用於減弱電子裝置製造過程排出物的方法和設備的製作方法

2023-05-08 21:29:41 2

專利名稱：用於減弱電子裝置製造過程排出物的方法和設備的製作方法
技術領域：
本發明是有關於用於電子裝置、半導體、太陽能、IXD(液晶顯示器)、薄膜、 OLED (有機發光二極體)、及納米製造的減弱系統，並且更具體地說，是有關於將流體引入 減弱反應器的方法和設備。
背景技術：
來自半導體、太陽能、IXD、薄膜、0LED、和納米製造材料、以及電子裝置、產品和內 存對象的製造的排出氣體是由在製造設施內使用及產出的範圍廣闊的化學化合物組成。這 些化合物包含無機和有機化合物、光阻及其它試劑的分解產物、及範圍廣闊的其它氣體。希 望能在從該處理設施排至大氣中之前先將這些氣體從該排出氣體中除去。上述製造產業的一個重大問題是將這些材料從該排出氣體流中除去。雖然幾 乎全美的電子裝置及半導體、太陽能、IXD、薄膜、0LED、及納米製造設施皆使用洗滌器 (scrubbers)或類似設備來處理此類排出氣體，但單靠洗滌技術無法除去所有毒性或其它 無法接受的雜質。此問題的一個解決方式是灰化或燃燒該流出氣體以氧化毒性材料，因而將其轉化 為毒性較低的型態。在傳統系統中，可將空氣、氧氣或富含氧的空氣直接加入反應器的燃燒 腔室，以與該排出氣體混合以促進燃燒並輔助毒性材料轉化為毒性較低的型態。據此，希望能有將氣態排出物組成引入減弱系統的反應器腔室中的方法和設備。

發明內容
在本發明的一個方面中，提供一種熱減弱系統，包含熱減弱反應器；入口，與該 反應器流體相通；處理腔室，與該入口流體相通；第一鞘液源，與該入口流體相通；第一流 量控制裝置，經調整以調節來自該第一鞘液源的第一鞘液的流量；以及控制器，與該第一流 量控制裝置信號通信，經調整以通過操作該第一流量控制裝置來調節該鞘液；其中該入口 是經調整以接收來自該處理腔室的排出物流以及來自該第一鞘液源的第一鞘液，以利用該 第一鞘液包覆該排出物流，而形成包鞘排出物流，並且將該包鞘排出物流引入該反應器。在本發明的另一方面中，提供一種操作熱減弱系統的方法，包含接收排出物流至 入口內；接收第一鞘液至該入口內；在該排出物流周圍形成該第一鞘液的鞘部，以形成包 鞘排出物流；將該包鞘排出物流從該入口引入熱反應器內；利用控制器調節該第一鞘液； 以及在該熱反應器內減弱部分的排出物流。在本發明的另一方面中，提供一種操作熱減弱系統的方法，包含判定排出物流的 化學成分及流率的一或多種；基於該排出物流的化學成分及流率的一或多種來選擇鞘液； 通過操作至少一個流量控制裝置以調節至少一種鞘液的流量來供應所選擇的鞘液至入口； 接收該排出物流至該入口內；在該排出物流周圍形成該鞘液的鞘部，以形成包鞘排出物流； 將該包鞘排出物流從該入口引入熱反應器內；以及在該熱反應器內減弱部分的排出物流。本發明的其它特徵結構和方面可從如下詳細描述、所附權利要求及附圖而變得更 加明了。


圖1是根據本發明實施例的減弱系統(或其部分)的示意圖。圖2是根據現有技術的入口的平面示意圖。圖3是根據現有技術的入口周圍的氣流線路的平面示意圖。圖4A是根據本發明實施例的氣體入口設備的剖面圖。圖4B是圖4A的氣體入口設備沿著切線4B-4B所取得的剖面圖。圖4C是根據本發明實施例的入口周圍的氣流線路的平面示意圖。圖5是根據本發明實施例的入口組件的底部的示意圖。圖6是示出本發明的示例方法的流程圖。圖7是示出本發明的另一個示例方法的流程圖。圖8是示出本發明的又一個示例方法的流程圖。
具體實施例空氣、氧氣或富含氧的氣體的引入可能在反應腔室內造成某些不想要的反應。例 如，在將氧氣引入減弱單元的燃燒腔室期間，某些反應會在排出物成分(例如矽烷)和供應 至該反應腔室的氧氣(例如在空氣或富含氧的空氣中)之間發生。由於這些反應，氧化物， 例如氧化矽，會形成，並且這些氧化物可能會沉積在該反應腔室的側壁上。在一些情況中， 此類沉積物會形成在通至該反應腔室的入口內或相當靠近該入口之處。所形成的氧化矽團 可能會相當大，並且在通至該反應腔室的入口內或其近處的逐步沉積會致使燃燒不足及/ 或可造成該反應腔室入口阻塞，因而需要增加該反應器的維修次數。取決於情況，可能必須 常常執行該減弱單元的清潔，頻率甚至高至每三天一次。本發明提供除去或減少在或靠近該反應腔室的氣體入口(例如該排出氣體入口) 處的此類沉積物的嚴重性的系統、設備及方法。明確地說，本發明可使該反應更向該反應器 腔室內部並遠離該氣體入口移動。本發明可在通至該反應腔室的氣體入口附近提供流體 (例如氮氣)幕，因此所引入的排出氣體不會與該氧氣或富含氧的空氣反應，直到更加進入 該反應器腔室內部，並且遠離該反應器腔室的入口為止。據此，該入口會較不容易因為來自 該反應的反應產物而阻塞。此外，本發明提供強化多種排出物的減弱的系統、設備和方法。明確地說，本發明 可強化排出物的減弱，通過在通至該反應腔室的氣體入口附近提供試劑流體幕，因此所引 入的排出氣體可與該試劑流體反應或受其催化。如此，可更有效地減弱該排出物。參見本發明的圖1，提供系統100。雖然僅示出一個處理腔室102、一個入口 106以 及一個減弱反應器104，但該系統100可包含通過一或多個入口組件106與減弱系統100的 一或多個反應器104連結的一或多個處理腔室102，入口組件可容許處理腔室102和反應器 104間的流體相通。處理腔室102可包含，例如，化學氣相沉積腔室、物理氣相沉積腔室、化學機械 研磨腔室等。可在腔室內執行的處理包含，例如，擴散、功率因子校正(PFC)蝕刻及磊晶 (印itaxy)。被這些處理減弱的副產物化學品可包含，例如，銻、砷、硼、鍺、氮、磷、矽、硒的氫 化物、矽烷、矽烷與磷、氬、氫的混合物、有機矽烷、商矽烷、商素、有機金屬及其它有機化合 物。滷素，例如氟(F2)及其它氟化的化合物，在各種需要減弱的成分之中特別容易產生問題。電子產業常在基材處理設備中使用全氟化物(PFC)來除去來自沉積步驟的殘餘物以及 蝕刻薄膜。幾種最常用的PFC的示例包含四氟化碳、六氟化二碳、六氟化硫、八氟化三碳、八 氟化四碳、八氟代四氫呋喃(C4F8O)、三氟化氮、三氟甲烷、氟甲烷、二氟甲烷。通道108 (例如排氣導管)可從每個處理腔室102延伸出，以讓一或多種排出氣體 流可以離開該處理腔室102。排出氣體可從該處理腔室102流動通過該通道108並進入該 入口組件106。該入口組件106可包含一或多個開口或入口或其它通道，以接收從該處理設備 102內的一或多個腔室排出的排出氣體。此外，該入口組件106可包含一或多個開口，以從 一或多個鞘液源，例如第一鞘液源110及第二鞘液源112，接收所謂的「鞘液」流(例如氧 氣、氫氣、氮氣、CDA(壓縮空氣)、甲烷等)通過導管114、116進入該反應器104。該入口組
件106可包含1、2、3.......η個用於該鞘液的入口或開口。如在下方更詳細描述，該入口
可經調整以以鞘氣包覆排出物流，而形成包鞘排出物流，其可引入該減弱反應器104內。控制器120可通過訊號線122連接至流量控制裝置118、119，通過訊號線124連 接至該處理腔室102，並且通過訊號線1 連接至傳感器126。訊號線122、IM和1 可以 是固線式連接或者可以是無線連接。雖然示出傳感器126與導管108感測交流，但應了解 傳感器也可設置為感應出該減弱反應器104、該處理腔室102、或任何其它適當場所內的性 質或條件。流量控制裝置118、119可以是閥、泵、質流控制器或任何其它適合的流量控制裝 置，並且可通過導管114、116連接至混合腔室130，並從混合腔室130通過導管132連接至 入口 106。應注意到雖然示出兩個流量控制裝置118、119，但可使用較少或較多流量控制裝 置118、119，例如1、3、4、5、或更多個。該混合腔室130是選擇性的，並且可以簡單的y形或 其它形狀的導管114、116接點取代。在另一實施例中，該混合腔室130可被鞘液預加熱器 130取代或與其合併。該控制器120可經調整以調節來自第一及第二鞘液源110、112的一或多種鞘液的 總流量及流量比，例如，通過操作流量控制裝置118、119。通過獨立於彼此操作鞘液源，該控 制器120能夠調節由混合鞘液所得的組合鞘液的化學成分。該控制器120能夠接收來自數 個來源的信息。例如，該控制器120可接收來自該處理腔室102關於所執行的處理步驟的 信息，並且經調整以使用這些信息作為控制鞘液流的基礎。除了接收來自該處理腔室102 的信息，該控制器120可經調整以接收來自一或多個傳感器126的信息，例如流經導管108 的排出物的性質及/或流經導管108的排出物的流率。因此，傳感器1 可以是一或多個 流量傳感器，以及成分傳感器，例如熱電堆檢測器。如上所述，傳感器126也可設置在其它 場所內，例如該減弱反應器104、及/或該處理腔室102。再次，該控制器可使用該傳感器信 息作為控制鞘液流的基礎，如下方更詳細描述。在某些實施例中，該控制器120可與該處理腔室102和減弱系統連結及/或以其 它方式與其交流及/或控制其操作。該控制器120可以是微電腦、微處理器、邏輯電路、硬 件及軟體的組合、或諸如此類。該控制器120可包含各種交流設施，包含輸入/輸出埠、 鍵盤、滑鼠、顯示器、網絡配接器等。通常，與電子裝置製造有關的處理操作會產生排出氣體，其可包含，例如矽烷、氫 氣、氟、四氟化矽(SiF4)、氟化氫(HF)、羰基氟化物(COF2)、四氟化碳及六氟化二碳的一或 多種。如上所述，減弱系統可包含一或多個反應器104，用來處理該排出氣體中的某些成分
7(例如用來燃燒可燃或自燃性成分的燃燒反應器，例如矽烷和氫氣)。此外，例如，減弱系統 可運用額外的溼式洗滌、乾燥洗滌、催化劑、等離子體及/或類似方法將來將該反應器的燃 燒的排出氣體轉化為毒性較低的型態。參見圖2，示出具有入口 202的現有技術的示例入口組件200的平面圖。如其中所 示，該入口 202會有沉積物所形成的阻塞部分2(Ma、204b。在某些情況中，該阻塞會發生在 該入口 202的邊緣206a、206b。如上所述，阻塞可能是因為該排出物(其例如可能含有矽烷 和氫氣)和氧氣(其例如可在燃燒期間被加入以將該排出物轉化為毒性較低的型態)在該 入口 202內反應而產生，與在該反應器104的腔室內反應(圖1)相反。此反應會造成物質 (例如二氧化矽)在該入口 202內累積，其最終會部分或嚴重阻塞該入口 202。當該入口 202阻塞時，該入口 202內的壓力會增加。在某些情況中，該壓力會增至 觸動警報指示器(未示出)的地步，會開始停機處理。這會造成該入口 202必須被清潔。參見圖3，示出根據現有技術與反應器302連結的入口 300的平面示意圖。該排 出物會流經該入口 300至該反應器302的一個腔室，如朝下的指向箭頭304所示。如上所 述，該反應器302的側壁(在此位於頂板306處)可能是多孔的而讓氧氣可以擴散進入該 反應器302，但也進入該入口，例如通過在頂板306的角的周圍流動並以逆流方向進入該入 口 300。該反應器302可包含燃料氣體噴嘴(在圖5示出)，經調整以產生火焰並由此產生 熱量，可用來將毒性排出物轉化為毒性較低的型態。在某些情況中，渦流會將氧氣拉進該反 應器302內並在該入口 300下方，如圖3的朝右水平指向箭頭所示。一些氧氣甚至會被拉 進該入口 300內。在該現有技術系統中，該排出物入口 300內/附近的燃燒，與擴散進入該 入口 300的角落的氧氣一起，會在該入口 300內導致過早的矽烷反應(在側壁或邊緣上)， 而非在該反應器302內。如上所述，此反應會造成二氧化矽在該入口 300內累積，其最終會 減少該入口 300內的流量，或將其阻塞。參見圖4A，示出本發明的示例氣體入口設備400的示意剖面圖。該氣體入口設備 400可包含外套筒402，其圍繞內套筒403。內套筒403可形成排出物通道404。雖然外套 筒402被示出為分離的部件，但外套筒402可以加工，或以其它方式形成為材料塊，例如減 弱反應器的頂部件。該外及內套筒402、403可以是圓形或任何其它適合形狀。可將該外套 筒402和該內套筒403之間的空間稱為間隙，或環狀間隙406，鞘液(例如氮氣、氬氣、氫氣、 甲烷、或其混合物等)可流動通過其間。為了討論，會以氮氣來代表鞘液。但是，也可使用 其它流體。該環狀間隙406可以是，例如，約2毫米寬。也可使用其它間隙寬度。此外，也 可使用例如橢圓形等等其它形狀。如在圖4A和4B中示出，氮氣可從氣源(例如圖1所示)通過入口埠 408流入 形成在該內套筒403和該外套筒402之間的環狀間隙406。操作時，當氮氣如箭頭409所示 流出該環狀間隙406時，氮氣的環狀幕或罩會形成在該排出物通道404周圍。該幕由虛線 410表示。氮氣可例如以約20slm流動。也可使用其它流率，取決於通過該排出物通道404 的排出物流的流率。該氮氣幕可防止氧氣擴散或流入該排出物通道404。因此，該氮氣幕 410可防止氧氣與流經排出物通道404的排出氣體發生反應，直到抵達更深入該反應器(未 示出)內的位置並遠離該排出物通道404為止(即與該排出物通道404相隔遙遠)。因為 氧氣不會擴散或流入該排出物通道404，故可減少或排除二氧化矽在該排出物通道404內 累積。據此，例如入口清潔之間的時間可大大增加。圖4C示出提供該鞘液幕410所產生的流動示意圖。圖4C示出提供在該排出物通道404出口附近的幕410可最小化氧氣從該反 應器402流動並擴散進入該排出物通道404。參見圖5，示出入口組件500的示例實施例的俯視示意圖。在此，該入口組件500
可包含多個入口 502a、502b、502c及502d。如上所述，該入口組件500可包含1、2、3、......
η個入口或開口。多個入口例如可容許來自一或多個處理設備(未示出)的不同處理腔室 102的流出氣體通行至該反應器104。例如在入口 50加-(1的中央設置指示燈504，並經調整 以點燃從設在每個入口 50h-d周圍的燃料氣體噴嘴506流出的燃料。出自燃料氣體噴嘴 506的火焰可生熱，可用來分解或點燃該排出氣體，以在該減弱處理期間形成毒性較低的氣 體或副產物。多個入口 50加-(1的每個皆可包含圍繞該入口的環狀惰性氣體幕。多個入口 50加-(1的每個皆可獨立控制，如下面參考圖7和8描述。該幕可由入口結構提供，例如像圖 4A和4B所述。參見圖6，示出說明本發明的示例方法600的流程圖。在步驟602，例如惰性氣體 (例如氮氣)的鞘液被泵吸入鄰近且圍繞排出物流通道的間隙(例如環狀間隙)。該鞘液 流入反應器腔室內並在進入該反應器腔室的入口的出口周圍形成鞘液環狀幕(或罩)。在 步驟604，該幕可防止或最小化氧氣進入該入口。在步驟606，該幕可使與該排出物流之間 的反應在更深入該反應器腔室內部發生，並且是在與該入口相距遙遠的位置。因此，較少沉 積物(例如二氧化矽)會形成在入口側壁或邊緣上。據此，該入口可以不太經常清潔，因 為當氧氣與該排出物流在更深入該反應器內部處反應時，與直接鄰近或在該入口內反應相 比，該入口發生阻塞會需要較長的時間。若使用試劑鞘液，該幕可強化該減弱反應。參見圖7，示出說明本發明的示例方法700的流程圖。在步驟702，判定處理腔室 的現時狀態。現時狀態意指在該腔室內執行的處理的性質，例如，沉積或清潔等。此外，就 處理而言，該現時狀態可包含處理腔室閒置或停機，例如為進行預防性維修或其它原因。該處理腔室的現時狀態可從該處理腔室102，或從分開的處理腔室控制器(未示 出)，傳達至該控制器120。或者，該控制器120也可作為處理控制器，並且可含有或可存取 欲在每個處理腔室102內執行的處理計劃表。在該情況中，判定該處理腔室的現時狀態可 通過探詢可能包含在該控制器120內部或外部的資料庫來完成。此外，該處理腔室的現時 狀態可從知悉向該處理腔室102提供試劑的氣體分配盤(未示出)的狀態來推得。因此， 該氣體分配盤(未示出)可與該控制器120訊號連結。一旦知道了該處理狀態，便知道該 排出物流的本質化學成分和流率。在步驟704，用步驟702中判定的該處理腔室102的現時狀態，來選擇鞘液，或在該 處理腔室102停機的情況下，完全沒有鞘液。例如，希望在減弱沉積處理排出物流期間，或 是在清潔處理排出物流期間流通惰性氣體。或者，希望在減弱特定沉積排出物流期間，或在 減弱清潔處理排出物流期間流通一或多種試劑，或是一或多種試劑及惰性氣體的混合物。該 減弱系統的操作者可例如預先決定要流通哪一種鞘液，並且可程序化至該控制器120內。在步驟706，用在步驟702中判定的該處理腔室102的現時狀態，來選擇該鞘液的 流率。一旦知悉該處理腔室102的現時狀態，便可知道該排出物流的流率。例如，若該處理 腔室102停機，可選擇零流量。若處理在該處理腔室102內執行，希望使該鞘液的速度及/ 或粘度配合該排出物流的速度及/或粘度，以達到層流及/或減少該包鞘排出物流的紊流。 因此，可選擇該一或多種鞘液的流率，而使該一或多種鞘液的速度及/或粘度配合該排出物流的速度及/或粘度。在步驟708，命令一或多個流量控制裝置以使預期鞘液或液體以預期流率流動。該 命令可由該控制器120發布給該一或多個流量控制裝置118、119。因此，該鞘液的化學成分 可通過適當地控制第一和第二(或更多)鞘液之間的流量比來選擇或控制，並且理想的組 合鞘液或一種鞘液的總流率可通過控制一或多種鞘液的流率的適當大小來選擇。鞘液也可 選擇性地預熱。在步驟710，在該排出物流周圍形成鞘液的鞘部，並且將該包鞘排出物流引入該減 弱反應器。該鞘部可利用上面參考圖3-6所述的結構及方法形成。在步驟712，部分的排出物流在該減弱反應器中利用傳統減弱技術或尚待開發的 減弱技術來減弱。參見圖8，示出說明本發明的一個示例方法800的流程圖。方法800實質上與方法 700相似，但有如下差異。在步驟802，相對於判定處理腔室102的現時狀態，如在步驟702 中般，排出物流的化學成分及/或流率利用一或多個傳感器126被測量。該排出物流的化 學成分及/或流率然後傳送至該控制器120。在步驟804，若化學成分已在步驟802中測得，可用該化學成分來選擇一或多種鞘 液。本領域技術人員能夠程序化該控制器以基於該排出物流的化學成分選擇適當的鞘液。 步驟804與上面討論的步驟704相似。在步驟806，若排出物流的流率已在步驟802中測得，可用該流率來選擇適當的鞘 液流率，以達到預期層流。步驟806與上面討論的步驟706相似。在步驟808，命令一或多個流量控制裝置以使預期的鞘液或液體以預期流率流動。 上面關於步驟708的討論也可應用在步驟808上。在步驟810，在該排出物流周圍形成鞘液的鞘部，並且將該包鞘排出物流引入該減 弱反應器。該鞘部可利用上面參考圖3-6所述的結構及方法形成。在步驟812，部分的排出物流在該減弱反應器中減弱。前面描述僅揭示本發明的示例實施例。對於上面揭示的設備及方法所做的落在本 發明範圍內的調整對於本領域技術人員而言是顯而易見的。在某些實施例中，本發明的設 備及方法可應用在半導體、太陽能、LCD、薄膜、0LED、及納米製造材料以及裝置處理及/或 電子裝置製造上。據此，雖然已關於其示例實施例對本發明做揭示，但應了解其它實施例可落在本 發明的精神及範圍內，如由所附權利要求所定義的。
權利要求
1.一種熱減弱系統，包括 熱減弱反應器；入口，其與所述反應器流體相通； 處理腔室，其與所述入口流體相通； 第一鞘液源，其與所述入口流體相通；第一流量控制裝置，適於調節來自所述第一鞘液源的第一鞘液的流量；以及 控制器，其與所述第一流量控制裝置信號通信，適於通過操作所述第一流量控制裝置 來調節所述鞘液；其中，所述入口適於接收來自所述處理腔室的排出物流以及來自所述第一鞘液源的所 述第一鞘液，以利用所述第一鞘液包覆所述排出物流，而形成包鞘排出物流，並且將所述包 鞘排出物流引入所述反應器。
2.根據權利要求1所述的熱減弱系統，其中，所述控制器適於通過操作所述第一流量 控制裝置來調節所述鞘液的速度和流率中的一個或多個。
3.根據權利要求2所述的熱減弱系統，還包括流量傳感器，其與排出物流導管感測通 信，並適於測量所述排出物流從所述處理腔室至所述反應器的流率，其中，所述控制器適於 從所述流量傳感器接收訊號，並基於所述排出物流的流率來調節所述鞘液的流量。
4.根據權利要求1所述的熱減弱系統，還包括第二鞘液源，其與所述入口流體相通，其 中，所述入口還適於從所述第一及所述第二鞘液源接收所述第一及第二鞘液。
5.根據權利要求4所述的熱減弱系統，還包括第二流量控制裝置，適於控制所述第二鞘液的流量，以及混合裝置，與所述第一及第二鞘液源和所述入口流體相通，並適於結合所述第一鞘液 與所述第二鞘液而形成組合鞘液；其中，所述控制器適於通過操作所述第一及第二流量控制裝置，來調節所述組合鞘液 的化學成分。
6.一種用於操作熱減弱系統的方法，包括 將排出物流接收到入口中；將第一鞘液接收到所述入口中；在所述排出物流周圍形成所述第一鞘液的鞘部，以形成包鞘排出物流； 將所述包鞘排出物流從所述入口引入熱反應器內； 利用控制器調節所述第一鞘液；以及 在所述熱反應器內減弱部分的所述排出物流。
7.根據權利要求6所述的用於操作熱減弱系統的方法，其中，所述第一鞘液包含惰性 流體和試劑中的一種或多種。
8.根據權利要求6所述的用於操作熱減弱系統的方法，還包括將第二鞘液接收到所述 入口中。
9.根據權利要求6所述的用於操作熱減弱系統的方法，其中，調節所述第一鞘液包含 調節所述鞘液的流率。
10.根據權利要求6所述的用於操作熱減弱系統的方法，其中，調節所述第一鞘液包含 調節所述鞘液的化學成分。
11.根據權利要求6所述的用於操作熱減弱系統的方法，其中，所述控制器還適於改變 所述第一鞘液的粘度。
12.根據權利要求6所述的用於操作熱減弱系統的方法，還包括減少所述包鞘排出物 流內的紊流。
13.一種用於操作熱減弱系統的方法，包括判定排出物流的化學成分及流率中的一種或多種；基於所述排出物流的化學成分及流率中的一種或多種，來選擇鞘液；通過操作至少一個流量控制裝置以調節至少一種鞘液的流量，來將所選擇的鞘液供應 至入口 ；將所述排出物流接收到所述入口中；在所述排出物流周圍形成所述鞘液的鞘部，以形成包鞘排出物流；將所述包鞘排出物流從所述入口引入熱反應器內；以及在所述熱反應器內減弱部分的所述排出物流。
14.根據權利要求13所述的用於操作熱減弱系統的方法，其中，所述排出物流的化學 成分是確定的。
15.根據權利要求13所述的用於操作熱減弱系統的方法，其中，所述排出物流的流率 是確定的。
16.根據權利要求13所述的用於操作熱減弱系統的方法，其中，所述排出物流的化學 成分及流率由氣體分配盤的狀態推得，所述氣體分配盤將試劑供應至處理腔室。
全文摘要
本發明提供一種熱減弱系統，包含熱減弱反應器；入口，與該反應器流體相通；處理腔室，與該入口流體相通；第一鞘液源，與該入口流體相通；第一流量控制裝置，經調整以調節來自該第一鞘液源的第一鞘液的流量；以及控制器，與該第一流量控制裝置信號通信，經調整以通過操作該第一流量控制裝置來調節該鞘液；其中該入口是經調整以接收來自該處理腔室的排出物流以及來自該第一鞘液源的第一鞘液，以利用該第一鞘液包覆該排出物，而形成包鞘排出物流，並且將該包鞘排出物流引入該反應器。
文檔編號H01L21/02GK102089857SQ200980127216
公開日2011年6月8日 申請日期2009年7月9日 優先權日2008年7月11日
發明者丹尼爾·O·克拉克, 弗蘭克·F·霍史達瑞恩, 艾倫·福克斯, 貝林達·福利波 申請人:應用材料公司