大偏角籽晶的加工方法

2023-06-26 12:53:21

專利名稱：：大偏角籽晶的加工方法
技術領域：
：本發明是一種能解決快速、準確加工大偏角籽晶的加工方法。
背景技術：
：製造高亮度發光管和大功率雷射器，多使用水平摻矽砷化鎵低位錯襯底外延片，晶向為(100)向(111)A偏15°。用正(lll)籽晶生長單晶，切出符合要求的晶片，單晶厚度需要增加，而厚度的增加對單晶生長不利。若改變單晶生長方向，即籽晶(111)偏角，就可以解決此問題。因為偏角越大，所需單晶厚度越小，越有利於單晶生長，故多採用大偏角籽晶生長單體，但籽晶(111)偏角如大於13°，則難以測定、測準，目前尚未發現有關籽晶大偏角的精準加工方法。
發明內容本發明的目的是提供一種能解決快速、準確加工大偏角籽晶的方法。本發明的技術解決方案是以如下方式完成的，大偏角籽晶的加工方法是，首先選取比較完整、電學參數好的水平砷化鎵單晶錠，在單晶錠的頭部先確定出(111)晶面，在晶面上根據晶向要求確定偏角值，然後用(331)衍射角衍射，根據所需長度切割出單晶塊，再用環氧樹脂把截取的單晶段晶頭朝上粘接在底部粘固有金屬塊的石墨板上，粘貼後切片定向(211)晶面的偏差角度，用(311)衍射角衍射，根據所需高度切割，然後將單晶塊旋轉90°，定準(110)晶面的偏差角為零度時切割出所需寬度，然後進行清洗即可。本發明不僅能解決了大偏角籽晶加工的難題，而且具有簡單、準確、快捷的優點。具體實施例方式本發明的方法是首先選取比較完整、電學參數好的水平砷化鎵單晶錠，最好選取位錯密度《1000個/cmS的單晶錠，然後在單晶錠的頭部先確定出(111)晶面，在晶面上根據晶向確定偏角值，再用(331)晶面衍射角衍3射，根據所需長度切割出單晶塊，接著用環氧樹脂把截取的單晶塊晶頭朝上粘接在底部粘固有金屬塊的石墨板上，粘貼後切片定向(211)晶面的偏差角度，用(311)衍射角衍射，再根據所需高度切割，然後將單晶塊旋轉90°，定準(110)晶面的偏差角度為零度時切割出所需的寬度，做出記號並清洗即可。籽晶的(111)定向偏差角度M。用(331)衍射角衍射，(211)定向的偏差角度M。用(311)衍射，衍射偏差為(331)和(311)所對應的衍射偏差度『，具體對應關係如下表籽晶(m)偏差角度為tableseeoriginaldocumentpage4權利要求1、大偏角籽晶的加工方法，其特徵在於首先選取比較完整、電學參數好的水平砷化鎵單晶錠，在單晶錠的頭部先確定出(111)晶面，在晶面上根據晶向要求確定偏角值，然後用(331)衍射角衍射，根據所需長度切割出單晶塊，再用環氧樹脂把截取的單晶段晶頭朝上粘接在底部粘固有金屬塊的石墨板上，粘貼後切片定向(211)晶面的偏差角度，用(311)衍射角衍射，根據所需高度切割，然後將單晶塊旋轉90°，定準(110)晶面的偏差角為零度時切割出所需寬度，然後進行清洗即可。全文摘要本發明公開了一種大偏角籽晶的加工方法，本發明首先選取比較完整、電學參數好的水平砷化鎵單晶錠，在單晶錠的頭部先確定出(111)晶面，在晶面上根據晶向要求確定偏角值，然後用(331)衍射角衍射，根據所需長度切割出單晶塊，再用環氧樹脂把截取的單晶段晶頭朝上粘接在底部粘固有金屬塊的石墨板上，粘貼後切片定向(211)晶面的偏差角度，用(311)衍射角衍射，根據所需高度切割，然後將單晶塊旋轉90°，定準(110)晶面的偏差角為零度時切割出所需寬度，然後進行清洗即可。本發明不僅能解決了大偏角籽晶加工的難題，而且具有簡單、準確、快捷的優點。文檔編號B28D5/00GK101537666SQ20091006434公開日2009年9月23日申請日期2009年3月9日優先權日2009年3月9日發明者闖李,李百泉,陳堅邦申請人:新鄉市神舟晶體科技發展有限公司