晶片淨化裝置的製作方法

2023-09-23 18:20:10 1

專利名稱：晶片淨化裝置的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及片式無源聲表面濾波器的焊線工藝流程用設備，具體為晶片淨化裝置。
(二)
背景技術：
片式無源聲表面濾波器的生產工藝中，完成電路沉積和曝光等前道工序後，晶片 仍需要經過切片，固晶，焊線，點焊和縫焊等陶瓷封裝流程；在這些工藝過程中，晶片不可避 免要與機器和空氣接觸，這樣就很容易吸附外界的雜質和微小顆粒，給後續的電性能測試 和應用帶來潛在的失效風險。

發明內容本實用新型針對上述問題，提供晶片淨化裝置，該淨化裝置設置於焊線工序中，將 焊線時晶片上吸附的雜質和微小顆粒及時吹走，從而保證晶片的清潔。 本實用新型的技術方案是這樣的其包括高度感應器、氣壓電磁閥、噴氣嘴及氮氣 源；所述高度感應器與所述氣壓電磁閥電連接，所述高度感應器採集的信號傳遞給所述氣 壓電磁閥並控制所述氣壓電磁閥的開閉；所述氣壓電磁閥、噴氣嘴及氮氣源之間由輸氣管 連接構成氣路。 其進一步的技術方案為 所述氣路中設置有氣壓調節閥，所述氣壓調節閥安裝在所述氣壓電磁閥與所述噴 氣嘴之間的管路上；所述氣路中設置有氣壓表，所述氣壓表與所述氣壓調節閥相連；所述 氣路中設置有蜂鳴器，所述蜂鳴器與與所述氣壓表相連。 本實用新型在焊線工序中設置由氣壓電磁閥、噴氣嘴及氮氣源組成的吹氮氣結 構，通過噴氣嘴向晶片表面噴出氮氣流，可以及時有效地將焊線時晶片吸附的雜質和微小 顆粒吹走，達到保護晶片的目的，避免因為雜質對晶片電路的腐蝕而造成性能下降，減少不 必要的損失。

圖1為本實用新型的結構組成功能示意圖。
具體實施方式如圖1所示，本實用新型是一種晶片淨化裝置，安裝於焊線工序中。其包括高度感 應器、氣壓電磁閥、噴氣嘴及氮氣源。高度感應器與氣壓電磁閥電連接，高度感應器採集的 信號傳遞給氣壓電磁閥並控制氣壓電磁閥的開閉。氣壓電磁閥、噴氣嘴及氮氣源之間由輸 氣管連接構成氣路，組成吹氮氣結構，通過噴氣嘴向晶片表面噴出氮氣流，可以及時有效地 將焊線時晶片吸附的雜質和微小顆粒吹走，達到保護晶片的目的。 為了調節氣流的大小，在氣路中設置有氣壓調節閥，氣壓調節閥安裝在氣壓電磁閥與噴氣嘴之間的管路上。可以通過調節閥進行調節，通過氣壓表進行監控。 在氣路中設置有氣壓表，用來監控氣流的壓強，氣壓表與氣壓調節閥相連。在氣路
中設置有蜂鳴器，蜂鳴器與氣壓表相連。當氣流壓強小於規定的數值時，蜂鳴器就會及時報
警，設備自動亮紅燈並且及時停止工作。現設置氣流壓強不小於2KPa。 本實用新型的工作過程是由高度感應器採集焊線工序中焊線劈刀高度的信號，
並將該信號傳遞給氣壓電磁閥，通過氣壓電磁閥的電壓切換達到氣路的轉換。當焊線劈刀
在工作距離內時，氣壓電磁閥打開，噴氣嘴內噴出氣流，吹走焊線時晶片上吸附的雜質和微
小顆粒，達到清潔晶片的目的。
權利要求晶片淨化裝置，其特徵在於其包括高度感應器、氣壓電磁閥、噴氣嘴及氮氣源；所述高度感應器與所述氣壓電磁閥電連接，所述高度感應器採集的信號傳遞給所述氣壓電磁閥並控制所述氣壓電磁閥的開閉；所述氣壓電磁閥、噴氣嘴及氮氣源之間由輸氣管連接構成氣路。
2 根據權利要求l所述的晶片淨化裝置，其特徵在於所述氣路中設置有氣壓調節閥， 所述氣壓調節閥安裝在所述氣壓電磁閥與所述噴氣嘴之間的管路上。
3. 根據權利要求2所述的晶片淨化裝置，其特徵在於所述氣路中設置有氣壓表，所述 氣壓表與所述氣壓調節閥相連。
4. 根據權利要求3所述的晶片淨化裝置，其特徵在於所述氣路中設置有蜂鳴器，所述 蜂鳴器與與所述氣壓表相連。
專利摘要本實用新型涉及晶片淨化裝置，用於片式無源聲表面濾波器的焊線工藝流程。其包括高度感應器、氣壓電磁閥、噴氣嘴及氮氣源；所述高度感應器與所述氣壓電磁閥電連接，所述高度感應器採集的信號傳遞給所述氣壓電磁閥並控制所述氣壓電磁閥的開閉；所述氣壓電磁閥、噴氣嘴及氮氣源之間由輸氣管連接構成氣路。本實用新型在焊線工序中設置由氣壓電磁閥、噴氣嘴及氮氣源組成的吹氮氣結構，通過噴氣嘴向晶片表面噴出氮氣流，可以及時有效地將焊線時晶片吸附的雜質和微小顆粒吹走，達到保護晶片的目的。
文檔編號B08B3/02GK201470635SQ20092030607
公開日2010年5月19日 申請日期2009年7月13日 優先權日2009年7月13日
發明者章峰 申請人:愛普科斯科技(無錫)有限公司