一種透明導電膜的製作方法
2023-05-01 03:38:36
一種透明導電膜的製作方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種透明導電膜，包括：基底或表面形成有基質層的基底；導電層，所述導電層為設置於所述基底上或所述基質層上的網格狀導電層，且延伸至不可視區；撓性連接部件，所述撓性連接部件包括基片、以及設置於所述基片上的引線電極，該撓性連接部件與所述導電層延伸至不可視區的網格貼合實現引線電極與導電層的電連接。本實用新型通過將帶有引線電極的撓性連接部件與導電層延伸至不可視區網格進行貼合實現電連接，可以解決現有技術將引線電極與導電層一次成型過程中，由於在引線處的網格比較密，會導致短路、劃痕等不良現象產生的問題。
【專利說明】—種透明導電膜【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種透明導電膜，屬於電子顯示技術導電膜領域，尤其涉及一種用於觸控螢幕的透明導電膜。
【背景技術】
[0002]透明導電膜是具有良好導電性及在可見光波段具有高透光率的一種薄膜。目前透明導電膜已廣泛應用於平板顯示、光伏器件、觸控面板和電磁屏蔽等領域，具有極其廣闊的市場空間。
[0003]在觸控螢幕的製作領域，透明導電膜作為觸控螢幕中接收觸摸等輸入信號的感應元件，因此是保證和提升觸控螢幕性能的重要元件。目前，觸控螢幕中多使用ITO (氧化銦錫)薄膜，作為導電層的ITO層是透明導電膜中至關重要的組成部分。雖然觸控螢幕的製造技術一日千裡的飛速發展著，但是以投射式電容屏為例，ITO層的基礎製造流程近年來並未發生太大的改變，不可避免的需要在基底上形成ITO膜以及圖形化。但是，銦是一種昂貴的金屬材料，ITO膜作為導電層，很大程度上提升了觸控螢幕的成本，而且ITO導電層在圖形化工藝中，需將整面ITO膜層通過掩膜蝕刻以形成圖案，這樣大量的ITO膜被蝕刻掉，也造成貴金屬的嚴重浪費及汙染。
[0004]另一方面，透明導電薄膜的製作中，導電層與引線電極的連接是通過一次成型工藝完成，即:先將導電層延伸到不可視區，然後直接在該不可視區的導電層網格上形成引線電極，實現導電層與引線電極的電連接。這種導電層與引線電極的連接方式，會由於引線處的網格比較密，致使引線出現短路、劃痕等現象，導致不良率增加。
實用新型內容
[0005]本實用新型所解決的`主要技術問題，在於提供一種透明導電薄膜，通過將帶有引線電極的撓性連接部件與導電層延伸至不可視區網格進行貼合實現電連接，可以解決現有技術將引線電極與導電層一次成型過程中，由於在引線處的網格比較密，會導致短路、劃痕等不良現象產生的問題。
[0006]本實用新型提供了一種透明導電膜，包括:
[0007]基底或表面形成有基質層的基底；
[0008]導電層，所述導電層為設置於所述基底上或所述基質層上的網格狀導電層，且延伸至不可視區；
[0009]撓性連接部件，所述撓性連接部件包括基片、以及設置於所述基片上的引線電極，該撓性連接部件與所述導電層延伸至不可視區的網格貼合實現引線電極與導電層的電連接。
[0010]進一步地，所述撓性連接部件與所述導電層延伸至不可視區的網格的貼合是通過導電膠進行貼合。
[0011]進一步地，所述基底或所述基質層上設有網格狀凹槽，該網格狀凹槽內填充有導電材料形成導電層。
[0012]進一步地，所述網格狀凹槽的底部設有深度為500nm?I μ m的微型槽，所述微型槽的截面呈V字形、W字形、弧形或波浪形。
[0013]進一步地，所述網格狀凹槽為對所述基底或所述基質層壓印而形成。
[0014]進一步地,所述網格狀凹槽的寬度為1「111?54 1]1,深度為2 μ m?6 μ m,且深度與寬度的比值大於I。
[0015]進一步地，所述網格狀凹槽的網格為規則網格或隨機網格，其中所述規則網格為正方形網格、矩形網格、平等四邊行網格或正六邊形網格。
[0016]進一步地，所述引線電極為線條狀，且引線電極的線寬為50-200 μ m，高度為5-10 μ m0
[0017]進一步地，所述引線電極為對撓性連接部件的基片進行壓印而形成的凹槽式引線電極；或者為在撓性連接部件的基片上進行圖形化而形成的凸起結構的引線電極。
[0018]在本實用新型的一種實施方式中，所述基底或所述基質層上設有網格狀凹槽，並且該網格狀凹槽內填充有導電材料形成導電層。其中，所述網格狀凹槽的底部設有深度為500nm?I μ m的微型槽，所述微型槽的截面可呈V字形、W字形、弧形或波浪形，所述微型槽結構能夠在導電材料縮聚時防止導電材料的斷裂形成斷路。進一步地，所述網格狀凹槽的寬度為I μ m?5 μ m，高度為2 μ m?6 μ m，高度與寬度的比值大於1，本實用新型方案中，當開設上述微型槽時，所述凹槽的高度應理解為凹槽的最大高度；所述網格狀凹槽的網格為規則網格或隨機網格，其中所述規則網格為正方形網格、矩形網格、平等四邊行網格或正六邊形網格。在本實用新型的另一種實施方式中，所述導電層還可以在所述基底或所述基質層上進行圖形化而形成凸起結構。
[0019]在本實用新型的一種實施方式中，所述導電層為網格狀，通過向所述凹槽中填充導電材料(導電漿液)，然後燒結形成所述網格狀導電層。進一步地，所述導電材料的材質包括銀、銅或導電聚合物。
[0020]在本實用新型提供的透明導電膜中，引線電極先設置於撓性連接部件的基片上，通過撓性連接部件(例如FPC連接器)與導電層的結合，利於保證二者的連接效果和導電膜的質量。
[0021]本實用新型所使用的引線電極為線條狀，且引線電極的線寬為50-200 μ m，高度為5-10 μ m0進一步地，所述引線電極可以通過絲網印刷、壓印或噴墨列印等方式形成。其中，所述引線電極為對撓性連接部件的基片進行壓印而形成的凹槽式引線電極；或者為在撓性連接部件的基片上進行圖形化而形成的凸起結構的引線電極。
[0022]本實用新型所使用的基底的材質為熱塑性材料，所述熱塑性材料為聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚對苯二甲酸乙二醇酯；所述基質的層材質為紫外光固化膠、壓印膠或聚碳酸酯。
[0023]本實用新型所使用的基片的材質為熱塑性材料，所述熱塑性材料為聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚對苯二甲酸乙二醇酯。
[0024]本實用新型相比於現有技術具有如下有益效果:
[0025]1、本實用新型的透明導電膜可以採用價格相對低廉的導電材料，其生產成本相對於ITO導電膜而言大大降低。[0026]2、本實用新型的透明導電薄膜，通過將帶有引線電極的撓性連接部件與導電層延伸至不可視區網格進行貼合實現電連接，可以解決現有技術將引線電極與導電層一次成型過程中，由於在引線處的網格比較密，會導致短路、劃痕等不良現象產生的問題。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0027]圖1為一實施方式的透明導電膜截面不意圖。
[0028]圖2為另一實施方式的透明導電膜截面不意圖。
[0029]圖3 (a)-圖3 (b)為一實施方式的透明導電膜平面示意圖。
[0030]圖4為一實施方式的網格狀凹槽底部網格的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0031]為使本實用新型的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本實用新型實施例中，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本實用新型保護的範圍。
[0032]實施例1
[0033]參考圖1所示，本實施例中的透明導電膜，包括基底101、基質層102、導電層103和帶有引線電極的撓性連接部件104，其中所述基質層102設於所述基底101上，所述導電層103和所述帶有引線電極的繞性連接部件104設於所述基質層102上。
[0034]參考圖3 (a)_圖3 (b)及圖1，所述撓性連接部件104包括有基片、以及設置於所述基片上的引線電極，且所述引線電極包括內接線柱303、以及與內接線柱303連接的引線302，所述內接線柱303與所述導電層103延伸至不可視區的網格301通過異方性導電膠進行貼合實現電連接。
[0035]本實施例中，在基質層102上設有通過壓印方式而形成的網格狀凹槽，並且將材質為銅的導電材料填充於所述網格狀凹槽中；其中所述網格狀凹槽的寬度為1μπι?5μπι，深度為2μπι?6μπι，深度與寬度的比值大於1，所述網格狀凹槽的網格可以是規則網格或隨機網格，所述規則網格可以是正方形網格、矩形網格、平等四邊行網格或正六邊形網格；並且，在所述網格狀凹槽的底部設有深度為500nm?I μ m的微型槽，所述微型槽截面呈V字形、W字形、弧形或波浪形(圖4所示)。
[0036]本實施例中，引線電極為線條狀，且引線電極的線寬為50-200μπι，高度為5-10 μ m0其可以通過下述方式製得:1)在基片上圖形化凹槽，特別是在凹槽的底部設有微型槽，用於減小導電材料在乾燥固化時的收縮，從而防止導電材料斷裂而形成斷路；2)利用刮塗等方式在凹槽中填充導電材料(如納米銀墨水)，然後進行燒結，從而在凹槽中形成凹槽式引線電極。上述所述的一次成型工藝也適用於導電層的形成，在此不作贅述。
[0037]本實施例中所使用的基底的材質為熱塑性材料，如聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET);所述基質層的材質為紫外光固化膠、壓印膠或聚碳酸酯，其可以通過刮塗、噴塗等方式形成於所述基底101上。
[0038]本實施例中所使用基片的材質為熱塑性材料，如聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)。
[0039]本實施例提供的透明導電膜的可見光透過率不小於86%。特別是，該透明導電膜可用於觸控螢幕的製作。
[0040]實施例2
[0041]參考圖2所示，本實施例中的透明導電膜，包括基底201、基質層202、導電層203和帶有引線電極的撓性連接部件204，其中所述基質層202設於所述基底201上，所述導電層203和所述帶有引線電極的繞性連接部件204設於所述基質層202上。
[0042]參考圖3 (a)_圖3 (b)及圖2，所述撓性連接部件204包括有基片、以及設置於所述基片上的引線電極，且所述引線電極包括內接線柱303、以及與內接線柱303連接的引線302，所述內接線柱303與所述導電層203延伸至不可視區的網格301通過異方性導電膠進行貼合實現電連接。
[0043]本實施例中，在基質層202上設有通過壓印方式而形成的網格狀凹槽，並且將材質為銀的導電材料設於所述網格狀凹槽中；其中所述網格狀凹槽的寬度為I μ m?5 μ m，深度為2μπι?6μπι，深度與寬度的比值大於1，所述網格狀凹槽的網格可以是規則網格或隨機網格，所述規則網格可以是正方形網格、矩形網格、平等四邊行網格或正六邊形網格；並且，在所述網格狀凹槽的底部設有深度為500nm?I μ m的微型槽，所述微型槽截面呈V字形、W字形、弧形或波浪形(圖4所示)。
[0044]本實施例中，引線電極為線條狀，且引線電極的線寬為50-200μπι，高度為5-10 μ m。其可以通過下述方式製得:通過光刻刻蝕等方法在基片的表面形成凸起的引線電極。其中，所述光刻刻蝕具體可以包括:在基片的表面塗布感光導電材料，然後通過遮光板進行曝光處理，經刻蝕，形成所述凸起式引線電極。
[0045]本實施例中所使用的基底的材質為熱塑性材料，如聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET);所述基質層的材質為紫外光固化膠、壓印膠或聚碳酸酯，其可以通過刮塗、噴塗等方式形成於所述基底201上。
[0046]本實施例中所使用基片的材質為熱塑性材料，如聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)。
[0047]本實施例提供的透明導電膜的可見光透過率不小於86%。特別是，該透明導電膜可用於觸控螢幕的製作。
[0048]作為上述具體實施方案的變化，實施例1和實施例2中的導電層也可以直接在基底101或基底201上形成，形成方式可以為壓印等。引線電極的結構和連接方式則與上述實施例相同。
[0049]最後應說明的是:以上實施例僅用以說明本實用新型的技術方案，而非對其限制；儘管參照前述實施例對本實用新型進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特徵進行等同替換；而這些修改或者替換，並不使相應技術方案的本質脫離本實用新型各實施例技術方案的精神和範圍。
【權利要求】
1.一種透明導電膜，其特徵在於，包括: 基底或表面形成有基質層的基底； 導電層，所述導電層為設置於所述基底上或所述基質層上的網格狀導電層，且延伸至不可視區； 撓性連接部件，所述撓性連接部件包括基片、以及設置於所述基片上的引線電極，該撓性連接部件與所述導電層延伸至不可視區的網格貼合實現弓I線電極與導電層的電連接。
2.根據權利要求1所述的透明導電膜，其特徵在於，所述撓性連接部件與所述導電層延伸至不可視區的網格的貼合是通過導電膠進行貼合。
3.根據權利要求1所述的透明導電膜，其特徵在於，所述基底或所述基質層上設有網格狀凹槽，該網格狀凹槽內填充有導電材料形成導電層。
4.根據權利要求3所述的透明導電膜，其特徵在於，所述網格狀凹槽的底部設有深度為500nm?I μ m的微型槽，所述微型槽的截面呈V字形、W字形、弧形或波浪形。
5.根據權利要求3所述的透明導電膜，其特徵在於，所述網格狀凹槽為對所述基底或所述基質層壓印而形成。
6.根據權利要求3-5中任一項所述的透明導電膜，其特徵在於，所述網格狀凹槽的寬度為I μ m?5 μ m,深度為2 μ m?6 μ m,且深度與寬度的比值大於I。
7.根據權利要求3-5中任一項所述的透明導電膜，其特徵在於，所述網格狀凹槽的網格為規則網格或隨機網格，其中所述規則網格為正方形網格、矩形網格、平等四邊行網格或正六邊形網格。
8.根據權利要求1所述的透明導電膜，其特徵在於，所述引線電極為線條狀，且引線電極的線寬為50-200 μ m,高度為5-10 μ m。
9.根據權利要求1或8所述的透明導電膜，其特徵在於，所述引線電極為對撓性連接部件的基片進行壓印而形成的凹槽式引線電極；或者為在撓性連接部件的基片上進行圖形化而形成的凸起結構的引線電極。
【文檔編號】H01B5/14GK203376990SQ201320463567
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2013年7月31日 優先權日:2013年7月31日
【發明者】程傳新, 陳春明, 劉升升, 鄭建軍 申請人:南昌歐菲光科技有限公司, 深圳歐菲光科技股份有限公司, 蘇州歐菲光科技有限公司