半導體製造裝置、半導體製造裝置的流量修正方法和程序的製作方法

2023-05-24 04:53:41

專利名稱：半導體製造裝置、半導體製造裝置的流量修正方法和程序的製作方法
技術領域：
本發明涉及由質量流量控制器等流量控制器控制氣體或液體的流量而對基板進行規定的處理的半導體製造裝置、流量修正方法、程序。
背景技術：
現有技術中，在用來製造半導體設備等的工序例如使用成膜氣體的成膜工序、使用蝕刻氣體的蝕刻工序等中，在將各種氣體或者液體供給到半導體製造裝置的情況下，在其供給流路上設置有流量控制器例如質量流量控制器(MFC)，由此來控制流量。
該質量流量控制器(MFC)，一般這樣構成供給流路，即，分流成設置有由發熱電阻線構成的作為流量傳感器的上遊側傳感器與下遊側傳感器的側流路以及與之並行的主流路。在上遊側傳感器處熱量被奪走而溫度降低，相反，在下遊側傳感器處熱量被賦予而溫度上升。結果，在上遊側傳感器與下遊側傳感器處產生溫度差，通過檢測該溫度差而可以檢測供給流路的流量。質量流量控制器(MFC)根據來自這種流量傳感器的輸出來控制流量調整閥的開度，由此，能夠將供給流路的流量調整成設定流量。
但是，在使用這種質量流量控制器(MFC)中，因流量傳感器所捲入的管路的汙染(腐蝕或生成物附著等)等，有時實際流量(實際上通過質量流量控制器的氣體的流量)偏離設定流量。例如，即使是實際流量零(0)的情況下，相當於由流量傳感器所檢測的流量的檢測電壓值也不為零(0)，往往稍微錯開而產生誤差(例如參照專利文獻1)。作為這種零點的錯位(零點漂移)，例如有隨著使用時間慢慢加大的傾向和輸出電壓對流量的變化比率(梯度)變動(變化範圍漂移)。在本說明書中，將這種零點漂移稱為基於使用的零點漂移(第一零點漂移)。
而且，質量流量控制器(MFC)有時因其設置姿勢的不同也發生根據氣體分子量或者壓力等的零點的錯位(零點漂移)。因在半導體製造裝置的小型化或配管系統的構成上或設置空間等的關係，質量流量控制器(MFC)的流量傳感器所卷設的側流部(與主流部平行的部分)有時必須設置成垂直姿勢。
可是，如果設置成垂直姿勢，則即使流體不在供給流路中流動，也在質量流量控制器(MFC)內例如在側流部與主流部之間因其溫度差而產生根據氣體的分子量或壓力的流動，有時發生零點的錯位(零點漂移)。該現象一般稱為熱虹吸現象(thermal siphon)(例如參照專利文獻2)。在本說明書中，將這種零點漂移稱為基於設置姿勢的零點漂移(第二零點漂移)，與上述基於使用的零點漂移(第一零點漂移)相區別。在產生該第二零點漂移的情況下，將第一零點漂移量加到其第二零點漂移量上，成為實際上可能產生的零點漂移量。這樣一來，有時在質量流量控制器(MFC)的零點漂移中，不僅包括第一零點漂移，還包括第二零點漂移。
專利文獻1日本特開2005-38058號公報專利文獻2日本特開平11-64060號公報在這種質量流量控制器(MFC)中，如果產生上述第一零點漂移、第二零點漂移等零點漂移，則因為供給流路中的氣體或液體的流量設定流量與實際流量偏離，因此，存在著其零點漂移量越大，則氣體或者液體等的供給流量控制的精度越低，對晶片W的處理的影響也變得不能忽視這樣的問題。
特別是，近年來，因為半導體器件等的圖形越來越微細化，各膜的膜厚也變得更薄，所以，在成膜工序、蝕刻工序等半導體製造工序中，希望能夠以更高的精度控制氣體或者液體等的供給流量。因此，對上述零點漂移的對策的重要性也增大。
這一點，例如在專利文獻1中，記載有在關閉設置在質量流量控制器(MFC)的上遊側和下遊側的截止閥的狀態下，也就是實際氣體(實際上通過質量流量控制器的氣體)不流動的狀態下檢測質量流量控制器(MFC)的輸出電壓(MFC輸出電壓)，通過修正其來以更高的精度控制氣體供給流量的技術。這樣一來，在例如質量流量控制器(MFC)以水平姿勢設置的情況下等不發生熱虹吸現象引起的第二零點漂移的情況，可以正確地檢測第一零點漂移。但是，在例如質量流量控制器(MFC)以垂直姿勢設置的情況下等根據條件而發生由於熱虹吸現象引起的零點漂移，所以有時無法足夠地進行零點修正。
即，在專利文獻1中，在檢測零點漂移時即使形成關閉設置在質量流量控制器(MFC)的上遊側和下遊側的截止閥的狀態，但是即使像這樣形成實際氣體不流動的狀態，在發生熱虹吸現象的情況下也發生第二零點漂移。而且，其第二零點漂移量因殘留於質量流量控制器(MFC)內的流體的有無、殘留的流體種類(分子量)以及壓力而不同。因此，即使單單在關閉截止閥的狀態下檢測零點漂移，在例如在殘留與基板處理時使用的氣體不同的氣體的狀態下檢測零點漂移的情況，由於其零點漂移量中所含有的第二零點漂移量與在基板處理時實際上可能產生的第二零點漂移量不同，所以無法正確地檢測在基板處理時實際上可能產生的第二零點漂移，有時無法足夠地進行零點修正。
此外，在專利文獻2中，記載有除了質量流量控制器(MFC)的側流部與主流部之外，設置有與側流部平行的平行流路，通過由加熱器加熱該平行流路，來防止熱虹吸現象引起的質量流量控制器(MFC)內部的流動的技術。但是，質量流量控制器(MFC)由各種製造商銷售，在用某個特定製造商的質量流量控制器(MFC)構成生產線的情況，存在著在將質量流量控制器(MFC)更換成其他公司的產品時，無法進行其調整的缺點。此外，設置有與質量流量控制器(MFC)的側流部平行的平行流路，並設置加熱器而使內部的構成複雜化，並且因質量流量控制器(MFC)的設置環境以及使用狀況，還有可能根據這些的加熱器的溫度控制成為必要等質量流量控制器(MFC)本身的控制複雜化。

發明內容
因此，本發明是鑑於上述問題而提出的，其目的在於提供一種通過正確地檢測基板處理時實際上可能發生的基於熱虹吸現象的零點漂移量而進行正確的修正，可以與流量控制器的設置姿勢無關而進一步提高流量控制的精度的半導體製造裝置、半導體製造裝置的流量修正方法、程序。
為了解決上述問題，根據本發明的一個方面，提供一種半導體製造裝置，其特徵在於，包括對基板實施用來製造半導體裝置的處理的處理部；將氣體供給到所述處理部內的氣體供給路；設置在所述氣體供給路，比較來自檢測所述氣體供給路的氣體流量的檢測部的輸出電壓與對應於預先設定的設定流量的設定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設定流量的流量控制器；分別設置在所述流量控制器的上遊側與下遊側的截止閥；以及在所述流量控制器中設定對應於由所述氣體供給路所供給的氣體的氣體流量的設定電壓的控制部，其中，所述控制部在實行基板處理前，預先至少利用在基板處理時所使用的氣體對所述流量控制器內進行置換並在關閉所述各截止閥的狀態下檢測來自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓儲存於存儲裝置，在實行基板處理時，基於儲存於所述存儲裝置的所述流量控制器的輸出電壓修正對應於基板處理時所使用的氣體的氣體流量的設定電壓，並在所述流量控制器中設定修正後的氣體流量的設定電壓。
為了解決上述課題，本發明另一方面提供一種半導體製造裝置的流量修正方法，其特徵在於其是利用比較來自檢測氣體供給路的氣體流量的檢測部的輸出電壓與對應於預先設定的設定流量的設定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設定流量的流量控制器，將氣體供給到處理部，對該處理部內的基板進行用來製造半導體裝置的處理的半導體製造裝置的流量修正方法，其中，包括在實行基板處理前，預先至少利用在基板處理時所使用的氣體對所述流量控制器內進行置換並在關閉設置於所述流量控制器的上遊側和下遊側的各截止閥的狀態下檢測來自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓作為零點漂移量儲存於存儲裝置中的零點漂移檢測工序；和在實行基板處理時，基於儲存於所述存儲裝置中的所述流量控制器的零點漂移量修正對應於基板處理時所使用的氣體的氣體流量的設定電壓，並在所述流量控制器中設定修正後的氣體流量的設定電壓的零點漂移修正工序。
如果利用這種裝置或方法，則可以正確地檢測在實際的基板處理時基於可能產生的熱虹吸現象的零點漂移量(第二零點漂移量)。即，因為基於熱虹吸現象的零點漂移量的大小因氣體種類(氣體的分子量)而異，因此，通過利用基板處理時所使用的氣體檢測基於熱虹吸現象的零點漂移量(第二零點漂移量)，而能夠正確地檢測實際的基板處理時可能產生的零點漂移量。
此外，在儲存檢測的基於熱虹吸現象的零點漂移量(第二零點漂移量)，實行基板處理時，通過修正對應於基板處理時所使用的氣體流量的設定電壓，而可以正確地修正第二零點漂移量。由此，可以與流量控制器的設置姿勢無關且正確地檢測並修正基於熱虹吸現象的零點漂移量。
為了解決上述課題，本發明另一方面提供一種半導體製造裝置，其特徵在於，包括對基板實施用來製造半導體裝置的處理的處理部；將多種氣體分別供給到所述處理部內的多個氣體供給路；分別設置在所述各氣體供給路上，比較來自檢測所述氣體供給路的氣體流量的檢測部的輸出電壓與對應於預先設定的設定流量的設定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設定流量的多個流量控制器；分別設置在所述各流量控制器的上遊側與下遊側的截止閥；以及在所述各流量控制器中設定對應於由所述各氣體供給路供給的氣體的氣體流量的設定電壓的控制部，其中，所述控制部在實行基板處理前，針對所述各流量控制器預先至少利用在基板處理時所使用的氣體對所述各流量控制器內進行置換並在關閉所述各截止閥的狀態下檢測來自所述流量控制器的輸出電壓，將針對各流量控制器的輸出電壓儲存於存儲裝置中，在實行基板處理時，基於針對所述各流量控制器儲存於所述存儲裝置中的輸出電壓，針對所述各流量控制器修正對應於基板處理時所使用的氣體種類的氣體流量的設定電壓，並在所述各流量控制器中分別設定修正後的氣體流量的設定電壓。
為了解決上述課題，本發明另一方面提供一種半導體製造裝置的流量修正方法，其特徵在於其是利用比較來自檢測氣體供給路的氣體流量的檢測部的輸出電壓與對應於預先設定的設定流量的設定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設定流量的多個流量控制器，將多種氣體供給到處理部，對該處理部內的基板進行用來製造半導體裝置的處理的半導體製造裝置的流量修正方法，其包括在實行基板處理前，預先至少利用在基板處理時所使用的氣體對所述流量控制器內進行置換並在關閉設置在所述流量控制器的上遊側和下遊側的各截止閥的狀態下檢測來自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓作為零點漂移量儲存於存儲裝置中的零點漂移檢測工序；以及在實行基板處理時，基於儲存於所述存儲裝置中的所述流量控制器的零點漂移量修正對應於基板處理時所使用的氣體的氣體流量的設定電壓，並在所述流量控制器中設定修正後的氣體流量的設定電壓的零點漂移修正工序。
如果利用這種裝置或方法，則在使用多個流量控制器向處理部供給多個氣體種類而進行基板處理的情況下，也可以針對各流量控制器正確地檢測在基板處理時基於實際上可能產生的熱虹吸現象的零點漂移量而進行可靠的修正。由此，可以與各流量控制器的設置姿勢無關而進一步提高流量控制的精度。
為了解決上述課題，本發明另一方面提供一種半導體製造裝置，其特徵在於，包括對基板實施用來製造半導體裝置的處理的處理部；將多種氣體分別供給到所述處理部內的多個氣體供給路；分別設置在所述各氣體供給路，比較來自檢測所述氣體供給路的氣體流量的檢測部的輸出電壓與對應於預先設定的設定流量的設定電壓，控制所述氣體供給路的氣體流量為設定流量的共同的流量控制器；分別設置在所述流量控制器的下遊側的所述各氣體供給路上的下遊側截止閥；設置在所述流量控制器的上遊側上的上遊側截止閥；以及在所述流量控制器中分別設定對應於由所述各氣體供給路所供給的各氣體種類的氣體流量的設定電壓的控制部，其中，所述控制部在實行基板處理前，針對基板處理時所使用的各氣體種類預先至少利用所述氣體對所述各流量控制器內進行置換並在關閉所述各截止閥的狀態下檢測來自所述流量控制器的輸出電壓，將針對各氣體種類的輸出電壓儲存於存儲裝置中，在實行基板處理時，基於儲存於所述存儲裝置中的針對各氣體種類的所述流量控制器的輸出電壓分別修正對應於基板處理時所使用的各氣體種類的氣體流量的設定電壓，並在所述流量控制器中分別設定修正後的氣體流量的設定電壓。
為了解決上述課題，本發明另一方面提供一種半導體製造裝置的流量修正方法，其特徵在於其是利用比較來自檢測氣體供給路的氣體流量的檢測部的輸出電壓與對應於預先設定的設定流量的設定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設定流量的流量控制器，將多種氣體供給到處理部，對該處理部內的基板進行用來製造半導體裝置的處理的半導體製造裝置的流量修正方法，其包括在實行基板處理前，針對基板處理時所使用的氣體種類預先至少利用所述氣體對所述各流量控制器內進行置換並在關閉設置在所述流量控制器的上遊側與下遊側的各截止閥的狀態下檢測來自所述流量控制器的輸出電壓，將針對各氣體種類的輸出電壓作為零點漂移量儲存於存儲裝置中的零點漂移檢測工序；和在實行基板處理時，基於儲存於所述存儲裝置中的針對各氣體種類的零點漂移量分別修正對應於基板處理中所使用的各氣體種類的氣體流量的設定電壓，並在所述流量控制器中設定修正後的氣體流量的設定電壓的零點漂移修正工序。
如果用這種裝置或方法，則在使用共同的流量控制器向處理部分別供給多個氣體種類而進行基板處理的情況下，也可以在基板處理時使用各氣體種類時正確地檢測基於實際上可能產生的熱虹吸現象的零點漂移量而進行可靠的修正。由此，可以與流量控制器的設置姿勢無關而進一步提高流量控制的精度。
為了解決上述課題，本發明另一方面提供一種半導體製造裝置，其特徵在於，包括對基板實施用來製造半導體裝置的處理的處理部；將氣體供給到所述處理部內的氣體供給路；設置在所述氣體供給路，比較來自檢測所述氣體供給路的氣體流量的檢測部的輸出電壓與對應於預先設定的設定流量的設定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設定流量的流量控制器；分別設置在所述流量控制器的上遊側與下遊側的截止閥；能夠對所述流量控制器內進行真空排氣的真空排氣裝置；以及在所述流量控制器中設定對應於由所述氣體供給路供給的氣體的氣體流量的設定電壓的控制部，其中，所述控制部在實行基板處理前，預先利用所述真空排氣裝置對所述流量控制器內進行真空排氣並在關閉所述各截止閥的狀態下作為第一零點漂移量檢測所述流量控制器的輸出電壓，基於該第一零點漂移量進行零點修正，之後，至少利用與基板處理時同樣的氣體對所述流量控制器內進行置換並在關閉所述各截止閥的狀態下檢測來自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓作為第二零點漂移量儲存於存儲裝置中，在實行基板處理時，利用所述真空排氣裝置對所述流量控制器內進行真空排氣並在關閉所述各截止閥的狀態下作為第一零點漂移量檢測所述流量控制器的輸出電壓，基於該第一零點漂移量進行零點修正，之後，基於儲存於所述存儲裝置的所述第二零點漂移量修正對應於基板處理中所使用的氣體的氣體流量的設定電壓，並在所述流量控制器中設定修正後的氣體流量的設定電壓。
為了解決上述課題，本發明另一方面提供一種半導體製造裝置的流量修正方法，其特徵在於其是利用比較來自檢測氣體供給路的氣體流量的檢測部的輸出電壓與對應於預先設定的設定流量的設定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設定流量的流量控制器，將氣體供給到處理部，對該處理部內的基板進行用來製造半導體裝置的處理的半導體製造裝置的流量修正方法，其包括在實行基板處理前，預先利用真空排氣裝置對所述流量控制器內進行真空排氣而在關閉所述各截止閥的狀態下作為第一零點漂移量檢測所述流量控制器的輸出電壓，並基於該第一零點漂移量進行修正，之後，至少利用與基板處理時同樣的氣體對所述流量控制器內進行置換並在關閉所述各截止閥的狀態下檢測來自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓作為第二零點漂移量儲存於存儲裝置的第二零點漂移檢測工序；和在實行基板處理時，利用真空排氣裝置對所述流量控制器內進行真空排氣並在關閉所述各截止閥的狀態下作為第一零點漂移量檢測所述流量控制器的輸出電壓，基於該第一零點漂移量進行零點修正，之後，基於儲存於存儲裝置中的所述第二零點漂移量修正對應於基板處理中所使用的氣體的氣體流量的設定電壓，並在所述流量控制器中設定修正後的氣體流量的設定電壓的第二零點漂移修正工序。
如果利用這種裝置或方法，則由於在檢測基於熱虹吸現象的第二零點漂移量進行修正前，檢測基於流量控制器的使用的第一零點漂移量進行修正，所以可以不影響第一零點漂移，正確地檢測基於熱虹吸現象的第二零點漂移量。而且，在檢測第一零點漂移量時，不僅關閉流量控制器的各截止閥而形成實際氣體不流動的狀態，而且由於對流量控制器內進行真空排氣所以成為在流量控制器內沒有可能產生流動的流體本身的真空狀態。因此，由於不發生熱虹吸現象，所以可以在沒有基於該熱虹吸現象的第二零點漂移的狀態下檢測第一零點漂移量。由此，可以正確地檢測第一零點漂移量。
此外，在實行基板處理時，也是由於在修正基於熱虹吸現象的第二零點漂移量前，檢測基於流量控制器的使用的第一零點漂移而進行修正，所以可以不影響第一零點漂移而可靠地修正基於熱虹吸現象的第二零點漂移量。由此，可以與流量控制器的設置姿勢無關而進一步提高流量控制的精度。
為了解決上述課題，本發明另一方面提供一種半導體製造裝置，其特徵在於，包括對基板實施用來製造半導體裝置的處理的處理部；將氣體供給到所述處理部內的氣體供給路；設置在所述氣體供給路，比較來自檢測所述氣體供給路的氣體流量的檢測部的輸出電壓與對應於預先設定的設定流量的設定電壓，控制所述氣體供給路的氣體流量為設定流量的流量控制器；分別設置在所述流量控制器的上遊側與下遊側的截止閥；能夠對所述流量控制器內進行真空排氣的真空排氣裝置；以及在所述流量控制器中設定對應於由所述氣體供給路供給的氣體的氣體流量的設定電壓的控制部，其中，所述控制部在實行基板處理前，預先利用所述真空排氣裝置對所述流量控制器內進行真空排氣並在關閉所述各截止閥的狀態下作為第一零點漂移量檢測所述流量控制器的輸出電壓，基於該第一零點漂移量進行零點修正，之後，至少利用與基板處理時同樣的氣體對所述流量控制器內進行置換並在關閉所述各截止閥的狀態下檢測來自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓作為第二零點漂移量儲存於存儲裝置，在實行基板處理時，利用所述真空排氣裝置對所述流量控制器內進行真空排氣並在關閉所述各截止閥的狀態下作為第一零點漂移量檢測所述流量控制器的輸出電壓，基於將對應於基板處理中所使用的氣體流量的設定電壓儲存於所述存儲裝置中的所述第二零點漂移量和實行基板處理時所檢測的所述第一零點漂移量進行零點修正，在所述流量控制器中設定修正後的氣體流量的設定電壓。
為了解決上述課題，本發明另一方面提供一種半導體製造裝置的流量修正方法，其特徵在於其是利用比較來自檢測氣體供給路的氣體流量的檢測部的輸出電壓與對應於預先設定的設定流量的設定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設定流量的流量控制器，將氣體供給到處理部，對該處理部內的基板進行用來製造半導體裝置的處理的半導體製造裝置的流量修正方法，其中，包括在實行基板處理前，預先利用真空排氣裝置對所述流量控制器內進行真空排氣並在關閉所述各截止閥的狀態下作為第一零點漂移量檢測所述流量控制器的輸出電壓，基於該第一零點漂移量進行零點修正，之後，至少利用與基板處理時同樣的氣體對所述流量控制器內進行置換並在關閉所述各截止閥的狀態下檢測來自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓作為第二零點漂移量儲存於存儲裝置中的第二零點漂移檢測工序；和在實行基板處理時，利用真空排氣裝置對所述流量控制器內進行真空排氣並在關閉所述各截止閥的狀態下作為第一零點漂移量檢測所述流量控制器的輸出電壓，基於將對應於基板處理所使用的氣體的氣體流量的設定電壓儲存於所述存儲裝置中的所述第二零點漂移量和實行基板處理時檢測到的所述第一零點漂移量進行修正，並在所述流量控制器中設定修正後的氣體流量的設定電壓的第二零點漂移修正工序。
如果利用這種裝置或方法，則因為在實行基板處理時，檢測第一零點漂移量與第二零點漂移量，基於第一零點漂移量與第二零點漂移量的兩方修正對應於基板處理時所使用的氣體流量的設定電壓，故可以同時修正第一零點漂移量與第二零點漂移量。由此，可以與流量控制器的設置姿勢無關而進一步提高流量控制的精度。
此外，也可以在每當檢測第一零點漂移量的同時還將累計的第一零點漂移量儲存於上述存儲裝置中，在檢測所述第一零點漂移量時，在將該第一零點漂移量加到直到上一次為止所累計的第一零點漂移量的值超出預定的閾值的情況進行報知處理。由此，可以告知流量控制器的故障或更換時期等。
為了解決上述課題，本發明另一方面提供一種程序，其特徵在於其是用來實行利用比較來自檢測氣體供給路的氣體流量的檢測部的輸出電壓與對應於預先設定的設定流量的設定電壓，控制所述氣體供給路的氣體流量為設定流量的流量控制器，將氣體供給到處理部，對該處理部內的基板進行用來製造半導體裝置的處理的半導體製造裝置的流量修正處理的程序，其中，在計算機中實行在實行基板處理前，預先至少利用基板處理時所使用的氣體對所述流量控制器內進行置換並在關閉設置在所述流量控制器的上遊側和下遊側的各截止閥的狀態下檢測來自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓作為零點漂移量儲存於存儲裝置中的零點漂移檢測處理，以及在實行基板處理時，基於儲存於所述存儲裝置中的所述流量控制器的零點漂移量修正對應於基板處理時所使用的氣體的氣體流量的設定電壓，並在所述流量控制器中設定修正後的氣體流量的設定電壓的零點漂移修正處理。
如果利用這種程序，則可以正確地檢測在實際的基板處理時可能發生的基於熱虹吸現象的零點漂移量(第二零點漂移量)，能夠可靠地進行可以修正的流量控制處理。
為了解決上述課題，本發明另一方面提供一種程序，其特徵在於其是用來實行利用比較來自檢測氣體供給路的氣體流量的檢測部的輸出電壓與對應於預先設定的設定流量的設定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設定流量的流量控制器，將氣體供給到處理部，對該處理部內的基板進行用來製造半導體裝置的處理的半導體製造裝置的流量修正處理的程序，其中，在計算機中實行在實行基板處理前，預先利用真空排氣裝置對所述流量控制器內進行真空排氣並在關閉所述各截止閥的狀態下作為第一零點漂移量檢測所述流量控制器的輸出電壓，基於該第一零點漂移量進行零點修正，之後，至少利用與基板處理時同樣的氣體對所述流量控制器內進行置換並在關閉所述各截止閥的狀態下檢測來自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓作為第二零點漂移量儲存於存儲裝置中的第二零點漂移檢測處理；以及在實行基板處理時，利用真空排氣裝置對所述流量控制器內進行真空排氣並在關閉所述各截止閥的狀態下作為第一零點漂移量檢測所述流量控制器的輸出電壓，基於該第一零點漂移量進行零點修正，之後，基於儲存於所述存儲裝置中的所述第二零點漂移量修正對應於基板處理中所使用的氣體的氣體流量的設定電壓，並在所述流量控制器中設定修正後的氣體流量的設定電壓的第二零點漂移修正處理。
如果利用這種程序，則可以實行能夠在沒有第二零點漂移量的影響的狀態下正確地檢測並修正流量控制器的基於使用的第一零點漂移量，並且可以在沒有第一零點漂移量的影響的狀態下正確地檢測並修正基於熱虹吸現象的第二零點漂移量的流量控制處理。
如果利用本發明，則可以正確地檢測基板處理時可能產生的基於熱虹吸現象的零點漂移量而進行可靠修正。由此，可以與流量控制器的設置姿勢無關而更加提高流量控制的精度。此外，可以與流量控制器的構成無關而正確地檢測並修正基於熱虹吸現象的零點漂移量。


圖1是表示根據本發明的第一實施方式的半導體製造裝置的構成例的方框圖。
圖2是表示圖1中所示的質量流量控制器的構成例的圖。
圖3是表示第二零點漂移量與氣體種類的關係的圖。
圖4是表示圖1中所示的控制部的構成例的方框圖。
圖5是表示該實施方式中的第一零點漂移信息的具體例的圖。
圖6是表示該實施方式中的第二零點漂移信息的具體例的圖。
圖7是表示流量修正處理的程序框圖。
圖8是表示第一零點漂移處理的程序框圖。
圖9是表示第一零點漂移處理的程序框圖。
圖10是表示第二零點漂移處理的程序框圖。
圖11是表示第二零點漂移處理的程序框圖。
圖12是表示根據本發明的第二實施方式的半導體製造裝置的具體例的方框圖。
圖13是表示該實施方式中的第一零點漂移信息的具體例的圖。
圖14是表示該實施方式中的第二零點漂移信息的具體例的圖。
標號說明100熱處理裝置；110熱處理部；112反應管；114保持120排氣系統；122排氣管；124真空排氣裝置；130旁路管線；132旁通管；134排氣側旁通截止閥；136供給側旁通截止閥；200氣體供給系統；202氣體供給管；204主閥；210(210A～210D)氣體供給路；212(212A～212D)氣體供給管；220(220A～220D)氣體供給源；222(222A～222D)調壓閥；224(224A～224D)壓力計；230(230A～230D)第一截止閥(上遊側截止閥)；240(240A～240C)質量流量控制器(MFC)；241主流路；242側流路；243上遊側傳感器；244下遊側傳感器；245旁通路；246控制閥(流量調整閥)；247MFC控制電路；250(250A～250C)第二截止閥(下遊側截止閥)；260(260A～260D)單向閥；262(262A～262C)截止閥；300控制部；310CPU；320RAM；330顯示裝置；340輸入輸出裝置；350報知裝置；360各部控制器；370程序數據存儲裝置；371加工處理程序；372流量修正處理程序；373第一零點漂移檢測處理程序；374第一零點漂移檢測處理程序；375第二零點漂移檢測處理程序；376第二零點漂移修正處理程序；380處理數據存儲裝置；381加工處理信息；382流量修正信息；W晶片。
具體實施例方式
以下，參照附圖對本發明的最佳實施方式詳細地進行說明。其中，在本說明書和附圖中，對實質上具有相同結構的構成要素，標註同一標號並省略其重複的說明。
(根據第一實施方式的半導體製造裝置的構成例)首先，根據第一實施方式的半導體製造裝置並參照附圖來對本發明進行說明。這裡，作為半導體製造裝置，以對基板例如半導體晶片(以下單稱為「晶片」)進行規定熱處理的熱處理裝置為例進行說明。圖1是表示根據第一實施方式的熱處理裝置的構成例的圖。熱處理裝置100具有作為對晶片W進行處理(例如熱處理)的處理部的熱處理部110。如圖1所示，熱處理部110例如由構成反應容器(處理容器)或者反應室(處理室)的縱型反應管112所構成。成為能夠將搭載有多張晶片W的保持具114搬入到該反應管112內。在該熱處理部110中，包括對反應管112內進行排氣的排氣系統120、用來將規定的氣體供給到反應管112內的氣體供給系統200、以及配置於反應管112的外側的圖未示出的加熱裝置(例如加熱器)。
熱處理部110，在將搭載有多張晶片W的保持具114搬入到反應管112內的狀態下，由氣體供給系統200將規定的氣體供給到反應管112內，並且由排氣系統120進行反應管112內的排氣，同時，通過利用加熱裝置從反應管112的外側進行的加熱來對晶片W進行規定的熱處理。
排氣系統120例如將由真空泵等所構成的真空排氣裝置124經由排氣管122連接於反應管112的頂部而構成。氣體供給系統200連接用來將多種氣體分別供給到例如氣體供給管202的各氣體供給路210A～210D而構成。氣體供給管202經由主閥204而連接於反應管112的下方側面。
此外，排氣系統120的排氣管122經由旁通管130迂迴連接於氣體供給系統200的氣體供給管202。旁通管130在氣體供給管202中的各氣體供給路210A～210D的連接部的下遊側、主閥204的上遊側的部位連接旁通管132而構成。在旁通管132的排氣系統120側連接著排氣側旁通截止閥134，在旁通管132的氣體供給系統200側連接著供給側旁通截止閥136。
此處，對氣體供給系統200的各氣體供給路210A～210D進行說明。在圖1所示的熱處理裝置100中，以能夠將四種氣體(SiH4氣體、Si2H6氣體、SiH2Cl2氣體、N2氣體)供給到反應管112的情況為例。在這些氣體當中，SiH4氣體、Si2H6氣體、SiH2Cl2氣體主要作為反應氣體使用，N2氣體主要作為用來吹洗各氣體供給路210A～210D以及反應管110的吹洗氣體使用。
這樣，對作為反應氣體而使用的SiH4氣體、Si2H6氣體、SiH2Cl2氣體的氣體供給路210A～210C而言，同樣地構成。即，各氣體供給路210A～210C分別具有針對SiH4氣體、Si2H6氣體、SiH2Cl2氣體的氣體供給源220A～220C，各氣體供給源220A～220C連接成分別經由氣體供給管212A～212C而合流於氣體供給管202。
在各氣體供給路210A～210C的氣體供給管212A～212C上，作為用來調整來自氣體供給源220A～220C的流量的流量控制器之一例而設置有質量流量控制器(MFC)240A～240C。這裡的質量流量控制器(MFC)240A～240C也可以分別使用不同容量。例如，質量流量控制器(MFC)分別使用500cc、3000cc、2000cc的容量。
在各質量流量控制器(MFC)240A～240C的上遊側和下遊側分別設置有第一截止閥(上遊側截止閥)230A～230C、第二截止閥(下遊側截止閥)250A～250C。通過關閉第一截止閥230A～230C、第二截止閥250A～250C的雙方，而可以阻斷各質量流量控制器(MFC)240A～240C中流體的流動(在本具體例中為氣體的流動)。即，能夠使實際上通過各質量流量控制器(MFC)240A～240C的氣體流量為0。
而且，如圖1中所示，也可以在氣體供給源220A～220C與第一截止閥(上遊側截止閥)230A～230C之間，設置調節器222A～222C與壓力計(PT)224A～224C。
另一方面，作為吹洗氣體所使用的N2氣體的氣體供給路210D具有N2氣體的氣體供給源210D，可以將來自該氣體供給源210D的N2氣體經由其他各氣體供給路210A～210C的質量流量控制器(MFC)240A～240C、第二截止閥250A～250C而向反應管112供給。由此，對於N2氣體而言，因為可以利用質量流量控制器(MFC)240A～240C，所以沒有必要個別地設置質量流量控制器(MFC)。
具體地說，N2氣體的氣體供給源220D由氣體供給管212D分別經由單向閥260A～260C、截止閥262A～262C而連接於各氣體供給路210A～210C的第一截止閥230A～230C與質量流量控制器(MFC)240A～240C之間。此外，在氣體供給路210D的氣體供給管212D上，與其他氣體供給路210A～210C同樣，連接著調節器222D、壓力計(PT)224D、第一截止閥(上遊側截止閥)230D。而且，在由質量流量控制器(MFC)240A～240C來控制N2氣體的流量的情況下，也可以將上述截止閥262A～262C作為設置在質量流量控制器(MFC)的上遊側的第一截止閥(上遊側截止閥)而控制。
這裡，參照附圖對質量流量控制器(MFC)進行說明。圖2是表示根據本發明的質量流量控制器(MFC)的構成例的圖。因為質量流量控制器(MFC)240A～240C是同樣的構成，因此，從表示各構成要素的標號中省略A～C而典型地進行說明。因而，例如質量流量控制器(MFC)240這樣的情況表示各質量流量控制器(MFC)240A～240C。
如圖2中所示，質量流量控制器(MFC)240在其內部具有在氣體供給管212上分流的主流路241與側流路242。具體地說，在質量流量控制器(MFC)240內，從氣體導入口所導入的來自氣體供給管212的氣體暫時由主流路241與側流部242所分流，然後再次合流，之後，經由作為流量調整部的控制閥(流量調整閥)246而從氣體導出口向氣體供給管212導出。
在側流部242上，設置有測量氣體供給管212內的流量用的流量傳感器。流量傳感器由設置在側流部242的上遊側的上遊側傳感器243和設置在側流部242的下遊側的下遊側傳感器244組成。上遊側傳感器243與下遊側傳感器244例如由發熱電阻線來構成。
在主流路241上設置有旁通路245。該旁通路245構成為使主流路241中的流量、溫度、壓力等成為與側流路242同樣的特性。由此，可以防止流量傳感器(上遊側傳感器243、下遊側傳感器244)中的測量誤差。
這種質量流量控制器(MFC)240的流量檢測原理如下所述。即，在上遊側傳感器243中，如果流體流動則帶走熱量從而溫度下降，相反，在下遊側傳感器244中帶來熱量從而溫度上升。結果，在上遊側傳感器243與下遊側傳感器244中產生溫度差，通過檢測根據該溫度差的輸出電壓(MFC輸出電壓)而可以檢測流量。
在質量流量控制器(MFC)240中設置有通過根據來自流量傳感器(上遊側傳感器243、下遊側傳感器244)的輸出來控制控制閥(流量調整閥)246的開度而將氣體供給管212的流量調整成設定流量的MFC控制電路247。MFC控制電路247，雖然圖未示出，但是除了由例如以上遊側傳感器243與下遊側傳感器244的電阻值之差作為電壓信號檢測的橋式電路和放大該電壓信號的放大電路組成的流量檢測部之外，還具有將作為設定流量接收的設定信號(設定電壓)與來自放大電路37的電壓進行比較，根據其比較結果(偏差)將用來調整控制閥246的開度的操作信號輸出到控制閥246的比較部等。
MFC控制電路247經由例如信號變換部(圖未示出)而連接於熱處理裝置100的控制部300。該信號變換部將來自質量流量控制器(MFC)240的模擬信號變換成數位訊號，將來自控制部300的數位訊號變換成模擬信號。
在由這種質量流量控制器(MFC)240進行流量控制的情況下，熱處理裝置100的控制部300以設定流量(設定電壓)作為流量設定指令向MFC控制電路247發送。於是，MFC控制電路247則控制氣體供給管212的流量使得成為上述設定信號(設定電壓)。此外，如果MFC控制電路247從熱處理裝置100的控制部300收到零點設定指令，則成為將當前的狀態設定成流量零。而且，如果MFC控制電路247收到來自熱處理裝置100的控制部300的流量檢測指令，則成為進行流量檢測並將其結果作為根據流量的MFC輸出電壓(例如以5V為滿量程(FS)的電壓檢測值)向控制部300發送。例如熱處理裝置100的控制部300基於來自MFC控制電路247的MFC輸出電壓來檢測第一零點漂移和第二零點漂移。
這種MFC控制電路247與熱處理裝置100的控制部300之間的數據的交換，經由例如GHOST網絡來進行。GHOST網絡是由設置在控制部300中的稱為GHOST(General High-Speed Opyimum ScalableTransceiver通用高速最佳可縮放收發器)的LSI來實現的網絡。稱為GHOST的LSI可以搭載於作為例如後述的各部控制器360而構成的MC(模塊控制器)的MC板。在GHOST網絡中可以連接多個I/O模塊。通過將各MFC控制電路連接於該I/O模塊的I/O部，而構築GHOST網絡。
可是，一般來說，質量流量控制器(MFC)，如已經敘述的那樣，在使用中有時實際流量脫離設定流量。例如即使是實際流量為零(0)的情況，相當於由流量傳感器(例如上遊側傳感器243、下遊側傳感器244)所檢測的流量的檢測電壓值也不為零(0)，往往稍微錯開而產生誤差。這種零點的錯開(零點漂移)如果是根據例如使用時間慢慢地加大的傾向，則有輸出電壓對流量的變化比率(斜率)變動的情況(量程漂移)。這裡，將這種零點漂移稱為基於使用的零點漂移(第一零點漂移)。
作為第一零點漂移產生的原因，例如，如果因製造商出廠時的環境溫度與用戶側的環境溫度而產生誤差，則可以考慮作為橋式電路的要素的線圈狀的發熱電阻線(傳感器)的包敷材料的歷時劣化或者剝離、發熱電阻線的線圈的鬆弛、電路部分的問題、電源電壓的變動、傳感器卷繞的管路的汙染(腐蝕或生成物附著)等。
如果產生這種第一零點漂移，則由於氣體流量在設定流量與實際流量中產生偏差，所以第一零點漂移的漂移量越大，則給予晶片W的處理的影響也越大。因此，在本實施方式中，進行定期地檢測以修正這種第一零點漂移的處理。
此外，質量流量控制器(MFC)，一般來說，有時還因其設置姿勢而發生根據氣體分子量或者壓力等的零點的錯開(零點漂移)。該情況下的零點漂移在水平地設置(例如橫置)的情況不發生。可是，如果水平以外的姿勢、例如垂直地設置(例如縱置、L字置)，則存在著發生的危險。在本說明書中，將這種零點漂移稱為基於設置姿勢的零點漂移(第二零點漂移)，與上述基於使用的零點漂移(第一零點漂移)相區別。
因為半導體製造裝置的小型化，或配管系統的構成上或設置空間等關係，例如，如圖2所示，質量流量控制器(MFC)240的上遊側傳感器243、下遊側傳感器244卷繞設置的側流部242(與主流部241平行的部分)有時不得不設置成垂直狀態(垂直姿勢)。可是，如果設置成垂直姿勢，則根據氣體的分子量或者壓力有時會發生第二零點漂移。該現象稱為熱虹吸現象。
這裡，參照圖2說明熱虹吸現象發生的原因。通過質量流量控制器(MFC)240的側流部242的氣體如果被上遊側傳感器243、下遊側傳感器244所加熱，則加熱的氣體在側流部242內上升，接著，在主流路241的旁通路245中被冷卻而下降，再次向側流部242返回。因此，在側流部242與主流路241之間產生氣體的循環流。因而，例如，如圖2中所示，在質量流量控制器(MFC)240其氣體導入口成為下方地設置的情況，氣體順向地流過上遊側傳感器243、下遊側傳感器244所卷繞設置的側流部242內而發生正的輸出，相反，在氣體導入口成為上方的情況，則發生負的輸出。雖然這裡舉出在質量流量控制器(MFC)240縱置地設置的情況產生熱虹吸現象的例子進行說明，但是，即使是質量流量控制器(MFC)240橫置地設置的情況，在例如因安裝誤差等而從水平傾斜地設置的情況也可能發生熱虹吸現象。
這種基於質量流量控制器(MFC)240的設置姿勢的零點漂移(第二零點漂移)，與上述基於質量流量控制器(MFC)的使用的零點漂移(第一零點漂移)不同，漂移量不因使用而變動，例如，如圖3中所示，其主要取決於設置姿勢、氣體種類(氣體的分子量)、以及壓力的固有值。
圖3例如是表示如圖2所示的縱置地設置的質量流量控制器(MFC)中的氣體種類與第二零點漂移量的關係的曲線圖。這裡，通過下面這種實驗，得到圖3中所示的曲線圖的實驗結果。首先，形成在質量流量控制器(MFC)內不產生流動的沒有流體本身的真空狀態，也就是不產生熱虹吸現象引起的第二零點漂移的狀態而確認零點位置的輸出電壓。接著，將分子量不同的氣體(例如SF6氣體、SiH2Cl2氣體、F2氣體、NH3氣體)分別供給到質量流量控制器(MFC)內後，作為上述輸出電壓的增加量測定第二零點漂移量。圖3是以百分率表示輸出電壓對滿量程(FS∶5V)的比率。因而，直方圖的直方越長則表示第二零點漂移量越大。
如果根據圖3，則查明按NH3氣體、F2氣體、SiH2Cl2氣體、SF6氣體的順序，也就是隨著分子量加大，基於設置姿勢的零點漂移(第二零點漂移)也加大。而且，這些基於設置姿勢的零點漂移(第二零點漂移)不因質量流量控制器(MFC)的使用而變動。
這樣一來，由於基於設置姿勢的零點漂移(第二零點漂移)取決於氣體種類(氣體的分子量)或壓力，所以，如果在例如將熱處理裝置100最初設置於工廠時或改變壓力條件等時檢測漂移量，則在以後運行熱處理裝置100時，只要考慮該漂移量確定氣體的流量即可。
因為如這樣第二零點漂移是因質量流量控制器(MFC)240的設置姿勢而產生，所以，例如以適當的定時進行第一零點漂移修正，也存在著因第二零點漂移而氣體的流量的設定流量與實際流量的偏差。而且，即使在檢測零點漂移時，將設置在質量流量控制器(MFC)240的上遊側和下遊側的截止閥230、250形成關閉狀態，也就是實際氣體不流動的狀態，在未將質量流量控制器(MFC)240內真空排氣的情況下，有時也產生熱虹吸現象。
在該情況下，如上所述，第二零點漂移量因殘留於質量流量控制器(MFC)內的流體的種類(分子量)或壓力而不同。因而，在單單關閉截止閥230、250的狀態下，即使檢測到零點漂移，在例如殘留與晶片處理時使用的氣體不同的氣體的狀態下檢測到零點漂移的情況，有時也無法正確地檢測在晶片處理時實際上可能產生的零點漂移，無法充分地進行零點修正。
因此，在本發明中，通過後述的流量修正處理正確地檢測並可靠地修正基於晶片處理時實際上可能產生的熱虹吸現象的零點漂移量(第二零點漂移量)，不考慮流量控制器的設置姿勢，可以更加提高流量控制的精度。
根據本實施方式的熱處理裝置100，實行這種包括針對第一零點漂移和第二零點漂移的檢測處理和修正處理的流量修正處理。上述流量修正處理由例如控制熱處理裝置100的各部的控制部300基於規定的程序來實行。
(控制部的構成例)進行上述流量修正處理的控制部300的構成例示於圖4。圖4是表示控制部300的具體構成例的方框圖。如圖4所示，控制部300包括構成控制部主體的CPU(中央處理裝置)310、設置有用於CPU 310進行的各種數據處理而使用的存儲區等的RAM(隨機存取存儲器)320、由顯示操作畫面或者選擇畫面等的液晶顯示器等所構成的顯示裝置330、能夠進行由操作者進行的過程方案的輸入或編輯等各種數據的輸入和向規定的記錄介質進行的過程方案或處理記錄的輸出等各種數據的輸出等的輸入輸出裝置340、在熱處理裝置100中發生異常時進行報知的警報器(例如蜂鳴器)等報知裝置350、以及基於來自CPU 310的指令控制熱處理裝置100的各部用的各部控制器360。各部控制器360具有基於例如CPU 310的指令將例如設定流量的設定指令、零點設置指令等控制信號發送到各質量流量控制器240等流量控制器的流量控制器控制器。對於設定流量而言，成為利用例如0～5V(FS滿量程)的設定電壓可以將質量流量控制器240的流量設定成0～100％。
此外，控制部300具有儲存用來實行熱處理裝置100的各種處理的處理程序的程序數據存儲裝置370、以及為了實行處理程序而儲存必要的信息(數據)的處理數據存儲裝置380。程序數據存儲裝置370、處理數據存儲裝置380可以構築於例如硬碟(HDD)等存儲區。CPU 310根據需要從程序數據存儲裝置370、處理數據存儲裝置380讀出所需的程序、數據等，以實行各種處理程序。
程序數據存儲裝置370具有對例如晶片W實行過程處理用的過程處理程序371、用來實行導入例如反應管112內的氣體流量的修正處理的流量修正處理程序372。過程處理程序371基於例如作為後述過程處理信息381的所儲存的氣體流量、壓力等過程方案來控制各部，並且將氣體導入到反應管112內，並且對晶片W實施作為過程處理的例如熱處理。
流量修正處理程序372主要包括第一零點漂移檢測處理程序373、第一零點漂移修正處理程序374、第二零點漂移檢測處理程序375、以及第二零點漂移修正處理程序376。第一零點漂移檢測處理程序373是檢測並存儲基於各質量流量控制器(MFC)240的使用的零點漂移量(第一零點漂移量)用的程序。第一零點漂移修正處理程序374是基於第一零點漂移量而進行第一零點漂移修正用的程序。第二零點漂移檢測處理程序375是檢測並存儲基於各質量流量控制器(MFC)240的設置姿勢的零點漂移量(第二零點漂移量)用的程序。第二零點漂移修正處理程序376是基於第二零點漂移量而進行第二零點漂移修正用的程序。
這些第一零點漂移檢測處理程序373、第一零點漂移修正處理程序374、第二零點漂移檢測處理程序375、第二零點漂移修正處理程序376可以作為例如流量修正處理程序的子程序而構成，此外，也可以作為單獨的程序來構成。而且，第一零點漂移檢測處理程序373、第一零點漂移修正處理程序374、第二零點漂移檢測處理程序375、第二零點漂移修正處理程序376也可以在過程處理程序371中在對質量流量控制器(MFC)240設定氣體流量時實行。
處理數據存儲裝置380具有儲存例如實行對晶片的過程處理所需的信息的過程處理信息381、儲存實行導入反應管112的氣體的流量修正處理所需的數據的流量修正信息382等。過程處理信息381儲存對晶片的過程處理的過程方案(例如氣體流量、壓力等)。
流量修正信息382包括儲存基於質量流量控制器(MFC)240的使用的第一零點漂移的漂移量的第一零點漂移信息383、以及基於質量流量控制器(MFC)240的設置姿勢的零點漂移的漂移量的第二零點漂移信息384。
(第一零點漂移信息的具體例)這裡，首先參照圖5說明第一零點漂移信息383的具體例。圖5是表示第一零點漂移信息383的數據表的具體例的圖。第一零點漂移信息383包括例如MFC(k)、第一零點漂移量(Ek)的項目。
在MFC(k)的項目中，儲存有進行第一零點漂移的檢測和修正的質量流量控制器(FMC)的種別。下標k是用來指定質量流量控制器(MFC)。在第一零點漂移量(Ek)的項目中，儲存有累積通過例如後述的第一零點漂移檢測處理所檢測的第一零點漂移量的第一零點漂移量Ek。
此外，在進行第一零點漂移的檢測和修正的質量流量控制器(MFC)有多個的情況下，在第一零點漂移信息383中，儲存有針對各質量流量控制器(MFC)的第一零點漂移量(Ek)。例如在圖1中所示那種構成的熱處理裝置100中，由於具有第一～第三質量流量控制器(MFC)240A～240C，所以，對於第一零點漂移信息383而言也是針對各質量流量控制器(MFC)240A～240C儲存第一零點漂移量E1～E3。而且，第一零點漂移信息383的項目不限於圖5中所示。
由於第一零點漂移量如上所述根據質量流量控制器(MFC)240的使用時問而變大，所以，在例如上述第一零點漂移量Ek的項目中儲存第一零點漂移量的累計值。即，每當檢測第一零點漂移量就將該第一零點漂移量加到直到前次為止的第一零點漂移量的累計值的值作為新的累計值更新並儲存。這種第一零點漂移量的累計值在例如各質量流量控制器(MFC)240A、240B、240C的異常判斷中使用。例如，如果第一零點漂移量的累計值脫離預先設定的閾值則進行報知處理。
(第二零點漂移信息的具體例)接下來參照圖6說明上述第二零點漂移信息384的具體例。圖6是表示第二零點漂移信息384的數據表的具體例的圖。第二零點漂移信息384包括例如MFC(k)、氣體種類(Gk)、壓力(Pk)、第二零點漂移量(Vk)的項目。
在MFC(k)的項目中，儲存進行第二零點漂移的檢測和修正的質量流量控制器(MFC)的種別。下標k用來指定質量流量控制器(MFC)。在氣體種類(Gk)的項目中，儲存利用質量流量控制器(MFC)控制流量的運用氣體(晶片處理時使用的氣體)。在壓力(Pk)的項目中，儲存利用質量流量控制器(MFC)控制流量的運用氣體的運用壓力(晶片處理時的壓力)。在第二零點漂移量(Vk)的項目中，儲存例如通過後述的第二零點漂移檢測處理所檢測的第二零點漂移量。
此外，在進行第二零點漂移的檢測和修正的質量流量控制器(MFC)有多個的情況下，在第二零點漂移信息384中，儲存針對各質量流量控制器(MFC)的氣體種類(Gk)、壓力(Pk)、第二零點漂移量(Vk)。在例如圖1中所示那種構成的熱處理裝置100中，由於具有第一～第三質量流量控制器(MFC)240A～240C，所以就第二零點漂移信息384而言也是與第一零點漂移信息383的情況同樣針對各質量流量控制器(MFC)240A～240C儲存第二零點漂移量V1～V3。而且，第二零點漂移信息384的項目不限於圖6中所示。
這種第二零點漂移量如上所述是根據質量流量控制器(MFC)240的設置姿勢、運用氣體種類(氣體的分子量)、運用壓力確定的固有的值。因而，在上述第二零點漂移量(Vk)的項目中，儲存在將例如熱處理裝置100最初設置於工廠的初始導入時通過第二零點漂移檢測處理所檢測的值。此外，優選是儲存其後每當有例如運用氣體種類、運用壓力等的變更的情況實行第二零點漂移檢測處理所檢測的值。這種第二零點漂移量的固有值，在例如將氣體導入反應管112內的情況下，對各質量流量控制器(MFC)240A、240B、240C進行設定流量的設定指令時使用。即，將按第二零點漂移量修正作為過程處理信息381的過程方案所儲存的設定流量的流量作為設定流量進行設定指令。由此，可以對供給到熱處理部110的實際氣體流量不給予第二零點漂移量的影響。
(流量修正處理的具體例)接下來，對利用質量流量控制器(MFC)進行流量控制的情況的流量修正處理的具體例進行說明。圖7是表示根據本實施方式的流量修正處理的主流程的程序框圖。在根據本實施方式的流量修正處理中，修正起因於基於質量流量控制器(MFC)的使用的第一零點漂移和基於設置姿勢的第二零點漂移兩方的設定流量與實際流量的偏差。該流量修正處理基於流量修正處理程序針對各質量流量控制器(MFC)240A～240C實行。這裡，從圖1中所示的表示氣體供給系統200的各構成要素的標號中省略A～C而典型地進行說明。因而，例如質量流量控制器(MFC)240的情況表示各質量流量控制器(MFC)240A～240C。
如圖7中所示，根據本實施方式的流量修正處理，如果熱處理裝置100運行，則首先在步驟S110中判斷是否將熱處理裝置100最初設置於工廠的初始導入時。在步驟S110中判斷成是熱處理裝置100的初始導入時的情況下，實行零點漂移檢測處理，也就是第一零點漂移檢測處理(步驟S200)、第一零點漂移修正處理(步驟S300)、第二零點漂移檢測處理(步驟S400)。
這裡，在第二零點漂移檢測處理(步驟S400)前，實行第一零點漂移檢測處理(步驟S200)和第一零點漂移修正處理(步驟S300)，是因為僅檢測第二零點漂移的漂移量的緣故。即，因為即使產生第一零點漂移其也在流量修正成零的狀態下檢測第二零點漂移的緣故。由此，可以正確地檢測第二零點漂移。
在步驟S110中判斷成不是熱處理裝置100的初始導入時的情況下，在步驟S120中判斷在MFC運用條件中是否有變更。這裡的MFC運用條件的變更，是在第二零點漂移修正處理中無法照原樣利用已經儲存於第二零點漂移信息384中的第二零點漂移量這種條件中變更的情況，例如可以舉出運用氣體種類的變更、運用壓力的變更、質量流量控制器(MFC)本身的更換等。在步驟S120中，在MFC運用條件中有變更的情況下，通過實行步驟S200～S400的處理，基於所變更的MFC運用條件重新檢測第二零點漂移並儲存於第二零點漂移信息384。
在步驟S120中判斷成MFC運用條件中沒有變更的情況下，在步驟S130中判斷是否實行晶片處理。因為每當進行晶片的處理在該晶片處理前修正第一零點漂移和第二零點漂移的緣故。在步驟S130中判斷成實行晶片處理的情況下，實行零點漂移修正處理，也就是第一零點漂移檢測處理(步驟S200)、第一零點漂移修正處理(步驟S300)、第二零點漂移修正處理(步驟S500)而回到步驟S120的處理。
這裡，在第二零點漂移修正處理(步驟S500)前實行第一零點漂移檢測處理(步驟S200)和第一零點漂移修正處理(步驟S300)是因為僅修正第二零點漂移的漂移量的緣故。即，即使產生第一零點漂移其也在修正成零的狀態下修正第二零點漂移的緣故。由此，由於可以在沒有第一零點漂移的影響的狀態下，修正第二零點漂移，所以第二零點漂移的修正也可以正確地進行。
在步驟S130中判斷成不實行晶片處理的情況下，在步驟S140中判斷熱處理裝置100的運行是否停止，在判斷成熱處理裝置100的運行停止的情況下回到步驟S120的處理，在判斷成熱處理裝置100的運行未停止的情況下結束一系列的流量修正處理。
圖7中所示的第一零點漂移檢測處理(步驟S200)、第一零點漂移修正處理(步驟S300)、第二零點漂移檢測處理(步驟S400)、第二零點漂移修正處理(步驟S500)分別基於第一零點漂移檢測處理程序373、第一零點漂移修正處理程序374、第二零點漂移檢測處理程序375、第二零點漂移修正處理程序376來實行。
而且，由於第一零點漂移檢測處理(步驟S200)和第一零點漂移修正處理(步驟S300)，相當於第二零點漂移檢測處理(步驟S400)的事前處理，所以也可以將這些第一零點漂移檢測處理(步驟S200)、第一零點漂移修正處理(步驟S300)、第二零點漂移檢測處理(步驟S400)作為一系列的第二零點漂移檢測處理來考慮。同樣，由於第一來零點漂移檢測處理(步驟S200)、第一零點漂移修正處理(步驟S300)相當於第二零點漂移修正處理(步驟S500)的事前處理，所以也可以將這些第一零點漂移檢測處理(步驟S200)、第一零點漂移修正處理(步驟S300)、第二零點漂移修正處理(步驟S500)作為一系列的第二零點漂移修正處理來考慮。
此外，在實行第二零點漂移檢測處理(步驟S400)或第二零點漂移修正處理(步驟S500)時，如果對第一零點漂移而言用其他方法等進行補償，則沒有必要一定將第一零點漂移檢測處理(步驟S200)和第一零點漂移修正處理(步驟S300)作為事前處理來實行。
而且，在圖7中所示的流量修正處理的具體例中，雖然對於第一零點漂移檢測處理(步驟S200)、第一零點漂移修正處理(步驟S300)、第二零點漂移修正處理(步驟S500)而言，對每當晶片處理時實行的情況進行了說明，但是不一定局限於這些，也可以每經過規定時間而進行。在以下中，對圖7中所示的步驟S300～S500的處理詳細地進行說明。
(第一零點漂移檢測處理的具體例)
首先，參照圖8中所示的子程序說明第一零點漂移檢測處理(步驟S200)的具體例。如圖8中所示，控制部300首先通過步驟S210～S240，將質量流量控制器(MFC)240內形成真空狀態。即，在步驟S210中關閉第一截止閥(上遊側截止閥)230，在步驟S220中強制打開質量流量控制器(MFC)240的控制閥246。在該狀態下，在步驟S230中進行質量流量控制器(MFC)240內的抽真空處理。通過打開例如排氣側旁通截止閥134和供給側旁通截止閥136而經由旁通線130利用真空排氣裝置124進行抽真空處理。接著，在步驟S240中關閉第二截止閥(下遊側截止閥)250。
通過這種步驟S210～S240，由於質量流量控制器(MFC)240內成為沒有產生流動的流體本身的真空狀態，所以不產生熱虹吸現象引起的第二零點漂移。
在該情況下，假如在未將質量流量控制器(MFC)240內抽真空的情況下，即使關閉例如第一截止閥(上遊側截止閥)230與第二截止閥(下遊側截止閥)250，只要在質量流量控制器(MFC)240內存在著流動，就可能因熱虹吸現象而產生第二零點漂移。因而，在這種狀態下，即使檢測MFC輸出電壓，則在該輸出電壓中不僅包含第一零點漂移量還包含第二零點漂移量。因此，無法正確地檢測第一零點漂移。
這一點，由於在本實施方式中，將質量流量控制器(MFC)240內形成不產生第二零點漂移的真空狀態後，在下一個步驟S250以後檢測MFC的輸出電壓，所以可以在不含有第二零點漂移的狀態下檢測第一零點漂移量。由此，可以正確地檢測第一零點漂移量。
在該狀態下，等到MFC輸出電壓的輸出穩定。然後，如果MFC輸出電壓的輸出穩定，則在步驟S250中將MFC輸出電壓作為此次的第一零點漂移量E0檢測。具體地說，將流量檢測指令發送到MFC控制電路247而接收MFC輸出電壓。在該情況下，如果不產生第一零點漂移則MFC輸出電壓為零，如果產生第一零點漂移則MFC輸出電壓不為零。
接著，在步驟S260中將直到前次所累計的第一零點漂移量Ek由Ek＝Ek+E0來更新並儲存。即，將此次第一零點漂移量E0加到第一零點漂移信息383的第一零點漂移量Ek的項目中所儲存的直到前次中累計的第一零點漂移量Ek上，作為新的第一零點漂移量Ek儲存。例如，如果在圖5中所示的第一零點漂移信息383中第一質量流量控制器(MFC)240A的直到前次所累計的第一零點漂移量取為E1，則通過E1＝E1+E0更新第一零點漂移量E1並儲存。
接著，在步驟S270中判斷如上所述更新的第一零點漂移量Ek是否超過預先設定的閾值，在判斷成超過閾值的情況，在步驟S280中進行報知處理。作為報知處理，利用例如報警器等報知裝置350發生警告聲，或者在液晶板等顯示裝置330上進行警告顯示。由此，可以得知質量流量控制器(MFC)240的故障或更換時間等。作為上述閾值將例如成為基準值的電壓值的±0.3V(300mV)取為閾值，在第一零點漂移量的累計值Ek偏離該閾值的情況實行報知處理。這是因為在這種情況下，考慮質量流量控制器(MFC)240的問題的緣故。在步驟S270中判斷成第一零點漂移量的累計值Ek不超過預先設定的閾值的情況下，結束第一零點漂移檢測處理。
而且，在進行第一零點漂移檢測處理的情況下，也可以最初進行事前檢查處理，以便能夠可靠地檢測質量流量控制器(MFC)240的第一零點漂移。作為事前檢查處理，可以舉出例如半導體製造裝置的電源投入後規定時間(例如4小時以上)的暖氣運行、配置氣體供給系統200的容器(氣罐)內的正常排氣(例如2小時以上)、在利用加熱器進行溫度調整的情況等待該溫度的穩定、第一截止閥(上遊側截止閥)230和第二截止閥(下遊側截止閥)250等的洩漏檢查等。優選確認在這類事前檢查中沒有異常後進行第一零點漂移檢測處理。
(第一零點漂移修正處理的具體例)接下來，參照圖9中所示的子程序說明第一零點漂移修正處理(步驟S300)的具體例。如圖9中所示，控制部300首先在步驟S310中對質量流量控制器(MFC)240進行零點設定指令。具體地說，控制部300向質量流量控制器(MFC)240發送零點設定指令，將當前的狀態設定成流量零。例如在步驟S200中，在質量流量控制器(MFC)240內沒有流體的真空狀態下所檢測的第一零點漂移量Ek不為零的情況下，該狀態被設定成流量零。
接著，在步驟S320中檢測MFC輸出電壓確認進行零點設定。即，確認MFC輸出電壓不為零。這樣一來，如果第一零點漂移修正處理結束，則回到圖7中所示的流量修正處理，接著，實行第二零點漂移檢測處理(步驟S400)而結束第一零點漂移修正處理。
(第二零點漂移檢測處理的具體例)接下來，參照圖10中所示的子程序說明第二零點漂移檢測處理(步驟S400)的具體例。如圖10中所示，控制部300首先在步驟S410中將質量流量控制器(MFC)240內置換成運用氣體(例如如果是質量流量控制器(MFC)240A則為SiH4氣體)。具體地說，打開例如第一截止閥(上遊側截止閥)230和第二截止閥(下遊側截止閥)250而將運用氣體導入質量流量控制器(MFC)240內，並且通過打開排氣側旁通截止閥134和供給側旁通截止閥136經由旁通線130利用真空排氣裝置124進行抽真空處理。此時，通過交互地重複運用氣體的導入與抽真空處理的循環換氣也可以將質量流量控制器(MFC)240內置換成運用氣體。
接著，通過步驟S420～步驟S440，以運用壓力將運用氣體封入質量流量控制器(MFC)240內。即，在步驟S420中關閉第二截止閥(下遊側截止閥)250，在步驟S430中強制打開質量流量控制器(MFC)240的控制閥246，在步驟S440中將質量流量控制器(MFC)240內形成運用壓力。具體地說，關閉第二截止閥(下遊側截止閥)250的狀態下，導入運用氣體直到質量流量控制器(MFC)240內成為運用壓力。然後，如果質量流量控制器(MFC)240內成為運用壓力，則在步驟S450中關閉第一截止閥(上遊側截止閥)230，停止運用氣體的導入。由此，運用氣體以運用壓力被封入質量流量控制器(MFC)240內。
在該狀態下，等待MFC輸出電壓的輸出穩定。然後，如果MFC輸出電壓的輸出穩定，則在步驟S460中檢測MFC輸出電壓V。具體地說，將流量檢測指令發送到MFC控制電路247作為第二零點漂移量V接收MFC輸出電壓。在該情況下，如果不產生第二零點漂移則MFC輸出電壓為零，如果產生第二零點漂移則MFC輸出電壓不為零。此外，在本實施方式中，因為已經進行第一零點漂移檢測(步驟S200)和修正(步驟S300)，故可以在不含有第一零點漂移量的狀態下檢測第二零點漂移量。由此，可以正確地檢測第二零點漂移量。
接著，在步驟S470中照原樣儲存第二零點漂移量V。即，在第二零點漂移信息384的第二零點漂移量Vk的項目中照原樣儲存第二零點漂移量V。例如，在圖6中所示的第二零點漂移信息384中對第一質量流量控制器(MFC)240A的SiH4氣體而言，將所檢測的第二零點漂移量V作為第二零點漂移量V1SiH4儲存。
接著，在步驟S480中判斷所有的運用氣體和運用壓力中的檢查是否結束。這是因為如上所述因為第二零點漂移量因氣體種類(氣體分子量)與壓力而不同，因此在對一個質量流量控制器(MFC)而言具有多個運用氣體與運用壓力的情況下，對各運用氣體而言有必要在各運用壓力下分別檢測第二零點漂移。
例如在圖1中所示的構成例中，因為第一質量流量控制器(MFC)240A中的運用氣體有SiH4與N2，所以針對各運用氣體檢測第二零點漂移。此時在一種氣體中有多個運用壓力的情況下針對各運用壓力檢測第二零點漂移。
在步驟S480中判斷成所有的運用氣體和運用壓力下的檢查未結束的情況下回到步驟S410的處理，在判斷成所有的運用氣體和運用壓力下的檢查結束的情況下結束第二零點漂移檢測處理。
而且，在進行第二零點漂移檢測處理的情況下，與上述第一零點漂移檢測處理的情況同樣，也可以最初進行事前檢查處理，以便質量流量控制器(MFC)240的第二零點漂移可以可靠地檢測。這裡的事前檢查處理的具體例，與上述針對第一零點漂移檢測處理的事前檢查處理是同樣的。
(第二零點漂移修正處理的具體例)接下來，參照圖11中所示的子程序說明第二零點漂移修正處理(步驟S500)的具體例。如圖11中所示，控制部300首先在步驟S510中基於例如處理數據存儲裝置380的過程處理信息381取得此後進行晶片處理的運用氣體、運用壓力、運用氣體流量V。而且、運用氣體、運用壓力、運用氣體流量V也可以通過觸控螢幕等輸入輸出裝置340的操作由操作者輸入。
接著，在步驟S520中基於處理數據存儲裝置380的第二零點漂移信息394取得所取得的運用氣體和運用壓力。在該情況下，在進行晶片處理時利用多個質量流量控制器(MFC)240對氣體流量進行控制的情況下，針對各質量流量控制器(MFC)240取得第二零點漂移信息394。
接著，在步驟S530中，將在取得的運用氣體流量V上加上第二零點漂移量Vk的流量(V＝V+Vk)作為修正後的設定流量V來對質量流量控制器(MFC)240進行設定。具體地說，控制部300將設定流量V的設定指令向質量流量控制器(MFC)240的MFC控制電路247進行發送。於是，MFC控制電路247以第二零點漂移已修正的流量V進行流量設定。
由此，在晶片處理時，利用第一零點漂移與第二零點漂移兩方已修正的流量V控制流量。因而，可以不受第一零點漂移和第二零點漂移兩方的影響，進行精度更高的流量控制。
而且，雖然在圖7中所示的流量修正處理中，舉出在實行晶片處理時，在步驟S200中檢測第一零點漂移量，在步驟S300中修正第一零點漂移量後，在步驟S500中修正零點漂移量的情況為例，但是不一定限定於此，第一零點漂移量的修正與第二零點漂移量的修正也可以同時進行。
即，也可以基於儲存於第二零點漂移信息384的第二零點漂移量和實行晶片處理時檢測的第一零點漂移量修正對應於晶片處理時使用的氣體的氣體流量的設定電壓，在質量流量控制器(MFC)240中設定修正後的氣體流量的設定電壓。具體地說，省略第一零點漂移修正處理(步驟S300)，也就是不進行零點設定指令，在第二零點漂移修正處理(步驟S500)中進行還考慮第一零點漂移量的修正。也可以例如在圖11中所示的步驟S530中，作為修正在取得的運用氣體流量V上加上第二零點漂移量Vk和剛剛檢測到的第一零點漂移量E的流量(V＝V+Vk+E)後的設定流量V在質量流量控制器(MFC)240中設定。由此，可以同時進行第一零點漂移量的修正與第二零點漂移量的修正。
在這種構成的根據第一實施方式的熱處理裝置100中，可以正確地檢測基於實際的晶片處理時產生的熱虹吸現象的零點漂移量(第二零點漂移量)。即，因為基於熱虹吸現象的零點漂移量的大小因氣體種類(氣體分子量)而異，因此通過用晶片處理時使用的氣體檢測基於熱虹吸現象的零點漂移量(第二零點漂移量)，可以正確地檢測實際的晶片處理時可能產生的零點漂移量。
此外，儲存檢測的基於熱虹吸現象的零點漂移量(第二零點漂移量)後，在實行晶片處理時，通過修正對應於晶片處理時使用的氣體流量的設定電壓，可以正確地修正第二零點漂移量。由此，不論質量流量控制器(MFC)240的設置姿勢如何，均可以提高流量控制的精度。進而，不論質量流量控制器(MFC)240的構成如何，均可以正確地檢測基於熱虹吸現象的零點漂移量。
此外，對根據第一實施方式的熱處理裝置100所具有的各質量流量控制器(MFC)240A～240C而言，因為實行上述那種流量修正處理，因此，無論各質量流量控制器(MFC)240A～240C的設置姿勢如何，均可以進一步提高流量控制的精度。
此外，由於在檢測基於熱虹吸現象的第二零點漂移量前，檢測並修正質量流量控制器(MFC)240的基於使用的第一零點漂移量，所以可以不影響第一零點漂移且正確地檢測基於熱虹吸現象的第二零點漂移量。而且，在檢測第一零點漂移量時，關閉質量流量控制器(MFC)240的各截止閥230、250，不僅形成實際氣體不流動的狀態，而且由於質量流量控制器(MFC)240內真空排氣，所以在質量流量控制器(MFC)240內成為沒有能夠產生流動的流體本身的真空狀態。因此，由於不發生熱虹吸現象，所以可以在也沒有基於該熱虹吸現象的第二零點漂移的狀態下檢測第一零點漂移量。由此，可以正確地檢測第一零點漂移量。
此外，在實行晶片處理時也是，由於在修正基於熱虹吸現象的第二零點漂移量前，檢測並修正質量流量控制器(MFC)240的基於使用的第一零點漂移，所以可以不影響第一零點漂移且可靠地修正基於熱虹吸現象的第二零點漂移量。由此，無論質量流量控制器(MFC)240的設置姿勢如何，可以更加提高流量控制的精度。
(根據第二實施方式的半導體製造裝置的構成例)接下來，參照附圖，對根據第二實施方式的半導體製造裝置說明本發明。這裡，與第一實施方式的情況同樣，作為半導體製造裝置，舉出對晶片進行規定的熱處理的熱處理裝置為例進行說明。圖12是表示根據第二實施方式的熱處理裝置的構成例的圖。根據第二實施方式的熱處理裝置100，氣體供給系統200的構成與根據第一實施方式的熱處理裝置100不同。即，根據第一實施方式的熱處理裝置100構成為針對作為運用氣體的各SiH4氣體、Si2H6氣體、SiH2Cl2氣體分別利用第一～第三質量流量控制器(MFC)240A～240C進行流量控制，與此相對照，根據第二實施方式的熱處理裝置100構成為對作為運用氣體的各SiH4氣體、Si2H6氣體、SiH2Cl2氣體利用共同的一個第一質量流量控制器(MFC)240A進行流量控制這一點上不同。
具體地說，SiH4氣體、Si2H6氣體、SiH2Cl2氣體的氣體供給路210A～210C分別在第一截止閥(上遊側截止閥)230A～230C的下遊側處合流，連接於質量流量控制器(MFC)240A的氣體導入口。此外，例如作為吹洗氣體而使用的N2氣體的氣體供給路210D經由單向閥260D、第一截止閥(上遊側截止閥)230D而在第一截止閥(上遊側截止閥)230A～230C的下遊側處合流，連接於質量流量控制器(MFC)240A的氣體導入口。
根據第二實施方式的第一零點漂移信息383，如圖13中所示，僅儲存共同的質量流量控制器(MFC)240A的第一零點漂移量(Ek)即可。此外，根據第二實施方式的第二零點漂移信息384，如圖14中所示，僅儲存共同的質量流量控制器(MFC)240A的氣體種類(Gk)、壓力(Pk)、第二零點漂移量。
在這種根據第二實施方式的熱處理裝置100中，與根據第一實施方式的熱處理裝置100同樣可以運用圖7～圖11中所示那種流量修正處理。例如，在圖12中所示的熱處理裝置100中，利用一個共同的質量流量控制器(MFC)240A控制多個運用氣體(SiH4氣體、Si2H6氣體、SiH2Cl2氣體、N2氣體)的流量。因此，在根據第二實施方式的第二零點漂移檢測處理(步驟S400)中，針對各運用氣體檢測第二零點漂移量，將各運用氣體的第二零點漂移量預先儲存於圖14中所示那種第二零點漂移信息384。
然後，在晶片處理時，實行第一零點漂移檢測處理(步驟S200)和第一零點漂移修正處理(步驟S300)後，通過第二零點漂移修正處理(步驟S500)基於第二零點漂移信息384修正針對各運用氣體的設定流量。由此，在晶片處理時利用第一零點漂移與第二零點漂移兩方所修正的流量V控制流量。
如果利用這種根據第二實施方式的熱處理裝置100，則使用共同的質量流量控制器(MFC)240A分別向熱處理部110供給多個氣體種類而進行晶片處理。在這種情況下也是，通過進行與第一實施方式同樣的流量修正處理，在晶片處理時使用各氣體種類時可以正確地檢測並修正基於實際上可能產生的熱虹吸現象的零點漂移量。由此，可以無論質量流量控制器(MFC)240A的設置姿勢如何，更加提高流量控制的精度。
而且，對通過上述實施方式詳述的本發明而言，可以運用於由多個機器所構成的系統，也可以運用於由一個機器組成的系統。將儲存實現上述實施方式的功能的軟體的程序的存儲介質等介質供給到系統或裝置，通過該系統或裝置的計算機(或CPU或MPU)讀出並實行儲存於存儲介質等介質中的程序，可以實現本發明是不用說的。
在該情況下，從存儲介質等介質所讀出的程序本身成為實現上述實施方式的功能，儲存該程序的存儲介質等介質構成本發明。作為用來供給程序的存儲介質等介質，可以用例如Floppy(註冊商標)軟盤、硬碟、光碟、光磁性盤、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW、磁帶、非易失性存儲器卡、ROM、或者經由網絡的下載等。
而且，通過計算機實行讀出的程序，不僅實現上述實施方式的功能，而且基於該程序的指示，在計算機上運行的OS等進行實際的處理的一部或者全部，通過該處理實現上述實施方式的功能的情況，也包含於本發明。
此外，從存儲介質等介質所讀出的程序，寫入插入計算機的功能擴展板或連接於計算機的功能擴展單元中所備有的存儲器後，基於該程序的指示，該功能擴展板或功能擴展單元中所備有的CPU等進行實際的處理的一部或全部，通過該處理實現上述實施方式的功能的情況，也包含於本發明。
雖然以上，參照附圖就本發明的最佳實施方式進行了說明，但是本發明不限定於此例是不用說的。只要是本領域技術人員，在權利要求書中所述的範圍內，可以得到各種變形例或修正例是顯而易見的，對這些而言應該明白當然屬於本發明的技術範圍。
例如，雖然在上述第一和第二實施方式中，作為半導體製造裝置舉出熱處理裝置為例進行了說明，但是不一定限定於此，只要是利用質量流量控制器等流量控制器控制氣體或液體的流量而對基板進行規定的處理的半導體製造裝置，可以運用於各種的種類的半導體製造裝置。例如作為半導體製造裝置除了熱處理裝置之外，也可以運用於蝕刻裝置或成膜裝置。
工業實用性本發明運用於利用質量流量控制器等流量控制器控制氣體或液體的流量而對基板進行規定的處理的半導體製造裝置，半導體製造裝置的流量修正方法，程序是可能的。
權利要求
1.一種半導體製造裝置，其特徵在於，包括對基板實施用來製造半導體裝置的處理的處理部；將氣體供給到所述處理部內的氣體供給路；設置在所述氣體供給路，比較來自檢測所述氣體供給路的氣體流量的檢測部的輸出電壓與對應於預先設定的設定流量的設定電壓，控制所述氣體供給路的氣體流量為設定流量的流量控制器；分別設置在所述流量控制器的上遊側與下遊側的截止閥；以及在所述流量控制器中設定對應於由所述氣體供給路所供給的氣體的氣體流量的設定電壓的控制部，其中，所述控制部在實行基板處理前，預先至少利用基板處理時所使用的氣體對所述流量控制器內進行置換並在關閉所述各截止閥的狀態下檢測來自所述流量控制器的輸出電壓，並將該輸出電壓儲存於存儲裝置，在實行基板處理時，基於儲存於所述存儲裝置的所述流量控制器的輸出電壓修正對應於基板處理時所使用的氣體的氣體流量的設定電壓，並在所述流量控制器中設定修正後的氣體流量的設定電壓。
2.一種半導體製造裝置，其特徵在於，包括對基板實施用來製造半導體裝置的處理的處理部；將多種氣體分別供給到所述處理部內的多個氣體供給路；分別設置在所述各氣體供給路上，比較來自檢測所述氣體供給路的氣體流量的檢測部的輸出電壓與對應於預先設定的設定流量的設定電壓，控制所述氣體供給路的氣體流量為設定流量的多個流量控制器；分別設置在所述各流量控制器的上遊側與下遊側的截止閥；以及在所述各流量控制器中設定對應於由所述各氣體供給路所供給的氣體的氣體流量的設定電壓的控制部，其中所述控制部在實行基板處理前，針對所述各流量控制器預先至少利用基板處理時所使用的氣體對所述各流量控制器內進行置換並在關閉所述各截止閥的狀態下檢測來自所述流量控制器的輸出電壓，並將針對各流量控制器的輸出電壓儲存於存儲裝置，在實行基板處理時，基於針對所述各流量控制器儲存於所述存儲裝置中的輸出電壓，分別針對所述各流量控制器修正對應於基板處理時所使用的氣體種類的氣體流量的設定電壓，並在所述各流量控制器中分別設定修正後的氣體流量的設定電壓。
3.一種半導體製造裝置，其特徵在於，包括對基板實施用來製造半導體裝置的處理的處理部；將多種氣體分別供給到所述處理部內的多個氣體供給路；設置在所述各氣體供給路合流的合流路上，比較來自檢測所述氣體供給路的氣體流量的檢測部的輸出電壓與對應於預先設定的設定流量的設定電壓，控制所述氣體供給路的氣體流量為設定流量的共同的流量控制器；分別設置在所述流量控制器的下遊側的所述各氣體供給路上的下遊側截止閥；設置在所述流量控制器的上遊側的上遊側截止閥；以及在所述流量控制器中分別設定對應於由所述各氣體供給路所供給的各氣體種類的氣體流量的設定電壓的控制部，其中，所述控制部在實行基板處理前，針對基板處理時所使用的各氣體種類預先至少利用所述氣體對所述各流量控制器內進行置換並在關閉所述各截止閥的狀態下檢測來自所述流量控制器的輸出電壓，將針對各氣體種類的輸出電壓儲存於存儲裝置，在實行基板處理時，基於儲存於所述存儲裝置中的針對各氣體種類的所述流量控制器的輸出電壓，分別修正對應於基板處理時所使用的各氣體種類的氣體流量的設定電壓，並在所述流量控制器中分別設定修正後的氣體流量的設定電壓。
4.一種半導體製造裝置，其特徵在於，包括對基板實施用來製造半導體裝置的處理的處理部；將氣體供給到所述處理部內的氣體供給路；設置在所述氣體供給路上，比較來自檢測所述氣體供給路的氣體流量的檢測部的輸出電壓與對應於預先設定的設定流量的設定電壓，控制所述氣體供給路的氣體流量為設定流量的流量控制器；分別設置在所述流量控制器的上遊側與下遊側上的截止閥；能夠對所述流量控制器內進行真空排氣的真空排氣裝置；以及在所述流量控制器中設定對應於由所述氣體供給路所供給的氣體的氣體流量的設定電壓的控制部，其中，所述控制部在實行基板處理前，預先利用所述真空排氣裝置對所述流量控制器內進行真空排氣並在關閉所述各截止閥的狀態下作為第一零點漂移量檢測所述流量控制器的輸出電壓，基於該第一零點漂移量進行零點修正，之後，至少利用與基板處理時同樣的氣體對所述流量控制器內進行置換並在關閉所述各截止閥的狀態下檢測來自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓作為第二零點漂移量儲存於存儲裝置，在實行基板處理時，利用所述真空排氣裝置對所述流量控制器內進行真空排氣並在關閉所述各截止閥的狀態下作為第一零點漂移量檢測所述流量控制器的輸出電壓，基於該第一零點漂移量進行零點修正，之後，基於儲存於所述存儲裝置中的所述第二零點漂移量修正對應於基板處理中所使用的氣體的氣體流量的設定電壓，並在所述流量控制器中設定修正後的氣體流量的設定電壓。
5.一種半導體製造裝置，其特徵在於，包括對基板實施用來製造半導體裝置的處理的處理部；將氣體供給到所述處理部內的氣體供給路；設置在所述氣體供給路上，比較來自檢測所述氣體供給路的氣體流量的檢測部的輸出電壓與對應於預先設定的設定流量的設定電壓，控制所述氣體供給路的氣體流量為設定流量的流量控制器；分別設置在所述流量控制器的上遊側與下遊側的截止閥；能夠對所述流量控制器內進行真空排氣的真空排氣裝置；以及在所述流量控制器中設定對應於由所述氣體供給路供給的氣體的氣體流量的設定電壓的控制部，其中，所述控制部在實行基板處理前，預先利用所述真空排氣裝置對所述流量控制器內進行真空排氣並在關閉所述各截止閥的狀態下作為第一零點漂移量檢測所述流量控制器的輸出電壓，基於該第一零點漂移量進行零點修正，之後，至少利用與基板處理時同樣的氣體對所述流量控制器內進行置換並在關閉所述各截止閥的狀態下檢測來自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓作為第二零點漂移量儲存於存儲裝置，在實行基板處理時，利用所述真空排氣裝置對所述流量控制器內進行真空排氣並在關閉所述各截止閥的狀態下作為第一零點漂移量檢測所述流量控制器的輸出電壓，基於將對應於基板處理所使用的氣體的氣體流量的設定電壓儲存於所述存儲裝置中的所述第二零點漂移量和實行基板處理時檢測到的所述第一零點漂移量而進行修正，並在所述流量控制器中設定修正後的氣體流量的設定電壓。
6.一種半導體製造裝置的流量修正方法，其特徵在於其是利用比較來自檢測氣體供給路的氣體流量的檢測部的輸出電壓與對應於預先設定的設定流量的設定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設定流量的流量控制器，將氣體供給到處理部，並對該處理部內的基板進行用來製造半導體裝置的處理的半導體製造裝置的流量修正方法，其特徵在於，包括在實行基板處理前，預先至少利用在基板處理時所使用的氣體對所述流量控制器內進行置換並在關閉設置於所述流量控制器的上遊側以及下遊側的各截止閥的狀態下檢測來自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓作為零點漂移量儲存於存儲裝置中的零點漂移檢測工序；和在實行基板處理時，基於儲存於所述存儲裝置中的所述流量控制器的零點漂移量修正對應於基板處理時所使用的氣體的氣體流量的設定電壓，並在所述流量控制器中設定修正後的氣體流量的設定電壓的零點漂移修正工序。
7.一種半導體製造裝置的流量修正方法，其特徵在於其是利用比較來自檢測氣體供給路的氣體流量的檢測部的輸出電壓與對應於預先設定的設定流量的設定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設定流量的多個流量控制器，將多種氣體供給到處理部，對該處理部內的基板進行用來製造半導體裝置的處理的半導體製造裝置的流量修正方法，其包括在實行基板處理前，預先針對所述各流量控制器至少利用在基板處理時所使用的氣體對所述流量控制器內進行置換並在關閉設置在所述流量控制器的上遊側和下遊側的各截止閥的狀態下，檢測來自所述流量控制器的輸出電壓，將這些針對各流量控制器的輸出電壓作為零點漂移量儲存於存儲裝置中的零點漂移檢測工序；和在實行基板處理時，針對所述各流量控制器基於針對所述各流量控制器儲存於所述存儲裝置中的輸出電壓分別修正對應於基板處理時所使用的氣體的氣體流量的設定電壓，並在所述各流量控制器中分別設定修正後的氣體流量的設定電壓的零點漂移修正工序。
8.一種半導體製造裝置的流量修正方法，其特徵在於其是利用比較來自檢測氣體供給路的氣體流量的檢測部的輸出電壓與對應於預先設定的設定流量的設定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設定流量的流量控制器，將多種氣體供給到處理部，對該處理部內的基板進行用來製造半導體裝置的處理的半導體製造裝置的流量修正方法，其包括在實行基板處理前，預先針對基板處理時所使用的各氣體種類至少利用所述氣體對所述各流量控制器內進行置換並在關閉設置在所述流量控制器的上遊側和下遊側的各截止閥的狀態下檢測來自所述流量控制器的輸出電壓，將針對各氣體種類的輸出電壓作為零點漂移量儲存於存儲裝置中的零點漂移檢測工序；和在實行基板處理時，基於儲存於所述存儲裝置中的針對各氣體種類的零點漂移量分別修正對應於基板處理中所使用的各氣體種類的氣體流量的設定電壓，並在所述流量控制器中設定修正後的氣體流量的設定電壓的零點漂移修正工序。
9.一種半導體製造裝置的流量修正方法，其特徵在於其是利用比較來自檢測氣體供給路的氣體流量的檢測部的輸出電壓與對應於預先設定的設定流量的設定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設定流量的流量控制器，將氣體供給到處理部並對該處理部內的基板進行用來製造半導體裝置的處理的半導體製造裝置的流量修正方法，其包括在實行基板處理前，預先利用真空排氣裝置對所述流量控制器內進行真空排氣而在關閉所述各截止閥的狀態下作為第一零點漂移量檢測所述流量控制器的輸出電壓，並基於該第一零點漂移量進行零點修正，之後，至少利用與基板處理時同樣的氣體對所述流量控制器內進行置換並在關閉所述各截止閥的狀態下檢測來自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓作為第二零點漂移量儲存於存儲裝置中的第二零點漂移檢測工序；和在實行基板處理時，利用真空排氣裝置對所述流量控制器內進行真空排氣並在關閉所述各截止閥的狀態下作為第一零點漂移量檢測所述流量控制器的輸出電壓，基於該第一零點漂移量進行零點修正，之後，基於儲存於存儲裝置中的所述第二零點漂移量修正對應於基板處理中所使用的氣體的氣體流量的設定電壓，並在所述流量控制器中設定修正後的氣體流量的設定電壓的第二零點漂移修正工序。
10.一種半導體製造裝置的流量修正方法，其特徵在於其是利用比較來自檢測氣體供給路的氣體流量的檢測部的輸出電壓與對應於預先設定的設定流量的設定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設定流量的流量控制器，將氣體供給到處理部並對該處理部內的基板進行用來製造半導體裝置的處理的半導體製造裝置的流量修正方法，其包括在實行基板處理前，預先利用真空排氣裝置對所述流量控制器內進行真空排氣並在關閉所述各截止閥的狀態下作為第一零點漂移量檢測所述流量控制器的輸出電壓，基於該第一零點漂移量進行零點修正，之後，至少利用與基板處理時同樣的氣體對所述流量控制器內進行置換並在關閉所述各截止閥的狀態下檢測來自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓作為第二零點漂移量儲存於存儲裝置中的第二零點漂移檢測工序；和在實行基板處理時，利用真空排氣裝置對所述流量控制器內進行真空排氣並在關閉所述各截止閥的狀態下作為第一零點漂移量檢測所述流量控制器的輸出電壓，基於將對應於基板處理中所使用的氣體流量的設定電壓儲存於所述存儲裝置中的所述第二零點漂移量和實行基板處理時檢測到的所述第一零點漂移量進行修正，並在所述流量控制器中設定修正後的氣體流量的設定電壓的第二零點漂移修正工序。
11.如權利要求9或10所述的半導體製造裝置的流量修正方法，其特徵在於在檢測所述第一零點漂移量的同時還將累計的第一零點漂移量儲存於所述存儲裝置中，在檢測所述第一零點漂移量時，在將該第一零點漂移量加到直到上一次為止所累計的第一零點漂移量的值超出預定的閾值的情況下進行報知處理。
12.一種程序，其特徵在於其是用於實行利用比較來自檢測氣體供給路的氣體流量的檢測部的輸出電壓與對應於預先設定的設定流量的設定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設定流量的流量控制器將氣體供給到處理部，對該處理部內的基板進行用來製造半導體裝置的處理的半導體製造裝置的流量修正處理的程序，其中，該程序用於在計算機中實行下述處理在實行基板處理前，預先至少利用基板處理時所使用的氣體對所述流量控制器內進行置換並在關閉設置在所述流量控制器的上遊側和下遊側的各截止閥的狀態下檢測來自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓作為零點漂移量儲存於存儲裝置的零點漂移檢測處理，和在實行基板處理時，基於儲存於所述存儲裝置中的所述流量控制器的零點漂移量修正對應於基板處理時所使用的氣體的氣體流量的設定電壓，並在所述流量控制器中設定修正後的氣體流量的設定電壓的零點漂移修正處理。
13.一種程序，其特徵在於其是用於實行利用比較來自檢測氣體供給路的氣體流量的檢測部的輸出電壓與對應於預先設定的設定流量的設定電壓而控制所述氣體供給路的氣體流量為設定流量的流量控制器將氣體供給到處理部，對該處理部內的基板進行用來製造半導體裝置的處理的半導體製造裝置的流量修正處理的程序，其中，該程序用於在計算機中實行下述處理在實行基板處理前，預先利用真空排氣裝置對所述流量控制器內進行真空排氣並在關閉所述各截止閥的狀態下作為第一零點漂移量檢測所述流量控制器的輸出電壓，基於該第一零點漂移量進行零點修正，之後，至少利用與基板處理時同樣的氣體對所述流量控制器內進行置換並在關閉所述各截止閥的狀態下檢測來自所述流量控制器的輸出電壓，將該輸出電壓作為第二零點漂移量儲存於存儲裝置中的第二零點漂移檢測處理，和在實行基板處理時，利用真空排氣裝置對所述流量控制器內進行真空排氣並在關閉所述各截止閥的狀態下作為第一零點漂移量檢測所述流量控制器的輸出電壓，基於該第一零點漂移量進行零點修正，之後，基於儲存於所述存儲裝置中的所述第二零點漂移量修正對應於基板處理中所使用的氣體的氣體流量的設定電壓，並在所述流量控制器中設定修正後的氣體流量的設定電壓的第二零點漂移修正處理。
全文摘要
本發明提供一種半導體製造裝置，能夠正確地檢測基於基板處理時實際產生的熱虹吸現象的零點漂移量並進行可靠修正，包括將氣體供給到熱處理部(110)內的氣體供給路(210)，比較來自檢測氣體供給路的氣體流量的檢測部的輸出電壓與對應於預先設定的設定流量的設定電壓，控制氣體供給路的氣體流量為設定流量的MFC(240)和控制部(300)，控制部實行基板處理前預先至少利用基板處理時使用的氣體置換MFC內並在關閉設置在MFC上遊側與下遊側的截止閥(230、250)的狀態下檢測來自MFC的輸出電壓並儲存於存儲裝置，在實行基板處理時基於儲存於存儲裝置的MFC的輸出電壓修正對應於基板處理時使用氣體的氣體流量的設定電壓，在MFC中設定修正的設定電壓。
文檔編號H01L21/02GK101032008SQ20068000093
公開日2007年9月5日 申請日期2006年6月28日 優先權日2005年8月25日
發明者守谷修司, 岡部庸之, 衣斐寬之, 清水哲夫, 北川均 申請人:東京毅力科創株式會社