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矽橡膠固封極柱的柱式高壓真空斷路器的製作方法

2023-12-05 12:14:51


本發明涉及一種高壓真空斷路器,特別涉及一種矽橡膠固封極柱的柱式高壓真空斷路器,屬於中壓電氣技術領域。



背景技術:

在72.5kV及以上電壓等級的斷路器中,目前SF6斷路器佔據絕對主導地位。如圖3所示,現有SF6斷路器的滅弧室極柱包括瓷套(21)、靜觸頭座(22)、噴口(23)、靜弧觸頭(24)、觸指(25)、動弧觸頭(26)、熱膨脹氣缸(27)、拉杆(28)、中間觸頭(29)、下支撐座(30),上述SF6斷路器的滅弧室極柱是利用SF6的熄弧性能進行滅弧。但SF6氣體是《京都議定書》指出的6種溫室效應氣體中溫室效應最強的的一種氣體(其溫室效應係數是CO2的23900倍),且在電弧高溫作用下會產生多種有毒氣體及大量具強烈腐蝕性的粉末。

真空斷路器具有可靠性高、免維護、適於頻繁操作、環境友好等優點,目前在40.5kV及以下的中壓等級居於主導地位,在72.5kV及以上電壓等級用高壓真空斷路器替代SF6斷路器是一種有效的選擇,也代表發展方向。



技術實現要素:

本發明的目的旨在提出一種矽橡膠固封極柱的柱式高壓真空斷路器,該斷路器完全不用SF6氣體,具有完全意義上的環境友好性,且下極柱所充絕緣氣體為常壓(即零表壓),洩漏影響小,運行可靠性高。

實現本發明的技術方案是,一種矽橡膠固封極柱的柱式高壓真空斷路器,所述高壓真空斷路器的極柱結構包括有真空滅弧室,真空滅弧室的兩端分別有靜導電桿和動導電桿,靜導電端杆的上部連接有上導電法蘭,動導電桿的周圍設置有導電座,導電座的下部連接有下導電法蘭;動導電桿(與導電座間用母線適配器實現導電連接;真空滅弧室的外周及上導電法蘭、下導電法蘭之間固封有矽橡膠套,下導電法蘭的下部是支柱瓷套,支柱瓷套的下部是拐臂箱,動導電桿的下部連接有超程簧裝配組件,超程簧裝配組件的下部連接有絕緣拉杆組件,絕緣拉杆組件的下部與置於拐臂箱內的拐臂箱傳動組件相連,在支柱瓷套的內部充有氣體絕緣介質。

優選的,所述矽橡膠套採用高溫硫化矽橡膠製成,外部傘裙採用大、小傘裙間隔的方式,滿足設計預期的大爬距,高度低。

優選的,所述絕緣拉杆組件四周設有傘裙,可有效增加爬電距離。

優選的,所述氣體絕緣介質可以是N2、乾燥壓縮空氣或其他非溫室效應氣體,且氣體壓力為1個標準大氣壓。

本發明所述的高壓真空斷路器,其極柱的真空滅弧室外部採用矽橡膠固封,下部支柱瓷套內充常壓N2、乾燥壓縮空氣或其它非溫室效應氣體,完全不用SF6,具有完全意義上的環境友好性,且下極柱所充絕緣氣體為常壓(即零表壓),則洩漏影響小,運行可靠性高。原SF6斷路器充有0.5MPa的SF6氣體,當洩漏到其最低功能氣壓時,斷路器存在喪失原有的滅弧/絕緣能力風險。本產品僅在下極柱充常壓氣體,即便洩漏,也不會影響產品原有絕緣性能。

附圖說明

圖1為本發明結構示意圖;

圖2為本發明中母線匹配器配合的局部放大結構示意圖;

圖3為現有SF6斷路器的滅弧室極柱的結構示意圖;圖中:瓷套21、靜觸頭座22、噴口23、靜弧觸頭24、觸指25、動弧觸頭26、熱膨脹氣缸27、拉杆28、中間觸頭29、下支撐座30。

具體實施方式

結合附圖和實施例對本發明作進一步詳細說明。

本發明結構如圖1、2所示,矽橡膠固封極柱的柱式高壓真空斷路器包括有:真空滅弧室3,真空滅弧室3的兩端分別有靜導電桿3-1和動導電桿3-2,靜導電端杆3-1的上部連接有上導電法蘭1,動導電桿3-2的周圍設置有導電座5,導電座5的下部連接有下導電法蘭6;動導電桿3-2與導電座5間用母線適配器4實現導電連接;真空滅弧室3的外周及上導電法蘭1、下導電法蘭6之間固封有矽橡膠套2。下導電法蘭6的下部是支柱瓷套8,支柱瓷套8的下部是拐臂箱11。動導電桿3-2的下部連接有超程簧裝配組件7,超程簧裝配組件7的下部連接有絕緣拉杆組件10,絕緣拉杆組件10的下部與置於拐臂箱11內的拐臂箱傳動組件12相連。在支柱瓷套8的內部充有氣體絕緣介質9。

矽橡膠套2在真空滅弧室3處於分閘位置時起與斷口相匹配的絕緣作用,其外側設有大小間隔的傘裙,以有效增加爬電距離。

絕緣拉杆組件10起絕緣及分合閘操作傳動作用,其四周設有傘裙,以有效增加爬電距離。

氣體絕緣介質9充滿於支柱瓷套8及與其相連的拐臂箱11內,起絕緣作用。氣體絕緣介質9可以是N2、乾燥壓縮空氣或其他非溫室效應氣體。所充氣體絕緣介質9的壓力為常壓,即1個大氣壓,因與外部氣壓相同(即零表壓),因此其對洩漏不敏感,提高了高壓真空斷路器的運行可靠性及檢修安全性。

以上內容是結合具體的優選實施方式對本發明所作的進一步詳細說明,不能認定本發明的具體實施方式僅限於此,對於本發明所屬技術領域的普通技術人員來說,在不脫離本發明構思的前提下,還可以做出若干簡單的推演或替換,都應當視為屬於本發明所提交的權利要求書確定的專利保護範圍。

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