發光管陣列的驅動方法

2023-05-03 14:26:36 1

專利名稱：發光管陣列的驅動方法
技術領域：
本發明涉及用於對發光管陣列實現高顯示質量的顯示的驅動方法，所 述發光管陣列並列設置多個細長的發光管並通過使發光管內部發生放電來 進行顯示。
背景技術：
作為本發明的背景，首先參考圖1對發光管陣列的目前作為主流的結
構進行說明。發光管陣列1構成為在前面基板11與背面基板12之間夾持 多亇友允官丄_3 tf、J結佝，仕刖囬巷個反U上配置J多個顯不電攸丄4x和並不 電極14y。所述顯示電極14x和14y構成一對，具有在形成所述對的電極 之間發生平面放電的作用。
在背面基板12上，在與設置於前面基板上的顯示電極14x相垂直的 方向上形成有多個尋址電極15。在發光管13的內部，在與顯示電極14x 和14y相對的內壁上形成有圖1中沒有示出的MgO膜的保護層(圖2的 標號21)，在發光管13的背面基板12—側的內壁上設置有圖1中沒有示 出的螢光體層(圖2的標號22)。螢光體層是在每個發光管13上塗布 紅、綠、或藍的螢光體而形成。有時也將螢光體預先塗布在與發光管13 不同的被稱為板(圖2的標號23)的細長部件上之後再插入發光管13 內。發光管13的兩端部被密封，並向構成放電空間的內部封裝Ne—Xe氣 體。
圖2示出了從切斷髮光管13的長度方向的截面看到的放電空間(也 稱為發光區域或者單元)放電時的情形。通過向相鄰的兩個顯示電極14x 和14y施加電壓，在發光管13內的區域(單元)發生放電24，從而封入 放電空間中的Xe被激發而放出真空紫外線25。真空紫外線25照射到預先 塗布在發光管13的板23上的螢光體22上，從而發出可見光26。如此，通過向與作為發光管13內的放電空間(發光區域)的單元相對應的顯示 電極對14施加電壓來控制真空紫外線25以發出可見光，由此作為顯示器 來執行動作。具有上述結構的發光管陣列1的驅動方法一般使用與等離子體顯示面板的驅動方法相同的方法。參考圖3來對主流的驅動方法進行說明。所述 驅動方法如下當進行通常用於實現層次(gradation)顯示的ADS子場方 式的驅動時，在圖3所示的尋址期間Ta， 一邊順次掃描顯示電極14y， 一 邊以每次一行(line-at-a-time)的方式選擇驅動尋址電極15，在維持期間 Ts，同時向顯示電極對14提供交替維持脈衝來進行顯示。此外，圖3中 的Tr被稱為復位期間，具有將顯示電極14y或尋址電極15上的壁電荷量 調整為適當的量的作用。Ui t1口 rJi儀H7j n合本發明是在驅動發光管陣列時的上述維持期間防止放電錯誤的驅動方 法。本發明的發明人們發現了發光管陣列中的放電錯誤的發生原因，並在 下面描述解決該原因的方法。首先，對於發光管陣列1與現有的等離子體顯示面板的放電空間的空 間範圍的比較進行說明。首先研究顯示空間的寬度。相當於顯示空間的寬度的等離子體顯示面板的間隔壁間隔一般為80nm至500nm，相當於發光 管陣列1的顯示空間的寬度的各個發光管13的橫寬一般為0.5mm至5m m。作為顯示空間的縱深長度的顯示電極間隔在等離子體顯示面板中約為 200nm至1500nm，在發光管陣列1中約為0.8mm至10mm。實際上，放 電擴散的縱深長度並不僅限在顯示電極之間，但為了相對比較這次只採用 顯示電極間隔。另外，相當於顯示空間的高度的等離子體顯示面板的間隔 壁高度為80nm至200nm，發光管陣列1的各個發光管13的高度為0.3mm 至5mm。由此可知，就顯示空間的寬度而言，發光管陣列1具有等離子體顯示 面板的約6千倍至1萬倍的大小，就顯示空間的縱深長度而言，發光管陣 列1具有等離子體顯示面板的約4千倍至7千倍的大小，就顯示空間的高度而言，發光管陣列1具有等離子體顯示面板的約4千倍至2萬5千倍的 大小。若基於這些進行計算，則發光管陣列1的放電空間的空間範圍實質 上是普通等離子體顯示面板的放電空間範圍的幾百億倍。當驅動放電空間的空間範圍如上述那樣達到等離子體顯示面板的幾百 億倍的發光管陣列1時，如果採用與等離子體顯示面板相同的驅動方法， 則會發生被要求發光(放電)的放電空間也不發光(放電)的放電錯誤。 發明人們對發生所述放電錯誤的原因進行了調查，其結果發現了兩個主要 原因。首先，第一個原因是放電空間內的電荷密度差。儘管形成了比等離子 體顯示面板相當大的放電空間的空間範圍，但發光管陣列1的施加電壓最 多也僅為等離子體顯示面板的施加電壓的1.1倍至2倍。從施加電壓的驅 動器的性能方面以及安全方面來講，不希望向發光管陣列1施加等離子體業/j、叫iKFi、ji/但力u屯ni口、j z 1口—^A丄口、jpa/上。im旦，t=i別ini:i:iiA h,電H匕vB4^為目標而向減小施加電壓的方向發展，並要求不施加高電壓就可實現高質 量顯示的顯示裝置。如上所述，由於與放電空間的空間範圍相比施加的電 壓很小，因而自然放電後的放電空間內的電場強度與等離子體顯示面板放 電後的電場強度相比非常小。接下來說明所述電場強度的變小成為使顯示質量下降的原因。當進行通常採用的ADS子場方式的驅動時，在發光管陣列1的驅動中的尋址期 間，為了在作為發光對象的放電空間(單元)內積累壁電荷，只使作為發 光對象的放電空間發生放電(稱為尋址放電)。但是，在發光管陣列1 中，由於如上所述放電空間內的電場強度小，因此通過尋址放電產生的帶 電粒子很難積累到發光管13的內壁上。簡單來說，構成了帶電粒子難以 變為壁電荷的結構。從而，在接下來的維持期間，即使向顯示電極施加電 壓，沒有積累足夠的壁電荷的發光對象放電空間(單元)也由於不具備足 夠用於放電的電位而有時不進行放電發光。另外，在維持期間中的沒有向引發平面放電的顯示電極對14施加足 夠用於放電的電壓的期間(也被稱為間隔期間或空閒期間)，在放電空間 中漂浮的大量的帶電粒子會與積累在內壁上的一部分壁電荷發生微小放電，從而用於下一次放電的壁電荷會消失一部分。由此導致達不到本應積 累的足夠的壁電荷量，從而應發光的放電空間(單元)在向下一個顯示電 極對施加電壓時(施加維持脈衝時)不放電(不發光)的問題。接下來說明第二個原因。第二個原因是在塗布有不同顏色的螢光體 的發光管中，由於螢光體材料特性的原因而放電開始電壓不同。由此可 知，即便為了放電而施加相同的電壓，也會由於塗布的螢光體材料的不同 而出現放電的空間和不放電的空間。但是，在等離子體顯示面板中也使用 相同的螢光體材料。發明人們找到了在等離子體顯示面板中難以發生由熒 光體材料引起的放電錯誤，而在發光管陣列中卻易於發生由螢光體材料引 起的放電錯誤的原因。參考圖4來說明所述原因。圖4是示出了將等離子體顯示面板的放電 空間沿與長度方向垂直的方向截斷而得的截面的一部分。如圖4所示，構 P乂 j 1工日u叫巫ix ^丄巧S tMj變u 心i3j'x^]^r夕i iHjHm'芏，j， yri工iHjh可王寸 3與間隔壁43之間塗布了螢光體層44R、 44G、 44B的結構。間隔壁43的 製造方法雖然有各種各樣的方法，但通常公知有通過對低熔點玻璃等的 背面基板42的原模實施切削加工來形成凹凸並將凸部作為間隔壁的方 法；或者向具有平面的背面基板42印刷間隔壁材料而在背面基板42上形 成間隔壁的方法等。但是，不管採用哪一種方法，在精度上都難以進行使 所有的間隔壁43都具有完全相同的高度的製造，但已清楚實際上由具有 最高高度的幾個間隔壁43支撐著前面基板41。因此，如在圖4中可以看 出的那樣，在實際的等離子體顯示面板中，在相鄰的間隔壁43之間存在 微小的高度差，從而在低的間隔壁43與前面基板之間存在微小的縫隙。接下來在圖5中示出了將發光管陣列1的放電空間沿與發光管13的長 度方向垂直的方向截斷而得的截面的一部分。如圖5所示，構成了在前面 基板11與背面基板12之間挾持多個發光管13，並在各個發光管13的靠 背面基板一側的內壁上塗布了螢光體22R、 22G、 22B的結構。由於發光 管陣列1的發光管13通過拉伸玻璃來製造，所以因精度上的問題而有時 存在圖4所示的高度差，但通過前面基板11採用具有撓性的基板，前面 基板11與發光管13的縫隙實際上並不存在。通過對圖4與圖5進行比較可知，在圖4所示的等離子體顯示面板的 放電空間中，存在在圖中的橫向(實際上是顯示電極的長度方向)上跨過 間隔壁而連通相鄰的放電空間的縫隙b，與此相對，在圖5所示的發光管 陣列的放電空間的情況下，圖中的橫向(實際上是顯示電極的長度方向)被發光管13的壁完全隔斷。下面，參考圖6和圖7，對由該結構的不同引起的放電錯誤的差異進 行說明。圖6是從與圖4所示的截面相同的方向觀看等離子體顯示面板中 剛發生放電以後的情形的圖，圖7是從與圖5所示的截面相同的方向觀看 發光管陣列中剛發生放電以後的情形的圖。假定在等離子體顯示面板和發 光管陣列中使用了相同材質的各種顏色的螢光體。因此，例如假定塗布有發光顏色為綠色的螢光體材料(22G、 44G) 的放電空間61和71進行放電所需的電壓，高於發光顏色為藍色的螢光體 材料(22B、 44B)的放電空間62和71。並假定在同 一定吋對放電空間61 和62以及71和72施加電壓，以使它們發光。此時，當然在低的電壓下開 始放電的放電空間62和72比放電空間61和71先發生放電63、 73。此時，在圖6所示的等離子體顯示面板的結構中，帶電粒子64能夠 從先放電的放電空間62通過將放電空間61與放電空間62隔開的間隔壁上 存在的微小縫隙，而進入還未發生放電的放電空間61中。該帶電粒子64 通過間隔壁上的縫隙而進入相鄰的放電空間中，由此由螢光體材料的不同 造成的電壓差變小，並帶來激發效應，從而能夠促進放電空間61的放 電。然而在圖7所示的發光管陣列的結構中，由於發光管13的壁，放電 空間(在顯示電極的長度方向上)被完全隔開，帶電粒子不能跨過發光管 13的壁而進入相鄰的放電空間中。由此，發光管陣列與等離子體顯示面板 相比，不能減小由螢光體材料的不同造成的電壓差，用於放電的電壓因熒 光體材料而變高的放電空間71依然保持難以放電的狀態。這是產生放電 錯誤的第二原因。用於解決上述問題的本發明的特徵在於在發光管陣列中的驅動方法 中，通過使維持期間中的向顯示電極施加的最初的施加電壓與後續的施加電壓相比電勢更高，使得維持期間的放電容易發生。此外，本發明的特徵還在於通過使維持期間中的向顯示電極施加的 最初的施加電壓的脈衝寬度大於後續的施加電壓的脈衝寬度，使得維持期 間的最初的放電容易發生。根據本發明，通過如上述對在維持期間中向顯示電極施加最初的電壓 的方法加以改進，即使在由於電場強度低而壁電荷少的狀態下也能夠充分 地進行放電，並能夠充分補償由螢光體材料的不同引起的放電開始電壓之 差。


圖l是示出發光管陣列的整體結構的圖；圖2是示出發光管陣列的放電狀態的圖；f^1 ， 二,丄i了/古m a r>。 ！!^4>乙七、、/+iVnT7R7二+t、VfrTr, (Vi .一，1V-r7/、圖4是等離子體顯示面板的截面圖； 圖5是發光管陣列的截面圖；圖6是示出等離子體顯示面板放電後的情形的圖；圖7是示出發光管陣列放電後的情形的圖；圖8是示出發光管陣列的電極和驅動器結構的圖；圖9是示出與ADS子場式驅動方法相關的1場結構的圖；圖IO是示出本發明驅動波形的一例的圖；圖ll是示出本發明驅動波形的一個應用例的圖；圖12是示出本發明驅動波形的一個應用例的圖；圖13是示出本發明驅動波形的一個應用例的圖；圖14是示出本發明驅動波形的一個應用例的圖；圖15是示出本發明驅動波形的一個應用例的圖；圖16是示出本發明驅動波形的一個應用例的圖；圖17是示出本發明驅動波形的一個應用例的圖。標號說明1發光管陣列 '11 前面基板 12背面基板 13發光管 14顯示電極對 15尋址電極21保護層 22螢光體層 23板 24放電 25紫外線 26可見光41等離子體顯示面板的前面基板4麼寸向J Kf、血/J、 U±M2Xfl、J H43等離子體顯示面板的間隔壁 61、 62等離子體顯示面板的放電空間 63、 73放電 64電荷粒子71、 72發光管陣列的放電空間 81掃描驅動器 82維持驅動器 83尋址驅動器具體實施方式

對本發明的實施例進行說明。在本發明中使用的發光管陣列的結構如圖1或圖2所示。具體地說， 如圖1所示，並列配置多個細長的發光管，將所述多個發光管13夾持在 前面基板11與背面基板12之間。在發光管13的內部設置螢光體層22， 並封入Ne—Xe氣體。尋址電極15形成在背面基板12的發光管13—側， 並沿著發光管的長度方向而設置。此外，在前面基板上沿著與尋址電極15電極對14。顯示電極14x、 14y優選由ITO等透明電極和由金屬形成的匯流電極 形成，或者由具有多個開口部的網狀金屬膜形成。另外，由於尋址電極15 配置在不需要使光透過的背面基板12上，因而優選只用金屬形成。作為 各電極的材料，使用Ag或者Cr/Cu/Cr的層壓結構等的材料。這些電極通 過本領域公知的印刷法或蒸鍍法來形成。另外，在各個發光管13的內部 也可以配置上面形成有螢光體層13的板12。在發光管13的位於顯示電極對一側的內壁上形成了由MgO膜構成的 保護層21。當以平面視角觀看該發光管陣列1時，由尋址電極15與顯示電極對 14的交叉部構成了單位發光區域。通過ADS子場方式的驅動來進行顯 示，所述ADS子場方式具有將顯示電極14y用作掃描電極，並在掃描Hiiy乂二J寸"tlL^^EVl乂乂 i」x_l J "7l汰寸jiL刀又Mi;^逸:J牛厭幾l^J^口、J寸l別l口J ; tiA/X 利用隨著該尋址放電而形成在該區域的發光管內壁上的壁電荷，使顯示電極對14發生顯示放電的維持期間。圖8是示出圖1所示發光管陣列的電極與驅動器(驅動電路)的連接 狀態的說明圖。在該圖8中，標號l是發光管陣列；標號81是向兼用作掃 描電極的顯示電極14y施加掃描電壓的掃描驅動器；標號82是分別向顯 示電極14x以及顯示電極14y施加維持放電用的電壓的維持驅動器；以及 標號83是向尋址電極15施加電壓的尋址驅動器。如圖8所示，兼用作掃描電極的顯示電極14y經由掃描驅動器81而與 維持驅動器82相連，顯示電極14x與維持驅動器82相連，此外，尋址電 極15與尋址驅動器83相連，並由各個驅動器施加電壓。圖9是示出本發光管陣列1的層次顯示方法的說明圖。該圖9示出了 用於顯示一幅圖像的期間。該期間通常被稱為1幀(圖中的符號f)，但 有時1幀由多個場構成，因此下面將該期間作為1場來進行說明。另外， 圖9示出了作為層次顯示方法而具有代表性的ADS子場法的幀結構，為 了應用到實際的顯示面板中並得到優異的圖像質量，有時進一步細分期間 來施加電壓。本發光管陣列1的層次顯示方法採用本領域通常使用的公知的方法， 例如在三電極平面放電反射型等離子顯示裝置中使用的方法。簡要說明的話，1幀f由加權為1: 2: 4: 8: 16: 32: 64: 128的期間不同的八個子場sfl至sf8構成。另外，每個子場包括復位期間Tr， 在該期間Tr調整與構成畫面的所有的單元對應的發光管13的內壁上的壁 電荷狀態，以使在接下來的尋址期間發生的放電均勻；尋址期間Ta，在該 期間Ta在與被要求發光的單元對應的發光管13的內壁上形成壁電荷來存 儲數據；以及維持期間Ts，在該期間Ts維持通過所述尋址期間Ta而形成 壁電荷的單元的發光。在AC型驅動的發光管陣列中，為了指定發光的單元或進行發光顯 示，而使用在界定單元的發光管內壁上積累壁電荷的方法。積累所述壁電 荷的主要部分是發光管內壁的與顯示電極14y相對的部位、和發光管內壁 的與尋址電極15相對的部位，從而在這些放電電極部之間發生放電。首先，在復位期間Tr，在所有單元的顯示電極14x與顯示電極14y之 間發生放電(復位放電)，從而使所有單元的壁電荷變為使得在接下來的 尋址期間Ta發生的放電均勻的狀態。然後在尋址期間Ta，將顯示電極 14y用作掃描電極，逐行施加掃描脈衝，並與此同步地向尋址電極15施加 尋址脈衝，由此使得進行發光的單元的顯示電極14y與尋址電極15的正 交部附近的發光管內部發生放電，在選擇單元上形成壁電荷。在復位期間 Tr，也可以還對尋址電極15施加電壓來調整壁電荷量。此外，在維持期間Ts，通過向相鄰的顯示電極14x和顯示電極14y交替地施加具有僅使形成有壁電荷的單元發生放電的電壓的維持脈衝，來發 生顯示放電，維持單元的發光。子場sfn內的維持期間Ts的長度根據子場sfn的權重而預先確定，在 維持期間Ts，向顯示電極14x與顯示電極14y之間施加與權重相當的數量 的用於維持放電的維持脈衝。從而，通過選擇與亮度相應的發光維持次數 的子場sfn，可表現出所顯示圖像的濃淡層次。圖9示出了將子場sfn按照維持脈衝數少的順序(權重小的順序)配 置的例子，但也可以任意地改變子場sfn的排列順序。另外，對引發用於在被要求在尋址期間Ta發光的單元上形成壁電荷 的尋址放電的情況進行了說明，這是在發光單元的指定中採用了所謂的寫 入尋址方式的例子，但也可以採用下述的消去尋址方式來指定被要求發光的單元，即在復位期間Tr形成使得所有單元在維持期間Ts放電的壁電荷狀態，然後進行用於消去不被要求發光的單元的壁電荷的尋址放電。 接下來對本發明驅動方法的實施例進行說明。 (實施例)圖10中的(a) 、 (b) 、 (c)示出了在一個子場中向顯示電極 14x、顯示電極14y、以及尋址電極15施加的電壓波形。圖10中的(a) 示出了向兼用作掃描電極的一個顯示電極14y施加的電壓波形，圖10中 的(b)示出了向與顯示電極14y構成一對來進行顯示放電的一個顯示電 極14x施加的電壓波形，圖10中的(c)示出了向一個尋址電極15施加的rH rr" 、M tvz在復位期間Tr，向顯示電極14x與顯示電極14y幾乎同時施加復位脈 衝101和102，所述復位脈衝101和102具有使所述顯示電極14x與14y 的電位差大於放電開始電壓V3的正極性電壓。在尋址期間Ta，向顯示電 極14y依次施加掃描脈衝103，同時向尋址電極15施加用於指定單元的尋 址脈衝104。在維持期間Ts，首先向顯示電極14y施加第一維持脈衝*， 該第一維持脈衝fp具有比接下來反覆施加的維持脈衝Vs的電壓V2高的 電壓VI。電壓VI優選為電壓V2的1.3倍以上，例如在維持脈衝Vs為 200V的情況下，第一維持脈衝fp為260V以上。如此，通過使第一維持脈衝*的電位高於後續的維持脈衝Vs的電 位，容易在維持期間TS引發第一次放電。在施加第一維持脈衝fp以後，向顯示電極14x和顯示電極14y交替地 施加同電位的維持脈衝Vs。地電位(GND)為本發光管陣列1的基準電 位。另外，基準電位並不限於地電位(O伏特)。下面對各個期間的電壓施加和隨之變化的壁電荷的狀況進行說明。在 復位期間Tr向顯示電極14y和14x施加的復位脈衝101、 102是為了以下 目的而施加的消去在前一子場中發光的單元上積累的壁電荷，從而使所有單元變為均勻的壁電荷狀態(幾乎為0的狀態)。若施加復位脈衝101和102，則在復位脈衝101和102的上升沿，在與顯示電極14x和顯示電 極14y之間的位置相應的發光管的內壁發生很大的放電，形成大量的壁電 荷，然後在所述大量的壁電荷中產生電場，其電位差超過放電開始電壓， 從而引發所謂的自消去放電。由此，電極附近內壁以及螢光體層上的壁電 荷在空間中被中和消去，其結果，單元內的電荷幾乎變為0。此外，上述 復位期間中的施加波形除此之外還有若干變形例，可以使用圖3所示那樣 的其電壓緩慢上升直至超出放電開始電壓的斜波，或者使用將電壓上升的 斜波和接在其後以逆相位減少電壓的斜波組合而成的波形等，由此來將壁 電荷設置成初始狀態。在施加復位脈衝101、 102之後，在尋址期間Ta，向顯示電極14y施 加負極性的掃描脈衝103。當進行所述施加時，如果向尋址電極15施加正 極十生的尋i止E/](衝104， 貝b'/丁尤會在禾n顯不電極i4y與尋址電IS 15的父點X寸/變 的單元引發用於指定單元的寫入放電(尋址放電)。在尋址期間Ta，由於 向顯示電極14y施加與地電位相比極性為負的電壓，因而在尋址放電後， 會在與顯示電極14y相對的發光管的內壁上積累正的壁電荷。該單元成為 發光單元。另一方面，當向顯示電極14y施加了掃描脈衝103時，如果尋址電極 15為地電位就不會引發寫入放電，因而不積累壁電荷，該單元成為非發光 單元。在維持期間Ts，如果向顯示電極14y施加與掃描脈衝103相反的正極 性的第一維持脈衝fp，則會在放電空間中產生有效電壓差，該有效電壓差 是相加由在尋址放電TA的放電中積累的壁電荷而形成的電位差和第一維 持脈衝的電壓VI而得的。如果預先進行設定，以使所述有效電壓差比放 電開始電壓V3大很多，或者更優選使第一維持脈衝的電壓VI稍低於放電 開始電壓V3，則容易引發維持期間TS的第一次放電。作為一個例子，可 預先將第一維持電壓設定為260V，將放電開始電壓V3設定為270V。當 然，由於後續的維持脈衝Vs與通過維持期間TS中的放電而積累的壁電荷 之間的有效電壓差也需要超過放電開始電壓V3，因而例如將維持電壓V2設為200V (使壁電荷具有80V左右的電位的設計)。如圖10中的(c)所示，本實施例在維持放電的維持期間Ts，將尋址 電極15的電位保持在地電位。在本實施例中，將基準電位設定為地電 位，但該電位並不僅限於地電位，也可以賦予微小的電位，以便在維持期 間Ts中高效地進行平面放電。g口，只要顯示電極14y或14x的電位與由壁 電荷形成的電位之間的有效電位差超出放電開始電壓V3即可。為了維持維持期間內的放電，如圖10中(a)禾H (b)所示，向顯示電 極14y和14x交替地反覆施加維持脈衝Vs。通常，在發光管陣列1的維持期間Ts施加的維持脈衝Vs (V2)約為 200 240伏特，在尋址期間Ta施加的尋址脈衝104約為100伏特。通過採用本實施例，只要在尋址期間Ta至少蓄積了壁電荷，就可以 通過施加作為維持期間的最初的脈衝的、具有後續的維持脈衝的1.3倍以 上的波峰值的第維持脈衝fp，來發生放電。當然，優選將第一維持脈衝 fp的電位VI設定得比放電開始電壓V3稍低，以使在沒有積累壁電荷的單 元中不發生放電。通過這樣進行驅動，可減少發光管陣列1在維持期間Ts 發生的放電錯誤。在圖10中，將開頭脈衝的波峰值設定得比後續的維持脈衝Vs高，但 對於開頭幾個脈衝，也可以施加波峰值從開頭脈衝緩慢減小的脈衝，以達 到V2的波峰值。作為維持期間Ts中的第一維持脈衝fy的波形可以考慮各種各樣波 形，在圖ll至圖17中示出了其應用例。圖ll至圖17的復位期間Tr和尋 址期間Ta與圖IO的相同，因此在圖11至圖17中省略對它們的說明。圖11所示的波形是在維持期間Ts將第一維持脈衝*的脈衝寬度設定 得比後續的維持脈衝Vs的脈衝寬度寬的波形。當這樣加寬維持脈衝寬度 時，電壓施加的時間變長，放電機率變高。第一維持脈衝fp的寬度優選為 維持脈衝Vs的寬度的2倍以上。但是，如果擴大整個維持期間Ts的所有維持脈衝的脈衝寬度，則驅 動時間變長，無法提高頻率(維持脈衝施加次數)，從而會引發阻礙亮度 和濃淡層次的顯示的問題。在本發明中，通過擴大維持期間Ts中的開頭脈衝的寬度，能夠減少放電錯誤，並且不會阻礙亮度和濃淡層次的顯示。圖12示出了將維持期間TS的第一維持脈衝fp的波峰值設定得比後續 的維持脈衝VS高，並將第一維持脈衝*的脈衝寬度設定得比後續的維持脈衝Vs寬的波形。圖13示出了下述的波形，在維持期間TS中的其第一維持脈衝*的波峰值具有兩個值，其中，第一維持脈衝*的前半部分具有與後續的脈衝相同的波峰值，後半部分具有比前半部分高的波峰值。當使用圖10至圖12 的波形時，在驅動電壓低的單元中，可能會不管是否為應發光的單元而都 發光的誤放電，因此，如圖13所示那樣錯開附加電壓(V1—V2)的施加 定時。由此，驅動電壓低的單元通過電壓V2 (第一維持脈衝fp的前半部 分)而放電並形成逆極性的壁電荷，因此不能在施加附加電壓的後半部分 時放電，當然也不會在施加後續的維持脈衝Vs時放電。施加在顯示電極14x上的波形。不用說在該波形的情況下也可獲得與圖13 相同的效果。圖15示出了將維持期間Ts中的開頭兩個脈衝的寬度設定得比後續的 維持脈衝Vs的寬度寬的波形。在圖15中，向顯示電極14y施加的第一維 持脈衝&與向顯示電極14x施加的第二維持脈衝sp的脈衝寬度被設定得 比後續脈衝的寬度寬。此外，第一維持脈衝*的寬度與第二維持脈衝sp 的寬度相等，但由於在施加第一維持脈衝*來進行放電時提高了放電穩定 性，因而也可以使第二維持脈衝sp的寬度窄於第一維持脈衝的寬度。 也可以從開頭脈衝開始依次施加寬度如上述逐漸變窄的維持脈衝。圖16示出了下述的波形，在維持期間Ts中的其第一維持脈衝fj)的波 峰值和第二維持脈衝sp的波峰值分別具有兩個值，並且每個脈衝的後半部 分的波峰值高於前半部分的波峰值。在該圖16中，也可以使第一維持脈 衝sp的寬度窄於第一維持脈衝fj)的寬度。當然，也可以將第二維持脈衝 sp的波峰值設定得比第一維持脈衝*小。圖17示出了將圖16中的附加電壓(V4、圖16中的V1—V2)施加在 另一個顯示電極上的波形。不用說，在該波形的情況下也可以獲得與圖16相同的效果。工業實用性本發明涉及發光管陣列的驅動方法，所述發光管陣列包括形成有顯示 電極對的前面基板、形成有尋址電極的背面基板、以及夾在所述兩個基板 之間的多個發光管，本發明尤其涉及用於進行放電錯誤少的存儲顯示的驅 動方法的改進。
權利要求
1.一種發光管陣列的驅動方法，該發光管陣列在前面基板和背面基板所夾持的發光管的內壁上配置螢光體層並封入放電氣體，在所述前面基板和所述背面基板上形成用於使所述發光管內部發生放電的多個電極，在對界定於所述發光管內部的放電單元進行選擇性尋址的尋址期間和使所述放電單元同時進行顯示的維持期間，以分時方式進行驅動，所述驅動方法的特徵在於，所述維持期間中的最初施加的維持脈衝的寬度大於後續的維持脈衝的寬度。
2. 根據權利要求1所述的發光管陣列的驅動方法，其特徵在於， 所述最初施加的維持脈衝的寬度為後續反覆施加的維持脈衝的寬度的21昔以上。
3. —種發光管陣列的驅動方法，該發光管陣列在前面基板和背面基板 所夾持的發光管的內壁上配置螢光體層並封入放電氣體，在所述前面基板 和所述背面基板上形成用於使所述發光管內部發生放電的多個電極，在對 界定於所述發光管內部的放電單元進行選擇性尋址的尋址期間和使所述放 電單元同時進行顯示的維持期間，以分時方式進行驅動，所述發光管陣列 的驅動方法的特徵在於，所述維持期間中的最初施加的維持脈衝的波峰值高於後續反覆施加的 維持脈衝的波峰值。
4. 根據權利要求3所述的發光管陣列的驅動方法，其特徵在於， 所述最初施加的維持脈衝的波峰值為後續反覆施加的維持脈衝的波峰值的1.3倍以上。
5. 根據權利要求1或3中任一項所述的發光管陣列的驅動方法，其特 徵在於，所述最初施加的維持脈衝的波峰值在脈衝的後半部分變高。
全文摘要
在具有ADS子場式驅動的發光管陣列中，在前面基板和背面基板所夾持的發光管的內壁上配置了螢光體層並封入放電氣體，並在所述前面基板和所述背面基板上形成了用於使所述發光管內部發生放電的多個電極。在這種發光管陣列中存在如下問題由於放電空間的範圍與等離子體顯示面板相比非常大，並由於放電空間被發光管隔開，而發生放電錯誤，從而本應發光的單元不發光。發明人發明了一種具有上述結構並進行ADS子場式驅動的發光管陣列的驅動方法，該方法通過對維持期間的最初的脈衝的電位以及作為施加時間的寬度加以改進來防止放電錯誤。
文檔編號G09G3/298GK101283390SQ2005800514
公開日2008年10月8日 申請日期2005年9月1日 優先權日2005年9月1日
發明者平川仁, 石本學, 粟本健司 申請人:筱田等離子有限公司