具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構及其製造方法

2023-05-17 04:46:26 1

專利名稱：具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構及其製造方法
技術領域：
本發明涉及一種發光二極體晶片封裝結構及其製造方法，尤其涉及一種具有厚導腳(thickness guiding pin)並且不需要彎折導腳的發光二極體晶片 封裝結構及其製造方法。
背景技術：
請參閱圖1所示，其為公知直立式發光二極體晶片封裝結構的剖面示意 圖。由圖中可知，公知的直立式發光二極體晶片封裝結構包括絕緣基底la、 導電架2a、發光二極體晶片3a及螢光膠體4a。其中，該導電架2a具有二個分別沿該絕緣基底la的兩相反側邊彎折兩 次的導電管腳20a、 21a，以使所述導電管腳20a、 21a的下端面可與電路板 5a產生電接觸，並且該導電管腳20a、 21a分別具有正電極區域200a及負電 極區域210a。再者，該發光二極體晶片3a具有正電極端300a及負電極端310a，並且 該發光二極體晶片3a直接設置在該導電管腳20a上，以使該正電極端300a 直接與該導電管腳20a的正電極區域200a產生電接觸，而該發光二極體晶片 3a的負電極端310a通過導線6a與該導電管腳21a的負電極區域210a產生 電連接。最後，該螢光膠體4a覆蓋在該發光二極體晶片3a上，以保護該發光二 極管晶片3a。由此，公知的直立式發光二極體晶片封裝結構可產生向上投光 (如箭頭所示)的發光效果。然而，上述直立式發光二極體晶片封裝結構仍有下列幾個缺點1、 所述導電管腳(20a、 21a)必須經過彎折才能與電路板(5a)產生接 觸，因此增加製造工藝的複雜度。2、 由於所述導電管腳(20a、 21a)的厚度太薄，因此散熱面積過小，而 無法達到高散熱的優點。3、由於所述導電管腳(20a、 21a)的厚度太薄，因此無法提高電源的供 應量，而使得該發光二極體晶片(3a)無法產生較好的發光效果。由上可知，目前公知不管是直立式或側式的發光二極體晶片封裝結構， 顯然具有不便與缺點存在，而需加以改善。發明內容鑑於上述現有技術的不足，提出本發明。本發明所要解決的技術問 題，在於提供一種具有厚導腳(thickness guiding pin)的發光二極體晶片封 裝結構及其製造方法。因此本發明具有下列優點-1. 本發明的厚導腳不需經過彎折，而能直接與電路板產生接觸，因此本 發明能簡化製造工藝的複雜度。2. 由於採用厚導腳，因此本發明可增加散熱面積，而達到高散熱的優點。3. 由於採用厚導腳，因此本發明可提高電源的供應量，而使得發光二極 管晶片可產生較好的發光效果。為了解決上述技術問題，根據本發明的其中一種方案，提供一種具有厚 導腳(thickness guiding pin)的發光二極體晶片封裝結構的製造方法，其包 括首先，提供金屬基材，其具有多個延伸出且懸空(suspended)的導電腳， 並且每一個導電腳的下表面具有凹槽；接著，通過絕緣殼體包覆所述導電腳 的下表面，以形成用於曝露出每一個導電腳的上表面的射出凹槽(injection concave groove);然後，承載多個發光二極體晶片於該射出凹槽內，並且每 一個發光二極體晶片的正、負電極端分別電連接於不同的導電腳；接下來， 將封裝膠體填充於該射出凹槽內，以覆蓋所述發光二極體晶片；最後，切割 所述導電腳，以完成該具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製作。如上所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造方法，其中該 金屬基材及所述導電腳是通過蝕刻或衝壓技術成形出來的。如上所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造方法，其中該 金屬基材及所述導電腳的表面電鍍一層電鍍保護層。如上所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造方法，其中每 一個導電腳的厚度界於0.4-3 mm之間。如上所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造方法，其中該絕緣殼體以射出成形的方式包覆所述導電腳的下表面。如上所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造方法，其中該 絕緣殼體填充於所述導電腳之間的非導電區域，並且每一個導電腳的兩端外 露於該絕緣殼體的兩側，以利於後續的焊錫步驟。如上所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造方法，其中該 封裝膠體的材質為環氧樹脂或矽膠材料。為了解決上述技術問題，根據本發明的其中一種方案，提供一種具有厚導腳(thickness guiding pin)的發光二極體晶片封裝結構的製造方法，其包 括首先，提供金屬基材，其具有多個延伸出且兩端固定(two sides fixed) 的導電腳，並且每一個導電腳的下表面具有凹槽；接著，通過絕緣殼體包覆 所述導電腳的下表面，以形成用於曝露出每一個導電腳的上表面的射出凹 槽；然後，承載多個發光二極體晶片於該射出凹槽內，並且每一個發光二極 管晶片的正、負電極端分別電連接於不同的導電腳；接下來，將封裝膠體填 充於該射出凹槽內，以覆蓋所述發光二極體晶片；最後，切割所述導電腳， 以完成該具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製作。如上所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造方法，其中該 金屬基材及所述導電腳是通過蝕刻或衝壓技術成形出來的。如上所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造方法，其中該 金屬基材及所述導電腳的表面電鍍一層電鍍保護層。如上所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造方法，其中每 一個導電腳的厚度界於0.4~3 mm之間。如上所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造方法，其中該 絕緣殼體以射出成形的方式包覆所述導電腳的下表面。如上所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造方法，其中該 絕緣殼體填充於所述導電腳之間的非導電區域，並且每一個導電腳的兩端外 露於該絕緣殼體的兩側，以利於後續的焊錫步驟。如上所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造方法，其中該 封裝膠體的材質為環氧樹脂或矽膠材料。為了解決上述技術問題，根據本發明的其中一種方案，提供一種具有厚 導腳(thickness guiding pin)的發光二極體晶片封裝結構的製造方法，其包括首先，提供金屬基材，其具有多個延伸出且懸空(suspended)的導電腳 及多個延伸出且連接於每二個導電腳之間的加強肋，並且每一個導電腳的下 表面具有凹槽；接著，通過絕緣殼體包覆所述導電腳的下表面，以形成用於 曝露出每一個導電腳的上表面的射出凹槽；然後，承載多個發光二極體晶片 於該射出凹槽內，並且每一個發光二極體晶片的正、負電極端分別電連接於 不同的導電腳；接下來，將封裝膠體填充於該射出凹槽內，以覆蓋所述發光 二極體晶片；最後，切割所述導電腳及所述加強肋，以完成該具有厚導腳的 發光二極體晶片封裝結構的製作。如上所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造方法，其中該 金屬基材及所述導電腳是通過蝕刻或衝壓技術成形出來的。如上所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造方法，其中該 金屬基材及所述導電腳的表面電鍍了 一層電鍍保護層。如上所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造方法，其中每 一個導電腳的厚度界於0.4-3 mm之間。如上所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造方法，其中該 絕緣殼體以射出成形的方式包覆所述導電腳的下表面。如上所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造方法，其中該 絕緣殼體填充於所述導電腳之間的非導電區域，並且每一個導電腳的兩端外 露於該絕緣殼體的兩側，以利於後續的焊錫步驟。如上所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造方法，其中該 封裝膠體的材質為環氧樹脂或矽膠材料。為了解決上述技術問題，根據本發明的其中一種方案，提供一種具有厚 導腳(thickness guiding pin)的發光二極體晶片封裝結構，其包括多個導 電腳、絕緣殼體、多個發光二極體晶片、及封裝膠體。其中，所述導電腳彼 此分離。該絕緣殼體包覆所述導電腳的下表面，以形成用於曝露出每一個導 電腳的上表面的射出凹槽。所述發光二極體晶片分別設置在該射出凹槽內， 並且每一個發光二極體晶片的正、負電極端分別電連接於不同的導電腳。該 封裝膠體填充於該射出凹槽內，以覆蓋所述發光二極體晶片。如上所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構，其中該金屬基材及 所述導電腳的表面電鍍了 一層電鍍保護層。如上所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構，其中每一個導電腳的厚度界於0.4-3 mm之間。如上所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構，其中該絕緣殼體填 充於所述導電腳之間的非導電區域，並且每一個導電腳的兩端外露於該絕緣 殼體的兩側，以利於後續的焊錫步驟。如上所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構，其中該封裝膠體的 材質為環氧樹脂或矽膠材料。本發明能簡化製造工藝的複雜度、增加散熱面積、以及提高電源的供應 量，從而使發光二極體晶片產生較好的發光效果。為了能更進一步了解本發明為達成預定目的所採取的技術、手段及功 效，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，本發明的目的、特徵與特點 由此可以得到具體的了解，然而所附附圖僅提供參考與說明用，並非用來對 本發明加以限制。


圖1為公知直立式發光二極體晶片封裝結構的剖面示意圖； 圖2為本發明具有厚導腳(thickness guiding pin)的發光二極體晶片封 裝結構的製造方法的第一實施例的流程圖；圖3為本發明第一實施例的金屬基材的立體示意圖； 圖4為本發明第一實施例的金屬基材的府視圖； 圖5為圖3的5-5剖視圖；圖6為本發明第一實施例的金屬基材與絕緣殼體相結合的立體示意圖； 圖7為本發明第一實施例的發光二極體晶片電連接於導電腳的立體示意圖；圖8為本發明第一實施例的發光二極體晶片的第一種設置方式的側視示 意圖；圖9為本發明第一實施例的封裝膠體填充於射出凹槽內的立體示意圖；圖10為本發明第一實施例的所述導電腳被切除後的立體示意圖；圖11為本發明第一實施例的所述導電腳被切除後的另一角度立體示意圖；圖12為本發明第一實施例的發光二極體晶片的第二種設置方式的側視 示意圖；圖13為本發明第一實施例的發光二極體晶片的第三種設置方式的側視 示意圖；圖14為本發明發光二極體晶片的第四種設置方式的側視示意圖；圖15為本發明具有厚導腳(thickness guiding pin)的發光二極體晶片封裝結構的製造方法的第二實施例的流程圖；圖16為本發明第二實施例的金屬基材與絕緣殼體相結合的立體示意圖; 圖17為本發明具有厚導腳(thickness guiding pin)的發光二極體晶片封裝結構的製造方法的第三實施例的流程圖；圖18為本發明第三實施例的金屬基材與絕緣殼體相結合的立體示意圖 圖19為本發明第一實施例的金屬基材與絕緣殼體相結合的立體示意圖 圖20為本發明第二實施例的金屬基材與絕緣殼體相結合的立體示意圖以及圖21為本發明第三實施例的金屬基材與絕緣殼體相結合的立體示意圖。 其中，附圖標記說明如下 現有技術的附圖標記la絕緣基底20a、 21a導電管腳2a導電架3a發光二極體晶片200a 210a 300a 310a正電極區域 負電極區域 正電極端 負電極端螢光膠體 電路板4a本發明的附圖標記 1IIIII11001101凹槽正極導電部 負極導電部2 絕緣殼體4r發光二極體晶片封裝膠體 金屬基材2' 絕緣殼體3'發光二極體晶片 4'導線r 金屬基材2" 絕緣殼體3" 發光二極體晶片 4" 錫球110 電鍍保護層20 射出凹槽21 非導電區域 30、 31正、負電極端11' 導電腳111' 凹槽20' 射出凹槽21' 非導電區域 30'、 31'正、負電極端11" 導電腳111" 凹槽1100" 正極導電部1101" 負極導電部12" 加強助20" 射出凹槽21" 非導電區域 30"、 31"正、負電極端具體實施方式
請參閱圖2至圖5所示，其分別為本發明具有厚導腳(thickness guiding pin)的發光二極體晶片封裝結構的製造方法的第一實施例的流程圖、本發明 第一實施例的金屬基材的立體示意圖、本發明第一實施例的金屬基材的俯視 圖、以及圖3的5-5剖視圖。由圖2的流程圖中可知，本發明第一實施例所提供的具有厚導腳 (thickness guiding pin)的發光二極體晶片封裝結構的製造方法，其包括 首先，配合圖3所示，提供金屬基材1，其具有多個延伸出且懸空(suspended)的導電腳11，並且每一個導電腳11的下表面具有凹槽111 (S100)，其中 該凹槽111為半蝕刻凹槽(halfetchingconcave groove)。其中，該金屬基材 1及所述導電腳11通過蝕刻(etching)技術、衝壓(punching)或任何成形 方式成形出來。再者，通過電鍍的方式，該金屬基材1及所述導電腳11的 表面形成一層電鍍保護層110。此外，每一個導電腳11的厚度界於0.4~3 mm 之間，因此每一個導電腳ll具有界於0.4 3mm的厚度。當然，每一個導電 腳11的厚度亦可隨著使用者的需求，而設計成超過0.4mm以上的厚度。然後，請參閱圖6所示，其為本發明第一實施例的金屬基材與絕緣殼體 相結合的立體示意圖。由圖6可知，該步驟S100之後，通過絕緣殼體2包 覆所述導電腳11的下表面，以形成用於曝露出每一個導電腳11的上表面的 射出凹槽20 (S102)。其中，該絕緣殼體2填充於所述導電腳11之間的非 導電區域21。此外，在該步驟S102中，該絕緣殼體2可通過射出成形(Injectkm molding)或任何的成形方式，包覆所述導電腳ll的下表面。請參閱圖7及圖8所示，其分別為本發明第一實施例的發光二極體晶片 電連接於導電腳的立體示意圖、及本發明第一實施例的發光二極體晶片的第 一種設置方式的側視示意圖。由圖7及圖8可知，該步驟S102之後，承載 多個發光二極體晶片3於該射出凹槽20內，並且每一個發光二極體晶片3 的正、負電極端30、 31分別電連接於不同的導電腳11 (S104)。也就是說，該發光二極體晶片3的正、負電極端30、 31分別設置於每 一個發光二極體晶片3的下表面與上表面，並且每一個發光二極體晶片3選 擇性地設置於相對應的正極導電部1100上，以使每一個發光二極體晶片3 的正電極端30直接電連接於相對應的正極導電部1100，並且每一個發光二 極管晶片3的負電極端31則通過導線4而電連接於相對應的負極導電部 1101。緊接著，請參閱圖9所示，其為本發明第一實施例的封裝膠體填充於射 出凹槽內的立體示意圖。由圖9可知，該步驟S104之後，將封裝膠體5填 充於該射出凹槽20內，以覆蓋所述發光二極體晶片3 (S106)。其中，該封 裝膠體5的材質可為環氧樹脂(epoxy)或矽膠(silicone)材料。最後，請參閱圖10至圖11所示，其分別為本發明第一實施例的所述導 電腳被切除後的立體示意圖、及本發明第一實施例的所述導電腳被切除後的另一角度立體示意圖。由圖10及圖11可知，該步驟S106之後，切割所述 導電腳ll，以完成該具有厚導腳(thickness guiding pin)的發光二極體晶片 封裝結構的製作(S108)。其中，每一個導電腳11的兩端外露於該絕緣殼 體2的兩側，以利於後續的焊錫步驟。請參閱圖12所示，其為本發明第一實施例的發光二極體晶片的第二種 設置方式的側視示意圖。由圖中可知，該發光二極體晶片3的正、負電極端 30、 31分別設置在每一個發光二極體晶片3的下表面與上表面，並且每一個 發光二極體晶片3依序地設置在相對應的正極導電部1100'上，以使每一個 發光二極體晶片3的正電極端30直接電連接於相對應的正極導電部1100', 並且每一個發光二極體晶片3的負電極端31則通過導線4而電連接於相對應的負極導電部iior。請參閱圖13所示，其為本發明第一實施例的發光二極體晶片的第三種 設置方式的側視示意圖。由圖中可知，該絕緣殼體2還進一步包括多個分 別成形於每兩個導電腳11之間的非導電區域21'。再者，該發光二極體晶片 3'的正、負電極端30'、 31'分別設置於每一個發光二極體晶片3'的上表面，並 且每一個發光二極體晶片3'間隔地(separately)設置在每一個非導電區域21' 上；由此，通過打線(wire-bounding)的方式，使得每一個發光二極體晶片 3'的正、負電極端30'、 31'分別通過兩導線4'而電連接於相鄰的正極導電部 1100'及負極導電部1101'。請參閱圖14所示，其為本發明發光二極體晶片的第四種設置方式的側 視示意圖。由圖中可知，該發光二極體晶片3"的正、負電極端30"、 31"分別 設置在每一個發光二極體晶片3"的下表面，並且每一個發光二極體晶片3' 橫跨相對應的非導電區域21";由此，通過覆晶(flip-chip)的方式，使得每 一個發光二極體晶片3"的正、負電極端30"、 31"分別通過多個相對應的錫球 4"而電連接於相鄰的正極導電部1100"及負極導電部1101"。請參閱圖15及圖16所示，其分別為本發明具有厚導腳(thickness guiding pin)的發光二極體晶片封裝結構的製造方法的第二實施例的流程圖、及第二 實施例的金屬基材與絕緣殼體相結合的立體示意圖。由圖15的流程圖中可 知，本發明第二實施例所提供的具有厚導腳(thickness guiding pin)的發光 二極體晶片封裝結構的製造方法，其包括首先，配合圖16所示，提供金屬基材l',其具有多個延伸出且兩端固定(two sides fixed)的導電腳11'，並且每一個導電腳ir的下表面具有凹槽iir (S200)，其中該凹槽iir為半蝕刻凹槽(halfetching concave groove)。接著，通過絕緣殼體2'包覆所述導電腳ir之下表面，以形成用於曝露出每一個導電腳ir的上表面的射出凹槽20'(S202)。並且，該絕緣殼體2'填充於所述導電腳11'之間的非導電區 域21'。接下來，與第一實施例的步驟S104及S108相同，承載多個發光二極體 晶片(圖未示)於該射出凹槽內，並且每一個發光二極體晶片的正、負電極 端分別電連接於不同的導電腳11' (S204)。然後，將封裝膠體(圖未示) 填充於該射出凹槽20'內，以覆蓋所述發光二極體晶片(S206)。最後，切割所述導電腳ir，以完成該具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製作(S208)。請參閱圖17及圖18所示，其分別為本發明具有厚導腳(thickness guiding pin)的發光二極體晶片封裝結構的製造方法的第三實施例的流程圖、及第三 實施例的金屬基材與絕緣殼體相結合的立體示意圖。由圖17的流程圖中可 知，本發明第三實施例所提供的具有厚導腳(thickness guiding pin)的發光 二極體晶片封裝結構的製造方法，其包括首先，配合圖18所示，提供金 屬基材l"，其具有多個延伸出且懸空(suspended)的導電腳ll"及多個延伸 出且連接於每兩個導電腳ll"之間的加強肋12"，並且每一個導電腳ll"的下 表面具有凹槽Hi" (S300),其中該凹槽lll"為半蝕刻凹槽(halfetching concave groove)。然後，通過絕緣殼體2"包覆所述導電腳1 l"的下表面，以 形成用於曝露出每一個導電腳11"的上表面的射出凹槽20" (S302)。並且， 該絕緣殼體2"填充於所述導電腳ll"之間的非導電區域21"。接下來，與第二實施例的步驟S204及S206相同，承載多個發光二極體 晶片(圖未示)於該射出凹槽20"內，並且每一個發光二極體晶片的正、負 電極端分別電連接於不同的導電腳11" (S304);然後，將一封裝膠體(圖 未示)填充於該射出凹槽內，以覆蓋所述發光二極體晶片(S306)。最後， 切割所述導電腳ll"及所述加強肋12"，以完成該具有厚導腳的發光二極體芯 片封裝結構的製作(S308)。請參閱圖19至圖21所示，其分別為本發明第一、二、三實施例的金屬基材與絕緣殼體相結合的立體示意圖。由圖19可知，多個第一實施例的具 有金屬基材1與導電腳11的金屬基材1與絕緣殼體2相結合的結構串聯成 三排；此外，由圖20可知，多個第二實施例的具有金屬基材l'與導電腳ll' 的金屬基材1'與絕緣殼體2'相結合的結構串聯成三排；並且，由圖21可知，多個第三實施例的具有金屬基材r與導電腳ir的金屬基材r與絕緣殼體2" 相結合的結構串聯成三排。由此，上述三種不同實施例的導電腳(ii、 ir、11")與絕緣殼體(2、 2'、 2")的組合可以整片(all-in-one)的方式製造出 來。綜上所述，本發明所提供的具有厚導腳(thickness guiding pin)的發光 二極體晶片封裝結構及其製造方法，具有下列優點1. 本發明的厚導腳不需經過彎折，而能直接與電路板產生接觸，因此本 發明能簡化製造工藝的複雜度。2. 由於採用厚導腳，因此本發明可增加散熱面積，而達到高散熱的優點。3. 由於採用厚導腳，因此本發明可提高電源的供應量，而使得發光二極 管晶片可產生較好的發光效果。以上所述，僅為本發明的一個最佳的具體實施例的詳細說明與附圖，但 是本發明的特徵並不局限於此，並非用以限制本發明，本發明的所有範圍應 以下述的權利要求為準，凡符合本發明權利要求的精神與其類似變化的實施 例，皆應包含於本發明的範圍中，任何所屬領域技術人員在本發明的領域內， 作出的變化或修飾皆可涵蓋在以下本發明的專利範圍內。
權利要求
1. 一種具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造方法，其特徵在於，包括下列步驟提供金屬基材，其具有多個延伸出且懸空的導電腳，並且每一個導電腳的下表面具有凹槽；通過絕緣殼體包覆所述導電腳的下表面，以形成用於曝露出每一個導電腳的上表面的射出凹槽；承載多個發光二極體晶片於該射出凹槽內，並且每一個發光二極體晶片的正、負電極端分別電連接於不同的導電腳；將封裝膠體填充於該射出凹槽內，以覆蓋所述發光二極體晶片；以及切割所述導電腳，以完成該具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製作。
2、 如權利要求1所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造 方法，其特徵在於該金屬基材及所述導電腳是通過蝕刻或衝壓技術成形出 來的。
3、 如權利要求1所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造 方法，其特徵在於該金屬基材及所述導電腳的表面電鍍一層電鍍保護層。
4、 如權利要求1所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造 方法，其特徵在於每一個導電腳的厚度界於0.4 3mm之間。
5、 如權利要求1所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造 方法，其特徵在於該絕緣殼體以射出成形的方式包覆所述導電腳的下表面。
6、 如權利要求1所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造 方法，其特徵在於該絕緣殼體填充於所述導電腳之間的非導電區域，並且 每一個導電腳的兩端外露於該絕緣殼體的兩側，以利於後續的焊錫步驟。
7、 如權利要求1所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造 方法，其特徵在於該封裝膠體的材質為環氧樹脂或矽膠材料。
8、 一種具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造方法，其特徵在 於，包括下列步驟提供金屬基材，其具有多個延伸出且兩端固定的導電腳，並且每一個導電腳的下表面具有凹槽；通過絕緣殼體包覆所述導電腳的下表面，以形成用於曝露出每一個導電 腳的上表面的射出凹槽；承載多個發光二極體晶片於該射出凹槽內，並且每一個發光二極體晶片 的正、負電極端分別電連接於不同的導電腳；將封裝膠體填充於該射出凹槽內，以覆蓋所述發光二極體晶片；以及切割所述導電腳，以完成該具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製作。
9、 如權利要求8所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造 方法，其特徵在於該金屬基材及所述導電腳是通過蝕刻或衝壓技術成形出 來的。
10、 如權利要求8所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造 方法，其特徵在於該金屬基材及所述導電腳的表面電鍍一層電鍍保護層。
11、 如權利要求8所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造 方法，其特徵在於每一個導電腳的厚度界於0.4 3mm之間。
12、 如權利要求8所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造 方法，其特徵在於該絕緣殼體以射出成形的方式包覆所述導電腳的下表面。
13、 如權利要求8所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造方法，其特徵在於該絕緣殼體填充於所述導電腳之間的非導電區域，並且每一個導電腳的兩端外露於該絕緣殼體的兩側，以利於後續的焊錫步驟。
14、 如權利要求8所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造方法，其特徵在於該封裝膠體的材質為環氧樹脂或矽膠材料。
15、 一種具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造方法，其特徵在於，包括下列步驟提供金屬基材，其具有多個延伸出且懸空的導電腳及多個延伸出且連接 於每兩個導電腳之間的加強肋，並且每一個導電腳的下表面具有凹槽；通過絕緣殼體包覆所述導電腳的下表面，以形成用於曝露出每一個導電 腳的上表面的射出凹槽；承載多個發光二極體晶片於該射出凹槽內，並且每一個發光二極體晶片 的正、負電極端分別電連接於不同的導電腳；將封裝膠體填充於該射出凹槽內，以覆蓋所述發光二極體晶片；以及 切割所述導電腳及所述加強肋，以完成該具有厚導腳的發光二極體晶片 封裝結構的製作。
16、 如權利要求15所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的制 造方法，其特徵在於該金屬基材及所述導電腳是通過蝕刻或衝壓技術成形 出來的。
17、 如權利要求15所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的制 造方法，其特徵在於該金屬基材及所述導電腳的表面電鍍了一層電鍍保護 層。
18、 如權利要求15所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的制 造方法，其特徵在於每一個導電腳的厚度界於0.4 3mm之間。
19、 如權利要求15所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的制 造方法，其特徵在於該絕緣殼體以射出成形的方式包覆所述導電腳的下表面。
20、 如權利要求15所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的制 造方法，其特徵在於該絕緣殼體填充於所述導電腳之間的非導電區域，並且每一個導電腳的兩端外露於該絕緣殼體的兩側，以利於後續的焊錫步驟。
21、 如權利要求15所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構的製造方法，其特徵在於該封裝膠體的材質為環氧樹脂或矽膠材料。
22、 一種具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構，其特徵在於，包括 多個彼此分離的導電腳；絕緣殼體，其包覆所述導電腳的下表面，以形成用於曝露出每一個導電腳的上表面的射出凹槽；多個發光二極體晶片，其分別設置於該射出凹槽內，並且每一個發光二極體晶片的正、負電極端分別電連接於不同的導電腳；以及封裝膠體，其填充於該射出凹槽內，以覆蓋所述發光二極體晶片。
23、 如權利要求22所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構，其 特徵在於該金屬基材及所述導電腳的表面電鍍了一層電鍍保護層。
24、 如權利要求22所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構，其 特徵在於每一個導電腳的厚度界於0.4 3mm之間。
25、 如權利要求22所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構，其 特徵在於該絕緣殼體填充於所述導電腳之間的非導電區域，並且每一個導 電腳的兩端外露於該絕緣殼體的兩側，以利於後續的焊錫步驟。
26、 如權利要求22所述的具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構，其 特徵在於該封裝膠體的材質為環氧樹脂或矽膠材料。
全文摘要
本發明提供一種具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構及其製造方法。其中，具有厚導腳的發光二極體晶片封裝結構包括多個彼此分離的導電腳、絕緣殼體、多個發光二極體晶片及封裝膠體。該絕緣殼體包覆所述導電腳的下表面，以形成用於曝露出每一個導電腳的上表面的射出凹槽，並且所述導電腳的兩側延伸出該絕緣殼體的外部；所述發光二極體晶片分別設置在該射出凹槽內，並且每一個發光二極體晶片的正、負電極端分別電連接於不同的導電腳；該封裝膠體填充於該射出凹槽內，以覆蓋所述發光二極體晶片。本發明能簡化製造工藝的複雜度、增加散熱面積、以及可提高電源的供應量，從而使發光二極體晶片產生較好的發光效果。
文檔編號H01L21/56GK101256963SQ200710084480
公開日2008年9月3日 申請日期2007年3月2日 優先權日2007年3月2日
發明者莊峰輝, 汪秉龍, 黃惠燕 申請人:宏齊科技股份有限公司