高熱導氧化鋁陶瓷基板2瓦6dB衰減片的製作方法

2023-06-14 04:10:26

高熱導氧化鋁陶瓷基板2瓦6dB衰減片的製作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種高熱導氧化鋁陶瓷基板2瓦6dB衰減片，是一種能量損耗性射頻/微波元件，其包括一高導熱氧化鋁基板，所述氧化鋁基板的背面印刷有背導層，所述氧化鋁基板的正面印刷有導線,所述導線間印刷有5個膜狀電阻，所述5個膜狀電阻有兩個電阻值相同,所述膜狀電阻通過串並聯電路對電信號起到衰減作用,通過控制所述膜狀電阻的電阻值,得到需要的衰減值。該衰減片體積小，成本低，低插損，駐波比小，衰減精度高，頻率使用範圍廣，與大規模集成電路生產工藝兼容，適合大批量生產。
【專利說明】高熱導氧化鋁陶瓷基板2瓦6dB衰減片

【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種氧化鋁陶瓷衰減片，特別涉及一種高熱導氧化鋁陶瓷基板2瓦6dB衰減片。

【背景技術】
[0002]衰減片為使輸出埠提供的功率小於輸入埠的入射功率而設計的雙埠器件，是一種能量損耗性射頻/微波元件，衰減量描述功率通過衰減器後功率的變小程度。衰減量的大小由構成衰減器的材料和結構確定
[0003]目前集成了五個膜狀電阻設計的衰減片廣泛應用於航空、航天、雷達、電臺、廣播通訊等設備領域。使用負載片只能單純地消耗吸收多餘的功率，而使用衰減片在吸收反向輸入的功率同時還能抽取需要的信號進行分析，並在高頻電路上調整功率電平，去耦，對相關設備起到了保護作用。
[0004]由於國外對同類產品的研發與製造比國內起步早，無論在產品系列還是產品特性上都處於優勢地位。同時國內市場上現有的衰減片衰減精度低，且能使用的頻段相對較窄。我們希望的衰減器是一個功率消耗元件，不能對兩端電路有影響，也就是說，與兩端電路都是匹配的。當衰減精度或VSWR達不到要求時，輸出端得到的信號不符合實際要求。


【發明內容】

[0005]針對上述現有技術的不足，本實用新型要解決的技術問題是提供一種阻抗滿足83.5±3% Ω，在3G頻段以內衰減精度為6±0.5dB，駐波要求輸入、輸出端在1.2以內，能夠滿足目前3G網絡的應用要求的高熱導氧化鋁陶瓷基板2瓦6dB衰減片，取代國外同類產品，並在特性上填補國內產品的空白。
[0006]為解決上述技術問題，本實用新型採用如下技術方案:
[0007]1.一種高熱導氧化鋁陶瓷基板2瓦6dB衰減片，其包括一高導熱氧化鋁基板，所述氧化鋁基板的背面印刷有背導層，所述氧化鋁基板的正面印刷有導線，所述導線間印刷有5個膜狀電阻，所述5個膜狀電阻有兩個電阻值相同，所述膜狀電阻通過串並聯電路對電信號起到衰減作用，通過控制所述膜狀電阻的電阻值，得到需要的衰減值。
[0008]優選的，所述衰減電路由低溫銀漿接地導通。
[0009]優選的，所述電路的5個膜狀電阻均印有一層高溫玻璃保護膜。
[0010]上述技術方案具有如下有益效果:該高熱導氧化鋁陶瓷基板2瓦6dB衰減片體積小，成本低，低插損，駐波比小，衰減精度高，頻率使用範圍廣，與大規模集成電路生產工藝兼容，適合大批量生產可廣泛應用於航空、航天、雷達、電臺、廣播通訊等設備領域隔離器、環形器等微波產品的生產。
[0011]上述說明僅是本實用新型技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本實用新型的技術手段，並可依照說明書的內容予以實施，以下以本實用新型的較佳實施例並配合附圖詳細說明如後。本實用新型的【具體實施方式】由以下實施例及其附圖詳細給出。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1為本實用新型實施例的結構示意圖。

【具體實施方式】
[0013]下面結合附圖對本實用新型的優選實施例進行詳細介紹。
[0014]如圖1所示，該高熱導氧化鋁陶瓷基板2瓦6dB衰減片包括一高導熱氧化鋁基板1，高導熱氧化鋁基板I的背面印刷有導體層，導體層由印刷銀漿印刷而成。高導熱氧化鋁基板I的正面印刷有電阻Rl、R2、R3、R4、R5及銀漿導線2，銀漿導線2將電阻Rl、R2、R3、R4、R5連接起來形成一 Ji型結構的衰減電路，電阻町、1?2、1?3、1?4、1?5上均印刷有玻璃保護膜3，玻璃保護膜3用於保護電阻1?1、1?2、1?3、1?4、1?5。在整個電路即銀漿導線2及玻璃保護膜3的上表面還印刷有一層黑色保護膜4，黑色保護膜4可對整個電路進行包護。
[0015]該高熱導氧化鋁陶瓷基板2瓦6dB衰減片要求輸入端和接地的阻抗為83.5±3%Ω，輸出端和接地端的阻抗為83.5±3% Ω。信號輸入端進入衰減片，經過膜狀電阻Rl、R2、R5、R3、R4對功率的逐步吸收，從輸出端輸出實際所需要的信號。
[0016]該高熱導氧化鋁陶瓷基板2瓦6dB衰減片體積小，成本低，低插損，駐波比小，衰減精度高，頻率使用範圍廣，與大規模集成電路生產工藝兼容，適合大批量生產可廣泛應用於航空、航天、雷達、電臺、廣播通訊等設備領域隔離器、環形器等微波產品的生產。
[0017]以上對本實用新型實施例所提供的一種高熱導氧化鋁陶瓷基板2瓦6dB衰減片進行了詳細介紹，對於本領域的一般技術人員，依據本實用新型實施例的思想，在【具體實施方式】及應用範圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內容不應理解為對本實用新型的限制，凡依本實用新型設計思想所做的任何改變都在本實用新型的保護範圍之內。
【權利要求】
1.一種高熱導氧化鋁陶瓷基板2瓦6dB衰減片，其特徵在於:其包括一高導熱氧化鋁基板，所述氧化鋁基板的背面印刷有背導層，所述氧化鋁基板的正面印刷有導線，所述導線間印刷有5個膜狀電阻，所述5個膜狀電阻有兩個電阻值相同，所述膜狀電阻通過串並聯電路對電信號起到衰減作用，通過控制所述膜狀電阻的電阻值，得到需要的衰減值。
2.根據權利要求1所述的高熱導氧化鋁陶瓷基板2瓦6dB衰減片，其特徵在於:所述衰減電路由低溫銀漿接地導通。
3.根據權利要求1所述的高熱導氧化鋁陶瓷基板2瓦6dB衰減片，其特徵在於:所述電路的5個膜狀電阻均印有一層高溫玻璃保護膜。
【文檔編號】H01P1/22GK203950892SQ201420279337
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年5月28日 優先權日:2014年5月28日
【發明者】不公告發明人 申請人:蘇州市新誠氏電子有限公司