示本發明的透明導電性薄膜的一例的剖面圖。其中，在圖5中，用與圖1相同的結構進行說明，當然在圖5中也可以適用與在圖2、圖3中已說明的結構相同的結構。圖5的透明導電性薄膜是在透明的薄膜基材1的兩面經由底塗層2具有已被圖案化的透明導電體層3的情況。其中，圖5的透明導電性薄膜在兩側具有已被圖案化的透明導電體層3，但也可以只在一側被圖案化。另外，圖5的透明導電性薄膜在兩側已被圖案化的透明導電體層3的圖案部a與非圖案部b—致，但它們也可以不一致，可以以各種樣式適當地圖案化。在其他圖中也相同。圖6圖9也表示本發明的透明導電性薄膜的一例的剖面圖。圖6圖9的透明導電性薄膜中，經由透明的粘合劑層4疊層兩片所述圖1或圖5所示的透明導電性薄膜。另外，在圖6圖9中，疊層得到的透明導電性薄膜被疊層成在至少單面配置所述已被圖案化的透明導電體層3。在圖6圖7中，經由透明的粘合劑層4疊層兩片圖1所示的透明導電性薄膜。在圖6中，是在圖1所示的透明導電性薄膜的透明的薄膜基材1上，經由透明的粘合劑層4疊層其他透明導電性薄膜的已被圖案化的透明導電體層3的情況。在圖7中，是圖1所示的透明導電性薄膜的透明的薄膜基材1之間經由透明的粘合劑層4疊層的情況。圖8圖9中，經由透明的粘合劑層4疊層圖1所示的透明導電性薄膜和圖5所示的透明導電性薄膜。在圖8中，是圖1所示的透明導電性薄膜的已被圖案化的透明導電體層3與圖5所示的透明導電性薄膜的單面已被圖案化的透明導電體層3經由透明的粘合劑層4疊層的情況。在圖9中，是圖1所示的透明導電性薄膜的透明的薄膜基材1與圖5所示的透明導電性薄膜的單面已被圖案化的透明導電體層3經由透明的粘合劑層4疊層的情況。在圖6圖9中，例示了圖1或圖5所示的透明導電性薄膜經由兩片透明的粘合劑層4疊層的情況，但圖1或圖5所示的透明導電性薄膜也可以按照上述圖6圖9的樣式適當地組合3張以上。其中，圖6圖9中，用與圖1相同的結構進行說明，但在圖6圖9中，當然也可以適用與在圖2、圖3中說明的結構相同的結構。另外，本發明的透明導電性薄膜可以以設置粘合劑層4的樣式使用。粘合劑層4被疊層為在透明導電性薄膜的單面配置所述已被圖案化的透明導電體層3。圖10是在圖1所示的透明導電性薄膜的透明的薄膜基材1上疊層透明的粘合劑層4的情況。圖11是在圖5所示的透明導電性薄膜的單面已被圖案化的透明導電體層3上疊層透明的粘合劑層4的情況。在圖10、圖11中，在粘合劑層4上設置隔離件S。此外，對於如圖6圖9所示的疊層兩片以上透明導電性薄膜的情況而言，也可以同樣地以在透明導電性薄膜的單面配置所述已被圖案化的透明導電體層3的方式而疊層粘合劑層4。另外，可以在所述透明導電性薄膜的單面經由透明的粘合劑層4貼合透明基體5。貼合有透明基體5的透明導電性薄膜以在單面配置所述已被圖案化的透明導電體層3的方式而貼合透明基體5。圖12是在圖1的透明導電性薄膜的透明的薄膜基材1(沒有設置透明導電體層3的單面)經由透明的粘合劑層4貼合透明基體5的結構的透明導電性薄膜。透明基體5可以由1張基體薄膜構成，也可以為兩片以上的基體薄膜的疊層體(經由透明的粘合劑疊層層的疊層體)。另外，圖12是在透明基體5的外表面設置硬塗層(樹脂層)6的情況。在圖12中，例示了圖1的透明導電性薄膜，但相同的結構也可以適用圖2、3的透明導電性薄膜。另外，也可以適用圖5圖9等的結構的透明導電性薄膜。作為所述薄膜基材1，沒有特別限制，可以使用經由透明性的各種塑料薄膜。例如，作為其材料，可以舉出聚酯系樹脂、醋酸酯系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚偏二氯乙烯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚芳基化物系樹脂、聚苯硫醚系樹脂等。其中，特別優選聚酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚烯烴系樹脂。另外，在特開2001-3435號公報(W001/37007)中記載的高分子薄膜，可以舉例為包含(A)在側鏈具有取代和/或未取代亞氨基的熱塑性樹脂、和(B)在側鏈具有取代和/或未取代苯基和腈基的熱塑性樹脂的樹脂組合物。作為具體例，可以舉例為含有由異丁烯和N-甲基馬來酸酐縮亞胺組成的交替共聚物及丙烯腈·苯乙烯共聚物的樹脂組合物的高分子薄膜。所述薄膜基材1的厚度優選在2200μm的範圍內，更優選在2100μm的範圍內。如果薄膜基材1的厚度不到2μm,則薄膜基材1的機械強度不夠，有時難以進行使該薄膜基材1成為輥狀而連續地形成底塗層2、透明導電體層3的操作。另一方面，如果厚度超過200μm,則有時不能實現透明導電體層3的耐擦傷性或作為觸摸面板用的打點特性的提尚。也可以向所述薄膜基材1的表面預先實施濺射、電暈放電、火焰、紫外線照射、電子射線照射、化學生成膜、氧化等蝕刻處理或底塗處理，從而提高設置於其上的底塗層2相對所述薄膜基材1的粘附性。另外，在設置底塗層2之前，也可以根據需要利用溶劑清洗或超聲波清洗等除塵、清洗化。在本發明中，即使已圖案化透明導電體層3的情況下，通過具有底塗層2，也可以得到外觀良好的顯示元件。從此觀點出發，底塗層2的折射率優選透明導電體層3的折射率與底塗層的折射率的差具有0.1以上。透明導電體層3的折射率與底塗層的折射率的差優選為0.1以上0.9以下，進而優選為0.1以上0.6以下。此外，底塗層2的折射率通常為1.32.5，進而優選為1.382.3，進而更優選為1.42.3底塗層2可以利用無機物、有機物或無機鹽與有機物的混合物形成。例如，作為無機物，可以舉出NaF(1.3)、Na3AlFed.35)、LiF(1.36)、MgF2(1.38)、CaF2(1.4)、BaF2(1.3)、SW2(1.46)、LaF3(1.55)、CeF3(1.63)、Al2O3(1.63)等無機[上述各材料的內的數值為光的折射率]。其中，可以優選使用Si02、MgF2、Al2O3等。特別優選Si02。此外，相對氧化銦，可以使用含有1040重量份左右氧化鍶、020重量份左右氧化錫的複合氧化物。另外，作為有機物，可以舉出丙烯酸樹脂、聚氨酯樹脂、三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂、矽氧烷系聚合物、有機矽烷縮合物等。這些有機物可以使用至少一種。作為有機物，特別優選使用由三聚氰胺樹脂和醇酸樹脂和有機矽烷縮合物的混合物構成的熱固化型樹脂。底塗層2是在透明的薄膜基材1與透明導電體層3之間設置的層，是不具有作為導電體層的功能的層。即，底塗層2被設置成為電介質層而可以絕緣已被圖案化的透明導電體層3之間。因而，底塗層2的表面電阻通常為1Χ106Ω/□以上，優選為1Χ107Ω/口以上，進而優選為1Χ108Ω/□以上。此外，底塗層2的表面電阻沒有特別的上限。通常底塗層2的表面電阻的上限為測定極限，為IXIO13Ω/□左右，也可以超過IXIO13Ω/口。從透明的薄膜基材1開始的第一層的底塗層由有機物形成，優選利用蝕刻圖案化透明導電體層3。因而，底塗層2為一層的情況下，底塗層2優選由有機物形成。另外，至少具有兩層底塗層2的情況下，從利用蝕刻圖案化透明導電體層3的角度出發，優選至少離透明的薄膜基材1最遠的底塗層由無機物形成。具有3層以上底塗層2的情況下，對於從透明的薄膜基材1開始第二層以上的底塗層而言，優選由無機物形成。由無機物形成的底塗層可以利用真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法等乾式過程或溼法(塗敷法)等形成。作為形成底塗層的無機物，如上所述，優選Si02。溼法中，可以通過塗敷氧化矽溶膠等形成SiA膜。從以上可知，設置兩層底塗層2的情況下，優選利用有機物形成的第一底塗層21，利用無機物形成第二底塗層22。對底塗層2的厚度沒有特別限制，從光學設計、防止從所述薄膜基材1發生寡聚物的效果的點出發，通常為1300nm左右，優選為5300nm。此外，在設置兩層以上底塗層的情況下，各層的厚度為5250nm左右，優選為10250nm。如上所述，透明導電體層3與底塗層2的折射率的差優選為0.1以上。透明導電體層3的折射率通常為1.952.05左右。作為所述透明導電體層3的構成材料，沒有特別限定，可以使用從銦、錫、鋅、鎵、銻、鈦、矽、鋯、鎂、鋁、金、銀、銅、鈀、鎢構成的組中選擇的至少一種金屬的金屬氧化物。根據需要，也可以在該金屬氧化物中進而含有上述組中所示的金屬原子。例如可以優選使用含有氧化錫的氧化銦、含有銻的氧化錫等。對透明導電體層3的厚度沒有特別限制，為了成為其表面電阻為1Χ103Ω/□以下的具有良好的導電性的連續被膜，優選厚度為IOnm以上。膜厚如果變得過厚，則會引起透明性的降低等，所以優選1535nm，更優選為2030nm的範圍內。厚度不到15nm時，表面電阻變得過高，而且難以成為連續被膜。另外，如果超過35nm，則會引起透明性的降低寸。作為透明導電體層3的形成方法，沒有特別限定，可以採用以往公知的方法。具體而言，例如可以例示真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法。另外，根據需要，也可以對應膜厚採用適當的方法。此外，在形成透明導電體層3之後，根據需要，可以在100150°C的範圍內，實施退火處理，使其結晶化。所以，薄膜基材1優選具有100°C以上、進而150°C以上的耐熱性。在本發明中，透明導電體層3被蝕刻圖案化。如果結晶化透明導電體層3，則有時難以蝕刻，所以透明導電體層3的退火化處理優選在圖案化透明導電體層3之後進行。進而，在蝕刻底塗層2的情況下，在蝕刻底塗層2之後，優選進行透明導電體層3的退火化處理。透明導電體層3在底塗層2上被圖案化。圖案化可以根據透明導電性薄膜適用的用途，形成各種樣式的圖案。此外，利用透明導電體層3的圖案化，形成圖案部和非圖案部，作為圖案部的形狀，例如可以舉出條紋狀等。圖13是本發明的透明導電性薄膜的俯視圖中作為透明導電體層3形成為條紋狀的情況的一例，透明導電體層3的圖案部a與非圖案部b形成為條紋狀。此外，在圖13中，圖案部a的寬度大於非圖案部b的寬度，但不限於該範圍。本發明的透明導電性薄膜的製造方法只要是在透明的薄膜基材的單面或兩面上，底塗層及透明導電體層具有上述結構即可，對其製造方法沒有特別限制。例如，可以按照常規，配製在透明的薄膜基材的單面或兩面從薄膜基材的一側開始至少經由1層底塗層具有透明導電體層的透明導電性薄膜，然後通過蝕刻所述透明導電體層從而圖案化來製造。蝕刻時，利用用於形成圖案的掩模覆蓋透明導電體層，利用蝕刻液，蝕刻透明導電體層。透明導電體層可以優選使用含有氧化錫的氧化銦、含有銻的氧化錫，所以作為蝕刻液，可以優選使用酸。作為酸，例如可以舉出氯化氫、溴化氫、硫酸、硝酸、磷酸等無機酸，醋酸等有機物以及它們的混合物以及它們的水溶液。至少具有兩層底塗層的情況下，可以僅蝕刻透明導電體層來圖案化，除此以外，也可以在利用酸蝕刻透明導電體層從而圖案化之後，與透明導電體層同樣地至少蝕刻離透明的薄膜基材最遠的底塗層從而圖案化。優選能夠與透明導電體層同樣地蝕刻除了從透明的薄膜基材開始第一層的底塗層以外的透明導電體層從而圖案化。在蝕刻底塗層時，利用用於形成與蝕刻透明導電體層的情況同樣的圖案的掩模覆蓋底塗層，利用蝕刻液，蝕刻底塗層。如上所述，第二層之上的底塗層優選使用SiO2等無機物，所以作為蝕刻液，可以優選使用鹼。作為鹼，例如可以舉出氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨水、氫氧化四甲銨等的水溶液以及它們的混合物。此外，第一層的透明導電體層優選由不被酸或鹼蝕刻的有機物形成。在本發明的透明導電性薄膜中，在經由兩層底塗層設置已被圖案化的的透明導電體層的情況下，從可以將圖案部與非圖案部的反射率的差設計成較小的點出發，優選該圖案部中的各層的折射率(η)、厚度(d)的所述各層的光學厚度(nXd)的總合如下所述。從透明的薄膜基材的第一層開始的底塗層的折射率(η)優選為1.51.7，進而優選為1.51.65，進而更優選為1.51.6。厚度(d)優選為100220nm，進而優選為120215nm，進而更優選為130210nm。從透明的薄膜基材開始第二層的底塗層的折射率(η)優選為1.41.5，進而優選為1.411.49，進而更優選為1.421.48。厚度(d)優選為2080nm，進而優選為2070nm，進而更優選為2060nm。透明導電體層的折射率(η)優選為1.92.1，進而優選為1.92.05，進而更優選為1.92.0。厚度(d)優選為1530nm，進而優選為1528nm，進而更優選為1525nm。所述各層(第一層的底塗層、第二層的底塗層、透明導電體層)的光學厚度(nXd)的總合優選為208554nm，進而優選為230500nm，進而更優選為250450nm。另外，所述圖案部的光學厚度的總合與非圖案部的底塗層的光學厚度的差(And)優選為40130nm。所述光學厚度的差(Δnd)進而優選為40120nm，進而更優選為40IlOnm0如上所述，本發明的透明導電性薄膜以在至少單面配置所述已被圖案化的透明導電體層3的方式，可以經由透明的粘合劑層4疊層至少兩片。另外，本發明的透明導電性薄膜以在單面配置所述已被圖案化的透明導電體層3的方式，可以疊層透明的粘合劑層4。另外，以貼合有透明基體5的透明導電性薄膜的單面配置已被圖案化的透明導電體層3的方式，可以在本發明的透明導電性薄膜的單面經由透明的粘合劑層4貼合透明基體5。透明基體5也可以為利用透明的粘合劑層貼合至少兩片透明的基體薄膜的複合結構。此外，所述透明導電體層3的圖案化也可以相對成為這種結構的透明導電性薄膜實施。透明基體5的厚度通常優選被控制為90300μm,更優選為100250μm。另外，由形成透明基體5的多個基體薄膜形成的情況下，各基體薄膜的厚度優選為10200μm,進而優選為20150μm,作為包括這些基體薄膜及透明的粘合劑層在內的透明基體5的總厚度被控制在所述範圍內。作為基體薄膜，可以舉出與上述薄膜基材1相同的材料。透明導電性薄膜(例如薄膜基材1)與透明基體5的貼合也可以為在透明基體5的一側設置所述粘合劑層4，向其貼合所述薄膜基材1，也可以相反，在薄膜基材1側設置所述粘合劑層4，向其貼合透明基體5。在後者的方法中，粘合劑層4的形成可以使薄膜基材1成為輥狀而連續地進行，所以從生產率的方面出發，更有利。另外，也可以在薄膜基材1上依次利用粘合劑層貼合多個基體薄膜來疊層透明基體5。其中，基體薄膜的疊層中使用的透明的粘合劑層可以使用與下述透明的粘合劑層4相同的材料。另外，在貼合透明導電性薄膜之間時，可以適當地選擇疊層粘合劑層4的疊層透明導電性薄膜的面，來貼合透明導電性薄膜之間。作為粘合劑層4，只要是具有透明性的粘合劑層即可使用，沒有特別限制。具體而言，可以適當地選擇使用例如以丙烯酸系聚合物、矽酮系聚合物、聚酯、聚氨酯、聚醯胺、聚乙烯醚、乙酸乙烯酯/氯乙烯共聚物、改性聚烯烴、環氧系、氟系、天然橡膠、合成橡膠等橡膠系等的聚合物為基礎聚合物的物質。從在光學透明性方面出色、顯示適度的潤溼性和凝聚性和粘接性的粘合特性、在耐氣候性或耐熱性等方面出色的角度出發，優選使用丙烯酸系粘合劑。根據作為粘合劑層4的構成材料的粘合劑的種類不同，可以通過使用適當的粘合用底塗劑，來提高投錨力。因而，使用這樣的粘合劑的情況下，優選使用粘合用底塗劑。作為所述粘合用底塗劑，只要是可以提高粘合劑的投錨力的層即可，沒有特別限制。具體而言，例如可以使用在同一分子內具有氨基、乙烯基、環氧基、巰基、氯基等反應性官能團和水解性烷氧基甲矽烷基的矽烷系偶聯劑，在同一分子內具有含鈦的水解性親水性基和有機官能性基的鈦酸酯系偶聯劑以及在同一分子內具有含鋁的水解性親水性基和有機官能團性基的鋁酸酯系偶聯劑等所謂的偶聯劑，環氧系樹脂、異氰酸酯系樹脂、聚氨酯系樹脂、酯聚氨酯系樹脂等具有有機反應性基的樹脂。從工業上容易操作的觀點出發，特別優選含有矽烷系偶聯劑的層。另外，在所述粘合劑層4中，可以含有與基礎聚合物對應的交聯劑。另外在粘合劑層4中，根據需要可以含有例如天然或合成樹脂類、由玻璃纖維、玻璃珠、金屬粉或其它的無機粉末等構成的填充劑、顏料、著色劑、抗氧化劑等適當的添加劑。另外也可以是含有透明微粒並顯示光擴散性的粘合劑層4。另外，所述透明微粒可以使用1種或2種以上例如平均粒徑為0.520μm的由二氧化矽、氧化鈣、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯、氧化錫、氧化銦、氧化鎘、氧化銻等導電性的無機系微粒、由聚甲基丙烯酸甲酯、聚氨酯之類的適當的聚合物構成的交聯或者未交聯的有機系微粒等適當的透明微粒。所述粘合劑層4通常作為將基礎聚合物或其組合物溶解或分散於溶劑所得的固體成分濃度為1050重量％左右的粘合劑溶液使用。作為所述溶劑，可以對應粘合劑的種類適當地選擇使用甲苯或醋酸乙酯等有機溶劑或水等。該粘合劑層4具有如下所述的功能，即例如在粘接透明基體5之後，利用其緩衝效果，提高設置於薄膜基材1的單面的透明導電體層的耐擦傷性或作為觸摸面板用的打點特性、所謂筆輸入耐久性以及表面壓力耐久性。從更好地發揮該功能的觀點出發，優選使粘合劑層4的彈性模量在1lOON/cm2的範圍、厚度為1μm以上的範圍，通常優選設定在5100μm的範圍。如果為所述厚度，則能充分地發揮上述效果，透明基體5與薄膜基材1的粘附力也充分。如果比上述範圍薄，則不能充分地保證上述耐久性或粘附性，另外，如果比上述範圍厚，則可能會在透明性等外觀產生不良情形。此外，透明導電性薄膜張適用的粘合劑層4的彈性模量、厚度在其他樣式中也與上述相同。如果所述彈性模量不到lN/cm2，則粘合劑層4變成非彈性，所以加壓時容易變形，在薄膜基材1、進而透明導電體層3產生凹凸。另外，容易從加工切斷面擠出粘合劑等，而且減低透明導電體層3的耐擦傷性或作為觸摸面板用的打點特性的提高效果。另一方面，彈性模量如果超過lOON/cm2，則粘合劑層4變硬，不能實現其緩衝效果，所以存在難以提高透明導電體層3的耐擦傷性或作為觸摸面板用的筆輸入耐久性以及表面壓力耐久性的趨勢。另外，如果粘合劑層4的厚度不到Ιμπι，則不能實現其緩衝效果，所以存在難以提高透明導電體層3的耐擦傷性或作為觸摸面板用的筆輸入耐久性以及表面壓力耐久性的趨勢。另一方面，如果過厚，則會損壞透明性，粘合劑層4的形成或透明基體5的貼合操作性、進而成本方面均難以得到好結果。這樣的經由粘合劑層4貼合的透明基體5是除了對薄膜基材1賦予良好的機械強度、筆輸入耐久性以及表面壓力耐久性以外，尤其有助於防止捲曲等的發生的構件。在使用所述隔離件S轉印粘合劑層4的情況下，作為這樣的隔離件S，例如優選使用在聚酯薄膜的至少與粘合劑層4粘接的面疊層移動防止層及/或脫模層的聚酯薄膜等。所述隔離件S的總厚度優選為30μm以上，更優選在60100μm的範圍內。形成粘合劑層4之後，以輥狀態保管的情況下，可以抑制由於進入輥間的異物等產生的可能的粘合劑層4的變形(打痕)。作為所述移動防止層，可以由用於防止聚酯薄膜中的移動成分、特別是聚酯的低分子量寡聚物成分的移動的適當的材料形成。作為移動防止層的形成材料，可以使用無機物或有機物或者它們的複合材料。可以以0.0120μm的範圍適當地設定移動防止層的厚度。作為移動防止層的形成方法，沒有特別限定，例如可以使用塗敷法、噴射法、旋塗法、流水線塗敷法等。另外，也可以使用真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法、噴射熱分解法、化學鍍法、電鍍法等。作為所述脫模層，可以形成由矽酮系、長鏈烷基系、氟系、硫化鉬等適當的脫模劑構成的層。可以從脫模效果的點出發，適當地設定脫模層的厚度。通常從柔軟性等操作性的點出發，該厚度優選為20μm以下，更優選為0.0110μm的範圍內，特別優選為0.15μm的範圍內。作為脫模層的形成方法，沒有特別限制，可以採用與所述移動防止層的形成方法相同的方法。在所述塗敷法、噴射法、旋塗法、流水線塗敷法中，可以使用丙烯酸系樹脂、聚氨酯系樹脂、三聚氰胺系樹脂、環氧系樹脂等電離輻射固化型樹脂或在所述樹脂中混合氧化鋁、二氧化矽、雲母等的材料。另外，使用真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法、噴射熱分解法、化學鍍法或電鍍法的情況下，可以使用由金、銀、鉬、鈀、銅、鋁、鎳、鉻、鈦、鐵、鈷或系或它們的合金等構成的金屬氧化物、碘化銅等構成的其他金屬化合物。另外，根據需要，也可以在所述透明基體5的外表面(與粘合劑層4相反側的面)，以保護外表面為目的設置硬塗層(樹脂層)6。作為硬塗層6，例如可以優選使用三聚氰胺系樹脂、聚氨酯系樹脂、醇酸系樹脂、丙烯酸系樹脂、矽酮系樹脂等固化型樹脂構成的固化被膜。作為硬塗層6的厚度，優選為0.130μm。如果厚度不到0.1μm，則硬度有時會不足。另外，如果厚度超過30μm,則可能會在硬塗層6中發生裂縫或者整個透明基體5發生捲曲。另外，也可以在本發明的透明導電性薄膜中設置用於提高辨識性的防眩處理層或防反射層。在電阻膜方式的觸摸面板中使用的情況下，可以與所述硬塗層6同樣地在所述透明基體5的外表面(與粘合劑層4相反側的面)設置防眩處理層或防反射層。另外，也可以在所述硬塗層6上設置防眩處理層或防反射層。另一方面，在靜電電容方式的觸摸面板中使用的情況下，防眩處理層或防反射層也可以設置在透明導電體層3上。作為防眩處理層的構成材料，沒有特別限定，例如可以使用電離輻射固化型樹脂、熱固化型樹脂、熱塑性樹脂等。防眩處理層的厚度優選為0.130μm。作為防反射層，可以使用氧化鈦、氧化鋯、氧化矽、氟化鎂等。為了更大地表現出防反射功能，優選使用氧化鈦層與氧化矽層的疊層體。所述疊層體優選為在硬塗層6上形成折射率較高的氧化鈦層(折射率約1.8)、在該氧化鈦層上形成折射率較低的氧化矽層(折射率約1.45)的兩層疊層體，進而優選為在該兩層疊層體上依次形成氧化鈦層及氧化矽層的4層疊層體。通過設置這樣的兩層疊層體或4層疊層體的防反射層，可以均一地減低可見光線的波長區域(380780nm)的反射。本發明的透明導電性薄膜例如優選適用於光學方式、超聲波方式、靜電電容方式、電阻膜方式等觸摸面板。特別優選用於靜電電容方式的觸摸面板。此外，本發明的透明導電性薄膜能夠適用於例如電泳動方式、扭曲球(twistball)方式、熱重寫(thermalrewritable)方式、光讀入液晶方式、高分子分散型液晶方式、賓-主(guest-host)液晶方式、調色劑顯示方式、著色異常(chromism)方式、電場析出方式等柔性顯示元件。實施例以下用實施例詳細地說明本發明，但本發明在不超出其要旨的範圍內，不被以下實施例所限定。另外，各例中，份、％均為重量標準。〈折射率〉各層的折射率使用了夕5公司制的阿貝折射率計，使測定光入射到各種測定面，利用該折射計所示的規定的測定方法進行測定。〈各層的厚度〉對薄膜基材、透明基體、硬塗層、粘合劑層等具有Iym以上厚度的層，利用S,卜3制精密超聲波測厚儀(MICR0GAGE)式厚度計進行測定。在為硬塗層、粘合劑層等很難直接計測厚度的層的情況下，疊層設置有各層的基材的總厚度，通過減去基材的厚度算出各層的膜厚。第一層的底塗層、第二層的底塗層、ITO膜等的厚度使用大塚電子(株)制的作為瞬間multi測光system的MCPD2000(商品名)，以利用幹涉光譜的波形為基礎算出。〈底塗層的表面電阻〉按照以JISK6911(1995)為標準的雙線圈法(二重U'法)，使用三菱化學(株)制的表面高電阻計，測定底塗層的表面電阻(Ω/口)。(實施例1)(底塗層的形成)在厚度為25μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(以下稱為PET薄膜)構成的薄膜基材的單面，利用三聚氰胺樹脂醇酸樹脂有機矽烷縮合物的重量比2:2:1的熱固化型樹脂(光的折射率η=1.Μ)，形成厚度為185nm的第一層底塗層。接著，用乙醇將氧化矽溶膠(二>二一卜(株)制，二>二一卜P)稀釋成固體成分濃度2%，在第一層的底塗層上，利用氧化矽塗敷法塗敷，然後，在150°C下乾燥2分鐘，使其固化，形成厚度為33nm的第二層底塗層(SiO2膜，光的折射率1.46)。形成第一層、第二層的底塗層之後的表面電阻均為1Χ1012Ω/□以上。(透明導電體層的形成)接著，在第二層的底塗層上，在氬氣98%與氧氣2%構成的0.4Pa的氣氛中，利用用氧化銦97重量％、氧化錫3重量％的燒結體材料的反應性濺射法，形成厚度為22nm的ITO膜(光的折射率2.00)，得到透明導電性薄膜。(硬塗層的形成)作為硬塗層的形成材料，在丙烯酸·聚氨酯系樹脂(大日本油墨(4>*)化學(株)制的-二,」17-806)100份中，加入作為光聚合引發劑的羥基環己基苯基甲酮(千葉特殊化學藥品公司制的IrgaCUre184)5份，配製稀釋成30重量％的濃度而成的甲苯溶液。在厚度為125μm的PET薄膜構成的透明基體的單面，塗敷該硬塗層的形成材料，在100°C下乾燥3分鐘。然後，立即以臭氧型高壓汞燈(能量密度80W/cm2，15cm聚光型)2燈下照射紫外線，形成厚度為5μm的硬塗層。(疊層透明導電性薄膜的製作)接著，在與所述透明基體的硬塗層形成面的相反側的面，形成厚度約為20μm、彈性模量為ΙΟΝ/cm2的透明的丙烯酸系粘合劑層。作為粘合劑層組合物，使用在丙烯酸丁酯和丙烯酸和醋酸乙烯酯的重量比為10025的丙烯酸系共聚物100份中配合1份異氰酸酯系交聯劑而成的組合物。在所述粘合劑層側貼合上述透明導電性薄膜(沒有形成透明導電體層的一側的面)，製作疊層透明導電性薄膜。(ΙΤ0膜的通過蝕刻的圖案化)在疊層透明導電性薄膜的透明導電體層上塗敷、乾燥固化已圖案化成條紋狀的光致抗蝕劑，然後在25°C、5%的鹽酸(氯化氫水溶液)中浸漬1分鐘，進行ITO膜的蝕刻。(第二層的底塗層的通過蝕刻的圖案化)在進行上述ITO膜的蝕刻之後，接著在疊層光致抗蝕劑的狀態下，在45°C、2%的氫氧化鈉水溶液中浸漬3分鐘，進行第二層的底塗層的蝕刻，然後除去光致抗蝕劑。(透明導電體層的結晶化)在所述第二層的底塗層的蝕刻之後，在140°C下進行90分鐘的加熱處理，結晶化ITP膜。實施例2在實施例1中，不進行第二層的底塗層的通過蝕刻的圖案化，除此以外，與實施例1進行同樣的操作，製作已圖案化ITO膜的疊層透明導電性薄膜。實施例3在實施例1中，將第一層的底塗層的厚度變為35nm，不形成第二層的底塗層，除此以外，與實施例1進行同樣的操作，製作已圖案化ITO膜的疊層透明導電性薄膜。實施例4在實施例1中，將第一層的底塗層的厚度變為150nm，除此以外，與實施例1進行同樣的操作，製作已圖案化ITO膜的疊層透明導電性薄膜。實施例5在實施例1中，將第一層的底塗層的厚度變為150nm，不進行第二層的底塗層的通過蝕刻的圖案化，除此以外，與實施例1進行同樣的操作，製作已圖案化ITO膜的疊層透明導電性薄膜。在實施例25中，形成第一層、第二層的底塗層之後的表面電阻均為IXIO12Ω/□以上。比較例1在實施例1中，沒有形成第一層的底塗層、第二層的底塗層，除此以外，與實施例1進行同樣的操作，製作已圖案化ITO膜的疊層透明導電性薄膜。比較例2在實施例1中，代替第一層的底塗層而設置厚度為33nm的ITO膜，將第二層的底塗層的厚度變為60nm，不進行第二層的底塗層的通過蝕刻的圖案化，除此以外，與實施例1進行同樣的操作，製作已圖案化ITO膜(表面的透明導電體層)的疊層透明導電性薄膜。形成第一層的底塗層(ΙΤ0膜)之後的表面電阻為2Χ102Ω/□，形成第二層的底塗層之後的表面電阻為4Χ102Ω/口。對在實施例以及比較例中的疊層透明導電性薄膜(樣本)，進行下述評價。結果如表1、表2所示。<ΙΤ0膜的表面電阻值〉使用2端子法，測定ITO膜的表面電阻(Ω/□)。<ΙΤ0膜的圖案間的電阻值〉對獨立存在的ITO膜的圖案部，利用測試器(tester)，測定電阻(Ω)，評價是否已被絕緣。只要在1Χ106Ω以上，就可以判斷為絕緣。測試器使用力7夕A公司制的數字測試器(digitaltester)「CDM-2000D」。〈光的透過率〉使用島津製作所制的分光分析裝置UV-240，測定光波長550nm下的可見光線透過率。<450650nm的平均反射率、反射的Y值〉使用(株)日立製作所制的分光光度計U4100的積分球測定模式，使反射入射角為10度，測定反射光譜，算出450650nm區域的平均反射率以及Y值。其中，所述測定使用黑色噴霧器在疊層透明導電性薄膜(樣本)的背面側(硬塗層側)形成遮光層，在幾乎沒有樣本的背面反射或來自背面側的光的入射的狀態下進行測定。反射色彩的計算採用JISZ8720中規定的標準的光D65，在2度視野的條件下測定。圖案部(ΙΤ0膜)和非圖案部(蝕刻部)分別進行平均反射率及Y值的測定。另外，將圖案部與非圖案部的反射率的差(Δ反射率)、Y值的差(ΔΥ值)一起顯示於表2。〈外觀評價〉在黒的板上，放置樣本，使其透明導電體層成為上面，利用目視，以下述標準評價是否能夠辨別圖案部與非圖案部。◎難以辨別圖案部與非圖案部。O略微能夠辨別圖案部與非圖案部。X可以清晰地辨別圖案部與非圖案部。[表1]權利要求1.一種透明導電性薄膜，其是在透明的薄膜基材的單面或兩面上，經由兩層底塗層地具有透明導電體層的透明導電性薄膜，所述透明導電性薄膜的特徵在於，所述透明導電體層被圖案化，且在不具有所述透明導電體層的非圖案部具有至少一層底塗層，經由兩層底塗層設置已被圖案化的透明導電體層，從透明的薄膜基材開始第一層的底塗層的折射率η為1.51.7，從透明的薄膜基材開始第二層的底塗層的折射率η為1.41.5。2.根據權利要求1所述的透明導電性薄膜，其特徵在於，從所述透明的薄膜基材開始第二層的底塗層由無機物形成。3.根據權利要求2所述的透明導電性薄膜，其特徵在於，由無機物形成的底塗層為S^2膜。4.根據權利要求1所述的透明導電性薄膜，其特徵在於，從所述透明的薄膜基材開始第一層的底塗層由有機物形成。5.根據權利要求1所述的透明導電性薄膜，其特徵在於，透明導電體層的折射率與底塗層的折射率的差為0.1以上。6.根據權利要求1所述的透明導電性薄膜，其特徵在於，從透明的薄膜基材開始第一層的底塗層的厚度d為100220nm，從透明的薄膜基材開始第二層的底塗層的厚度d為2080nm，透明導電體層的折射率η為1.92.1，厚度d為1530nm，所述各層的光學厚度nXd的總和為2085Mnm。7.根據權利要求6所述的透明導電性薄膜，其特徵在於，已被圖案化的透明導電體層和兩層底塗層的所述光學厚度的總和、與非圖案部的底塗層的光學厚度的差And為40130nm。8.—種透明導電性薄膜，其特徵在於，以在至少單面上配置已被圖案化的所述透明導電體層的方式，經由透明的粘合劑層，至少疊層兩片權利要求1所述的透明導電性薄膜。9.一種透明導電性薄膜，其特徵在於，以在單面上配置已被圖案化的所述透明導電體層的方式，在權利要求1所述的透明導電性薄膜的單面上，經由透明的粘合劑層，貼合透明基體。10.根據權利要求1所述的透明導電性薄膜，其特徵在於，被用於觸摸面板。11.根據權利要求10所述的透明導電性薄膜，其特徵在於，觸摸面板為靜電電容結合方式的觸摸面板。12.一種觸摸面板，其特徵在於，具備權利要求111中任一項所述的透明導電性薄膜。全文摘要本發明提供一種透明導電體層已被圖案化而且外觀良好的透明導電性薄膜。該透明導電性薄膜是在透明的薄膜基材的單面或兩面上，經由兩層底塗層地具有透明導電體層的透明導電性薄膜，所述透明導電性薄膜的特徵在於，所述透明導電體層被圖案化，且在不具有所述透明導電體層的非圖案部具有至少一層底塗層，經由兩層底塗層設置已被圖案化的透明導電體層，從透明的薄膜基材開始第一層的底塗層的折射率n為1.5～1.7，從透明的薄膜基材開始第二層的底塗層的折射率n為1.4～1.5。文檔編號H01B5/14GK102184754SQ201110043079公開日2011年9月14日申請日期2008年1月18日優先權日2007年1月18日發明者梨木智剛,菅原英男申請人:日東電工株式會社