非金屬流過的無電極電導率傳感器和洩漏檢測器的製作方法
2023-05-06 01:52:36
專利名稱：非金屬流過的無電極電導率傳感器和洩漏檢測器的製作方法
技術領域：
本發明涉及電導率傳感器，更特別地涉及設置成檢測流過導管的過程流體的電導率的無電極電導率傳感器。
背景技術：
在本申請中，通過引證引入不同的出版物、專利和公開的專利申請。在此，將本申請參考的出版物、專利和公開的專利申請的內容合併到本公開的內容中引用。
可以通過在一對電極上施加電壓並且將其浸入溶液中對化學溶液進行電導率測量。通過該系統的電流與溶液的電導率成比例。然而，如果被測溶液與金屬電極在化學上不相容，例如，造成化學侵蝕或者溶液和/或電極的汙染，這項技術就不是最佳的。
另一種方法涉及無電極的環形電導率測量。在這種方法中，通過使用激勵器(driver)和傳感器(sensor)環形線圈(toroid)包圍至少局部形成在被測溶液處的「芯」有效地產生變壓器。將該環形線圈典型地布置在電絕緣、磁透過的殼體內，該殼體具有軸向通過其的流體流動通道。為激勵器提供電壓，其在穿過流動通道的溶液中感應出電磁場，然後在傳感線圈中感應出電流。該感應電流與被測溶液的電導率成比例。
這種環形電導率傳感器的例子在Reese申請的美國專利No.5157332中公開。相似傳感器的商業例子是可以從Invensys Systems，Inc.(Foxboro Massachusetts)得到的871ECTM侵入式電導率傳感器。如圖1所示，這種無電極電導率傳感器20的截面包括裝入殼體的環形線圈11、12、13，其可以浸入被測流體。殼體21限定中心孔19，該中心孔使流體在不與它們接觸的情況下軸向穿過環形線圈11、12、13。該「芯」的感應迴路過在浸入傳感器的過程溶液中形成。
在被測流體流過導管的位置，也許不能或者不希望在該流體中浸入傳感器。在這種場合，激勵器和傳感器環形線圈可以環繞運送該液體的管。已知的這種傳感器的商業例子是871FTTM(Invensys Systems公司)。然而，為了感應發生，必須在線圈的外部形成電氣迴路，典型地是通過在該環形線圈的上遊和下遊用金屬帶夾住管的金屬部分。然而，這種方法的缺點在於當過程流體侵蝕或者與金屬不相容時，不能使用金屬管部分。
在可選的方法中，可以通過提供繞過一個或多個環形線圈的次級流動通道形成流體自身的感應迴路。Fielden在美國專利No.2709785中公開了這種流體迴路的例子。這種方法的缺點在於有限的橫截面、相對較長的長度以及流體自身高的電阻將純電抗添加到感應電流中，這會對電導率測量的靈敏度起反作用。提高電導率傳感器的靈敏度的方法包括Ogawa在美國專利No.4740775中公開的。Ogawa公開了在具有一定尺寸的流體迴路上的環形線圈，將該尺寸計算成「為流體流動迴路與流體通道橫截面面積的比提供較低的值，以便提供較高的靈敏度」(Ogawa第2欄第42-47行)。這種方法的缺點在於Ogawa的環形線圈是共面的並且在物理上是分開的，以便減少變壓器之間的洩漏耦合(Ogawa第1欄第34-38行，第2欄第47-52行，第4欄第49-55行)。
因此，需要一種解決一個或多個上述缺點的無電極電導率測量系統。
發明內容
根據本發明的一個方面，提供確定過程流體電導率的無電極電導率傳感器。該傳感器包括非金屬導管，該非金屬導管在入口的下遊分成第一和第二分支，並且在出口的下遊再匯合，以便在該入口和出口之間形成流體流動迴路。每個設置成激勵或感應線圈的第一和第二環形線圈是布置在該第一和第二分支之一的周圍。設置成冗餘激勵或感應線圈的第三環形線圈也布置在該分支之一的周圍。一連接器設置為將該第一、第二和第三環形線圈連接到分析器。
在本發明的另一個方面中，無電極電導率傳感器包括非導電流體流動導管，該導管在入口的下遊分成第一和第二分支，然後在出口的上遊再匯合，以便在該入口和出口之間形成流體迴路。密封該分支的殼體。設置成第一和第二類型的線圈布置在該分支的周圍。第一和第二類型的線圈選擇由激勵線圈和感應線圈構成的組合。在每個分支上，第一類型的環形線圈布置在第二類型的環形線圈之間。此外，至少另一個環形線圈設置成感應線圈，並且布置在該流體迴路外面的導管周圍。校準迴路包括延伸經過兩個分支上的環形線圈的電導體，洩漏檢測器包括與該環形線圈隔開地布置在該殼體內的另一個電導體。將該洩漏檢測器連接到電阻測量裝置。
本發明的另一個方面包括一種檢測流體流動導管的過程流體的洩漏的設備。該設備包括與該管道洩漏接觸(leakage-contacting)地布置的電導體，該導體具有預定的電阻。測試埠具有連接到該導體的相對端的接線端，並且連接到測量感應導體電阻的電阻測量裝置。
本發明的又一個方面包括一種製造檢測流過導管的流體的電導率的傳感器的方法。該方法包括為過程流體的流動提供非金屬導管，在該入口的下遊將該導管分成第一和第二分支，並且在出口的上遊再匯合該分支，以便在該入口和出口之間形成流體流動迴路。該方法還包括在該分支之一的周圍放置激勵環形線圈，在該分支之一的周圍放置感應環形線圈，並且在該分支之一的周圍放置冗餘激勵或感應環形線圈。一連接器設置為將該環形線圈連接到分析器。
結合附圖閱讀以下本發明不同方面的詳細說明，本發明以上以及其它的特徵和優勢將變得更加顯而易見，其中圖1是現有技術的EC傳感器的一部分的截面正視圖；圖2是本發明實施方式的正視圖，其具有以虛線(phantom)表示的可選擇的特徵；圖3是具有部分以虛線表示的的圖2的實施方式的分解圖；圖4是本發明可選實施方式的部分截面正視圖，其具有以虛線表示的可選擇部分；圖5是圖4的實施方式的平面圖；圖6是本發明實施方式的示範性布線圖；以及圖7是本發明可選實施方式的示範性布線圖。
具體實施例方式
在下面詳細的描述中，參照構成其部分的附圖，其中通過圖解示出了實踐本發明的特定實施方式。這些實施方式描述得足夠詳細，使得使本領域的技術人員能夠實踐本發明，並且應理解可以利用其它實施方式。還可理解，在不脫離本發明的精神和範圍的情況下，可以進行結構、程序以及系統上的改變。因此，下面的詳細描述不是限制的意思，本發明的範圍是通過所附的權利要求及其等價物來限定。為清楚說明起見，附圖中所示的相同的特徵由相同的附圖標記表示，並且可選實施方式的附圖中相似的同樣的特徵也由相似的附圖標記表示。其中本說明書中使用的術語「軸向」，當與這裡所述元件一起使用時，應當指的是平行於流動通道和/或其過程溶液的順流方向。
在本發明代表性的實施方式中，被測流體流過由非導電材料製成的導管。在沒有物理接觸該流體的情況下，環形線圈環繞該導管。在激勵線圈上施加電壓，該激勵線圈在導管中流動的流體中感應出磁場。該磁場同樣地在傳感器線圈中感應出電流。
傳播磁場的閉合迴路由流體自身形成，經由次級流動通道，該次級流動通道在測量環形線圈的上遊由導管的初級通道分出，並且在測量線圈的下遊與導管的初級通道再匯合(reconverges)。可以將該環形線圈布置在初級通道、次級流動通道或二者之上。
本發明人已經認識到磁場穿過流體迴路的距離對電導率測量的靈敏度起反作用。為了對其進行補償，本發明的實施方式具有一個或多個並聯布線的冗餘環形線圈，以加強感應。
特定實施方式還可以包括布置在流體迴路的上遊和/或下遊的附加傳感器線圈。可以將這些附加傳感器線圈相對於激勵線圈反相布線，以便抵消系統中的雜散電噪聲。此外，可以接近導管可選地布置洩漏檢測器導體。該導體可以由對過程流體敏感的材料製成，並且可以繞導管螺旋纏繞，或者只是平行其支撐。然後，可以將導體連接到歐姆表，在該歐姆表上，任何已知的基線電阻的變化如由於過程流體的化學侵蝕出現的將表示導管中的洩漏。
現在轉向附圖，本發明的實施方式包括圖2中所示的電導率傳感器200。過程流體在下遊方向上從入口204到出口206流過導管202。該導管在點208處分開，並且形成兩個流動通道，即初級流動通道210和次級流動通道212。然後，導管又在點209處匯合。初級流動通道210和次級流動通道212形成流體流動迴路214。
在本實施方式中，環形線圈220、222和224位於初級流動通道210上。如上所述，這些環形線圈220、222和224環繞導管210，並且與流過導管210的過程流體物理隔離並且電絕緣。在一個實施方式中，中間的環形線圈222是感應線圈，而外面的環形線圈220、224是激勵線圈。在另一個實施方式中，中間的環形線圈222是激勵環形線圈，而外面的環形線圈220、224是感應環形線圈。
為了簡化說明，將外面的環形線圈220和224指定為激勵環形線圈，而將中間的環形線圈222指定為感應環形線圈，應當理解，下面的論述也適用於相反的構造，其中激勵和感應環形線圈顛倒。提供給冗餘激勵環形線圈220、224的電流產生磁場，該磁場感應出EM場或者流過流體環路(芯)214的電流。這種感應同樣地在感應環形線圈222中感應出電流，該電流與過程流體的電導率成正比。
使用初級和次級流動通道210和212能夠通過流體自身形成感應迴路，而不是由通常在現有技術中使用的金屬帶形成感應迴路。這能夠使傳感器200測量容易腐蝕、或者與金屬配件或導體不相容的流體的電導率。而且，使用所示的冗餘環形線圈(作為激勵或感應環形線圈)可以提供增強的靈敏度，以便對靈敏度的負作用進行補償，另外該靈敏度還與高電阻的流體環路感應芯有關。
可選地，本發明的實施方式包括沿流體迴路214定位的一個或多個附加環形線圈230、232和234(以虛線表示)。為方便起見，將這些所示的附加環形線圈布置在次級流動通道212上，但是實質上也可以是沿迴路214的任何位置布置。雖然名義上可以使用任何組合的激勵和感應環形線圈，但是在代表性的實施方式中，將環形線圈230和234作為激勵環形線圈操作，而環形線圈232作為感應環形線圈操作。這些附加的環形線圈可以結合使用，例如通過將它們與各個環形線圈220、222和/或224電氣上並聯的布線，以便進一步增強流體迴路214的感應。
在本發明的另一個變體中，可以在流體迴路214的上遊和/或下遊布置一個或多個附加傳感器環形線圈240、242。可以將這些傳感器線圈240、242與其它(迴路上的)傳感器線圈222、232等反相布線，以便有效地抵消流體迴路214外面導管210的電噪聲。
現在轉向圖3，在分解圖中表示一組三個環形線圈，例如環形線圈220、222和224。可以將環形線圈220和224通過電纜360、364並聯地連接到電流源，以便起到激勵環形線圈的作用。將環形線圈222通過電纜362連接到傳統的分析設備，如875EC系列分析器或870ITEC系列變送器(Invensys SystemsInc.，Foxboro，MA)，該設備可以進一步連接到傳統的工廠自動化系統。
同樣如圖所示，可以將屏蔽350、352散置於環形線圈之間，以便阻止由激勵環形線圈所產生的場彼此幹擾和/或幹擾感應環形線圈。在所期望的實施方式中，這些磁屏蔽350、352在導管302周圍的圓周上延伸，同時與流過該導管的過程流體物理隔離並且電絕緣。例如，在特定的實施方式中，磁屏蔽350、352是銅墊圈形式的中心開孔圓盤。地線351將屏蔽350、352彼此連接，並且接地。
現在參照圖4和圖5，可以將任何上述實施方式布置在殼體469內，以形成400所示的封閉的電導率測量裝置。在本實施方式中，將激勵環形線圈420、424和感應環形線圈422連接到模塊連接器部分470，以利於可拆卸的連接到傳送器或其它數據捕獲/計算裝置或系統。連接器部分470可以為本技術領域的一般人員已知的任何連接器類型。還表示了測試埠476，可以將該測試埠連接到具有已知電阻的校準導體471的相對端，該校準導體形成通過該環形線圈的迴路，如圖所示。可以通過短接校準導體471的末端(例如，使用插入測試埠476的校準器)來校準裝置400，然後在流體環路214中沒有過程流體的情況下操作該裝置。而後，可以校準該傳感器環形線圈的輸出，以便與導體471的已知電阻相匹配，在下文中將更詳細地論述。本領域的技術人員應當認識到在不脫離本發明的精神和範圍的情況下，可以將關於特定實施方式所表示和描述的校準埠/導體以及任何其它方面應用於這裡所述的任何其它實施方式。
同樣如圖所示，可採用可選洩漏檢測導體477(以虛線表示)。基本上可以將該導體477布置在任何合適的位置，以便接觸導管402洩漏的過程流體。在所示的實施方式中，可以將導體477布置在殼體469內任何方便的位置，如其最下面的安裝位置，即收集任何洩漏的過程流體的點。此外，或者可選地，導體477可以在導管402旁邊延伸，或者在該導管周圍螺旋地纏繞，如虛線所示。在不具有殼體469的實施方式中優選該後面的方法。
導體477可以由在試驗中對特定過程流體敏感的材料製成。例如，由於在此描述的許多實施方式都是要測量過程流體的電導率，該過程流體例如是在化學性質上侵蝕不同類型的金屬(例如鋁)的腐蝕性酸(例如，HF，HCL)，因此導體477可以由這種金屬製成。然後，可以監視導體477的電阻，例如通過測試埠476的接線端C和D(圖6)，以測量任何電阻變化，這種變化可以表示流體已經從導管402洩漏並且接觸導體477的流體。例如，由於化學侵蝕以及伴隨的導體477橫截面面積的減少，會出現測得的電阻增加。
進一步可選地，導體477還可以包括分立的電阻器478(以虛線表示)，以期定製基線電阻。可以選擇電阻器478，以增加超過過程流體的預期阻值的基線電阻。與任何低電阻的洩漏過程流體接觸會降低測量埠476處的測量電阻，以表示出現洩漏。當測量不會化學侵蝕導體477但例如由於汙染/純度關係仍然與金屬不相容的過程流體時，這種構造是特別有用的。
雖然在本發明的不同電導率傳感器中，洩漏檢測導體477和可選電阻器478是合併表示和描述的，但是本領域的技術人員應當認識到在不脫離本發明的精神和範圍的情況下其可以獨立地和/或與名義上任何類型的流體傳感器結合使用。例如，可以將洩漏檢測導體477和/或電阻器478與不同的溫度檢測器、壓力檢測器、電導率傳感器、pH傳感器、ORP傳感器、流量計及其組合合併。這種裝置的商業例子包括83系列渦流流量計、I/A系列壓力變送器、134系列智能位移變送器、I/A系列溫度傳感器、873系列電化學分析器，以及871系列電導率、pH和ORP傳感器，所有這些都可以從Foxboro，Massachusetts的InvensysSystems公司購到。
又如圖所示，可以將溫度傳感器480如傳統的電阻溫度檢測器(RTD)物理連接到導管，以便檢測過程流體的溫度，並且電連接到連接器470。
現在轉向圖6，傳感器200(圖2)或400(圖4)的布線可以通過將激勵環形線圈(標示為620，624)連接到連接器470的腳A和B進行。可以將感應環形線圈(標示為622)連接到連接器470的腳D和E。可以將可選的磁屏蔽350，352連接到連接器的腳C。可以將溫度傳感器或熱敏元件480連接到連接器470的腳F、G和H。
校準導體471從測試埠476的接線端A延伸，通過環形線圈620、622、624，並且返回其接線端B。可選的洩漏檢測導體477(以虛線表示)帶有或不帶有電阻器478，該洩漏檢測導體從埠476的腳C延伸，接近導管進行洩漏接觸，與環形線圈隔開，並且返回到校準器的腳D。
圖7表示與上文中關於圖2和圖4表示和描述的實施方式基本上相似的實施方式的布線圖，其中初級流動通道210和可選的次級流動通道212每個都包括一個激勵環形線圈和兩個感應環形線圈。如圖所示，將激勵環形線圈720、734連接到連接器470的接線端A和B。將感應環形線圈722、724、730、732連接到連接器470的腳D、E。銅墊圈350、352、354、356在環形線圈之間用作磁屏蔽，並且接地於連接器470的接線端C。RTD 480用作熱敏裝置，並且連接到連接器470的接線端F、G、H。可包括電阻器478的可選洩漏檢測導體477(以虛線表示)，可以連接到測試埠476的接線端C和D，如圖所示。
已經描述了本發明的實施方式，參照下面的表I論述其操作。
表I
如所示，將導管末端204和206固定(步驟802)串聯於過程流體管線，並且連接器470被連接(804)到數據捕獲裝置/處理器，例如可購到的分析器類型為，如上所述來自於Invensys Systems公司。然後，該傳感器被校準(步驟806)，例如使用傳統的連接到測試埠476的校準器，並且短接其埠A和B，以便提供如上所述的已知電阻的閉合感應迴路。此後，電流被反饋(步驟810)到連接器470的接線端A和B，觸發彼此並聯的激勵線圈，以在校準迴路中感應出EM場，並且反過來又在感應線圈中感應出電流。由於感應線圈是同樣地彼此並聯地布線的，因而單個電流值可以在連接器470的接線端D和E被捕獲(步驟812)。然後，可以通過傳統的方式使用該捕獲的電流值，計算(814)測量的電導率值。然後，將該計算出的電導率值調整或者繪製成已知電導率的校準迴路。一旦校準完，測試埠476的接線端A和B被彼此斷開(步驟816)，以便中止校準迴路，並且使過程流體流過(步驟818)該裝置。然後步驟810、812和814被重複(步驟819)，以產生該過程流體的電導率值。可選地，通過定期地檢查洩漏檢測導體477和/或電阻器478從基線電阻的偏離，流動導管的洩漏可被監視(步驟820)。如上所述，使用並聯的流體流動通道提供了完整的流體感應迴路，其不再需要金屬導體接觸過程流體。而且實現了與金屬不相容的過程流體的電導率測量。此外，冗餘激勵和/或感應線圈用於增強流體迴路內的感應，以便提高測量靈敏度和/或精度。
在前面的說明書中，參照特定的示範性實施方式描述了本發明。顯然，在不脫離以下權利要求所述的本發明的主要精神和範圍的情況下，可以進行不同的修改和變形。因此，應當將說明書和圖看作是說明性的，而不是限制性的。
權利要求
1.一種確定過程流體的電導率的無電極電導率傳感器，所述傳感器包括用於過程流體流動的非導電導管，所述導管具有入口和出口；所述導管在所述入口的下遊分成第一和第二支路，所述支路在所述出口的上遊再匯合，以便在所述入口和所述出口之間形成流體流動迴路；至少一個第一環形線圈，將所述第一環形線圈設置成布置在所述第一和第二支路之一的周圍的第一類型的線圈；至少一個第二環形線圈，將所述第二環形線圈設置成布置在所述第一和第二支路之一的周圍的第二類型的線圈；至少一個第三環形線圈，將所述第三環形線圈設置成布置在所述第一和第二支路之一的周圍的冗餘或所述第一或第二類型的線圈；所述第一類型和第二類型的線圈選自由激勵和感應線圈構成的組合；以及連接器，將所述連接器設置成使所述第一、第二和第三環形線圈連接到分析器。
2.如權利要求1所述的傳感器，包括布置在所述第一和第二支路中的同一個上的多個第一類型的線圈。
3.如權利要求2所述的傳感器，其中將所述第二類型的線圈布置在所述第一和第二支路的另一個上。
4.如權利要求1所述的傳感器，其中所述第一類型的線圈是激勵線圈，所述第二類型的線圈是感應線圈。
5.如權利要求1所述的傳感器，其中所述第一類型的線圈是感應線圈，所述第二類型的線圈是激勵線圈。
6.如權利要求1所述的傳感器，其中將所述第一、第二和第三環形線圈都布置在所述第一和第二支路中的同一個上。
7.如權利要求6所述的傳感器，包括布置在兩個第二類型的線圈之間的第一類型的線圈。
8.如權利要求1所述的傳感器，其中將相同類型的線圈布置在彼此相對的支路上。
9.如權利要求1所述的傳感器，其中將相同類型的線圈彼此並聯地電連接。
10.如權利要求1所述的傳感器，包括多個第一類型的線圈和多個第二類型的線圈。
11.如權利要求10所述的傳感器，將每個所述第一類型的線圈布置在一對第二類型的線圈之間。
12.如權利要求1所述的傳感器，其中將所述環形線圈以及所述第一和第二支路布置在殼體內。
13.如權利要求1所述的傳感器，包括多個在所述環形線圈之間散置的屏蔽，將所述屏蔽設置成限制所述環形線圈之間的電磁幹擾。
14.如權利要求1所述的傳感器，包括配置成檢測過程流體溫度的溫度檢測器。
15.如權利要求1所述的傳感器，包括校準器，所述校準器包括通過所述環形線圈延伸的電導體。
16.如權利要求1所述的傳感器，包括在所述流體迴路外面的所述導管周圍布置至少另一個傳感器線圈。
17.如權利要求17所述的傳感器，其中將所述至少另一個傳感器線圈異相地電連接到布置在所述第一和第二支路上的感應線圈。
18.如權利要求1所述的傳感器，進一步包括洩漏檢測器，所述洩漏檢測器包括與所述導管洩漏接觸並且與所述環形線圈隔開的電導體，所述導體連接到測量電阻的裝置。
19.一種確定過程流體的電導率的無電極電導率傳感器，所述傳感器包括用於過程流體流動的非導電導管，所述導管具有入口和出口；所述導管在所述入口的下遊分成第一和第二支路，所述支路在所述出口的上遊再匯合，以便在所述入口和所述出口之間形成流體迴路；密封所述第一和第二支路的殼體；環繞每個所述第一和第二支路中的多個第一和第二類型的環形線圈；至少一個所述第一類型的環形線圈，布置在每個所述第一和第二支路上的所述第二類型的環形線圈之間；每個第一類型和第二類型都選自由激勵線圈和感應線圈構成的組合；至少另一個環形線圈，將該至少另一個環形線圈設置成感應線圈，並且布置在所述流體迴路外面的所述導管周圍；其中將所述裝置設置成用於非金屬流體流動系統中；散置在所述線圈之間的屏蔽，配置為將所述屏蔽與所述線圈彼此磁隔離；校準迴路，所述校準迴路包括通過所述多個環形線圈延伸的電導體；以及洩漏檢測器，所述洩漏檢測器包括另外的電導體，並且與所述多個環形線圈隔開地布置在所述殼體內，將所述洩漏檢測器連接到電阻測量裝置。
20.一種檢測流體流動導管中過程流體洩漏的設備，所述設備包括與所述導管洩漏接觸地布置的電導體；所述導體具有預定的電阻；測試埠，所述測試埠具有連接到所述導體的相對端的接線端；所述測試埠連接到測量所述感應導體的電阻的電阻測量裝置。
21.如權利要求20所述的設備，將其與設置成產生與所述過程流體參數相關的數據的傳感器結合。
22.如權利要求21所述的設備，其中所述傳感器選自由溫度檢測器、壓力檢測器、密度檢測器、電導率傳感器、pH傳感器、ORP傳感器、流量計及其組合構成的組。
23.如權利要求20所述的設備，其中所述測試埠包括校準埠。
24.如權利要求20所述的設備，其中所述導體包括電線。
25.如權利要求20所述的設備，其中所述導體是繞所述導管螺旋纏繞的。
26.如權利要求20所述的設備，包括與所述導體電串聯布置的電阻器。
27.如權利要求20所述的設備，進一步包括連接到所述導體的電阻檢測器，所述電阻檢測器設置成檢測任何從所述預定電阻的偏離。
28.一種製造檢測流過導管的流體的電導率的傳感器的方法，所述方法包括(a)為過程流體的流動提供非金屬導管，所述導管具有入口和出口；(b)在所述入口的下遊將所述導管分成第一和第二分支；(c)在所述出口的上遊再匯合所述分支，以便在所述入口和出口之間形成流體流動迴路；(d)將設置成第一類型的線圈的至少一個第一環形線圈布置在所述第一和第二分支之一；(e)將設置成第二類型的線圈的至少一個第二環形線圈布置在所述第一和第二分支之一；(f)將設置成所述第一或第二類型的線圈的冗餘線圈布置在所述第一和第二分支之一；(g)從由激勵和感應線圈構成的組合中選擇所述第一和第二類型的線圈；(h)設置連接器，以便將所述第一、第二和第三環形線圈連接到分析器。
全文摘要
一種具有導管的非金屬流過的無電極電導率傳感器，該導管具有初級和次級過程流體流動通道，以便形成流體迴路。至少一個激勵和一個感應環形線圈環繞該流體迴路上的導管。施加到該激勵環形線圈的電壓通過該流體迴路在該感應環形線圈中產生電流，以不再需要金屬電極接觸該過程流體。將至少一個附加激勵和/或感應環形線圈布置在該流體迴路上，以便增強感應。可選擇地，將一個或多個感應線圈布置在該流體迴路外面的導管，以便抵消雜散電噪聲。沿導管布置的可選導體通過其電阻的變化檢測流體洩漏。
文檔編號G01M3/00GK1869717SQ200610088650
公開日2006年11月29日 申請日期2006年4月29日 優先權日2005年5月2日
發明者J·K·誇肯布希, M·M·鮑威爾, S·B·塔盧蒂斯, D·S·麥金萊 申請人:因文西斯系統公司