陶瓷-金屬封接的高壓真空穿牆件的製作方法

2023-11-10 04:00:37 2

專利名稱：陶瓷-金屬封接的高壓真空穿牆件的製作方法
技術領域：
本實用新型主要涉及電真空領域，在真空情況下的電功率饋人器件。
技術背景目前在電真空領域的穿牆件中，傳遞弱電流或低電壓信號的器件應用廣泛，比較成 熟，種類也很多，如單芯的、多芯的等等。如果期望通過對現有器件的簡單放大，來達 到傳遞大電流或高電壓的目的，涉及很多無法解決的工藝問題，不可行。因此研製這樣 器件顯得十分有意義，解決在真空情況下大的電功率饋人問題。實用新型內容本實用新型的目的在於避免現有技術的不粒處而掛共一種陶瓷-金屬封接的高壓真空 穿牆件，具有低電感、高耐壓、大電流、高真空、^i口、小的特點。本實用新型的目的可以通過採用以下技術方案來實現: 一種陶瓷-金屬封接的高壓真 空穿牆件，包括有內導體(7)，其兩端為電纜接線端，外部設有內陶瓷絕緣套(6)，其主 要特點在於在內陶瓷絕緣套(6)的外部設有相固連的外導體大環(4)和外導體小環(5)，在外導體大環(4)與接地導體(2)之間設有外陶瓷絕緣環(3)，真空法蘭(1) 設於接地導體(2)的外環，並與之相連接。所述的陶瓷-金屬封接的高壓真空穿牆件，所述的接地導體(2)、外導體大環(4) 和外導體小環(5)為一端是平面的開口匡形，開口匡形的封閉端面在一個平面上。本實用新型的有益效果是外導體大環(4)和外導體小環(5)與內導體(7)之間 的耐壓可達到60KV以上；真空法蘭(1)和接地導體(2)與外導體大環(4)和外導體 小環(5)之間的耐壓可達到20KV以上；整個陶瓷-金屬封接的高壓真空穿牆件的真空 漏率好於1X l(r1QPa 1/s;電感值實測為0.08 u H;大截面的導體結構可以承載數千安培 的電流。3
-圖1為本實用新型的結構示意圖l一真空法蘭 2—接地導體3—外陶瓷絕緣環 4—外導體大環 5—外導體小環6—內陶瓷絕緣套7—內導體具體實施方式
以下結合附圖所示之最佳實施例作進一步詳述實施例1 :見圖1， 一種陶瓷-金屬封接的高壓真空穿牆件，包括有內導體7,其兩端為 電纜接線端，外部設有內陶瓷絕緣套6，在內陶瓷絕緣套6的外部設有相固連的外導體 大環4和外導體小環5，在外導體大環4與接地導體2之間設有外陶瓷絕緣環3，真空法 蘭1設於接地導體2的外環，並與之相連接。所述的接地導體2、外導體大環4和外導 體小環5為一端是平面的開口匡形，開口匡形的封閉端面在一個平面上。生產時，接地導體2與外陶瓷絕緣環3與外導體大環4之間進行陶瓷-金屬封接；外 導體小環5與內陶瓷絕緣套6與內導體7之間進行陶瓷-金屬封接；最後將真空法蘭1 與上述兩組陶瓷-金屬封接件之間氬弧焊焊接為一體。使用時，將真空法蘭1連結於大氣與真空的隔離"牆"上，"牆"內外的電纜接線 分別與內導體7兩端相連接，實現一路饋入；外導體大環4和外導體小環5可以實現另 一路饋入；接地導體2可以保證整個裝置良好地接地性能。
權利要求1.一種陶瓷-金屬封接的高壓真空穿牆件，包括有內導體(7)，其兩端為電纜接線端，外部設有內陶瓷絕緣套(6)，其特徵在於在內陶瓷絕緣套(6)的外部設有相固連的外導體大環(4)和外導體小環(5)，在外導體大環(4)與接地導體(2)之間設有外陶瓷絕緣環(3)，真空法蘭(1)設於接地導體(2)的外環，並與之相連接。
2. 如權利要求1所述的陶瓷-金屬封接的高壓真空穿牆件，其特徵在於所述的接地導 體(2)、外導體大環(4)和外導體小環(5)為一端是平面的開口匡形，開口匡形 的封閉端面在一個平面上。
專利摘要本實用新型主要涉及電真空領域，在真空情況下的電功率饋人器件。所述的陶瓷-金屬封接的高壓真空穿牆件，包括有內導體(7)，其兩端為電纜接線端，外部設有內陶瓷絕緣套(6)，其主要特點在於在內陶瓷絕緣套(6)的外部設有相固連的外導體大環(4)和外導體小環(5)，在外導體大環(4)與接地導體(2)之間設有外陶瓷絕緣環(3)，真空法蘭(1)設於接地導體(2)的外環，並與之相連接。本實用新型的有益效果是其耐壓性能增強，整個陶瓷-金屬封接的高壓真空穿牆件的真空漏率好於1×10-10Pa·l/s；電感值實測為0.08μH；大截面的導體結構可以承載數千安培的電流。
文檔編號H02G3/22GK201174556SQ20082002867
公開日2008年12月31日 申請日期2008年3月20日 優先權日2008年3月20日
發明者張軍輝, 張小奇, 韓少斐, 馬力禎 申請人:中國科學院近代物理研究所