吡啶並[3,2-h]喹唑啉和/或其5,6-二氫衍生物、其製備方法和包含它們的摻雜有機半導...的製作方法

2023-05-27 21:15:36

/>基和CN。2.製備吡啶並[3,2-h]喹唑啉和/或其5，6二氫衍生物的方法，包括下述步驟(i)按照下面的反應路線formulaseeoriginaldocumentpage2使結構式4的2，4-二取代喹啉酮和醛在鹼存在下反應，以製備苄叉基氫喹啉酮5;結構式8(ii)按照下面的反應路線:formulaseeoriginaldocumentpage3使苄叉基氫喹啉酮5和鹽酸苯甲脒鑔在鹼性條件下反應，以製備1,4,5,6-四氫吡啶並[3,2-h]喹唑啉6，並隨後氧化以製備5,6-二氫枇啶並[3,2-h]喹唑啉7;(iii)按照下面的反應路線任選地芳構化5,6-二氫吡啶並[3，2-h]喹唑啉7以得到吡啶並[3,2-h]喹唑啉8，其中R1、R2、113和114如上面權利要求1中所定義。3.根據權利要求2所述的方法，其特徵在於使用氫氧化鉀和/或叔丁醇鉀作為鹼。4.根據權利要求2或3所述的方法，其特徵在於使用氯醌來氧化1,4，5，6-四氫吡啶並[3，2-h]喹唑啉6。5.根據權利要求2到4之一所述的方法，其特徵在於用Pd/C進行通過Pd催化脫氫的芳構化。6.摻雜的有機半導體材料，包含至少一種摻雜至少一種摻雜劑的有機基體材料，其中所述基體材料是根據權利要求1所述的吡啶並[3,2-h]喹唑啉和/或其5,6二氫衍生物。7.根據權利要求6所述的半導體材料，其特徵在於所述基體材料可以被可逆還原。8.根據權利要求6所述的半導體材料，其特徵在於在還原過程中所述基體材料分解成穩定的氧化還原活性成分。9.根據權利要求6到8之一所述的半導體材料，其特徵在於所述摻雜劑是金屬配合物。10.根據權利要求9所述的半導體材料，其特徵在於所述金屬配合物具有結構式I:formulaseeoriginaldocumentpage4結構式I其中M是過渡金屬；以及其中-結構要素a-f可以具有如下含義a=-CR9R1(r，b=-CR11R12-，c=-CR13R14-，d=-CR15R16-，e=-CRnR18-，f=-CRl9R20-，其中119-1120獨立地為氫、C,-C2Q烷基、Q-C2Q環垸基、C廣C2Q烯基、d-C2Q炔基、芳基、雜芳基、-NRR或-OR,其中R-C,-C2o烷基、(:廣(:2環垸基、C,-C20烯基、Q-C2Q炔基、芳基或雜芳基，或-結構要素c和/或d中，C可以被Si替代，或-任選地，a或b或e或f是NR，其中R-C廣C2o烷基、C,-C2o環垸基、C,-C2。烯基、C-C2Q炔基、芳基、雜芳基，或200810125855.1權利要求書第4/6頁任選地，a和f或b和c是NR，其中R-Q-C2o烷基、C,-C2o環烷基、C,-C20烯基、CrC20炔基、芳基、雜芳基，-其中鍵a-c、b-d、c-e和d-f可以是不飽和的，但a-c和c-e不同時是不飽和的，以及b-d和d-f不同時是不飽和的，-其中鍵a-c、b-d、c-e和d-f可以是還可包含雜原子0、S、N、P、Se、Ge、Sn的飽和或不飽和環系的一部分，或-鍵a-c、b-d、c-e和d-f是還可包含雜原子0、S、Si、N的芳環系統或稠合芳環系統的一部分，-其中原子E是主族元素，-其中結構要素a-E-b任選地是還可包含雜原子0、S、Se、N、P、Si、Ge、Sn的飽和或不飽和環系的構成部分，或-結構要素a-E-b任選地是還可包含雜原子O、S、Se、N的芳環系統的構成部分。11.根據權利要求IO所述的半導體材料，其特徵在於M是Mo或W。12.根據權利要求10所述的半導體材料，其特徵在於R9、Ru、Rl3、Rl5、Rl7、Rl9=H，以及Rio、R2、Rl4、Rl6、Rl8、R20=C1-C20烷基、Q-C2Q環烷基、CrC2Q烯基、Q-C2Q炔基、芳基、雜芳基、-NRR或者-OR。13.根據權利要求IO所述的半導體材料，其特徵在於E選自C、N、P、As、Sb。14.根據權利要求IO所述的半導體材料，其特徵在於摻雜劑具有下面的結構式Ia:15.根據權利要求6到8之一所述的半導體材料，其特徵在於摻雜劑是鹼金屬和/或鹼土金屬。16.根據權利要求15所述的半導體材料，其特徵在於摻雜劑是銫。17.根據前面權利要求之一所述的半導體材料，其特徵在於所述基體材料的最低空分子軌道(LUMO)能級和摻雜劑的電離電位(HOMO)相差0-0.5V。18.根據權利要求17所述的半導體材料，其特徵在於基體材料的能級和摻雜劑的電離電位相差0-0.3V。19.根據權利要求17所述的半導體材料，其特徵在於基體材料的能級和摻雜劑的電離電位相差0-0.15V。20.根據權利要求6到19之一所述的半導體材料，其特徵在於基體材料的LUMO能級低於摻雜劑的電離電位(HOMO)。21.根據前面權利要求6到20之一所述的半導體材料，其特徵在於摻雜劑的濃度是0.525重量百分數。22.根據權利要求21所述的半導體材料，其特徵在於摻雜劑的濃度是110重量百分數。23.根據權利要求21所述的半導體材料，其特徵在於摻雜劑的濃度是2.55重量百分數。24.根據前面權利要求6到23之一所述的半導體材料，其特徵在於基體材料的玻璃化轉變溫度Tg高於4，7-二苯基-l，10-菲咯啉的玻璃化轉變溫度。25.根據前面權利要求6到24之一所述的半導體材料，其特徵在於基體材料的蒸發溫度為至少200'C。26.有機發光二極體，包括前面權利要求6到25中任一項所述的半導體材料。27.式5的苄叉基氫喹啉酮formulaseeoriginaldocumentpage7其中R1、R'和W如權利要求1中定義。全文摘要本發明涉及下述結構式8的吡啶並[3，2-h]喹唑啉和/或其5，6二氫衍生物結構式8其中R1和R2是取代或未取代的，為芳基、雜芳基、具有R＝C1-C20烷基的式CHR2的烷基、或具有R＝C1-C20烷基的式CR3的烷基；R3選自H，取代或未取代的C1-C20烷基、芳基和雜芳基；R4選自H，取代或未取代的C1-C20烷基、芳基和雜芳基、NH2、具有R＝C1-C20烷基的NHR、具有R＝C1-C20烷基的NR2、N-烷基芳基、N-芳基2、咔唑基、二苯並氮雜基和CN。本發明還涉及它們的製備方法和使用這些喹唑啉的摻雜的有機半導體材料。所述半導體材料顯示改進的熱穩定性和傳導性。文檔編號C07F11/00GK101348484SQ20081012585公開日2009年1月21日申請日期2008年3月17日優先權日2007年3月16日發明者安德利亞·盧克斯,曼弗雷德·庫斯勒,約瑟夫·薩貝克申請人:諾瓦萊德公開股份有限公司